JPS6025263A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6025263A JPS6025263A JP13330283A JP13330283A JPS6025263A JP S6025263 A JPS6025263 A JP S6025263A JP 13330283 A JP13330283 A JP 13330283A JP 13330283 A JP13330283 A JP 13330283A JP S6025263 A JPS6025263 A JP S6025263A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- bonding
- leads
- tape
- semiconductor pellet
- Prior art date
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームに関し、特にテープ・キャリア
方式によって製造される集積回路に用いるリードフレー
ムに関する。
方式によって製造される集積回路に用いるリードフレー
ムに関する。
テープ・キャリア方式は、ポリイミド樹脂等でできた長
尺状のフレキシブルな絶縁性フィルム上に密着して設け
られたリードパターンに半導体ペレットの電極を直接、
熱圧着でインナーリード・ボンディングする組立方式で
ある 第１図は従来のリードフレームの一例の平面図である。
尺状のフレキシブルな絶縁性フィルム上に密着して設け
られたリードパターンに半導体ペレットの電極を直接、
熱圧着でインナーリード・ボンディングする組立方式で
ある 第１図は従来のリードフレームの一例の平面図である。
ポリイミド・フィルムで作られたテープｌにテープを順
次送る為のスプロケット・ホール２と半導体ペレット３
を収納するデバイス・ホール４とアウターリード・ボン
ディングを行なうボンディング・ホール６とをあけ、こ
のテープに密着してリード５を形成する。デバイス・ホ
ール４とボンディング・ホール６との間は支持枠が枠吊
す７にて吊られて設けられており、リード５の先端は半
導体ペレット３の電極にボンディングされており、一方
、その外方はセラミック・ケース等にボンディングする
為のボンディング・ホール６につながり、その外方端は
半導体ペレット３の電気的な特性を測定する時に探針を
接触する為のパッド８につながっている８そのバッド８
を利用して電気テストし、その結果良品と判定された半
導体ペレッ１３は、ボンディング・ホール６の破線に沿
って切断され、セラミック・ケースに搭載されケースの
ビンに熱圧着により接着される。
次送る為のスプロケット・ホール２と半導体ペレット３
を収納するデバイス・ホール４とアウターリード・ボン
ディングを行なうボンディング・ホール６とをあけ、こ
のテープに密着してリード５を形成する。デバイス・ホ
ール４とボンディング・ホール６との間は支持枠が枠吊
す７にて吊られて設けられており、リード５の先端は半
導体ペレット３の電極にボンディングされており、一方
、その外方はセラミック・ケース等にボンディングする
為のボンディング・ホール６につながり、その外方端は
半導体ペレット３の電気的な特性を測定する時に探針を
接触する為のパッド８につながっている８そのバッド８
を利用して電気テストし、その結果良品と判定された半
導体ペレッ１３は、ボンディング・ホール６の破線に沿
って切断され、セラミック・ケースに搭載されケースの
ビンに熱圧着により接着される。
近年のように半導体ベレットの回路パターンが高密度化
し、電極数がｌＯＯを超えるようになってくると、半導
体ベレット寸法が大きくなり、テープ上のデバイス・ホ
ールも大きくなってくる。
し、電極数がｌＯＯを超えるようになってくると、半導
体ベレット寸法が大きくなり、テープ上のデバイス・ホ
ールも大きくなってくる。
それに付随してボンティング・ホールもバター／中心よ
り外側に設けなければならなくなってくる。
り外側に設けなければならなくなってくる。
しかし、テープ幅等に制限されボンディング・ホールも
制限され電極数も制限されてくる。この問題点を解決す
る方法として、ボンディング・ホール内のリードピッチ
、リード幅等を狭めることが考えられるが、搭載するセ
ラミック・ケースのリード幅、リードピッチは現状では
これ以上狭められない等の問題がある。また、インナー
リード・ボンディング部とアウターリード・ボンディン
グ部間のリード長が、電極数が増えるほど半導体ベレッ
トの一辺の中心と端では大きな違いが生じてくる。この
ため、熱圧着−の歪が不均一にリードにかかり変形、シ
ョート等の不良を発生しやすくなるという欠点を生ずる
。
制限され電極数も制限されてくる。この問題点を解決す
る方法として、ボンディング・ホール内のリードピッチ
、リード幅等を狭めることが考えられるが、搭載するセ
ラミック・ケースのリード幅、リードピッチは現状では
これ以上狭められない等の問題がある。また、インナー
リード・ボンディング部とアウターリード・ボンディン
グ部間のリード長が、電極数が増えるほど半導体ベレッ
トの一辺の中心と端では大きな違いが生じてくる。この
ため、熱圧着−の歪が不均一にリードにかかり変形、シ
ョート等の不良を発生しやすくなるという欠点を生ずる
。
本発明は、上記欠点を除去し、リードピッチは従来と同
一に取れて、しかも電極数を増すことができ、熱圧着の
歪が不均一にリードにかかつて変形やショート等の不良
の発生を抑制することのできるリードフレームを提供す
るものである。
一に取れて、しかも電極数を増すことができ、熱圧着の
歪が不均一にリードにかかつて変形やショート等の不良
の発生を抑制することのできるリードフレームを提供す
るものである。
本発明は、長尺状のフレキシブルな絶縁性フィルム上に
密着したリードパターンが形成されているリードフレー
ムにおいて、前記絶縁性フィルムのボンディング・ホー
ルが円弧帯状であることを特徴とする。
密着したリードパターンが形成されているリードフレー
ムにおいて、前記絶縁性フィルムのボンディング・ホー
ルが円弧帯状であることを特徴とする。
また、前記リードフレームパターンのアウターリード・
ボンディング部は外に向って放射状に形成される。
ボンディング部は外に向って放射状に形成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例の平面図である。
ポリイミド・フィルム等の絶縁性フィルムで作られたテ
ープ１１に、テープを順次送る為のスゲロケット・ホー
ル１２と半導体ベレット１３を収納するデバイス・ホー
ル１４と半導体ベレット１３を中心とする円弧帯状のボ
ンティング・ホール１６とをあけ、このテープに密着さ
せてリード１５を形成する。このリードパターンは、半
導体ベレット１３を中心に放射状に形成され、はぼ均一
なリード長をなしている。デバイス・ホール１４とボン
ディング・ホール１６との間は支持枠が枠吊り１７にて
吊られた状態で設けられており、すＬド１５の先端は半
導体ベレット１３の電極にボンディングされており、一
方、その外方はセラミック・ケース等にボンディングす
る為のボンティング・ホール１６につながり、その外方
端は半導体ベレット１３の電気的な特性を測定する時に
探針を接触する為のバッド１８につながっている。その
バッド１８を利用して電気テストし、その結果良品と判
定された半導体ベレット１３はボンディング・ホール１
６の破線に沿って切断され、セラミック・ケース等に搭
載されケースのピンに熱圧着により接着して、半導体装
置が得られる。
ープ１１に、テープを順次送る為のスゲロケット・ホー
ル１２と半導体ベレット１３を収納するデバイス・ホー
ル１４と半導体ベレット１３を中心とする円弧帯状のボ
ンティング・ホール１６とをあけ、このテープに密着さ
せてリード１５を形成する。このリードパターンは、半
導体ベレット１３を中心に放射状に形成され、はぼ均一
なリード長をなしている。デバイス・ホール１４とボン
ディング・ホール１６との間は支持枠が枠吊り１７にて
吊られた状態で設けられており、すＬド１５の先端は半
導体ベレット１３の電極にボンディングされており、一
方、その外方はセラミック・ケース等にボンディングす
る為のボンティング・ホール１６につながり、その外方
端は半導体ベレット１３の電気的な特性を測定する時に
探針を接触する為のバッド１８につながっている。その
バッド１８を利用して電気テストし、その結果良品と判
定された半導体ベレット１３はボンディング・ホール１
６の破線に沿って切断され、セラミック・ケース等に搭
載されケースのピンに熱圧着により接着して、半導体装
置が得られる。
以上の様な構造にすることにより、従来技術では、テー
プ幅等の制限により使用できる電極数も制限されていた
が、ボンディング・ホールが、円弧帯を有し、リードパ
ターンが外に向いて放射状に形成されていることにより
、ケースと接着するリードピッチは従来と同一に取れた
上、電極数を増やすことができる。また、不均一だった
リード長もほぼ均一になった為異常変形がなくなりショ
ート不良もなくなった。
プ幅等の制限により使用できる電極数も制限されていた
が、ボンディング・ホールが、円弧帯を有し、リードパ
ターンが外に向いて放射状に形成されていることにより
、ケースと接着するリードピッチは従来と同一に取れた
上、電極数を増やすことができる。また、不均一だった
リード長もほぼ均一になった為異常変形がなくなりショ
ート不良もなくなった。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、リードピ
ッチは従来と同一に取れて、しかも電極数を増すことが
でき、リードの変形やショート等の不良の発生を抑制す
ることのできるリードフレームが得られるのでその効果
は太きい。
ッチは従来と同一に取れて、しかも電極数を増すことが
でき、リードの変形やショート等の不良の発生を抑制す
ることのできるリードフレームが得られるのでその効果
は太きい。
第１図は従来のリードフレームの一例の平面図、第２図
は本発明の一実施例の平面図である。 １．１１・・・・・・テープ、２．１２・・・・・・ス
プロケット・ホール、３．１３・・・・・・半導体ヘレ
ット、４゜１４・・・・・・デバイス・ホール、５，１
５・・・・・・リード、６．１６・・・・・・ボンティ
ング・ホール、７．１７・・・、 −・・枠吊り、８．
１８・・・・・・パッド。 半１ 個 療２剖
は本発明の一実施例の平面図である。 １．１１・・・・・・テープ、２．１２・・・・・・ス
プロケット・ホール、３．１３・・・・・・半導体ヘレ
ット、４゜１４・・・・・・デバイス・ホール、５，１
５・・・・・・リード、６．１６・・・・・・ボンティ
ング・ホール、７．１７・・・、 −・・枠吊り、８．
１８・・・・・・パッド。 半１ 個 療２剖
Claims (2)
- （１）ｌｉ［のフレキシブルな絶縁性フィルム上に密着
したリードパターンが形成されているリードフレームに
おいて、前記絶縁性フィルムのボンティング・ホールが
円弧帯状であることを特徴とするリードフレーム。 - （２）リードフレームパターンのアウターリード・ボン
ディング部が外に向って放射状に形成されている特許請
求の範囲第（１）項記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13330283A JPS6025263A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13330283A JPS6025263A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025263A true JPS6025263A (ja) | 1985-02-08 |
| JPH0213935B2 JPH0213935B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=15101482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13330283A Granted JPS6025263A (ja) | 1983-07-21 | 1983-07-21 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899207A (en) * | 1986-08-27 | 1990-02-06 | Digital Equipment Corporation | Outer lead tape automated bonding |
| JPH04179545A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Ooe Kagaku Kogyo Kk | ヒートシール性通気包装材料の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03129848U (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-26 |
-
1983
- 1983-07-21 JP JP13330283A patent/JPS6025263A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899207A (en) * | 1986-08-27 | 1990-02-06 | Digital Equipment Corporation | Outer lead tape automated bonding |
| JPH04179545A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Ooe Kagaku Kogyo Kk | ヒートシール性通気包装材料の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213935B2 (ja) | 1990-04-05 |
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