JPH01157541A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01157541A JPH01157541A JP63023261A JP2326188A JPH01157541A JP H01157541 A JPH01157541 A JP H01157541A JP 63023261 A JP63023261 A JP 63023261A JP 2326188 A JP2326188 A JP 2326188A JP H01157541 A JPH01157541 A JP H01157541A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- semiconductor device
- tape
- hole
- sealing
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- Pending
Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフィルムまたはテープキャリアを用い、例え
ばテープ自動ボンディングによりボンディング（Ｔ Ａ
Ｂ ＝Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）される樹脂封止型の半導体装置の改良に関する。
ばテープ自動ボンディングによりボンディング（Ｔ Ａ
Ｂ ＝Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）される樹脂封止型の半導体装置の改良に関する。
第９図は従来の集積回路チップがフィルムまたはテープ
キャリアにボンディングされた後の上面図、第１０図は
第９図（Ｘ）−（Ｘ）線に於ける断面試料が封止用金型
で型締めされる直前の断面配置図、第１１図は封止後テ
ープを切りａした半導体装置の上面図、第１２図は第１
１図（ＸＩＩ）−（ＸＩＩ）線に於ける断面図、第１１
図と第１２図はそれぞれ不良品の第１２図相当断面図で
ある。
キャリアにボンディングされた後の上面図、第１０図は
第９図（Ｘ）−（Ｘ）線に於ける断面試料が封止用金型
で型締めされる直前の断面配置図、第１１図は封止後テ
ープを切りａした半導体装置の上面図、第１２図は第１
１図（ＸＩＩ）−（ＸＩＩ）線に於ける断面図、第１１
図と第１２図はそれぞれ不良品の第１２図相当断面図で
ある。
図において、（１）は可撓性を有する絶縁材料例えばポ
リイミドからなるフィルムまたはテープキャリア、（２
）はこのフィルムテープ上に接着支持された導体材料か
ら成る複数のリードパターンであり、後述する集積回路
チップとボンディングされるインナーリード部（２ａ）
と、外部回路に接続されるアウターリード部（２ｂ）と
、インナーリー１、部が集積回路チップとボンディング
された後にチップ、またはボンディング部の良否をテス
１へするテストパッド部（２ｃ）とにより構成される。
リイミドからなるフィルムまたはテープキャリア、（２
）はこのフィルムテープ上に接着支持された導体材料か
ら成る複数のリードパターンであり、後述する集積回路
チップとボンディングされるインナーリード部（２ａ）
と、外部回路に接続されるアウターリード部（２ｂ）と
、インナーリー１、部が集積回路チップとボンディング
された後にチップ、またはボンディング部の良否をテス
１へするテストパッド部（２ｃ）とにより構成される。
（３）は上記インナーリ−ド部（２ａ）にボンディング
される集積回路チップ、（４）は上記フィルムまたはテ
ープ（１）に設けられ、テープの位置決めやテープを一
定のインデックスで送るためのスプロケットホール、（
５）はアウターリードホール、（６）は上記集積回路チ
ップ（３）を収めるｔこめのセンターデバイスホール、
（７）は上記インナーリード（２ａ）の位置ずれを防ぐ
ためにリード（２）を接着支持するサポートテープ部、
（８）はこのサポートテープ部とフィルム（１）の連続
部分を接続する架橋部である。（９）は上記インナーリ
ード部（２ａ）と集積回路チップ（３）を接続するため
に集積回路チップ（３）の表面又はインナーリード部（
２ａ）に設けられたバンプと呼ばれる金属部材である。
される集積回路チップ、（４）は上記フィルムまたはテ
ープ（１）に設けられ、テープの位置決めやテープを一
定のインデックスで送るためのスプロケットホール、（
５）はアウターリードホール、（６）は上記集積回路チ
ップ（３）を収めるｔこめのセンターデバイスホール、
（７）は上記インナーリード（２ａ）の位置ずれを防ぐ
ためにリード（２）を接着支持するサポートテープ部、
（８）はこのサポートテープ部とフィルム（１）の連続
部分を接続する架橋部である。（９）は上記インナーリ
ード部（２ａ）と集積回路チップ（３）を接続するため
に集積回路チップ（３）の表面又はインナーリード部（
２ａ）に設けられたバンプと呼ばれる金属部材である。
集積回路チップ（３）は各リード（２）のインナーリー
ド部（２ａ）にボンディングされた後、このチップ付テ
ープキャリアは樹脂と固められるが、封止には種々の方
法が採用されている。以下本実施例では金型を用いた低
圧トランスファ法について第１０図にのっとって述べる
。集積回路チップ（３）付きテープキャリアは第１０図
に示す配置で上下から上金型αＯ）と下金型（１１）で
型締めし、樹脂０２）を注入し硬化したら金型を離す。
ド部（２ａ）にボンディングされた後、このチップ付テ
ープキャリアは樹脂と固められるが、封止には種々の方
法が採用されている。以下本実施例では金型を用いた低
圧トランスファ法について第１０図にのっとって述べる
。集積回路チップ（３）付きテープキャリアは第１０図
に示す配置で上下から上金型αＯ）と下金型（１１）で
型締めし、樹脂０２）を注入し硬化したら金型を離す。
封止後架橋部（８）でフィルム（１）の連続部分と切り
離し、更にテストの後にテストパッド部（２Ｃ）を切断
すると、第１１図に示すような上面図と第１２図に示す
ような断面図をもった構造の半導体装置が得られる。
離し、更にテストの後にテストパッド部（２Ｃ）を切断
すると、第１１図に示すような上面図と第１２図に示す
ような断面図をもった構造の半導体装置が得られる。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
封止樹脂（鴫とリードパターン（２）の材質及びサポー
トテープ部（７）の材質により相互の接着力が不十分な
場合第１３図に示すような基材間の剥離（矢印Ａ、Ｂ）
、第１４図に示すような封止樹脂（１２）の内部にク
ラック（１３）が入り半導体装置の信頼性を著しく低下
させるという問題があった。
封止樹脂（鴫とリードパターン（２）の材質及びサポー
トテープ部（７）の材質により相互の接着力が不十分な
場合第１３図に示すような基材間の剥離（矢印Ａ、Ｂ）
、第１４図に示すような封止樹脂（１２）の内部にク
ラック（１３）が入り半導体装置の信頼性を著しく低下
させるという問題があった。
また、テープキャリア（１）は、可撓性を有し、耐熱性
、型摩耗性に優れｔコ特性を有する反面、吸水性が大き
い特性を有している。そのため、高湿環境における使用
あるいは長期間にわたる使用によって、水分が半導体装
置の内部に侵入し、リードパターン（２）間で電流リー
クを起こしたり、集積回路チップ（３）にまで至って、
そのバンプ（９）電極部のパッドを腐食させて接触不良
を起こさせる原因になる。
、型摩耗性に優れｔコ特性を有する反面、吸水性が大き
い特性を有している。そのため、高湿環境における使用
あるいは長期間にわたる使用によって、水分が半導体装
置の内部に侵入し、リードパターン（２）間で電流リー
クを起こしたり、集積回路チップ（３）にまで至って、
そのバンプ（９）電極部のパッドを腐食させて接触不良
を起こさせる原因になる。
ここで、第１５図を用いて水分の侵入経路について説明
する。この経路は矢印に示す４つに大別される。すなわ
ち、矢印Ｃはリードパターン（２）とテープキャリア（
１）部材との界面、矢印りはテープキャリア（１）部材
内部、矢印Ｅはリードパターン（２）と封止樹ＩＩ！
（１２）との界面、矢印Ｆは封止樹脂内部を通る各経路
である。上記４つの経路からの侵水速度は、矢印Ｃ〉矢
印Ｄ〉矢印Ｅ〉矢印Ｆの順となる。ここで、矢印Ｃ２矢
印りはテープキャリア（１）の材質に起因するものであ
り、特に侵水速凌も大きく問題である。このように耐湿
性に問題があり、電気的な不良を引き起こす原因となっ
て、半導体装置の信頼性を損ねてしまうという問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、基材間の接着性を向上させるとと
もに、耐湿性を向上させ、封止型半導体装置の信頼性を
向上させることを目的とする。
する。この経路は矢印に示す４つに大別される。すなわ
ち、矢印Ｃはリードパターン（２）とテープキャリア（
１）部材との界面、矢印りはテープキャリア（１）部材
内部、矢印Ｅはリードパターン（２）と封止樹ＩＩ！
（１２）との界面、矢印Ｆは封止樹脂内部を通る各経路
である。上記４つの経路からの侵水速度は、矢印Ｃ〉矢
印Ｄ〉矢印Ｅ〉矢印Ｆの順となる。ここで、矢印Ｃ２矢
印りはテープキャリア（１）の材質に起因するものであ
り、特に侵水速凌も大きく問題である。このように耐湿
性に問題があり、電気的な不良を引き起こす原因となっ
て、半導体装置の信頼性を損ねてしまうという問題点が
あった。 この発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、基材間の接着性を向上させるとと
もに、耐湿性を向上させ、封止型半導体装置の信頼性を
向上させることを目的とする。
乙の発明に係る半導体装置はリードを支持する絶縁フィ
ルムに貫通孔を設け、この貫通孔にも封止樹脂を充填さ
せるように構成したものである。
ルムに貫通孔を設け、この貫通孔にも封止樹脂を充填さ
せるように構成したものである。
この発明における貫通孔に充填された封止樹脂は絶縁フ
ィルムの上下の封止樹脂と連続して硬化することにより
、絶縁フィルムは上下の封止樹脂とともにｔＭ脂材でア
ンカー締めされ、基材間の固着が強固になる。また、集
積回路チップとの間に樹脂材が介在することにより、吸
水性の高い領域が低減され、水分の侵入が抑制される。
ィルムの上下の封止樹脂と連続して硬化することにより
、絶縁フィルムは上下の封止樹脂とともにｔＭ脂材でア
ンカー締めされ、基材間の固着が強固になる。また、集
積回路チップとの間に樹脂材が介在することにより、吸
水性の高い領域が低減され、水分の侵入が抑制される。
第１図はこの発明の一実施例で封止後テープを切り離し
た半導体装置の上面図、第２図は第１図（ＩＩ）ＩＩＩ
）線に於ける断面図、第３図は第１図試料が封止される
前で集積回路チップがフィルムテープキャリアにボンデ
ィングされた後の上面図、第４図は第３図（ＩＶ）ｉｌ
ＶＪ線における断面試料が封止用金型で型締めされる直
前の断面配置図であす、（１）〜（Ｉ２）は上記従来装
置と全く同一のものである。（１４）はサポートフィル
ム部（７）によって構成される絶縁フィルムのチップ側
の内縁と、その反対側の外縁との間に絶縁フ、（ルム（
７）を貫通するように設けられた貫通孔（アンカーホー
ル）であって、この実施例では複数のリード間に大小の
円形ホールが適宜設けられている。
た半導体装置の上面図、第２図は第１図（ＩＩ）ＩＩＩ
）線に於ける断面図、第３図は第１図試料が封止される
前で集積回路チップがフィルムテープキャリアにボンデ
ィングされた後の上面図、第４図は第３図（ＩＶ）ｉｌ
ＶＪ線における断面試料が封止用金型で型締めされる直
前の断面配置図であす、（１）〜（Ｉ２）は上記従来装
置と全く同一のものである。（１４）はサポートフィル
ム部（７）によって構成される絶縁フィルムのチップ側
の内縁と、その反対側の外縁との間に絶縁フ、（ルム（
７）を貫通するように設けられた貫通孔（アンカーホー
ル）であって、この実施例では複数のリード間に大小の
円形ホールが適宜設けられている。
上記のように構成されたキャリアテープ半導体装置にお
いては縁縁フィルム（サポートテープ部）（７）に設け
られた貫通孔（１４）に注入された封止樹脂（Ｉ２）が
固化すると、固化した樹脂はリードパターン（２）とこ
れを支持する絶縁フィルム（７）を上下の樹脂とともに
締付固定するリベットの作用をなし、上記基材間の固着
強度が向上する。このことにより、従来装置における基
材間の接着不良に起因して半導体装置のリード接続作業
の取扱時に発生した基材間の剥離や、これを基に発生拡
大していたクラック等の不良要因は未然に排除されるこ
ととなる。
いては縁縁フィルム（サポートテープ部）（７）に設け
られた貫通孔（１４）に注入された封止樹脂（Ｉ２）が
固化すると、固化した樹脂はリードパターン（２）とこ
れを支持する絶縁フィルム（７）を上下の樹脂とともに
締付固定するリベットの作用をなし、上記基材間の固着
強度が向上する。このことにより、従来装置における基
材間の接着不良に起因して半導体装置のリード接続作業
の取扱時に発生した基材間の剥離や、これを基に発生拡
大していたクラック等の不良要因は未然に排除されるこ
ととなる。
第６図は、例えば貫通孔（１４）が台形状であって、リ
ートパターン（２）と接触するように直交して設けられ
た形状のテープギヤリア（１）に、集積回路チップ（３
）かホンディングされた後の上面図である。また、第６
図は、第５図に示す試料が封止後テープと切離された半
導体装置を示しており、水分の侵入経路を模式的に示し
た説明図である。この場合、半導体装置の内部への水分
の侵入経路は矢印Ｃ〜矢印Ｆのようになる。このとき、
侵入速度は矢印Ｃ〉矢印Ｄ〉矢印Ｅ〉矢印Ｆの順になる
。このものでは、サポートテープ部（７）に設けられた
上記貫通孔（１４）にも封止樹脂（１２）が充填される
ため、吸水性の高い部材の占める領域が低減されるとと
もに、吸水性の低い部材が集積回路チップ（３）との間
に介在されて侵水が抑制されたものとなる。これにより
、従来装置における水分の侵入に起因して発生していた
リードパターン（２）間の電流リークや、集積回路チッ
プ（３）のパッド部の腐蝕による接触不良等の電気的不
良が回避されることとなる。また、この場合の形状とす
ることによって第３図に示すものに比へ、さらに耐湿性
が向上されたものとなる。
ートパターン（２）と接触するように直交して設けられ
た形状のテープギヤリア（１）に、集積回路チップ（３
）かホンディングされた後の上面図である。また、第６
図は、第５図に示す試料が封止後テープと切離された半
導体装置を示しており、水分の侵入経路を模式的に示し
た説明図である。この場合、半導体装置の内部への水分
の侵入経路は矢印Ｃ〜矢印Ｆのようになる。このとき、
侵入速度は矢印Ｃ〉矢印Ｄ〉矢印Ｅ〉矢印Ｆの順になる
。このものでは、サポートテープ部（７）に設けられた
上記貫通孔（１４）にも封止樹脂（１２）が充填される
ため、吸水性の高い部材の占める領域が低減されるとと
もに、吸水性の低い部材が集積回路チップ（３）との間
に介在されて侵水が抑制されたものとなる。これにより
、従来装置における水分の侵入に起因して発生していた
リードパターン（２）間の電流リークや、集積回路チッ
プ（３）のパッド部の腐蝕による接触不良等の電気的不
良が回避されることとなる。また、この場合の形状とす
ることによって第３図に示すものに比へ、さらに耐湿性
が向上されたものとなる。
なお、上記実施例では、貫通孔（１４）はリードパター
ン（２）の間に存在ずろ複数個の円孔、あるいは第５図
に示すように、テープキャリア（１）の内縁に平行し、
少（ともその一部がリードパターン（２）に接触した台
形状のものを示したが、第７図と第８図に示すような長
形溝状の貫通孔（１４）として設けてもよい。すなわち
、上記貫通孔＜１４＞の形状個数、配置等は限定される
ものでなく、適宜設定ずろことによって上記実施例と同
様の効果を奏する。
ン（２）の間に存在ずろ複数個の円孔、あるいは第５図
に示すように、テープキャリア（１）の内縁に平行し、
少（ともその一部がリードパターン（２）に接触した台
形状のものを示したが、第７図と第８図に示すような長
形溝状の貫通孔（１４）として設けてもよい。すなわち
、上記貫通孔＜１４＞の形状個数、配置等は限定される
ものでなく、適宜設定ずろことによって上記実施例と同
様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば絶縁フィルムのチップ
側の内縁と外内との間に貫通孔を設け、この貫通孔に封
止樹脂を充填するように構成したので、各基材間の接着
が強固であるとともに耐湿性に優れて信頼性の高い半導
体装置が得られる効果がある。
側の内縁と外内との間に貫通孔を設け、この貫通孔に封
止樹脂を充填するように構成したので、各基材間の接着
が強固であるとともに耐湿性に優れて信頼性の高い半導
体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例て封止後テープと切り離し
た半導体装置の上面図、第２図は第１図（ＴＩ）−（Ｉ
ＩＩ）線における断面図、第３図は第１図試料が封止さ
れる前で集積回路チップがテープキャリアにボンディン
グされた後の上面図、第４図は第３図（ＩＶ）＝（ＩＶ
Ｊ線における断面試料が封止用金型で型締めされろ直前
の断面配置図、第５図はこの発明の他の実施例の半導体
装置の封止される前で、集積回路チップがテープキャリ
アにホンディングされた後の上面図、第６図は第５図に
示す試料が封止後テープと切離した半導体装置を用いて
、水分の侵入経路を模式的に示す説明図、第７図は乙の
発明のさらに他の実施例を示す封止後テープと切り離し
た半導体装置の上面図、第８図は第７図（■）−（■）
線における断面図、第９図は従来のテープキャリア半導
体装置の封止される前で集積回路チップがテープキャリ
アにボンティングされた後の上面図、第１０図は第９図
（Ｘ）−（Ｘ）線における断面試料が封止用金型で型締
めされる直前の断面配置図、第１１図は第９図に示す従
来例の試料が封止後テープと切離した半導体装置の上面
図、第１２図は第１１図（ＸＩ）−（ＩＩＩ）線におけ
ろ断面図、第１３図は第１２図相当断面図で基材間剥離
不良を示し、第１４図は第１３図相当断面図で剥離部か
ら封止樹脂にクラックが発生した状態を示す図、第１５
図は、第１２図相当断面図で水分の侵入経路を模式的に
示す説明図である。 図において、（１）は絶縁フィルムテープ、（２）はリ
ードパターン、（３）は集積回路チップ、（７）は絶縁
フィルムサポートテープ部、（＋２）は封止樹脂、（１
→は貫通孔である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
た半導体装置の上面図、第２図は第１図（ＴＩ）−（Ｉ
ＩＩ）線における断面図、第３図は第１図試料が封止さ
れる前で集積回路チップがテープキャリアにボンディン
グされた後の上面図、第４図は第３図（ＩＶ）＝（ＩＶ
Ｊ線における断面試料が封止用金型で型締めされろ直前
の断面配置図、第５図はこの発明の他の実施例の半導体
装置の封止される前で、集積回路チップがテープキャリ
アにホンディングされた後の上面図、第６図は第５図に
示す試料が封止後テープと切離した半導体装置を用いて
、水分の侵入経路を模式的に示す説明図、第７図は乙の
発明のさらに他の実施例を示す封止後テープと切り離し
た半導体装置の上面図、第８図は第７図（■）−（■）
線における断面図、第９図は従来のテープキャリア半導
体装置の封止される前で集積回路チップがテープキャリ
アにボンティングされた後の上面図、第１０図は第９図
（Ｘ）−（Ｘ）線における断面試料が封止用金型で型締
めされる直前の断面配置図、第１１図は第９図に示す従
来例の試料が封止後テープと切離した半導体装置の上面
図、第１２図は第１１図（ＸＩ）−（ＩＩＩ）線におけ
ろ断面図、第１３図は第１２図相当断面図で基材間剥離
不良を示し、第１４図は第１３図相当断面図で剥離部か
ら封止樹脂にクラックが発生した状態を示す図、第１５
図は、第１２図相当断面図で水分の侵入経路を模式的に
示す説明図である。 図において、（１）は絶縁フィルムテープ、（２）はリ
ードパターン、（３）は集積回路チップ、（７）は絶縁
フィルムサポートテープ部、（＋２）は封止樹脂、（１
→は貫通孔である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップとこの半導体チップの周りに配置された
絶縁フィルム、この絶縁フィルムに支持され上記半導体
チップ上の電極に接続される複数のリード、上記各リー
ドと絶縁フィルムの少くともチップ側部分を上記半導体
チップと共に封止する封止樹脂を備え、上記半導体チッ
プ側の絶縁フィルムの内縁とその反対側の外縁との間に
貫通孔を上記絶縁フィルムに設け、この貫通孔にも封止
樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023261A JPH01157541A (ja) | 1987-09-04 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-222503 | 1987-09-04 | ||
| JP22250387 | 1987-09-04 | ||
| JP63023261A JPH01157541A (ja) | 1987-09-04 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157541A true JPH01157541A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=26360577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023261A Pending JPH01157541A (ja) | 1987-09-04 | 1988-02-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01157541A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036843A (ja) * | 1989-06-03 | 1991-01-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP0791446A2 (de) * | 1996-02-26 | 1997-08-27 | HERBST, Richard | Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen |
| US5767527A (en) * | 1994-07-07 | 1998-06-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device suitable for testing |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63023261A patent/JPH01157541A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036843A (ja) * | 1989-06-03 | 1991-01-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Ｔａｂ用テープキャリア |
| EP0627766A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5767527A (en) * | 1994-07-07 | 1998-06-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device suitable for testing |
| EP0791446A2 (de) * | 1996-02-26 | 1997-08-27 | HERBST, Richard | Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen |
| EP0791446A3 (de) * | 1996-02-26 | 1998-12-16 | HERBST, Richard | Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen |
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