JPS60251703A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波集積回路装置Info
- Publication number
- JPS60251703A JPS60251703A JP11175684A JP11175684A JPS60251703A JP S60251703 A JPS60251703 A JP S60251703A JP 11175684 A JP11175684 A JP 11175684A JP 11175684 A JP11175684 A JP 11175684A JP S60251703 A JPS60251703 A JP S60251703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- dielectric resonator
- microwave integrated
- resonator
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、誘電体共振器を用いたマイクル波集積回路
（以下ＭＩ Ｃと称す）、特にＭＩＣ基板上の誘電体共
振器の固定方法の改良に関するものである。
（以下ＭＩ Ｃと称す）、特にＭＩＣ基板上の誘電体共
振器の固定方法の改良に関するものである。
誘電体共振器を用いたマイクロ波集積回路装置の従来技
術の一例として、第１図（ａ） 、（ｂ）に示寸薩′Ｍ
伏北編畏シ田蒐１ナーｈ−Ｉ＋ ＋’２人月÷去宙児羽
１卓トランジスタ（以下ＧａＡｓ Ｆシ〕′■゛と称す
）発掘器によって説明する。２４４１図（ａ）は平面図
、第１図ｔｂ＋は第１図（ａ）の１−１線における断面
図である。
術の一例として、第１図（ａ） 、（ｂ）に示寸薩′Ｍ
伏北編畏シ田蒐１ナーｈ−Ｉ＋ ＋’２人月÷去宙児羽
１卓トランジスタ（以下ＧａＡｓ Ｆシ〕′■゛と称す
）発掘器によって説明する。２４４１図（ａ）は平面図
、第１図ｔｂ＋は第１図（ａ）の１−１線における断面
図である。
第１図（ａ） 、（ｂ）にＪ・（いて、１はマイクロ波
帯において低誘電損失を有する弗素樹脂などからなるＭ
ＩＣ基板、２〜５は前記ＭＩ Ｃ基板１上に接着されて
℃・る銅箔をエツチングで形成した銅箔）くターンであ
り、２はゲート血便伝送線路、３はドレイン成極伝送線
路、４はソース屯ヤｐ伝送稈略、５はチップ抵抗の一；
ｉｆｆを接地するためのチップ抵抗接地電極である。６
はゲート電槽Ｇ、ドレイン電極りおよびターン、１１４
．便Ｓがそれぞれ各稈紬２，３および４に接わｄされて
いるＱａＡｓ Ｆ ＥＴ 、 ７は前１１己グーＩｉ比
極１へ送稈略２を無反封「ひ終ｙ高させるために、抵抗
値がゲート電極伏込＃Ｍｒａ２の特性インピータンスと
同じであるチップ風抗体、８は前記ｆｖｉＩｃ基板１の
裏面−面に接右されている銅箔からなる接地′ａ極、９
は酸化チタンなどの低Ｍ’に損失材料からなり、ゲート
電極伝送線路２と電気的に結合されるように配置されて
いる誘電体共振器、１０はこの誘電体共振器９をＭＩＣ
ＩＣ基土１上定するだめのエポキシ樹脂などの低誘電損
失祠料からなる誘電体ネジ、１１は前記ＭＩＣ基叛１を
固定する金属ケース、１２はマイクロ波出力を外部に取
り出すためのコネクタである。
帯において低誘電損失を有する弗素樹脂などからなるＭ
ＩＣ基板、２〜５は前記ＭＩ Ｃ基板１上に接着されて
℃・る銅箔をエツチングで形成した銅箔）くターンであ
り、２はゲート血便伝送線路、３はドレイン成極伝送線
路、４はソース屯ヤｐ伝送稈略、５はチップ抵抗の一；
ｉｆｆを接地するためのチップ抵抗接地電極である。６
はゲート電槽Ｇ、ドレイン電極りおよびターン、１１４
．便Ｓがそれぞれ各稈紬２，３および４に接わｄされて
いるＱａＡｓ Ｆ ＥＴ 、 ７は前１１己グーＩｉ比
極１へ送稈略２を無反封「ひ終ｙ高させるために、抵抗
値がゲート電極伏込＃Ｍｒａ２の特性インピータンスと
同じであるチップ風抗体、８は前記ｆｖｉＩｃ基板１の
裏面−面に接右されている銅箔からなる接地′ａ極、９
は酸化チタンなどの低Ｍ’に損失材料からなり、ゲート
電極伝送線路２と電気的に結合されるように配置されて
いる誘電体共振器、１０はこの誘電体共振器９をＭＩＣ
ＩＣ基土１上定するだめのエポキシ樹脂などの低誘電損
失祠料からなる誘電体ネジ、１１は前記ＭＩＣ基叛１を
固定する金属ケース、１２はマイクロ波出力を外部に取
り出すためのコネクタである。
このように構成されたＧａＡｓＦＥＴマイクロ波発振器
にお−・ては、ＱａＡｓ ＦＥＴ ６のドレイン電極り
は、１／４波長のドレイン電極伝送線路３に接続され℃
いるので、高周波的に短絡されており、ＱａＡｓ Ｆ
ＥＴ ６は高周波的に非常圧不安定な状態になっている
。したがって、第１図で示すヨウに、ＧａＡｓ ＦＥＴ
６のゲート電極伝送線路２に高いＱ値を有する誘電体
共振器９を共振回路として電磁的に結合させ、整合回路
の付いたソース電極伝送＃Ａ路４をソース電極Ｓに接続
することでマイクロ波発振器が構成できる。マイクロ波
発振器の発振周波数は、ｒＩｆｊ１Ｊｔ体共振器９の共
振周波数とほぼ同じ値である。
にお−・ては、ＱａＡｓ ＦＥＴ ６のドレイン電極り
は、１／４波長のドレイン電極伝送線路３に接続され℃
いるので、高周波的に短絡されており、ＱａＡｓ Ｆ
ＥＴ ６は高周波的に非常圧不安定な状態になっている
。したがって、第１図で示すヨウに、ＧａＡｓ ＦＥＴ
６のゲート電極伝送線路２に高いＱ値を有する誘電体
共振器９を共振回路として電磁的に結合させ、整合回路
の付いたソース電極伝送＃Ａ路４をソース電極Ｓに接続
することでマイクロ波発振器が構成できる。マイクロ波
発振器の発振周波数は、ｒＩｆｊ１Ｊｔ体共振器９の共
振周波数とほぼ同じ値である。
また、チップ抵抗体７は、マイクロ波発振器が誘電体共
振器９の共振周波数以外で発掘′１−るのを防止するた
めに用いられている。そして、ＭＩＣ基板１上の誘電体
共振器９は、誘電体中央部にネジの通る穴があけられて
おり、低損失の誘電体よりなる誘電体ネジ１０で金属ケ
ース１１と固体されている。なお、ＭＩＣ基＆１とｆｊ
誘電体共振器を直接接着剤で固定しない理由は、ＭＩＣ
基板１の祠質である弗素樹脂は化学的に不活性であり、
接着強度が弱く、信頼性に欠けるからである。
振器９の共振周波数以外で発掘′１−るのを防止するた
めに用いられている。そして、ＭＩＣ基板１上の誘電体
共振器９は、誘電体中央部にネジの通る穴があけられて
おり、低損失の誘電体よりなる誘電体ネジ１０で金属ケ
ース１１と固体されている。なお、ＭＩＣ基＆１とｆｊ
誘電体共振器を直接接着剤で固定しない理由は、ＭＩＣ
基板１の祠質である弗素樹脂は化学的に不活性であり、
接着強度が弱く、信頼性に欠けるからである。
このように構成された従来のＱａＡｓＦＥＴ発掘器はＭ
ＩＣ化されているので、（ａ）発掘器の設計が容易であ
る、（１〕）小型、軽量である、などの後れた利点があ
る。
ＩＣ化されているので、（ａ）発掘器の設計が容易であ
る、（１〕）小型、軽量である、などの後れた利点があ
る。
しかし、上記した従来のＧａＡｓＦＥＴマイクロ波発振
器では、ＭＩＣ基板１上の誘電体共振器９の固定に関し
ては、以下の欠点があった。
器では、ＭＩＣ基板１上の誘電体共振器９の固定に関し
ては、以下の欠点があった。
（ａｔ 誘電体共振器９の中央部に穴をあけ、誘電体ネ
ジ１０で固定する複雑な構造のため装置が一 高価となる。
ジ１０で固定する複雑な構造のため装置が一 高価となる。
ｔｂ＋ 誘電体共振器９の固定位置！、および１２は、
ＧａＡｓ ＦＥＴ ６の特性ばらつきで１ｍｍ程度調整
する必要があるが、ネジによる固定方法では、金属ケー
ス１１のネジ穴の位置を個々のＧａＡｓＦＥＴ ６別に
決める必要があり、作業時間が長くなる。
ＧａＡｓ ＦＥＴ ６の特性ばらつきで１ｍｍ程度調整
する必要があるが、ネジによる固定方法では、金属ケー
ス１１のネジ穴の位置を個々のＧａＡｓＦＥＴ ６別に
決める必要があり、作業時間が長くなる。
この発明は、このような従来の欠点を除去するためにな
されたものであり、ｉ＠’＋ｌｊ体共振器の置かれろＭ
ＩＣ基根０位置に小さな穴をあげ、誘電体共振器と金属
ケースとをエポキシ樹脂等の接層用樹脂で直接固定した
簡単な構造のＱａＡｓＦＥＴ発振器を提供するものであ
る。以下この発明について説明する。
されたものであり、ｉ＠’＋ｌｊ体共振器の置かれろＭ
ＩＣ基根０位置に小さな穴をあげ、誘電体共振器と金属
ケースとをエポキシ樹脂等の接層用樹脂で直接固定した
簡単な構造のＱａＡｓＦＥＴ発振器を提供するものであ
る。以下この発明について説明する。
第２図（ａ）、（ｂ）はこの発明によるＧａＡｓＦＥ’
Ｔ発振器の一実施例を示す図であり、第２図（ａ）は平
面図で、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の１１−Ｈ線にお
ける断面図である。第２図（ａ） 、（ｂ） において
、第１図と同一符号のものは同一構成部分を示し、１３
は前記ＭＩＣ基板１に形成された穴１ａに埋接漸するた
めのエポキシ樹脂やシリコーン等のマイクロ波帯で低誘
電損失の接着用樹脂である。
Ｔ発振器の一実施例を示す図であり、第２図（ａ）は平
面図で、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の１１−Ｈ線にお
ける断面図である。第２図（ａ） 、（ｂ） において
、第１図と同一符号のものは同一構成部分を示し、１３
は前記ＭＩＣ基板１に形成された穴１ａに埋接漸するた
めのエポキシ樹脂やシリコーン等のマイクロ波帯で低誘
電損失の接着用樹脂である。
このように構成されたＧａＡ、５ＦＥＴ発撮器では、従
来の発振器と全く同様の原理で、マイクロ波発振電力を
得ることができる。ただし、ゲート電極伝送線路２と電
磁的に結合している誘電体共振器９は第１図のように訪
′亀体ネジ１０でなく、共振器直下のＭ Ｉ ＣＡ！板
１に誘電体共振器９の直（、ｌより小さな穴１ａがあけ
られ、その中に流し込まれたエポキシ樹脂やシリコーン
等の接庸用樹Ｊ財１３で、直接金属ケース１１に固定さ
れている。したがって、この実施例の場合、従来の発掘
器と比較して以下の利点がある。
来の発振器と全く同様の原理で、マイクロ波発振電力を
得ることができる。ただし、ゲート電極伝送線路２と電
磁的に結合している誘電体共振器９は第１図のように訪
′亀体ネジ１０でなく、共振器直下のＭ Ｉ ＣＡ！板
１に誘電体共振器９の直（、ｌより小さな穴１ａがあけ
られ、その中に流し込まれたエポキシ樹脂やシリコーン
等の接庸用樹Ｊ財１３で、直接金属ケース１１に固定さ
れている。したがって、この実施例の場合、従来の発掘
器と比較して以下の利点がある。
（ａ１ＭＩｃ基＆１に穴１ａをあけ、誘電体共振器９と
金属ケース１１を直接、接着用樹脂１３で固定するｆ＋
Ｎ巣な構造なので、作業性がよく、イｄ頼性も向上する
。
金属ケース１１を直接、接着用樹脂１３で固定するｆ＋
Ｎ巣な構造なので、作業性がよく、イｄ頼性も向上する
。
（ｂＪ ＧａＡｓ Ｆ Ｅ ’、［’ ６の特性）・ラ
ソキで調整の必要な誘電体共振器９の固定位置もおよび
！２も接着用樹脂１３が固化するまでの時間（５分以上
）に、誘電体共振器９をすらすことが可能である。
ソキで調整の必要な誘電体共振器９の固定位置もおよび
！２も接着用樹脂１３が固化するまでの時間（５分以上
）に、誘電体共振器９をすらすことが可能である。
第３図はこの発明の有効性を調べるために、第２図の誘
電体共振器９を試作して得られた高周波特性である。使
用したＧａＡＳ ＦＥＴ ６はゲート長０８μｍ、ゲー
ト鴨４００μｍであり、誘電体共振器９は誘電率３８．
嘆径１３ｗｍ、厚さ８ｆｉであり、接着用樹脂１３はエ
ポキシ樹脂である。バイアス電圧ＶＢ＝５ｖで、発振出
力Ｐ。＝３６ ｍＷ。
電体共振器９を試作して得られた高周波特性である。使
用したＧａＡＳ ＦＥＴ ６はゲート長０８μｍ、ゲー
ト鴨４００μｍであり、誘電体共振器９は誘電率３８．
嘆径１３ｗｍ、厚さ８ｆｉであり、接着用樹脂１３はエ
ポキシ樹脂である。バイアス電圧ＶＢ＝５ｖで、発振出
力Ｐ。＝３６ ｍＷ。
発振周波数ｆ。−３，９９９５ＧＨ，が得られた。また
、誘電体共振器９の接着強度も十分であり、実用上何ら
問題のないことが確認された。
、誘電体共振器９の接着強度も十分であり、実用上何ら
問題のないことが確認された。
なお、上記実施例では、誘電体共振器９を用いたマイク
ロ波集積回路装置としＧａＡｓＦＥＴ発振器の場合につ
いて説明したが、この発明は、誘電体共振器９を用いる
ミキサ装置やフィルタ装置等にも用いることができるこ
とはいうまでもない。
ロ波集積回路装置としＧａＡｓＦＥＴ発振器の場合につ
いて説明したが、この発明は、誘電体共振器９を用いる
ミキサ装置やフィルタ装置等にも用いることができるこ
とはいうまでもない。
〔発明の効果］
以上詳細に説明したように、この発明は、誘電体共振器
を用いたマイクロ波集積回路装置において、誘電体共（
辰器な設置するＭＩＣ，！Ｉ￥板に穴をあけ、この穴に
低誘電損失の接着用樹脂を流し込むことにより、ｌｋ接
詩市体共秦器と金属ケースとを固定したので、１し１単
で、かつ作業性の良好なマイクロ波集積回１ｆ／１Ｎ置
が得られる利点がある。
を用いたマイクロ波集積回路装置において、誘電体共（
辰器な設置するＭＩＣ，！Ｉ￥板に穴をあけ、この穴に
低誘電損失の接着用樹脂を流し込むことにより、ｌｋ接
詩市体共秦器と金属ケースとを固定したので、１し１単
で、かつ作業性の良好なマイクロ波集積回１ｆ／１Ｎ置
が得られる利点がある。
第１図（ａ） 、（ｂ）は従来の誘電体共振器の固定方
法によるＱａＡｓｌ・”ＥＴ発振器の平面図および第１
図（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）はこの発明の一実施例を示すマイクロ波集積回路
装置の平面図および第２図（ａ）のｎ −ｎ ｍにおけ
る断面図、第３図はこの発明によって得られたＧａＡｓ
ＦＥＴ発振器の高周波特性を示す図である。 図中、１はＭ Ｊ、 Ｃ基板、１ａは穴、２はゲート電
極伝送線路、３はドレイン電極１ム送線路、４はソース
電極伝送線＋ｔｓ、５はチップ抵抗接地電極、６はＧ
ａ Ａ ｓ Ｆ １４ Ｔ、７は１チツプ抵抗体、８は
接地電極、９は誘電体共振器、１１は金属ケース、１２
はコネクタ、１３は接着用樹脂である。 なお、図中の同一４１号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 （ａ） （ｂ） １ 第２図 （ｂ） １ 第３図 バイアスを圧Ｖａ（Ｖ）−◆
法によるＱａＡｓｌ・”ＥＴ発振器の平面図および第１
図（ａ）のＩ−Ｉ線における断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）はこの発明の一実施例を示すマイクロ波集積回路
装置の平面図および第２図（ａ）のｎ −ｎ ｍにおけ
る断面図、第３図はこの発明によって得られたＧａＡｓ
ＦＥＴ発振器の高周波特性を示す図である。 図中、１はＭ Ｊ、 Ｃ基板、１ａは穴、２はゲート電
極伝送線路、３はドレイン電極１ム送線路、４はソース
電極伝送線＋ｔｓ、５はチップ抵抗接地電極、６はＧ
ａ Ａ ｓ Ｆ １４ Ｔ、７は１チツプ抵抗体、８は
接地電極、９は誘電体共振器、１１は金属ケース、１２
はコネクタ、１３は接着用樹脂である。 なお、図中の同一４１号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 （ａ） （ｂ） １ 第２図 （ｂ） １ 第３図 バイアスを圧Ｖａ（Ｖ）−◆
Claims (1)
- 金属ケース内のマイクロ波集積回路基板に位置決め固定
された誘電体共振器を備えたマイクロ波集積回路装置に
おいて、前記誘電体共振器を前記マイクロ波集積回路基
板に形成した穴を介して低誘電損失の接層用樹脂により
前記金属ケースに接着したことを特徴とするマイクロ波
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175684A JPS60251703A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | マイクロ波集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175684A JPS60251703A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | マイクロ波集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251703A true JPS60251703A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14569388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175684A Pending JPS60251703A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | マイクロ波集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251703A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105608U (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-06 | ||
| EP1317015A2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| US6906603B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-06-14 | Alps Electric Co., Ltd. | High-frequency module for commonality of circuit board |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP11175684A patent/JPS60251703A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105608U (ja) * | 1985-12-20 | 1987-07-06 | ||
| EP1317015A2 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| EP1317015A3 (en) * | 2001-11-28 | 2003-10-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Dielectric resonance device with stabilized electric performance |
| US6906603B2 (en) | 2002-06-18 | 2005-06-14 | Alps Electric Co., Ltd. | High-frequency module for commonality of circuit board |
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