JPS60251534A - 光メモリ−材料 - Google Patents
光メモリ−材料Info
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- JPS60251534A JPS60251534A JP59105919A JP10591984A JPS60251534A JP S60251534 A JPS60251534 A JP S60251534A JP 59105919 A JP59105919 A JP 59105919A JP 10591984 A JP10591984 A JP 10591984A JP S60251534 A JPS60251534 A JP S60251534A
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカルコゲンガラス薄膜を用いた光メモリー拐料
、特にＧａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜を用いた
高記録密度の光メモリー材料に関する。
、特にＧａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜を用いた
高記録密度の光メモリー材料に関する。
近年、情報処理量の増大、文字または画像の記録再生に
関する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめ
られている。従来光メモリー材料は基板上に設けたＴｅ
薄膜、’ｒｅ−ｓｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物
薄膜、基板上に設けたＴｅ０Ｘ９ＧｅＯＸ、ＭＯＯＸｆ
！ト０）Ｍ光性酸化ＱｔｌＷｊＭ、又［基板上に設けた
ＧｄＴｂＦｅ薄膜、Ｇｄ０Ｏ薄膜などの磁性薄膜が知ら
れている。これらのＴｅ薄膜、Ｔｅ化合物薄膜又は還元
性酸化物薄膜は最高２ＳＯメガピツ）７０ｍ２と記録密
度を高くとれるが、Ｔｅ薄膜又はＴｅ 化合物薄膜はレ
ーザービームの照射により熱的に照射部分を溶解、蒸発
して小孔をあけて情報を書き込むものであり、還元性酸
化物薄膜はレーザビームの照射により、照射部に熱変態
を起さゼ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから
、一旦書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった
可逆的な使用はできない。
関する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめ
られている。従来光メモリー材料は基板上に設けたＴｅ
薄膜、’ｒｅ−ｓｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物
薄膜、基板上に設けたＴｅ０Ｘ９ＧｅＯＸ、ＭＯＯＸｆ
！ト０）Ｍ光性酸化ＱｔｌＷｊＭ、又［基板上に設けた
ＧｄＴｂＦｅ薄膜、Ｇｄ０Ｏ薄膜などの磁性薄膜が知ら
れている。これらのＴｅ薄膜、Ｔｅ化合物薄膜又は還元
性酸化物薄膜は最高２ＳＯメガピツ）７０ｍ２と記録密
度を高くとれるが、Ｔｅ薄膜又はＴｅ 化合物薄膜はレ
ーザービームの照射により熱的に照射部分を溶解、蒸発
して小孔をあけて情報を書き込むものであり、還元性酸
化物薄膜はレーザビームの照射により、照射部に熱変態
を起さゼ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから
、一旦書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった
可逆的な使用はできない。
一方、上記した磁性薄膜は外部磁界を加えながらレーザ
ビームを照射することにより、垂直配向の向きを変える
ことで情報を書き込むもので、書き込んだ情報の消去が
可能で、また再度の書き込みも可能であるが、再生でレ
ーザビームを照射したときの反射光の磁気カー効果、ま
たは透過光の７アラデー効果を利用して配向の向きを検
出する、いわゆる光磁気効果を利用するものであり、記
録密度が２０メガビツト、７’ｃｍ２！と小さく記録密
度を高めることができない欠点があった。
ビームを照射することにより、垂直配向の向きを変える
ことで情報を書き込むもので、書き込んだ情報の消去が
可能で、また再度の書き込みも可能であるが、再生でレ
ーザビームを照射したときの反射光の磁気カー効果、ま
たは透過光の７アラデー効果を利用して配向の向きを検
出する、いわゆる光磁気効果を利用するものであり、記
録密度が２０メガビツト、７’ｃｍ２！と小さく記録密
度を高めることができない欠点があった。
本発明者らはかかる状況に鑑み、カルコゲンガラス薄膜
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ消去
と書き込みの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出
すに至った。すなわち、本発明は基板の表面に、構造式
が Ｔｅｘ （Ｇａｙｓｅ ／ −Ｙ ） ｌ−ｘで表され
、ＸがＯ１２乃至０．コざ、ｙがＯ，ＯＳ乃至０．７で
あるカルコゲンガラス薄膜を形成した光メモリー材料で
ある。
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ消去
と書き込みの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出
すに至った。すなわち、本発明は基板の表面に、構造式
が Ｔｅｘ （Ｇａｙｓｅ ／ −Ｙ ） ｌ−ｘで表され
、ＸがＯ１２乃至０．コざ、ｙがＯ，ＯＳ乃至０．７で
あるカルコゲンガラス薄膜を形成した光メモリー材料で
ある。
本発明において、Ｇａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄
膜が付着される基板はガラス、セラミックス。
膜が付着される基板はガラス、セラミックス。
または有機樹脂材料が用いられる。基板にガラス。
またはセラミックスを用いる場合にはそれらの表面に有
機樹脂を被覆するのが好ましい。その被覆用有機樹脂と
してエポキシ樹脂、キシレン樹脂又はシリコン樹脂を用
いるのが好ましいが、塩化ビニール樹脂、スチレンアル
キド樹脂又はポリウレタン樹脂等も用いることができる
。また基板に用いられる有機樹脂材料としてはメタクリ
ル酸樹脂、又はポリカーボネート樹脂が望ましいが、塩
化ビニール、酢酸ビニール系樹脂、ポリスチレン樹脂、
ＡＢＳ樹脂、アクリルニトリル・スチレン共重合体樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂
などを用いることができる。
機樹脂を被覆するのが好ましい。その被覆用有機樹脂と
してエポキシ樹脂、キシレン樹脂又はシリコン樹脂を用
いるのが好ましいが、塩化ビニール樹脂、スチレンアル
キド樹脂又はポリウレタン樹脂等も用いることができる
。また基板に用いられる有機樹脂材料としてはメタクリ
ル酸樹脂、又はポリカーボネート樹脂が望ましいが、塩
化ビニール、酢酸ビニール系樹脂、ポリスチレン樹脂、
ＡＢＳ樹脂、アクリルニトリル・スチレン共重合体樹脂
、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂
などを用いることができる。
これらの基板上に形成するＧａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲン
ガラス薄膜はｓｅ、Ｇａ、及びＴｅの粉末を所定割合で
配合し、非酸化雰囲気で加熱溶解し、冷却した化合物を
真空蒸着法スパッタリング法等によりなされる。これら
の方法で形成されたＧａ−５ｅ−’ｒｅＴｅカルコゲン
ガラス薄膜成直後は非晶質であり、光学的に透明体であ
るが、光、例えばキセノンランプの光を集光して照射す
ることにより透過率の低い非結晶質に変えることができ
、次いでこの結晶化したＧａ−３Ｓ−Ｔｅ薄膜に光学レ
ンズで絞った強いレーザビームを短時間照射することに
より非晶質状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結
晶化させるには前記レーザビームに比べ強度の弱いレー
ザビームを長い時間照射することによって達成させる。
ガラス薄膜はｓｅ、Ｇａ、及びＴｅの粉末を所定割合で
配合し、非酸化雰囲気で加熱溶解し、冷却した化合物を
真空蒸着法スパッタリング法等によりなされる。これら
の方法で形成されたＧａ−５ｅ−’ｒｅＴｅカルコゲン
ガラス薄膜成直後は非晶質であり、光学的に透明体であ
るが、光、例えばキセノンランプの光を集光して照射す
ることにより透過率の低い非結晶質に変えることができ
、次いでこの結晶化したＧａ−３Ｓ−Ｔｅ薄膜に光学レ
ンズで絞った強いレーザビームを短時間照射することに
より非晶質状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結
晶化させるには前記レーザビームに比べ強度の弱いレー
ザビームを長い時間照射することによって達成させる。
本発明におけるＧａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜
はその成分割合がＴｅｘ（ＧａｙＳｅ／−ｙ）１呟なる
構造式において、Ｘが０１．２乃至ｏ、、２ｇ、ｙが０
．Ｏ５乃至０．７のものが用いられる。
はその成分割合がＴｅｘ（ＧａｙＳｅ／−ｙ）１呟なる
構造式において、Ｘが０１．２乃至ｏ、、２ｇ、ｙが０
．Ｏ５乃至０．７のものが用いられる。
Ｇａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜はＴｅの量が２
０ａｔ、％未満になると完全に結晶質にならず一部非晶
質が残ったり、また他方、Ｔｅの量が、２ざａｔ、％を
越えると、結晶質形成の際の膜の収縮が大きくなり、膜
中に空隙が生じるので、いずれの場合も高密度光メモリ
ー材料として不適当となる。
０ａｔ、％未満になると完全に結晶質にならず一部非晶
質が残ったり、また他方、Ｔｅの量が、２ざａｔ、％を
越えると、結晶質形成の際の膜の収縮が大きくなり、膜
中に空隙が生じるので、いずれの場合も高密度光メモリ
ー材料として不適当となる。
マタＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜はＧａの量
のＳｅＯ量に対する割合ｙが０、Ｏ５未満になる平滑な
結晶ができるが、結晶粒界が生じ、０．／を越えると結
晶成長が悪く、粒界が多くなり、また空孔（ボイド）が
生じるので高密度光メモリー材料として不適となる。従
って、本発明においてＴｅの量Ｘは０．２ａｔ％乃至２
ｇ％ａｔ％にされ、またＧａＯ量のｓｅの量に対する割
合ｙは０．Ｏｊ乃至０．／ＶＣされる。
のＳｅＯ量に対する割合ｙが０、Ｏ５未満になる平滑な
結晶ができるが、結晶粒界が生じ、０．／を越えると結
晶成長が悪く、粒界が多くなり、また空孔（ボイド）が
生じるので高密度光メモリー材料として不適となる。従
って、本発明においてＴｅの量Ｘは０．２ａｔ％乃至２
ｇ％ａｔ％にされ、またＧａＯ量のｓｅの量に対する割
合ｙは０．Ｏｊ乃至０．／ＶＣされる。
以上のような組成範囲のＧａ−８ｅ−Ｔｅカルコゲンガ
ラス薄膜は弱い強度の光照射で結晶化でき、且つ結晶化
速度が迷＜、長波長側の吸収感度を増加できる。また、
Ｔｅ−８ｅの化合物薄膜に比べ非晶質ご結晶質の相転換
の再現性が良好で、結晶質が微細で緻密であるという利
点を有する。このような光メモリー材料は特に半導体レ
ーザを使用するタイプのメモリーとして好適である。
ラス薄膜は弱い強度の光照射で結晶化でき、且つ結晶化
速度が迷＜、長波長側の吸収感度を増加できる。また、
Ｔｅ−８ｅの化合物薄膜に比べ非晶質ご結晶質の相転換
の再現性が良好で、結晶質が微細で緻密であるという利
点を有する。このような光メモリー材料は特に半導体レ
ーザを使用するタイプのメモリーとして好適である。
以下、本発明の実施例について詳述する。
実施例 ｌ
Ｇａ粉末、Ｓｅ粉末及びＴｅ粉末（それぞれ純度９９．
９９９％）を一般式Ｔｅｘ（Ｇａ Ｏ，０３、、Ｓｅ４
０．９３）１−Ｘにおいて、ｘ＝０．２．０．２！；、
及びＯ９，２ｇの割合で混合し、各混合物を石英アンプ
ルに真空封入し、これを／ １００″Ｃ１１０時間程度
加熱融解した後、急冷して３種類のＧａ−８ｅ−Ｔｅガ
ラスを得た。
９９９％）を一般式Ｔｅｘ（Ｇａ Ｏ，０３、、Ｓｅ４
０．９３）１−Ｘにおいて、ｘ＝０．２．０．２！；、
及びＯ９，２ｇの割合で混合し、各混合物を石英アンプ
ルに真空封入し、これを／ １００″Ｃ１１０時間程度
加熱融解した後、急冷して３種類のＧａ−８ｅ−Ｔｅガ
ラスを得た。
次いで、石英アンプルからこれらのＧａ−８ｅ−Ｔｅガ
ラスを取り出し粉砕して得られる粉末を順次蒸着源とし
、真空蒸着法により、２〜３μｍの厚みのガラス基板上
にそれぞれ成分比の異なるＧａ−８ｅ！−Ｔｅカルコゲ
ン薄膜を巾１００μｍでストライブ状に形成した。この
時の蒸着条件として、基板温度：３０°Ｃ１蒸着レ−）
： ｊＯＸ／分、真空度：２×１０−５！ ｔｏｒｒであり、得られたＧａ−８ｅ４ｅカルコゲンガ
ラス薄膜の厚味は約３０００λであった。更にこれらの
薄膜が付着したガラス板を別の真空蒸着装置に移し、基
板温度を２５″Ｃに維持した上ＪＸ１０−３ｔｏｒｒ
の真空度でバラキシリレン 上に、２〜３μｍの厚みのバラキシリレンの保護膜を被
覆させた。このようにして調整した成分比の異なる乙種
のｇａ−ｓｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜にキセノンラ
ンプ（強度／ ００ ｍＷ／Ｃｍ２ ）を照射しつつ、
２１０°ＣＫ加熱した。この操作により当該薄膜は結晶
質に転移してダークニングを起した。その様子を夫々第
１図（ａ）乃至（Ｃ）に示した。
ラスを取り出し粉砕して得られる粉末を順次蒸着源とし
、真空蒸着法により、２〜３μｍの厚みのガラス基板上
にそれぞれ成分比の異なるＧａ−８ｅ！−Ｔｅカルコゲ
ン薄膜を巾１００μｍでストライブ状に形成した。この
時の蒸着条件として、基板温度：３０°Ｃ１蒸着レ−）
： ｊＯＸ／分、真空度：２×１０−５！ ｔｏｒｒであり、得られたＧａ−８ｅ４ｅカルコゲンガ
ラス薄膜の厚味は約３０００λであった。更にこれらの
薄膜が付着したガラス板を別の真空蒸着装置に移し、基
板温度を２５″Ｃに維持した上ＪＸ１０−３ｔｏｒｒ
の真空度でバラキシリレン 上に、２〜３μｍの厚みのバラキシリレンの保護膜を被
覆させた。このようにして調整した成分比の異なる乙種
のｇａ−ｓｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜にキセノンラ
ンプ（強度／ ００ ｍＷ／Ｃｍ２ ）を照射しつつ、
２１０°ＣＫ加熱した。この操作により当該薄膜は結晶
質に転移してダークニングを起した。その様子を夫々第
１図（ａ）乃至（Ｃ）に示した。
次に比較例としてＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄
膜の成分割合がＴｅＸ（Ｇａ ｏ、ｏｓ 、ｓｅ ｏ、
ｑｓ）ｌ−ｘなる構造式において、Ｘが０ 、０．０３
’、 ０．／３及び０．３で混合した点を除いた外は実
施例／と全く同様にしてバラキシリレンの保護膜を被覆
したＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜を得た。次
にこれらの比較例のＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス
薄膜を実施例／と全く同じ条件で結晶質に転移させてダ
ークニングを起させ、その様子を夫々第１図（ｄ）〜（
ｇ）Ｋ示した。
膜の成分割合がＴｅＸ（Ｇａ ｏ、ｏｓ 、ｓｅ ｏ、
ｑｓ）ｌ−ｘなる構造式において、Ｘが０ 、０．０３
’、 ０．／３及び０．３で混合した点を除いた外は実
施例／と全く同様にしてバラキシリレンの保護膜を被覆
したＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス薄膜を得た。次
にこれらの比較例のＧａ−３ｅ−Ｔｅカルコゲンガラス
薄膜を実施例／と全く同じ条件で結晶質に転移させてダ
ークニングを起させ、その様子を夫々第１図（ｄ）〜（
ｇ）Ｋ示した。
第１図（ａ）乃至（ｇ）から明らかなようにＴｅの成分
割合が２０ａｔ％未満では充分結晶化ができておらず一
部非結晶相（ダークニングされていない部分）が混在し
ており、逆にＴｅの成分割合が２ざａｔ％を越えると膜
中に部分的に空間（白い点）が形成されており、Ｔｅの
成分割合が２０乃至、２．１’ａｔ％の間にあるものが
均一にダークニングされていることがわかる。
割合が２０ａｔ％未満では充分結晶化ができておらず一
部非結晶相（ダークニングされていない部分）が混在し
ており、逆にＴｅの成分割合が２ざａｔ％を越えると膜
中に部分的に空間（白い点）が形成されており、Ｔｅの
成分割合が２０乃至、２．１’ａｔ％の間にあるものが
均一にダークニングされていることがわかる。
実施例 ２
Ｇａ粉末、Ｓｅ粉末、及びＴｅ粉末（それぞわ純度９９
．７９９％）を一般式Ｔｅ Ｏ，ｚｊ（ＧａｙＳｅｌ−
ｙ）０．７！； においてｙ＝ｏ、ｏ ｓ及び０．１の
割合で混合した点を除いた外は実施例１と同様にしてＧ
ａ−８ｅ−Ｔｅのカルコゲンガラス薄膜を得て、実施例
／と同様の結晶化操作の後、その結晶相の違いを比較し
、第１表に示した。次に比較例として、一般式％式％ ０、／３．及び０．３ にして実施例λと同様にしてＧ
ａ−５ｅ−’ｒｅＯカルコゲンガラス薄膜を得て、実施
例−と同様の結晶化操作の後、その結晶相の観察結果を
第１表に示した。
．７９９％）を一般式Ｔｅ Ｏ，ｚｊ（ＧａｙＳｅｌ−
ｙ）０．７！； においてｙ＝ｏ、ｏ ｓ及び０．１の
割合で混合した点を除いた外は実施例１と同様にしてＧ
ａ−８ｅ−Ｔｅのカルコゲンガラス薄膜を得て、実施例
／と同様の結晶化操作の後、その結晶相の違いを比較し
、第１表に示した。次に比較例として、一般式％式％ ０、／３．及び０．３ にして実施例λと同様にしてＧ
ａ−５ｅ−’ｒｅＯカルコゲンガラス薄膜を得て、実施
例−と同様の結晶化操作の後、その結晶相の観察結果を
第１表に示した。
第１表から本願発明におけるＧａとＳｅの混合比率のも
のが良好な結晶相が得られることがわかる。
のが良好な結晶相が得られることがわかる。
実施例 ３
実施例２と同様な条件で製造した構造式がＴｅ ０．２
３（ＧａＯ，０！； 、 Ｓｅ ｐ、９！；）０．７３
のカルコゲンガラス薄膜を強度３００ ｍｗ／ｃｍ ２
のキセノンランプを照射しつつ、２１Ｏ°Ｃに加熱し、
結晶化して、ダークニングさせた。このダークニングし
たカルコゲンガラス薄膜の様子を第２図（ａ）に示す。
３（ＧａＯ，０！； 、 Ｓｅ ｐ、９！；）０．７３
のカルコゲンガラス薄膜を強度３００ ｍｗ／ｃｍ ２
のキセノンランプを照射しつつ、２１Ｏ°Ｃに加熱し、
結晶化して、ダークニングさせた。このダークニングし
たカルコゲンガラス薄膜の様子を第２図（ａ）に示す。
次にＨｅ−Ｈｅレーザ（λ＝ご３２ｇＫ）光線を光学レ
ンズで集光させ約３μｍの光線径とし、ダークニングし
た該カルコゲンガラス薄膜に強度Ｊ’ｍＷ／Ｃｍ２゜照
射時間、２ｍＳで照射し、その部分を非晶質にした（書
き込み）。その様子を第２図（ｂ） 、 （Ｃ）Ｋ示し
た。（照射位置写真中／及び２）次に第２図（Ｃ）中の
（２）の部分に該レーザ光線を強度λ、５ｍｗ／ｃｍ２
照射時間／、２部ｍＳで照射しその部分を結晶質に戻し
た。（消去）。その様子を第２図（ｄ）に示した。
ンズで集光させ約３μｍの光線径とし、ダークニングし
た該カルコゲンガラス薄膜に強度Ｊ’ｍＷ／Ｃｍ２゜照
射時間、２ｍＳで照射し、その部分を非晶質にした（書
き込み）。その様子を第２図（ｂ） 、 （Ｃ）Ｋ示し
た。（照射位置写真中／及び２）次に第２図（Ｃ）中の
（２）の部分に該レーザ光線を強度λ、５ｍｗ／ｃｍ２
照射時間／、２部ｍＳで照射しその部分を結晶質に戻し
た。（消去）。その様子を第２図（ｄ）に示した。
以上のような一連の書き込み・消去といった操作を繰り
返し行ったが、カルコゲンガラス薄膜の安定性が高く、
高頻度の繰り返し動作も再現よく行なえることがわかっ
た。
返し行ったが、カルコゲンガラス薄膜の安定性が高く、
高頻度の繰り返し動作も再現よく行なえることがわかっ
た。
図面は本発明の実施例及び比較例を示すものであって、
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光メモリー材料のカル
コゲンガラス薄膜にダークニングを起させた状態を示す
顕微鏡写真、（ｄ）〜＜ｇ）は比較例のカルコゲンガラ
ス薄膜にダークニングを起させた状態を示す顕微鏡写真
、第２図（ａ）は本発明のダークニングしたカルコゲン
ガラス薄膜の顕微鏡写真、（ｂ）及び（Ｃ）はダークニ
ングしたカルコゲンガラス薄膜へ夫々書き込みを行った
顕微鏡写真、（ｄ７は書き込みを行った写真（Ｃ）の状
態のカルコゲンガラス薄膜の書き込みの１部を消去した
顕微鏡写真である。 箋 １ 口 情 １ 口 箋 １ 口 １１ の 手 続 補 正 書 昭和５９年７月タ日 特許庁長官殿 特願昭１−１０！；９／９号 神ＨＨシー−− 一 発明の名称 光メモリー材料 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｌθθ）日本板硝子株式会社代表者 利 賀 信 雄 グ代理人 ７ 補ｉＥの内容 （１） 明細１書第１／＠第１ｇ行目の１させ」と「た
状態を示す顕微鏡写真」との間に１結晶質に転移させ」
を加入する。 （２）明細書第１／頁第２０行目の「せ」と［た状態を
示す顕微鏡写真］との間ｖｃ「結晶質に転移させ」を加
入する。 （３）明細書筒１．２頁第１行目の「ダークニングし」
と［たカルコゲンガラス薄膜］との間ＶＣ「結晶質に転
移させ」を加入する。 （４）明細書第７２頁第２行目の１ダークニングし」と
「たカルコゲンガラス薄膜」との間ＶＣ「結晶質に転移
させ」を加入する。 （５）明細書筒１２−ｇ第ｓ行目の１消去し」と「だ」
との間Ｋ「て結晶質に転移させ」を加入する。 以 上
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の光メモリー材料のカル
コゲンガラス薄膜にダークニングを起させた状態を示す
顕微鏡写真、（ｄ）〜＜ｇ）は比較例のカルコゲンガラ
ス薄膜にダークニングを起させた状態を示す顕微鏡写真
、第２図（ａ）は本発明のダークニングしたカルコゲン
ガラス薄膜の顕微鏡写真、（ｂ）及び（Ｃ）はダークニ
ングしたカルコゲンガラス薄膜へ夫々書き込みを行った
顕微鏡写真、（ｄ７は書き込みを行った写真（Ｃ）の状
態のカルコゲンガラス薄膜の書き込みの１部を消去した
顕微鏡写真である。 箋 １ 口 情 １ 口 箋 １ 口 １１ の 手 続 補 正 書 昭和５９年７月タ日 特許庁長官殿 特願昭１−１０！；９／９号 神ＨＨシー−− 一 発明の名称 光メモリー材料 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｌθθ）日本板硝子株式会社代表者 利 賀 信 雄 グ代理人 ７ 補ｉＥの内容 （１） 明細１書第１／＠第１ｇ行目の１させ」と「た
状態を示す顕微鏡写真」との間に１結晶質に転移させ」
を加入する。 （２）明細書第１／頁第２０行目の「せ」と［た状態を
示す顕微鏡写真］との間ｖｃ「結晶質に転移させ」を加
入する。 （３）明細書筒１．２頁第１行目の「ダークニングし」
と［たカルコゲンガラス薄膜］との間ＶＣ「結晶質に転
移させ」を加入する。 （４）明細書第７２頁第２行目の１ダークニングし」と
「たカルコゲンガラス薄膜」との間ＶＣ「結晶質に転移
させ」を加入する。 （５）明細書筒１２−ｇ第ｓ行目の１消去し」と「だ」
との間Ｋ「て結晶質に転移させ」を加入する。 以 上
Claims (1)
- （１）基板の表面に、構造式が Ｔｅｘ（ＧａｙＳｅ／−／）１−ｘ で表され、ＸがＯｌ、２乃至Ｏｏ、２ざｙが０．０３乃
至Ｏ，／であるカルコゲンガラス薄膜を形成した光メモ
リー材料 （２、特許請求の範囲第１項において、基板と該カルコ
ゲンガラス薄膜の間及び該カルコゲンガラス薄膜薄膜を
設けた光メモリー相別
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105919A JPS60251534A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | 光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105919A JPS60251534A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | 光メモリ−材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251534A true JPS60251534A (ja) | 1985-12-12 |
Family
ID=14420269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105919A Pending JPS60251534A (ja) | 1984-05-26 | 1984-05-26 | 光メモリ−材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251534A (ja) |
-
1984
- 1984-05-26 JP JP59105919A patent/JPS60251534A/ja active Pending
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