JPS6061929A - 光メモリ−材料 - Google Patents
光メモリ−材料Info
- Publication number
- JPS6061929A JPS6061929A JP58169860A JP16986083A JPS6061929A JP S6061929 A JPS6061929 A JP S6061929A JP 58169860 A JP58169860 A JP 58169860A JP 16986083 A JP16986083 A JP 16986083A JP S6061929 A JPS6061929 A JP S6061929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystalline
- thin
- substrate
- thin film
- optical memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカルコゲンガラス薄膜を用いた光メモリー材料
、特にＧａ−８ｅ系カルコゲンガラス薄膜を用いた高記
録密度の光メモリー材料に関する。
、特にＧａ−８ｅ系カルコゲンガラス薄膜を用いた高記
録密度の光メモリー材料に関する。
近年、情報処理量の増大、文字または画像の記録再生に
関する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめ
られている。
関する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめ
られている。
従来、光メモリー材料は基板上に設けたＴｅ薄膜、Ｔｅ
−８ｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物薄膜、基板上
に設けたＴｅＯｘ 、 ＧｅＯｘ 、 ＭｏＯｘなどの
還元性酸化物薄膜、又は基板上に設けたＧｄＴｂＦｅ薄
膜、Ｇｄ０Ｏ薄膜などの磁性薄膜が知られている。
−８ｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物薄膜、基板上
に設けたＴｅＯｘ 、 ＧｅＯｘ 、 ＭｏＯｘなどの
還元性酸化物薄膜、又は基板上に設けたＧｄＴｂＦｅ薄
膜、Ｇｄ０Ｏ薄膜などの磁性薄膜が知られている。
Ｔｅ薄膜若しくはＴｅ化合物薄膜又は還元性酸化物薄膜
は最高２３０メガピツ） ／ Ｃｍ２ と記録密度が高
いが、前者はレーザビームの照射により熱的に照射部分
を溶解、蒸発して小孔をあけて情報を書き込むものであ
り、後者はレーザビームの照射により、照射部に熱変態
を起させ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから
、一旦書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった
可逆的な使用はできない。
は最高２３０メガピツ） ／ Ｃｍ２ と記録密度が高
いが、前者はレーザビームの照射により熱的に照射部分
を溶解、蒸発して小孔をあけて情報を書き込むものであ
り、後者はレーザビームの照射により、照射部に熱変態
を起させ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから
、一旦書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった
可逆的な使用はできない。
一方光磁気薄膜は外部磁界を加えながらレーザビームを
照射することにより、垂直配向の向きを変えることで情
報を書き込むもので、書き込んだ情報の消去が可能で、
また再度の書き込みも可能であるが、再生でレーザビー
ムを照射したときの反射光の磁気カー効果、または透過
光のファラデー効果を利用して配向の向きを検出する、
いわゆる光磁気効果を利用するものであり、記録密度が
２０メガピツ）’１０ｍ２と小さく記録密度を高めるこ
とができない欠点があった。
照射することにより、垂直配向の向きを変えることで情
報を書き込むもので、書き込んだ情報の消去が可能で、
また再度の書き込みも可能であるが、再生でレーザビー
ムを照射したときの反射光の磁気カー効果、または透過
光のファラデー効果を利用して配向の向きを検出する、
いわゆる光磁気効果を利用するものであり、記録密度が
２０メガピツ）’１０ｍ２と小さく記録密度を高めるこ
とができない欠点があった。
本発明者らはかかる状況に鑑み、カルコゲンガラス薄膜
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ読み
書きの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出すに至
った。すなわち、本発明は結晶質基板または結晶質薄膜
で被覆された基板の表面にモル％でＳｅがにＯ乃至９７
％、Ｇａが３乃至４０％の組成のカルコゲンガラス薄膜
を形成した光メモリー材料である。
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ読み
書きの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出すに至
った。すなわち、本発明は結晶質基板または結晶質薄膜
で被覆された基板の表面にモル％でＳｅがにＯ乃至９７
％、Ｇａが３乃至４０％の組成のカルコゲンガラス薄膜
を形成した光メモリー材料である。
本発明における結晶質基板としてシリコンウェファ、サ
ファイアなどを用い、結晶質薄膜で被覆された基板とし
テｚｎｏ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＺｒＯ２等の結晶質
被膜で被覆されたガラス、セラミックスまたは有機材料
が用いられる。
ファイアなどを用い、結晶質薄膜で被覆された基板とし
テｚｎｏ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２、ＺｒＯ２等の結晶質
被膜で被覆されたガラス、セラミックスまたは有機材料
が用いられる。
また、本発明におけるＧａ−８ｅカルコゲンガラス薄膜
は通常真空蒸着法により基板上に形成される。
は通常真空蒸着法により基板上に形成される。
このように形成されたＧａ−５ｅカルコゲンガラス薄膜
は形成直後は非晶質状であり、光学的に透明体であるが
、強い光例えばキセノンランプの光を集光して照射する
ことにより透過率の低い結晶質に変えることができ、次
いでこの結晶化したＧａ−８ｅ薄膜に光学レンズで絞っ
た強いレーザビームを短時間照射することにより非晶質
状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結晶化させる
には前記レーザビームに比べ強度の弱いレーザビームを
長い時間照射することによって達成させる。
は形成直後は非晶質状であり、光学的に透明体であるが
、強い光例えばキセノンランプの光を集光して照射する
ことにより透過率の低い結晶質に変えることができ、次
いでこの結晶化したＧａ−８ｅ薄膜に光学レンズで絞っ
た強いレーザビームを短時間照射することにより非晶質
状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結晶化させる
には前記レーザビームに比べ強度の弱いレーザビームを
長い時間照射することによって達成させる。
本発明におけるＧａ−８ｅカルコゲンガラス薄膜はモル
％でＳｅ 乙Ｏ乃至９７％、Ｇａ３乃至１１０％のもの
を用い、好ましくはｇｊ乃至９７％、Ｇａ３乃至１５％
のものが用いられる。このような組成範囲のＧａ−８ｅ
力ルフゲンガラス薄膜は熱変態、すなわち非結晶ｐ結晶
質の可逆変化が生じやすく、その結晶時緻密な結晶質を
生じやすい。
％でＳｅ 乙Ｏ乃至９７％、Ｇａ３乃至１１０％のもの
を用い、好ましくはｇｊ乃至９７％、Ｇａ３乃至１５％
のものが用いられる。このような組成範囲のＧａ−８ｅ
力ルフゲンガラス薄膜は熱変態、すなわち非結晶ｐ結晶
質の可逆変化が生じやすく、その結晶時緻密な結晶質を
生じやすい。
本発明は結晶質基板または結晶質薄膜で被覆された基板
に、前記組成範囲のＧａ−５ｅカルコゲンガラス薄膜を
形成させたものであり、結晶質上に形成させたＧａ−８
ｅカルコゲンガラス薄膜キ′セノンランプの光を集光し
て照射した後、小さな径の強度の弱いレーザビームを照
射して非晶質よりなる透明なドツト部を形成すると、そ
のドツトは周囲が漆んだり、ドツトが歪んだりしないの
で記録密度の高い光メモリー材料を提供できる。
に、前記組成範囲のＧａ−５ｅカルコゲンガラス薄膜を
形成させたものであり、結晶質上に形成させたＧａ−８
ｅカルコゲンガラス薄膜キ′セノンランプの光を集光し
て照射した後、小さな径の強度の弱いレーザビームを照
射して非晶質よりなる透明なドツト部を形成すると、そ
のドツトは周囲が漆んだり、ドツトが歪んだりしないの
で記録密度の高い光メモリー材料を提供できる。
以下、本発明の実施例について詳述する。
Ｇａ粉末及びｓｅ粉末（それぞれ純度が９９．９９９％
）を原子百分率で５：９３の割合で混合したものを石英
アンプルに封入し、その後／１０００Ｃの温度で７０時
間加熱融解した後、急冷してＧａ−５ｅ力ルフゲンガラ
スを得た。
）を原子百分率で５：９３の割合で混合したものを石英
アンプルに封入し、その後／１０００Ｃの温度で７０時
間加熱融解した後、急冷してＧａ−５ｅ力ルフゲンガラ
スを得た。
次いで、このＧａ−８ｅカルコゲンガラスを取り出し粉
砕した粉末を蒸着源とし、真空蒸着装置で種々の基板上
に厚みが約５ｏｏｏｌのＧａ−５ｅカルコゲンガラス薄
膜を形成させた。基板にはシリコンウェファ、α−石英
、ルチル型ＴｉＯ２，及び酸化亜鉛被覆ガラスの１種類
を用い、蒸着条件はいずれも基板温度３０”Ｃｓ真空度
コＸ ／ ０−５ ｔｏｒｒ蒸着レ−し ＳＯ＠／分で
あった。これらの４種のＧａ−８ｅ薄膜を形成した基板
を別の真空蒸着装置に移し、基板温度２！；’Ｃに維持
し、／Ｘ１Ｏ−３ｔＯｒｒ（７）真空度でバラキシリレ
ンを蒸着源としてＧａ−８ｅ薄膜上に厚さ／、！ｒμｍ
のバラキシリレン膜を形成させた。
砕した粉末を蒸着源とし、真空蒸着装置で種々の基板上
に厚みが約５ｏｏｏｌのＧａ−５ｅカルコゲンガラス薄
膜を形成させた。基板にはシリコンウェファ、α−石英
、ルチル型ＴｉＯ２，及び酸化亜鉛被覆ガラスの１種類
を用い、蒸着条件はいずれも基板温度３０”Ｃｓ真空度
コＸ ／ ０−５ ｔｏｒｒ蒸着レ−し ＳＯ＠／分で
あった。これらの４種のＧａ−８ｅ薄膜を形成した基板
を別の真空蒸着装置に移し、基板温度２！；’Ｃに維持
し、／Ｘ１Ｏ−３ｔＯｒｒ（７）真空度でバラキシリレ
ンを蒸着源としてＧａ−８ｅ薄膜上に厚さ／、！ｒμｍ
のバラキシリレン膜を形成させた。
このようにして作られた光メモリー材料に３分間＜Ｓ＞
キセノンランプ（集光強度／Ｗ１０ｍ２）を照射し、Ｇ
ａ−８ｅカルコゲンガラス薄膜を結晶化させた。キセノ
ンランプ照射前橙色を呈していた透過色は照射後褐色に
変化した。これら１種の結晶化した暗褐色のＧａ−５ｅ
薄膜にＨｅ−Ｎｅレーザビーム（出力／ＪｍＷ）を光学
レンズで直径１μｍの径に絞った上で／／！； ００秒
間照射したところその照射部のみ非晶質化し、直径約１
μｍの橙色のドツトを形成させた。次いでこれらのり種
のドツトを形成した光メモリー材料を２０００倍の透過
型電子顕微鏡で観察し、その時の結晶質部（暗褐色部）
の緻密性及びドツト部周囲の〃滲み〃の観察した結果を
第１表に示した。また、このように書き込んだドツトは
レーザビームの強度を小さくして２乃至３秒間照射する
ことにより、消去することができた。
ａ−８ｅカルコゲンガラス薄膜を結晶化させた。キセノ
ンランプ照射前橙色を呈していた透過色は照射後褐色に
変化した。これら１種の結晶化した暗褐色のＧａ−５ｅ
薄膜にＨｅ−Ｎｅレーザビーム（出力／ＪｍＷ）を光学
レンズで直径１μｍの径に絞った上で／／！； ００秒
間照射したところその照射部のみ非晶質化し、直径約１
μｍの橙色のドツトを形成させた。次いでこれらのり種
のドツトを形成した光メモリー材料を２０００倍の透過
型電子顕微鏡で観察し、その時の結晶質部（暗褐色部）
の緻密性及びドツト部周囲の〃滲み〃の観察した結果を
第１表に示した。また、このように書き込んだドツトは
レーザビームの強度を小さくして２乃至３秒間照射する
ことにより、消去することができた。
次に比較例として基板にソーダライムガラス、石英ガラ
ス、非晶質酸化珪素被覆ガラス、及び酸化チタン被覆ガ
ラスを夫々用いた外は実施例と全く同様にして光メモリ
ー材料を作り、実施例と同様に３分間キセノンランプ（
集光強度／Ｗ、１０ｍ２）を照射してａａ−ｓｅカルコ
ゲンガラス薄膜を結晶化させた。次にこれらの１種の結
晶化した暗褐色のＧａ−５ｅ薄膜に実施例と同様にレー
ザビームを照射して非晶質のドツトを形成させ、このド
ツトを実施例と同様に２０００倍の透過型電子顕微鏡で
観察し、その時の結晶質部（暗褐色部）の緻密性及びド
ツト部の周囲の〃滲み〃を観察した結果を第１表に示し
た。第１表から明らかなように、実施例に係る光メモリ
ー材料は結晶質部が緻密で、ドツト部の〃滲み〃がない
ため、記録密度が高く取れることが理解できる。
ス、非晶質酸化珪素被覆ガラス、及び酸化チタン被覆ガ
ラスを夫々用いた外は実施例と全く同様にして光メモリ
ー材料を作り、実施例と同様に３分間キセノンランプ（
集光強度／Ｗ、１０ｍ２）を照射してａａ−ｓｅカルコ
ゲンガラス薄膜を結晶化させた。次にこれらの１種の結
晶化した暗褐色のＧａ−５ｅ薄膜に実施例と同様にレー
ザビームを照射して非晶質のドツトを形成させ、このド
ツトを実施例と同様に２０００倍の透過型電子顕微鏡で
観察し、その時の結晶質部（暗褐色部）の緻密性及びド
ツト部の周囲の〃滲み〃を観察した結果を第１表に示し
た。第１表から明らかなように、実施例に係る光メモリ
ー材料は結晶質部が緻密で、ドツト部の〃滲み〃がない
ため、記録密度が高く取れることが理解できる。
第１表 Ｇａ−５ｏ薄膜の電子顕微鏡観察結果（１’）
手 続 補 正 書（自発）
／ 事件の表示
特願昭！；Ｉ−／乙９１乙Ｏ号
−発明の名称
光メモリー材料
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｌθθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 雄 グ代理人 ｌ 補正の対象 自 ４ ７塾理 由 （１）明細書第グ頁第１２行目の１その結晶時」を「そ
の時」に補正する。
（ｌθθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 雄 グ代理人 ｌ 補正の対象 自 ４ ７塾理 由 （１）明細書第グ頁第１２行目の１その結晶時」を「そ
の時」に補正する。
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 結晶質基板または結晶質薄膜で被覆された基板の表面に
、モル％でＳｅが６０乃至９７％、Ｇａカ仝 ３乃至１１０％の組成カルコゲンガラス薄膜を形成した
光メモリー材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169860A JPS6061929A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169860A JPS6061929A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光メモリ−材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061929A true JPS6061929A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15894279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169860A Pending JPS6061929A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 光メモリ−材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181189A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-08-08 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58169860A patent/JPS6061929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62181189A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-08-08 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Rode et al. | Laser-deposited As2S3 chalcogenide films for waveguide applications | |
| JP4145446B2 (ja) | 光記録媒体の使用方法 | |
| JPS60177446A (ja) | 光デイスク記録媒体 | |
| GB2043698A (en) | Thermomagnetic record carrier | |
| JP2608486B2 (ja) | 安定なイメージを形成する高エネルギー書込み可能なガラス組成物 | |
| JPS6061929A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JPS60179954A (ja) | 光デイスク記録媒体 | |
| JPH0236296A (ja) | 薄膜ホトルミネセンス物品およびその製造方法 | |
| US4246337A (en) | Photosensitive medium for optical information storage | |
| Kawaguchi | Photoinduced surface deposition of Ag on Ag-rich Ag–Ge–S films: Optimal Ag content and film thickness for applications in optical recording devices | |
| JPS60634A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JPS60219646A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS6219490A (ja) | 光学情報記録素子 | |
| JPS60251534A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JPH04226785A (ja) | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 | |
| JPS634166B2 (ja) | ||
| JPH01100745A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2513605B2 (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPH04234691A (ja) | テルル合金を基材とする消去可能な光学記録材料およびその記録方法 | |
| JPH0226299B2 (ja) | ||
| JPS6126948A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| Aznárez et al. | Electron microscopy of transformations produced in Ge Te thin films by irradiation | |
| Shiman et al. | Selective wet-etching of amorphous/crystallized Sb20Se80 thin films | |
| JPS60234248A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0192937A (ja) | 消去型光記録媒体 |