JPS60634A - 光メモリ−材料 - Google Patents
光メモリ−材料Info
- Publication number
- JPS60634A JPS60634A JP58108318A JP10831883A JPS60634A JP S60634 A JPS60634 A JP S60634A JP 58108318 A JP58108318 A JP 58108318A JP 10831883 A JP10831883 A JP 10831883A JP S60634 A JPS60634 A JP S60634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- laser beam
- chalcogen glass
- resin material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
- G11B7/2575—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカルコゲンガラス薄膜を用いた光メモリー材料
、特にＧａ−３ｅ系カルコゲンガラス薄膜を用いた高記
録密度の光メモリー材料に関する。
、特にＧａ−３ｅ系カルコゲンガラス薄膜を用いた高記
録密度の光メモリー材料に関する。
近年情報処理量の増大２文字または画像の記録再生に関
する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめら
れている。
する要求などから高密度大容量の光メモリー材料がめら
れている。
従来、光メモリー材料は基板上に設けたＴｅ薄膜、’Ｉ
’ｅｓｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物薄膜、基板
上に設けたＴｅ０Ｘ、Ｇｅ０Ｘ 、ＭＯＯＸなどの還元
性酸化物薄膜、又は基板上に設けたＧｄ Ｔｂ Ｆｅ薄
膜、 ＧｄＱｏ 薄膜などの磁性簿膜が知られている。
’ｅｓｅ薄膜などのＴｅ若しくはＴｅ化合物薄膜、基板
上に設けたＴｅ０Ｘ、Ｇｅ０Ｘ 、ＭＯＯＸなどの還元
性酸化物薄膜、又は基板上に設けたＧｄ Ｔｂ Ｆｅ薄
膜、 ＧｄＱｏ 薄膜などの磁性簿膜が知られている。
Ｔｅ薄膜若しくはＴｅ化合物薄膜又は還元性酸化物薄膜
は最高２ＳＯメガピツ）１０ｍ２と記録密度が高いが、
前者はレーザビームの照射により熱的に照射部分を溶解
、蒸発して小孔をあけて情報を書き込むものであり、後
者はレーザビームの照射により、照射部に熱変態を起さ
せ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから、一旦
書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった可逆的
な使用はできない。一方磁性薄膜は外部磁界を加えなが
らレーザビームを照射することにより、垂直配向の向き
を変えることで情報を書き込むもので書き込んだ情報の
照射の消去が可能で、また再度の書き込みも可能である
が、再生でレーザビームを照射したときの反射光の磁気
カー効果、または透過光のファラデー効果を利用して配
向の向きを検出する、いわゆる光磁気効果を利用するも
のであり、記録密度が、２０メガピツ） ／ ａ ｍ
２と小さく記録密度を高めることができないという欠点
があった。
は最高２ＳＯメガピツ）１０ｍ２と記録密度が高いが、
前者はレーザビームの照射により熱的に照射部分を溶解
、蒸発して小孔をあけて情報を書き込むものであり、後
者はレーザビームの照射により、照射部に熱変態を起さ
せ屈折率を変えて情報を書き込むものであるから、一旦
書き込んだ情報を消去し、再度書き込むといった可逆的
な使用はできない。一方磁性薄膜は外部磁界を加えなが
らレーザビームを照射することにより、垂直配向の向き
を変えることで情報を書き込むもので書き込んだ情報の
照射の消去が可能で、また再度の書き込みも可能である
が、再生でレーザビームを照射したときの反射光の磁気
カー効果、または透過光のファラデー効果を利用して配
向の向きを検出する、いわゆる光磁気効果を利用するも
のであり、記録密度が、２０メガピツ） ／ ａ ｍ
２と小さく記録密度を高めることができないという欠点
があった。
本発明者らはかかる状況に鑑み、カルコゲンガラス薄膜
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ読み
書きの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出すに至
った。すなわち、本発明は有機樹脂材料の表面にモル％
でＳｅがざＳ乃至９５％＋Ｇａが３乃至１３％の組成を
有するカルコゲンガラス薄膜を形成せしめ、該カルコゲ
ンガラス薄膜の表面を透明な有機樹脂材料で被覆した光
メモリー材料である。
について鋭意研究した結果、記録密度が高く、且つ読み
書きの可逆的使用が可能な光メモリー材料を見出すに至
った。すなわち、本発明は有機樹脂材料の表面にモル％
でＳｅがざＳ乃至９５％＋Ｇａが３乃至１３％の組成を
有するカルコゲンガラス薄膜を形成せしめ、該カルコゲ
ンガラス薄膜の表面を透明な有機樹脂材料で被覆した光
メモリー材料である。
Ｇａ−３ｅカルコゲンガラス薄膜は通常真空蒸着法で形
成され、形成直後は非晶質状であり光学的に透明体であ
るが、強い光例えばキセノンランプの光を集光して照射
することにより透過率の低い結晶質に変えることができ
、次いでこの結晶化したＧａ−５ｅ薄膜に光学レンズで
絞った強いレーザビームを短時間照射することにより非
晶質状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結晶化さ
せるには前記レーザビームに比べ強度の弱いレーザビー
ムを照射することによって達成させる。従って・本発明
は書き込み・読み取り・消去・再度書き込みの可能な光
メモリー材料を提供できる。
成され、形成直後は非晶質状であり光学的に透明体であ
るが、強い光例えばキセノンランプの光を集光して照射
することにより透過率の低い結晶質に変えることができ
、次いでこの結晶化したＧａ−５ｅ薄膜に光学レンズで
絞った強いレーザビームを短時間照射することにより非
晶質状態に戻すことができ、更に非晶質状態を結晶化さ
せるには前記レーザビームに比べ強度の弱いレーザビー
ムを照射することによって達成させる。従って・本発明
は書き込み・読み取り・消去・再度書き込みの可能な光
メモリー材料を提供できる。
本発明において、Ｇａ−３ｅカルコゲンガラス簿膜はＳ
ｅがざＳ乃至９７％、Ｇａが３乃至／Ｊ％の組成のもの
が用いられる。
ｅがざＳ乃至９７％、Ｇａが３乃至／Ｊ％の組成のもの
が用いられる。
このような組成のＧａ−８ｅカルコゲンガラス薄膜を用
いることにより、緻密な結晶質のものが得られ、従って
、記録密度の高いメモリー材料を得ることができる。
いることにより、緻密な結晶質のものが得られ、従って
、記録密度の高いメモリー材料を得ることができる。
また本発明においてＧａ−３ｅ力ルコゲン薄膜カ付着さ
れる下地の有機樹脂材料として有機基板を用いる場合と
ガラス基板に被覆した有機樹脂を用いる場合とがある。
れる下地の有機樹脂材料として有機基板を用いる場合と
ガラス基板に被覆した有機樹脂を用いる場合とがある。
この有機基板としてはメタクリル酸樹脂、又はポリカー
ボネート樹脂が望ましいが、塩化ビニール、酢酸ビニー
ル系樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリルニ
トリル・スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、７ノ素樹脂なども用いることができ
る。またガラス基板に被覆する有機樹脂としてはエポキ
シ樹脂、キシレン（２）脂、又はシリコン酎脂を用いる
のが好ましいが、塩化ビニール樹脂。
ボネート樹脂が望ましいが、塩化ビニール、酢酸ビニー
ル系樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリルニ
トリル・スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、７ノ素樹脂なども用いることができ
る。またガラス基板に被覆する有機樹脂としてはエポキ
シ樹脂、キシレン（２）脂、又はシリコン酎脂を用いる
のが好ましいが、塩化ビニール樹脂。
スチレンアルキド樹脂又はポリウレタン樹脂跡も用いる
ことができる。
ことができる。
これらの有機樹脂材料上に形成された非晶質のＧａ−３
ｅｉｔ！７膜に強度の弱い小さな径のレーザビームを照
射すれば、その薄膜にエピタキシャル状の極めて緻密な
ドツト状の結晶質が形成でき、ガラス、セラミック、あ
るし・は金属酸化物の表面に直接形成させた非晶質のＧ
ａ−３ｅ薄膜に前記レーザビームを照射して、その薄膜
にドツト状の結晶質を形成した場合の如くドツトかにじ
むという現象が生せ゛ず、にじみのない結晶質の小さな
径のドツトが形成できる。従って、本発明は例えば２Ｓ
Ｏメガピツ）７０ｍ２というような記録密度の高１／）
光メモリー材料を提供できる。
ｅｉｔ！７膜に強度の弱い小さな径のレーザビームを照
射すれば、その薄膜にエピタキシャル状の極めて緻密な
ドツト状の結晶質が形成でき、ガラス、セラミック、あ
るし・は金属酸化物の表面に直接形成させた非晶質のＧ
ａ−３ｅ薄膜に前記レーザビームを照射して、その薄膜
にドツト状の結晶質を形成した場合の如くドツトかにじ
むという現象が生せ゛ず、にじみのない結晶質の小さな
径のドツトが形成できる。従って、本発明は例えば２Ｓ
Ｏメガピツ）７０ｍ２というような記録密度の高１／）
光メモリー材料を提供できる。
更にまた本発明においてＧａ−５ｅカルコゲン薄膜の表
面に付着される保設膜の透明な有機樹脂材料としてはエ
ポキシ樹脂、又はキシレン樹脂を用いるのが好ましいが
、フェノール樹脂＋ シ９ コン樹脂、スチレン・アル
キド樹脂、スチレン尿素樹脂、エポキシメラミン樹脂又
はポリウレタン樹脂等も用いることができる。
面に付着される保設膜の透明な有機樹脂材料としてはエ
ポキシ樹脂、又はキシレン樹脂を用いるのが好ましいが
、フェノール樹脂＋ シ９ コン樹脂、スチレン・アル
キド樹脂、スチレン尿素樹脂、エポキシメラミン樹脂又
はポリウレタン樹脂等も用いることができる。
この透明な有機樹脂材料はＧａ−５ｅ薄膜表面を覆い空
気、水分等を遮断し、該Ｇａ−５ｅ薄膜を保護すると共
に加熱による該薄膜の蒸発を防ぎその表面張力により該
薄膜を閉じ込める。
気、水分等を遮断し、該Ｇａ−５ｅ薄膜を保護すると共
に加熱による該薄膜の蒸発を防ぎその表面張力により該
薄膜を閉じ込める。
以下、本発明の実施例について詳述する。
Ｇａ粉末及びｓｅ粉末（それぞれ純度が９９．９９９％
）を原子百分率において、ｓ：ｑｓの割合で混合したも
のを石英アンプルに封入し、その後１ｌＯＯ°Ｃの温度
で１０時間加熱融解した後、急冷してＧａ−５ｅカルコ
ゲンガラスを得た。
）を原子百分率において、ｓ：ｑｓの割合で混合したも
のを石英アンプルに封入し、その後１ｌＯＯ°Ｃの温度
で１０時間加熱融解した後、急冷してＧａ−５ｅカルコ
ゲンガラスを得た。
次イテ、このＧａ−５ｅカルコゲンガラスを取り出し粉
砕した粉末を蒸着源とし、真空基若装置で種々の基板上
に厚みが３０００ Ａ Ｇａ−３ｅカルコゲンガラス薄
膜を形成させた。基板にはノ（ラキンリレン被覆ガラス
、エポキシ樹脂被覆ガラス、シリコン崩脂被覆ガラス、
ポリメチルメタアクリレート樹脂、及びポリカーボネー
ト樹脂を用い、蒸着条件はいずれも基板温度３０°Ｃ９
蒸着レートＳＯＡ／分、真空度２×１Ｏ−５ｔｏｒｒ
であった。
砕した粉末を蒸着源とし、真空基若装置で種々の基板上
に厚みが３０００ Ａ Ｇａ−３ｅカルコゲンガラス薄
膜を形成させた。基板にはノ（ラキンリレン被覆ガラス
、エポキシ樹脂被覆ガラス、シリコン崩脂被覆ガラス、
ポリメチルメタアクリレート樹脂、及びポリカーボネー
ト樹脂を用い、蒸着条件はいずれも基板温度３０°Ｃ９
蒸着レートＳＯＡ／分、真空度２×１Ｏ−５ｔｏｒｒ
であった。
これらの５種のＧａ−８ｅ薄膜を形成した基板を別の真
空蒸着装置に移し、基板温度を、２ｊ”Ｃに維持り、、
／Ｘ／Ｑ−３ｔｏｒｒの真空度でバラキシリレンを蒸着
源としてＧａ−８ｅ薄膜上に厚さ八Ｓμｍのバラキシリ
レン膜を形成させた。
空蒸着装置に移し、基板温度を、２ｊ”Ｃに維持り、、
／Ｘ／Ｑ−３ｔｏｒｒの真空度でバラキシリレンを蒸着
源としてＧａ−８ｅ薄膜上に厚さ八Ｓμｍのバラキシリ
レン膜を形成させた。
このようにして作られた光メモリー材料に３分間キセノ
ンランプ（集光強度／Ｗ／ｃｍ２ ）を照射し、ｃａ−
ｓｅカルコゲンガラス薄膜を結晶化させた。
ンランプ（集光強度／Ｗ／ｃｍ２ ）を照射し、ｃａ−
ｓｅカルコゲンガラス薄膜を結晶化させた。
このときキセノンランプ照射前橙色を呈していたその透
過色は照！！′ｆ後暗褐色に変化した。第７図にバラキ
シリレン被覆ガラス上のＧａ−８ｅカルコゲンガラス薄
膜の電子顕微鏡２０００倍の写真を示した。これらの５
種の結晶化した暗褐色のＧａ−３ｅ薄膜にＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光（出力ｔｓｍｗ）を光学レンズで直径約１μｍの
径に絞った上で／／！；００秒間照射したところ照射部
のみ非晶質化させ、直径約１μｍの橙色のドツトを形成
させた。次いでこれらの５種のドツトを形成させた光メ
モリー材料を２０００倍の透過型電子顕微鏡で観察し、
その時の結晶質部（暗褐色部）の緻密性、及びドツト部
（非晶質部）の周囲の１にじみ“を観察した結果をオ／
表に示した。
過色は照！！′ｆ後暗褐色に変化した。第７図にバラキ
シリレン被覆ガラス上のＧａ−８ｅカルコゲンガラス薄
膜の電子顕微鏡２０００倍の写真を示した。これらの５
種の結晶化した暗褐色のＧａ−３ｅ薄膜にＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光（出力ｔｓｍｗ）を光学レンズで直径約１μｍの
径に絞った上で／／！；００秒間照射したところ照射部
のみ非晶質化させ、直径約１μｍの橙色のドツトを形成
させた。次いでこれらの５種のドツトを形成させた光メ
モリー材料を２０００倍の透過型電子顕微鏡で観察し、
その時の結晶質部（暗褐色部）の緻密性、及びドツト部
（非晶質部）の周囲の１にじみ“を観察した結果をオ／
表に示した。
またこのように書き込んだドツトはレーザビームの強度
を小さくして２乃至３秒間照射することにより消去する
ことができた。
を小さくして２乃至３秒間照射することにより消去する
ことができた。
次に比較例として基板にソーダライムガラス。
石英ガラス、酸化錫膜被覆ガラス、及び酸化珪素膜被覆
ガラスを夫々用いた外は実施例と全く同様にして光メモ
リー材料を作り実施例と同様に３分ｐ６キセノンランプ
を渭ηＪｔてＧａ−８ｅ力ルコデンガラスＭ膜を結晶化
させた。第２図にソーダライムガラス上のＧａ−８ｅカ
ルコゲンガラス薄膜の電子顕微鏡２０００倍の写真を示
した。
ガラスを夫々用いた外は実施例と全く同様にして光メモ
リー材料を作り実施例と同様に３分ｐ６キセノンランプ
を渭ηＪｔてＧａ−８ｅ力ルコデンガラスＭ膜を結晶化
させた。第２図にソーダライムガラス上のＧａ−８ｅカ
ルコゲンガラス薄膜の電子顕微鏡２０００倍の写真を示
した。
ドツトの書き込みを行い、これらのドツトを形成させた
。
。
次にこれらの１種の結晶化した暗褐色のＧａ −３ｅ薄
膜に実施例と同様にレーザビームを照射して非晶質のド
ツトを形成させ、口のドツトを実施例と同様に２００Ｑ
倍の透過型電子顕微鏡で観察し、その時の結晶質部の緻
密性、及びドツト部（非晶質部）の周囲の１にじみ“を
観察した結果をオ１表に示した。
膜に実施例と同様にレーザビームを照射して非晶質のド
ツトを形成させ、口のドツトを実施例と同様に２００Ｑ
倍の透過型電子顕微鏡で観察し、その時の結晶質部の緻
密性、及びドツト部（非晶質部）の周囲の１にじみ“を
観察した結果をオ１表に示した。
第１図及びオノ図並びに牙１表から明らかなように実施
例に係る光メモリー利料は結晶質部が緻密で、ドツト部
のゝゝにじみ“かないため、記録密度が高く取れること
が理解できる。
例に係る光メモリー利料は結晶質部が緻密で、ドツト部
のゝゝにじみ“かないため、記録密度が高く取れること
が理解できる。
第１図は本発明に係る光メモリー材料の電子顕微鏡写真
、第２図は比較例の光メモリー材料の電子顕微鏡写真で
ある。 矛 １ 図 矛２ 囚 手 続 袖、正 書（自発） ／ 事件の表示 特願昭Ｓざ−１０ｇ３／ｇ号 一閘公銘□−−−号一 一 発明の名初１ 光メモリー材料 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｚＯθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 １
１ グ代理人 ７、ｔｌｌｉ ＋Ｅの内容 （１）明細書オ１頁オ／ｇ行目のｌ”ＴｅＳｅ薄膜」を
１’ Ｔｅ−３ｅ薄股−］ に補正する。 （Ｋ） 明細ＩＩト引Ｊ ｙ−４オ／ノ行目の１非晶質
状Ｊを［非晶質状１に醋ｉＦする。 （：＜＋ ＩＩ ＃１１１’ｊオ乙ＧｉＡ・ｔｑ行［Ｉ
の［５ｏｏｏｈａａ−ｓｅ−Ｊを１３００ＯＡ （７）
Ｇａ−５ｅイに補ｉにする。 以 ［。
、第２図は比較例の光メモリー材料の電子顕微鏡写真で
ある。 矛 １ 図 矛２ 囚 手 続 袖、正 書（自発） ／ 事件の表示 特願昭Ｓざ−１０ｇ３／ｇ号 一閘公銘□−−−号一 一 発明の名初１ 光メモリー材料 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪府大阪市東区道修町４丁目８番地名 称
（ｚＯθ）日本板硝子株式会社代表者 刺 賀 信 １
１ グ代理人 ７、ｔｌｌｉ ＋Ｅの内容 （１）明細書オ１頁オ／ｇ行目のｌ”ＴｅＳｅ薄膜」を
１’ Ｔｅ−３ｅ薄股−］ に補正する。 （Ｋ） 明細ＩＩト引Ｊ ｙ−４オ／ノ行目の１非晶質
状Ｊを［非晶質状１に醋ｉＦする。 （：＜＋ ＩＩ ＃１１１’ｊオ乙ＧｉＡ・ｔｑ行［Ｉ
の［５ｏｏｏｈａａ−ｓｅ−Ｊを１３００ＯＡ （７）
Ｇａ−５ｅイに補ｉにする。 以 ［。
Claims (1)
- 有機樹脂材料の表面にモル％でｓｅがざ５乃至９７％＋
Ｇａが３乃至７５％の組成を有するカルコゲンガラス薄
膜を形成せしめ、該カルコゲンガラス薄膜の表面を透明
な有機樹脂材料で被覆した光メモリー材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108318A JPS60634A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 光メモリ−材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108318A JPS60634A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 光メモリ−材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60634A true JPS60634A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14481666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108318A Pending JPS60634A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 光メモリ−材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60634A (ja) |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108318A patent/JPS60634A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4467383A (en) | Magnetooptic memory medium | |
| JP4145446B2 (ja) | 光記録媒体の使用方法 | |
| JPS62204442A (ja) | 光記録媒体および光記録媒体の記録方法 | |
| JPS60177446A (ja) | 光デイスク記録媒体 | |
| JPS60186825A (ja) | 情報の記録・消去方法 | |
| GB2043698A (en) | Thermomagnetic record carrier | |
| GB2140635A (en) | Magnetooptic memory medium | |
| US4633273A (en) | Information recording medium including antimony-selenium compounds | |
| JPH0337132A (ja) | 安定なイメージを形成する高エネルギー書込み可能なガラス組成物 | |
| JPS60634A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JPS63132090A (ja) | 光学記録要素上での書込−消去方法 | |
| JPS60179954A (ja) | 光デイスク記録媒体 | |
| JPS6061929A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| US5385806A (en) | Optical information recording medium | |
| JPS60251534A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JP2577349B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH01100745A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS634166B2 (ja) | ||
| JP2513605B2 (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPS6126948A (ja) | 光メモリ−材料 | |
| JPS6315793A (ja) | 書き換え可能光記録媒体 | |
| JPH04234691A (ja) | テルル合金を基材とする消去可能な光学記録材料およびその記録方法 | |
| JPS63155439A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS62283431A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0448354B2 (ja) |