JPH0337132A - 安定なイメージを形成する高エネルギー書込み可能なガラス組成物 - Google Patents
安定なイメージを形成する高エネルギー書込み可能なガラス組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本立里旦豊量
本発明は、安定なイメージを記録するため高エネルギー
ビームによって書込み得るエネルギー感光性部分を持っ
ている新しいガラス物品に関する。
ビームによって書込み得るエネルギー感光性部分を持っ
ている新しいガラス物品に関する。
アーカイバル記憶媒体として種々のデバイスが知られて
いる。これらは磁性材料、エッチしたクロムマスクおよ
び多数の他のものを含む。ガラスをそのような用途に使
用する試みもなされた。しかしながら−層の改良がなお
望まれている。
いる。これらは磁性材料、エッチしたクロムマスクおよ
び多数の他のものを含む。ガラスをそのような用途に使
用する試みもなされた。しかしながら−層の改良がなお
望まれている。
圭又里生量盟
本発明は、水和したそして銀を含んでいるケイ酸塩ガラ
ス組成物は、安定な高い光学濃度イメージをつくるよう
に高エネルギービーム、例えば電子ビームによって書込
むことができるとの驚異的発見を基礎とする。これらの
有益な性質は、驚くべきことに、そのような組成物中に
原子状態において１−４ｄ電子を持っている遷移金属を
実質上含有しないことによって得られる。
ス組成物は、安定な高い光学濃度イメージをつくるよう
に高エネルギービーム、例えば電子ビームによって書込
むことができるとの驚異的発見を基礎とする。これらの
有益な性質は、驚くべきことに、そのような組成物中に
原子状態において１−４ｄ電子を持っている遷移金属を
実質上含有しないことによって得られる。
従って本発明は、モル％で以下の＆［ｌ或＝Ｓｉｎｇ
３０ ９５ＰｔＯｓ
Ｏ２０ Ｂ、０． ０−３０ ／１．０． ０−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ，０１−３５ ハライド ０−１０ を有し、そして原子状態においてｌ−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、５ｒＯＺｎ○
および／またはＰｂＯであり、 Ｒ２０はＬｉ２Ｏ，Ｎａｚ ｏ、 Ｋ２Ｏ，Ｒｂ２Ｏお
よび／またはＣＳ２０であり、 ハライドはＣＩ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであるガラ
ス物品であって、 該物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する時
前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性としな
いのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその面
積に亘って有し、前記物品はその少なくとも一表面の少
なくとも一部分の上に電子ビームを照射することによっ
て実質的に暗色化され、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするガラス物品に
関する。
３０ ９５ＰｔＯｓ
Ｏ２０ Ｂ、０． ０−３０ ／１．０． ０−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ，０１−３５ ハライド ０−１０ を有し、そして原子状態においてｌ−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、５ｒＯＺｎ○
および／またはＰｂＯであり、 Ｒ２０はＬｉ２Ｏ，Ｎａｚ ｏ、 Ｋ２Ｏ，Ｒｂ２Ｏお
よび／またはＣＳ２０であり、 ハライドはＣＩ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであるガラ
ス物品であって、 該物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する時
前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性としな
いのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその面
積に亘って有し、前記物品はその少なくとも一表面の少
なくとも一部分の上に電子ビームを照射することによっ
て実質的に暗色化され、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするガラス物品に
関する。
他の一面において、本発明は、モル％で以下の組成：
５ｉＯｚ ３０ ９５Ｐ、（１５
０−２０ Ｂｚ（）＋ （１３０Ａ１．Ｏ，２
Ｏ−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ，０１−３５ ハライド ０−１０ を有し、そして原子状態において１−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、５ｒＯ前記組
成においてＲＯはＰｂＯであり、Ｒｔ ＯはＬｉｚ Ｏ
，Ｎａｚ ｏ、 Ｋｚ Ｏ，ＲｂｚＯおよび／またはＣ
ｓ２Ｏであり、 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＺｎＯおよび／またはＩであ
るガラス物品であって、 該物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する時
前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性としな
いのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその面
積に亘って有し、前記物品は化学紫外線によって誘起さ
れる変化し得る光異方性効果を実質的に示さず、そして
前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまたは類似
のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似の幾何
学的特性を有することを特徴とするガラス物品に関する
。
０−２０ Ｂｚ（）＋ （１３０Ａ１．Ｏ，２
Ｏ−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ，０１−３５ ハライド ０−１０ を有し、そして原子状態において１−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、５ｒＯ前記組
成においてＲＯはＰｂＯであり、Ｒｔ ＯはＬｉｚ Ｏ
，Ｎａｚ ｏ、 Ｋｚ Ｏ，ＲｂｚＯおよび／またはＣ
ｓ２Ｏであり、 ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＺｎＯおよび／またはＩであ
るガラス物品であって、 該物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する時
前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性としな
いのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその面
積に亘って有し、前記物品は化学紫外線によって誘起さ
れる変化し得る光異方性効果を実質的に示さず、そして
前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまたは類似
のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似の幾何
学的特性を有することを特徴とするガラス物品に関する
。
さらに他の面において、本発明は、ネットワーク形成材
として有効量のＳｉＯ２を含むケイ酸塩ガラス物品であ
って、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、前記物品はその少なくとも一表面の
少なくとも一部分の上に電子ビームを照射することによ
って実質的に暗色化され、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするケイ酸塩ガラ
ス物品に関する。
として有効量のＳｉＯ２を含むケイ酸塩ガラス物品であ
って、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、前記物品はその少なくとも一表面の
少なくとも一部分の上に電子ビームを照射することによ
って実質的に暗色化され、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするケイ酸塩ガラ
ス物品に関する。
さらに他の面において、本発明は、ネットワーク形成材
として有効量のＳｉｎ、を含むケイ酸ガラス物品であっ
て、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、前記物品は化学紫外線によって誘起
される変化し得る光異方性効果を示さず、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするケイ酸塩ガラ
ス物品に関する。
として有効量のＳｉｎ、を含むケイ酸ガラス物品であっ
て、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、前記物品は化学紫外線によって誘起
される変化し得る光異方性効果を示さず、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体と光ディスクまたは類似
の幾何学的特性を有することを特徴とするケイ酸塩ガラ
ス物品に関する。
他の面において、本発明は、本発明のガラス物品にその
電子ビーム照射によってイメージを書込むことよりなる
化学線、例えば紫外または可視光線によって読取り得る
イメージの形成方法に関する。本発明はまた、前記イメ
ージを含んでいる前記ガラス物品を加熱することによっ
てそのようなイメージを消去する方法に関する。
電子ビーム照射によってイメージを書込むことよりなる
化学線、例えば紫外または可視光線によって読取り得る
イメージの形成方法に関する。本発明はまた、前記イメ
ージを含んでいる前記ガラス物品を加熱することによっ
てそのようなイメージを消去する方法に関する。
本発明はまた、以下に記載する種々の面および特徴に関
する。
する。
広い範囲のケイ酸ガラス組成物が本発明に適用可能であ
る。本質において、これらは与えられた用途に対して必
要な特性を有するケイ酸塩ガラスを提供するのに適し、
そして典型的には少なくとも一表面の全面積に亘って銀
を含有しそして水和され、そのため生成した水和した銀
組成物は電子ビームのような高エネルギー線に対しその
影響下暗色化するように感光性であるような少なくとも
一表面をその中に有することを必要とする。
る。本質において、これらは与えられた用途に対して必
要な特性を有するケイ酸塩ガラスを提供するのに適し、
そして典型的には少なくとも一表面の全面積に亘って銀
を含有しそして水和され、そのため生成した水和した銀
組成物は電子ビームのような高エネルギー線に対しその
影響下暗色化するように感光性であるような少なくとも
一表面をその中に有することを必要とする。
この＆ｌｌ動物また、原子状態において１−４ｄ電子を
有するすべての遷移金属を実質的に含まない。これらは
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ。
有するすべての遷移金属を実質的に含まない。これらは
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｌａ、Ｈｆ、ＴａおよびＷである。好ましくは、本発明
のガラスは例えばＣｅ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｔｈ。
のガラスは例えばＣｅ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｔｈ。
Ｐａ、Ｕ、Ｎ’ｐ、Ｃｍ等のような原子状態において１
−４ｄ電子を有するすべての金属を実質上台まない。
−４ｄ電子を有するすべての金属を実質上台まない。
本発明の環境において、ある成分を゛実質台まない”°
とは、ガラス製造のための調合物へそのような成分が意
図的に添加されないが、他の調合物成分の不純物として
その中に不可避的に存在し、そのため最終ガラス組成物
中に痕跡量存在することを意味する。同様に、他の不純
物もガラスメルトの処理から混入することがあり得る。
とは、ガラス製造のための調合物へそのような成分が意
図的に添加されないが、他の調合物成分の不純物として
その中に不可避的に存在し、そのため最終ガラス組成物
中に痕跡量存在することを意味する。同様に、他の不純
物もガラスメルトの処理から混入することがあり得る。
それにもかかわらず、本発明に使用されるガラス組成物
は、原子状態において１−４ｄ電子を有する遷移金属お
よびすべてのそのような金属を全く含まないことが高度
に好ましい。そのような金属のような望ましくない成分
の存在が実際上避けられない場合には、その結果の痕跡
量は好ましくはもし可能であれば０．１モル％以下に維
持すべきであり、勿論最終用途においてその結果の悪影
響が許容できる場合にはより多量含むことができる。
は、原子状態において１−４ｄ電子を有する遷移金属お
よびすべてのそのような金属を全く含まないことが高度
に好ましい。そのような金属のような望ましくない成分
の存在が実際上避けられない場合には、その結果の痕跡
量は好ましくはもし可能であれば０．１モル％以下に維
持すべきであり、勿論最終用途においてその結果の悪影
響が許容できる場合にはより多量含むことができる。
“電子ビーム線によって実質上暗色化される゛との表現
は、例えばガラス組成物のＳＥＭ測定または分析におい
て起り得るような偶発的暗色化より有意義に大きい暗色
化の程度を意味する。典型的には、暗色化の程度は暗色
化部分による生成したイメージを前記のようにアーカイ
バル記憶媒体として使用するのに十分なものであろう。
は、例えばガラス組成物のＳＥＭ測定または分析におい
て起り得るような偶発的暗色化より有意義に大きい暗色
化の程度を意味する。典型的には、暗色化の程度は暗色
化部分による生成したイメージを前記のようにアーカイ
バル記憶媒体として使用するのに十分なものであろう。
含まれる精密な光学濃度は最終用途要求に依存し、そし
て例えば０．１．０．５． １． １．５． ２．２．
５． ３に等しいかまたはそれ以上であり得る。
て例えば０．１．０．５． １． １．５． ２．２．
５． ３に等しいかまたはそれ以上であり得る。
このため、本発明の銀含有表面は、典型的には例えばパ
ターンに分離したものとは反対に表面上に連続して多か
れ少なかれ均一かつ均質に分布された銀を持っているで
あろう。
ターンに分離したものとは反対に表面上に連続して多か
れ少なかれ均一かつ均質に分布された銀を持っているで
あろう。
さらに、本発明の銀含有表面は、好ましくは各自全体を
参照としてここに取入れる米国特許４，１９１．５４７
．４，２９６，４７９および４，２９７，４１７に記載
されている効果のような１．化学紫外線によって誘起し
得る実質的な変化し得る光異方性性質を示さない。
参照としてここに取入れる米国特許４，１９１．５４７
．４，２９６，４７９および４，２９７，４１７に記載
されている効果のような１．化学紫外線によって誘起し
得る実質的な変化し得る光異方性性質を示さない。
このため本発明のガラス物品は適用し得る場合そのよう
な変化し得る光異方性性質を誘起し得る紫外線の十分に
高い線量へ曝露されないであろう。
な変化し得る光異方性性質を誘起し得る紫外線の十分に
高い線量へ曝露されないであろう。
このためアーカイバル記憶媒体としての普通の使用にお
いては、本発明のガラス物品は媒体中のイメージを読取
るのに有効な低レベル紫外線へ１ｌｌＩ露されるであろ
う。いくらか本来的にそのような効果を発生し得る本発
明のガラス物品に少しでも有意な変化し得る光異方性効
果を発生するように本発明のガラス物品によって紫外線
の十分な線量が受領されるまでには、典型的には数年の
オーダーの多数刃が経過するであろう。好ましくは、本
発明のガラス物品はどんな種類の放射、例えば電子ビー
ム、Ｘ線等によって誘起される変化し得る光異方性効果
を実質土石さない。
いては、本発明のガラス物品は媒体中のイメージを読取
るのに有効な低レベル紫外線へ１ｌｌＩ露されるであろ
う。いくらか本来的にそのような効果を発生し得る本発
明のガラス物品に少しでも有意な変化し得る光異方性効
果を発生するように本発明のガラス物品によって紫外線
の十分な線量が受領されるまでには、典型的には数年の
オーダーの多数刃が経過するであろう。好ましくは、本
発明のガラス物品はどんな種類の放射、例えば電子ビー
ム、Ｘ線等によって誘起される変化し得る光異方性効果
を実質土石さない。
本発明において使用する好ましい組成物は、モル％で以
下の組成を有する。
下の組成を有する。
Ｓｉｎｇ ４０ ９０ＰｔＯｓ
Ｏ５ ＢｚＯｓ （１３０Ａｆｔｏ２
０−ｔ５ ＲＯ５−３０ ΣＬｉ、０．Ｎａ２Ｏ，Ｋｇ Ｏ５−２５ＣＩ
０．１−６ シリカは主要ガラス形成材として本発明のガラスに使用
される。低すぎるシリカのレベルは、電子ビーム照射に
よって材料中に発生する顕微鏡的光学濃度パターンの記
録、読取り、または転写を必要とする状況に対して本発
明の材料を使用するのに望ましくない熱機械的性質、特
に熱膨張を有するガラスを一般にもたらす。シ、リカの
高しヘルは低い熱膨張値を与えるが、しかしそのような
ｔ、＋を酸物の融解性を減する。
Ｏ５ ＢｚＯｓ （１３０Ａｆｔｏ２
０−ｔ５ ＲＯ５−３０ ΣＬｉ、０．Ｎａ２Ｏ，Ｋｇ Ｏ５−２５ＣＩ
０．１−６ シリカは主要ガラス形成材として本発明のガラスに使用
される。低すぎるシリカのレベルは、電子ビーム照射に
よって材料中に発生する顕微鏡的光学濃度パターンの記
録、読取り、または転写を必要とする状況に対して本発
明の材料を使用するのに望ましくない熱機械的性質、特
に熱膨張を有するガラスを一般にもたらす。シ、リカの
高しヘルは低い熱膨張値を与えるが、しかしそのような
ｔ、＋を酸物の融解性を減する。
ＡＡｚＯ：＋およびＲＯ（Ｒ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ ｒＢａ
、Ｚｎ、Ｐｂ）の添加は生成したガラス組成物へ化学的
耐久性を付与し、そしてガラス物品の製造中増大した安
定性と、そして減少化した結晶化傾向を与える。Ｚｎが
Ｃａと同様に好ましい。
、Ｚｎ、Ｐｂ）の添加は生成したガラス組成物へ化学的
耐久性を付与し、そしてガラス物品の製造中増大した安
定性と、そして減少化した結晶化傾向を与える。Ｚｎが
Ｃａと同様に好ましい。
Ｒ２０（Ｒ＝Ｌｉ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｒｂ、 Ｃｓ）の
存在は、材料がアルカリイオンの銀によるイオン交換処
理にかけられる時に特に重要である。低すぎるアルカリ
イオンレベルは不十分なイオン交換性を与え、高すぎる
レベルは製造したガラスの化学的耐久性を減じ、イオン
交換処理の間ガラスサンプルの可能性ある化学的アタッ
ク゛をもたらす。
存在は、材料がアルカリイオンの銀によるイオン交換処
理にかけられる時に特に重要である。低すぎるアルカリ
イオンレベルは不十分なイオン交換性を与え、高すぎる
レベルは製造したガラスの化学的耐久性を減じ、イオン
交換処理の間ガラスサンプルの可能性ある化学的アタッ
ク゛をもたらす。
Ｌｉ、ＮａおよびＫが好ましい。
製造したガラス物品中のハライド、好ましくはＣｌの存
在は、そのようなガラス物品の電子ビームへの感光性を
有意義に増強する。
在は、そのようなガラス物品の電子ビームへの感光性を
有意義に増強する。
本発明のガラス組成物は、■ないし４ｄ電子を原子状態
で持っている遷移金属酸化物を含んでいないことが必須
である。何故ならばこれらの成分はガラス中の電子ビー
ム誘起イメージへ時間および温度につれて不安定性を与
え、これはアーカイバル記憶媒体としてのこれらの材料
の使用にとって望ましくないからである。
で持っている遷移金属酸化物を含んでいないことが必須
である。何故ならばこれらの成分はガラス中の電子ビー
ム誘起イメージへ時間および温度につれて不安定性を与
え、これはアーカイバル記憶媒体としてのこれらの材料
の使用にとって望ましくないからである。
ＡＳ２（１３ 、Ｓｂｚ （１３．５ｎ０２ 、Ｂ ｉ
２０ｘおよびＧｅＯ２のような多価スペシスの存在は、
イオン交換の間ガラス構造へ入って行く銀イオンへ電子
供与体として作用し得る。このためガラス組成物中にお
いて、それらはイオン交換中銀イオンが銀金属沈澱へ還
元される程度を増すであろう。
２０ｘおよびＧｅＯ２のような多価スペシスの存在は、
イオン交換の間ガラス構造へ入って行く銀イオンへ電子
供与体として作用し得る。このためガラス組成物中にお
いて、それらはイオン交換中銀イオンが銀金属沈澱へ還
元される程度を増すであろう。
対応して、本発明のガラスは好ましくはこれらの成分も
実質上含むべきではない。
実質上含むべきではない。
本発明のガラス組成物は、ガラス自体にとって望ましい
性質を達成する他の成分、例えば少量の増感量のＣｕを
含むことも可能である。
性質を達成する他の成分、例えば少量の増感量のＣｕを
含むことも可能である。
本発明のガラス物品は、銀および水和分を実質上均質に
かつ均一に含有するケイ酸塩ヘースＭｉ或物を全体とし
て持っている単一組成物からなることができる。代わり
に、このガラス物品はベースケイ酸塩組成物より実質的
になるバルク部分を含むことができる。このバルク部分
は、記載した銀および水和分を有する同じ（または異な
る）ケイ酸塩ガラス組成物より実質的になる表面層を持
つことができる。この層はバルク部分上に被覆すること
ができ、または例えばバルク組成物ガラス物品自体の表
面の適当な処理によってつくられたそれとの単一体であ
ることもできる。
かつ均一に含有するケイ酸塩ヘースＭｉ或物を全体とし
て持っている単一組成物からなることができる。代わり
に、このガラス物品はベースケイ酸塩組成物より実質的
になるバルク部分を含むことができる。このバルク部分
は、記載した銀および水和分を有する同じ（または異な
る）ケイ酸塩ガラス組成物より実質的になる表面層を持
つことができる。この層はバルク部分上に被覆すること
ができ、または例えばバルク組成物ガラス物品自体の表
面の適当な処理によってつくられたそれとの単一体であ
ることもできる。
本発明のガラス物品は勿論、意図する最終用途にとって
必要または望ましい他の特性を持っているであろう。そ
のためそれらは、例えばフォトマスク、光ディスク、お
よび回折格子、射撃照準具等のような光学要素のような
アーカイバル記憶における使用のような意図した用途の
ための十分な剛性および保全性を持つ表面を提供するよ
うに、実質上非熱可塑性であろう。例えば、本発明のガ
ラス物品は、ここに参照として取入れる米国特許４．１
６０．６５４に規定されているように“熱可塑性ではな
い表面、特に書込み可能な表面を持っているであろう。
必要または望ましい他の特性を持っているであろう。そ
のためそれらは、例えばフォトマスク、光ディスク、お
よび回折格子、射撃照準具等のような光学要素のような
アーカイバル記憶における使用のような意図した用途の
ための十分な剛性および保全性を持つ表面を提供するよ
うに、実質上非熱可塑性であろう。例えば、本発明のガ
ラス物品は、ここに参照として取入れる米国特許４．１
６０．６５４に規定されているように“熱可塑性ではな
い表面、特に書込み可能な表面を持っているであろう。
このため、本発明のガラス物品は熱可塑性成形、プレス
または押出しをすることができないであろう。それらは
水和前の表面の性質の高度に感受性の測定（例えば少な
くとも５μｍの感度／精度のインターフェロメトリー）
は、水和処理後の表面品質と有意なまたは実質的な差を
示さないであろう。該表面は“熱可塑性”であると定義
されるガラス表面を変形するために慣例的に採用れる条
件下では実質的に変形不能であろう。
または押出しをすることができないであろう。それらは
水和前の表面の性質の高度に感受性の測定（例えば少な
くとも５μｍの感度／精度のインターフェロメトリー）
は、水和処理後の表面品質と有意なまたは実質的な差を
示さないであろう。該表面は“熱可塑性”であると定義
されるガラス表面を変形するために慣例的に採用れる条
件下では実質的に変形不能であろう。
同様に、本発明のガラス物品は、意図した最終用途に対
して必要または望ましい幾何学的特性を持っているであ
ろう。このため、物品がフォトマスクまたは光ディスク
または類似のアーカイバル記憶媒体として使用される場
合は、それは書込み表面に高度の平坦性を一般に持ち、
そして四角形またはディスク形プレートの形にあるであ
ろう。
して必要または望ましい幾何学的特性を持っているであ
ろう。このため、物品がフォトマスクまたは光ディスク
または類似のアーカイバル記憶媒体として使用される場
合は、それは書込み表面に高度の平坦性を一般に持ち、
そして四角形またはディスク形プレートの形にあるであ
ろう。
これらの特性は適切な産業仕様書に合致するのに満足で
あろう。従って光導波管、光ファイバーおよび類似の構
造の先行技術銀含有ケイ酸塩表面は本発明の範囲内には
含まれない。
あろう。従って光導波管、光ファイバーおよび類似の構
造の先行技術銀含有ケイ酸塩表面は本発明の範囲内には
含まれない。
ケイ酸塩ガラスの水和を達成するためのおよび／または
ケイ酸ガラス中の根分を達成するための実質上任意の既
知方法を本発明のガラス物品を製造するために使用する
ことができる。これらは、水和のための酸処理（例えば
、Ｒｏｇｅｒ Ｆ、 Ｂａｒｔｈｏｌｏｍｅｗ。
ケイ酸ガラス中の根分を達成するための実質上任意の既
知方法を本発明のガラス物品を製造するために使用する
ことができる。これらは、水和のための酸処理（例えば
、Ｒｏｇｅｒ Ｆ、 Ｂａｒｔｈｏｌｏｍｅｗ。
１ｌＷａｔｅｒ ｉｎ Ｇｌａｓｓ、’ Ｔｒｅａｔｉ
ｓｅ ｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５ｃｉｅｎｃｅａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ 、 Ｖｏｌ、２２＋ Ｇｌａ
ｓｓ ＩＩＩ＋旧ｎｏｒｕＴｏｍｏｚａｗａ ｅｔ
ａｌ、 Ｅｄ、、 ７５−１２８ （１９８２
）、 へｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓを見よ）；標準的
塩浴イオン交換（例えば、Ｕ Ｓ Ｐ ３．５２８，８
４７を見よ）、よく知られたコンビネーション水和およ
び銀イオン交換処理（例えば、先に参照として取入れた
ｕ ｓ ｐ ４．ｘ６ｏ、６ｓ４．４．１９１．５４７
および４，２９７，４１７を見よ、ＣＶＤ技術（Ｔｈｉ
ｎＦｉｌｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ、 ”Ｃｏａｔｒｎｇｓ ｏｎＧｌａｓｓ、”
Ｈ，に、 Ｔｕｌｋｅｒ、 Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、 １
９８４）： 薄膜コーティング技術（Ｔｕｌｋｅｒ、
前出）；銀ビスマスプール電気移動（Ｅｌｅｃｔｒｏ−
Ｆｌｏａｔ、 Ｓｉｌｖｅｒ−ｂｉｓｍｕｔｈ。
ｓｅ ｏｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５ｃｉｅｎｃｅａｎ
ｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ 、 Ｖｏｌ、２２＋ Ｇｌａ
ｓｓ ＩＩＩ＋旧ｎｏｒｕＴｏｍｏｚａｗａ ｅｔ
ａｌ、 Ｅｄ、、 ７５−１２８ （１９８２
）、 へｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓを見よ）；標準的
塩浴イオン交換（例えば、Ｕ Ｓ Ｐ ３．５２８，８
４７を見よ）、よく知られたコンビネーション水和およ
び銀イオン交換処理（例えば、先に参照として取入れた
ｕ ｓ ｐ ４．ｘ６ｏ、６ｓ４．４．１９１．５４７
および４，２９７，４１７を見よ、ＣＶＤ技術（Ｔｈｉ
ｎＦｉｌｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ、 ”Ｃｏａｔｒｎｇｓ ｏｎＧｌａｓｓ、”
Ｈ，に、 Ｔｕｌｋｅｒ、 Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、 １
９８４）： 薄膜コーティング技術（Ｔｕｌｋｅｒ、
前出）；銀ビスマスプール電気移動（Ｅｌｅｃｔｒｏ−
Ｆｌｏａｔ、 Ｓｉｌｖｅｒ−ｂｉｓｍｕｔｈ。
Ｐｏｏｌ Ｔｒｅａｔｎ＋ｅｎｔ、 Ｖｏｌ、 ＩＩ
＋ Ｇｌａｓｓ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅｃｈｎ（
２０）ｏｇｙ、 ’Ｃｏ１ｏｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ
ａｎｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ １ｎＧｌａｓｓどＣ，Ｒ，
Ｂａｎ５ｆｏｒｄ、 Ｅｌｓｅｖｉｅｒ （１９２７）
）；イオンビーム注入（Ｔｕｌｋｅｒ＋前出）、ゾル−
ゲル技術（Ｔｕｌｋｅｒ、前出）等を含む。
＋ Ｇｌａｓｓ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄＴｅｃｈｎ（
２０）ｏｇｙ、 ’Ｃｏ１ｏｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ
ａｎｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ １ｎＧｌａｓｓどＣ，Ｒ，
Ｂａｎ５ｆｏｒｄ、 Ｅｌｓｅｖｉｅｒ （１９２７）
）；イオンビーム注入（Ｔｕｌｋｅｒ＋前出）、ゾル−
ゲル技術（Ｔｕｌｋｅｒ、前出）等を含む。
好ましい方法は、ケイ酸塩ガラスを同時に水和する銀イ
オン交換である。これは慣用の酸性銀塩浴処理によって
達成できる。この良く知られた技術は、日常的な最適化
と組合せてそのまま本発明に適用可能である。典型的に
は、適当な温度は引用した米国特許で論じているように
、３７４°Ｃまで、例えば２００〜３７０°Ｃ２好まし
くは３００〜３７０°Ｃであろう。酸性銀塩溶液のｐ
Ｉ−１は一般に４以下であり、好ましくは２以下である
。典型的には、処理は少なくとも２００ｐｓｔｇ、
もっと典型的には４００ｐｓｉｇ以上の圧力を使用して
慣用のオートクレーブ中で実施されるであろう。
オン交換である。これは慣用の酸性銀塩浴処理によって
達成できる。この良く知られた技術は、日常的な最適化
と組合せてそのまま本発明に適用可能である。典型的に
は、適当な温度は引用した米国特許で論じているように
、３７４°Ｃまで、例えば２００〜３７０°Ｃ２好まし
くは３００〜３７０°Ｃであろう。酸性銀塩溶液のｐ
Ｉ−１は一般に４以下であり、好ましくは２以下である
。典型的には、処理は少なくとも２００ｐｓｔｇ、
もっと典型的には４００ｐｓｉｇ以上の圧力を使用して
慣用のオートクレーブ中で実施されるであろう。
反応時間（昇温および冷却時間を含む）は、良く知られ
ているようにイオン交換の所望の深さに依存し、そして
典型的には１６時間まで、しかし通常２〜３時間であろ
う。
ているようにイオン交換の所望の深さに依存し、そして
典型的には１６時間まで、しかし通常２〜３時間であろ
う。
典型的なイオン交換塔は必要なｐＨに達するのに十分な
酸、好ましくは硝酸、しかしホウ酸、塩酸、硫酸等の他
の強鉱酸を含むであろう。同様に用いられる正確な銀塩
は重要ではない。銀層にハライドが望まれる場合は、勿
論ハロゲン化銀を用いることができる。しかしながら、
好ましくは該塩は先行技術に従って硝酸銀であろう。銀
塩の濃度は銀交換を促進するがしかし望ましくない沈澱
に対する安全性を提供するためその浴中の溶解限度の９
０〜９５％であろう。しかしながら勿論もっと低い銀濃
度も与えられた層厚みを得るために対応して長い処理時
間と組合せて使用可能である。
酸、好ましくは硝酸、しかしホウ酸、塩酸、硫酸等の他
の強鉱酸を含むであろう。同様に用いられる正確な銀塩
は重要ではない。銀層にハライドが望まれる場合は、勿
論ハロゲン化銀を用いることができる。しかしながら、
好ましくは該塩は先行技術に従って硝酸銀であろう。銀
塩の濃度は銀交換を促進するがしかし望ましくない沈澱
に対する安全性を提供するためその浴中の溶解限度の９
０〜９５％であろう。しかしながら勿論もっと低い銀濃
度も与えられた層厚みを得るために対応して長い処理時
間と組合せて使用可能である。
イオン交換塔はまた、典型的には交換の制御可能性を提
供するために処理されるベースガラス組成物中に含まれ
る酸化物に相当する他の陽イオンの塩を含んでいる。最
も好ましくは、これらの他の成分は塩化物のようなアル
カリ金属塩、しかし好ましくは硝酸塩、例えばアルカリ
金属陽イオンは全く運動性のため硝酸リチウムを含むで
あろう。
供するために処理されるベースガラス組成物中に含まれ
る酸化物に相当する他の陽イオンの塩を含んでいる。最
も好ましくは、これらの他の成分は塩化物のようなアル
カリ金属塩、しかし好ましくは硝酸塩、例えばアルカリ
金属陽イオンは全く運動性のため硝酸リチウムを含むで
あろう。
他の使用し得る塩は、ホウ素、アルカリ土類金属等の塩
である。典型的には、これらの塩は先行技術において論
じられている量、例えば５０〜３５０ ｇ／ｌで含めら
れる。また、典型的にはこれらの浴には飽和量まはたそ
れ以上のシリカゲル、そして塩、液体または気体状添加
剤としてハライドが含められる。
である。典型的には、これらの塩は先行技術において論
じられている量、例えば５０〜３５０ ｇ／ｌで含めら
れる。また、典型的にはこれらの浴には飽和量まはたそ
れ以上のシリカゲル、そして塩、液体または気体状添加
剤としてハライドが含められる。
達成し得るイオン交換層の厚みは慣例的に変えることが
でき、そして例えば浴組成および与えられた組成につい
て処理時間の適切な修飾によって日常的に選択可能であ
る。高い解像度が望まれる本発明の用途に対しては、典
型的には比較的小さい層厚み、例えば１０μｍ以下、好
ましくは５μｍ以下、もっと好ましくは２μｍ以下およ
びさらにそれ以下が望ましいであろう。また解像度に関
連する考慮に対し、イオン交換層の厚みは好ましくは電
子ビームのような書込みビームの侵入深さより小さいよ
うに選定されるであろう。例えば、２０ｋｅＶ電子ビー
ムは典型的には３−５μｍの深さへケイ酸塩ガラスへ侵
入するであろう。このようにイオン交換層厚みはこれ以
下、例えば典型的には７５％以下になるように選定され
るであろう。しかしながら、勿論正確な厚みは、解像度
が１−１０μレヘルより有意に上廻るイメージ特徴を書
込むためにアーカイバル記憶媒体が使用される場合はど
重要でない場合、例えばプリント回路板または高波長光
学デバイス、射撃照準具に関して使用されるイメージに
は、本発明に従って重要ではないであろう。
でき、そして例えば浴組成および与えられた組成につい
て処理時間の適切な修飾によって日常的に選択可能であ
る。高い解像度が望まれる本発明の用途に対しては、典
型的には比較的小さい層厚み、例えば１０μｍ以下、好
ましくは５μｍ以下、もっと好ましくは２μｍ以下およ
びさらにそれ以下が望ましいであろう。また解像度に関
連する考慮に対し、イオン交換層の厚みは好ましくは電
子ビームのような書込みビームの侵入深さより小さいよ
うに選定されるであろう。例えば、２０ｋｅＶ電子ビー
ムは典型的には３−５μｍの深さへケイ酸塩ガラスへ侵
入するであろう。このようにイオン交換層厚みはこれ以
下、例えば典型的には７５％以下になるように選定され
るであろう。しかしながら、勿論正確な厚みは、解像度
が１−１０μレヘルより有意に上廻るイメージ特徴を書
込むためにアーカイバル記憶媒体が使用される場合はど
重要でない場合、例えばプリント回路板または高波長光
学デバイス、射撃照準具に関して使用されるイメージに
は、本発明に従って重要ではないであろう。
ここで“水和分゛°とは、単に上で論したように利用さ
れる特定の慣用水和処理に従ってケイ酸塩組成物に得ら
れる組成変動を意味する。典型的には、そのような処理
はケイ酸塩ガラス組成物へＨ”Ｈ２Ｏ” 、Ｈ，Ｏ，シ
ラノール基等を導入する。
れる特定の慣用水和処理に従ってケイ酸塩組成物に得ら
れる組成変動を意味する。典型的には、そのような処理
はケイ酸塩ガラス組成物へＨ”Ｈ２Ｏ” 、Ｈ，Ｏ，シ
ラノール基等を導入する。
本発明の高エネルギー感光性ガラス物品は、好ましくは
典型的には５ｋｅＶないし１ｏｏｋｅＶ強度の電子ビー
ム照射によって書込まれ、精密な値は重要でなく、より
低いまたはより高い値を使用し得る。典型的には、本発
明のガラス物品は、それらが例えばパーキンエルマーの
ＭＥＢＵＳＩＩ［システムによって提供される産業界で
は普通の２０ｋｅＶ電子ビームの２〜６走査カウントに
よって１．５または２以上の光学濃度を有するイメージ
を提供するように安定に暗色化できるような感光性を持
っているであろう。しかしながら、本発明の媒体はＸ線
、または所望の場合非常に高エネルギー紫外線のような
他のエネルギービームによって書込むこともできる。得
られるイメージは、本発明の材料が暗色化されない放射
、例えば約３６０ｎｍ以上の波長の紫外線または可視線
を使用して非常に正確にそして安定して読取ることがで
きる。読取り波長はそれが意図した最終用途の性質を満
足させ、そして書込んだイメージを含んでいるガラス物
品のそれ以上の有意な書込みを生じない限り、重要では
ないであろう。
典型的には５ｋｅＶないし１ｏｏｋｅＶ強度の電子ビー
ム照射によって書込まれ、精密な値は重要でなく、より
低いまたはより高い値を使用し得る。典型的には、本発
明のガラス物品は、それらが例えばパーキンエルマーの
ＭＥＢＵＳＩＩ［システムによって提供される産業界で
は普通の２０ｋｅＶ電子ビームの２〜６走査カウントに
よって１．５または２以上の光学濃度を有するイメージ
を提供するように安定に暗色化できるような感光性を持
っているであろう。しかしながら、本発明の媒体はＸ線
、または所望の場合非常に高エネルギー紫外線のような
他のエネルギービームによって書込むこともできる。得
られるイメージは、本発明の材料が暗色化されない放射
、例えば約３６０ｎｍ以上の波長の紫外線または可視線
を使用して非常に正確にそして安定して読取ることがで
きる。読取り波長はそれが意図した最終用途の性質を満
足させ、そして書込んだイメージを含んでいるガラス物
品のそれ以上の有意な書込みを生じない限り、重要では
ないであろう。
本発明に従って得られたイメージは、単に書込んだガラ
ス物品を消去に有効な温度へ加熱することによって消去
できる。与えられたガラスに対する適当な温度はいくつ
かの日常的実験によって決定することができる。イメー
ジはまた、レーザーまたは他のエネルギー源のような集
束または指向熱供給手段による瞬間的局部加熱によって
も消去し得る。
ス物品を消去に有効な温度へ加熱することによって消去
できる。与えられたガラスに対する適当な温度はいくつ
かの日常的実験によって決定することができる。イメー
ジはまた、レーザーまたは他のエネルギー源のような集
束または指向熱供給手段による瞬間的局部加熱によって
も消去し得る。
本発明の主要利益は、意図した最終用途に対して適切な
光学濃度を有するイメージは、例えば貯蔵、出荷、使用
等において遭遇するすべての環境条件に対して高度に安
定であることである。
光学濃度を有するイメージは、例えば貯蔵、出荷、使用
等において遭遇するすべての環境条件に対して高度に安
定であることである。
本発明のガラス物品の他の用途において、それらは慣用
の化学的および／または熱処理によってそれらの表面に
浮彫りイメージの形成のために使用できる。書込んだイ
メージは本発明の物品の表面をそのような処理に対して
感受性とし、そのため例えば材料の全体のバルクをその
ような処理へまたは材料の全表面をそのような処理へま
たは材料の局部的セクションだけをそのような処理へ曝
すことにより、例えば化学的ビーム、イオンビーム、レ
ーザー、他の集束または指向エネルギービーム等との反
応によって選択的エツチングが達成し得る。９例えばヨ
ーロッパ特許００７４１５７を見よ。
の化学的および／または熱処理によってそれらの表面に
浮彫りイメージの形成のために使用できる。書込んだイ
メージは本発明の物品の表面をそのような処理に対して
感受性とし、そのため例えば材料の全体のバルクをその
ような処理へまたは材料の全表面をそのような処理へま
たは材料の局部的セクションだけをそのような処理へ曝
すことにより、例えば化学的ビーム、イオンビーム、レ
ーザー、他の集束または指向エネルギービーム等との反
応によって選択的エツチングが達成し得る。９例えばヨ
ーロッパ特許００７４１５７を見よ。
本発明のガラスの製造は以下のように実施することがで
きる。必要な薬品を選択し、調合物にブレンドし、溶融
シリカ、耐火物または白金ルツボ中で１１００℃から選
択した組成に応して１５００°Ｃまでの温度で融解する
。ガラスは次に１３００°Ｃ以上の温度でガラス組成お
よびメルト粘度に応じて典型的には２ないし４時間そし
て変化する攪拌間隔をもって清澄化される。ガラスは次
に典型的には鋼製金型中へ注型され、転移温度プラス約
２０〜３０°Ｃで２時間徐冷され、その後３０°Ｃ／時
の割合で室温へ冷却される。得られたガラスの注型品は
カントされ、表面層を電子ビームに対して活性化するイ
オン交換操作による処理のため薄いプレートへ形成され
る。
きる。必要な薬品を選択し、調合物にブレンドし、溶融
シリカ、耐火物または白金ルツボ中で１１００℃から選
択した組成に応して１５００°Ｃまでの温度で融解する
。ガラスは次に１３００°Ｃ以上の温度でガラス組成お
よびメルト粘度に応じて典型的には２ないし４時間そし
て変化する攪拌間隔をもって清澄化される。ガラスは次
に典型的には鋼製金型中へ注型され、転移温度プラス約
２０〜３０°Ｃで２時間徐冷され、その後３０°Ｃ／時
の割合で室温へ冷却される。得られたガラスの注型品は
カントされ、表面層を電子ビームに対して活性化するイ
オン交換操作による処理のため薄いプレートへ形成され
る。
実施例
以下の実施例は、本発明に従って製造したガラスの使用
を例証する。選定したガラス組成物は、活性層を電子ビ
ームに対し増感するためのイオン交換プロセスの開銀イ
オンの後での自然な減少へ導き得る成分の積極的添加な
しで熔融される。これらガラスの製造は前記の溶融およ
び成形操作によって進められる。
を例証する。選定したガラス組成物は、活性層を電子ビ
ームに対し増感するためのイオン交換プロセスの開銀イ
オンの後での自然な減少へ導き得る成分の積極的添加な
しで熔融される。これらガラスの製造は前記の溶融およ
び成形操作によって進められる。
実施例の磨いたガラスプレートは、表面層を電子ビーム
照射に対して活性化するため銀イオン交換によって処理
される。サンプルは、２０ｋｅＶで作動するＪＥＯＬ３
５ｃ走査型電子頴微鏡上で、１００ξクロンスポツト上
に集束した２３．６ｎＡのビーム電流で２秒の曝露時間
において電子ビーム照射される。典型的な得られる光学
濃度は第１図に上の曲線で示しである。電子ビーム曝露
後２４時間以内に完成に到達する短期間光学濃度増加の
後、光学濃度の低下は存在しない。
照射に対して活性化するため銀イオン交換によって処理
される。サンプルは、２０ｋｅＶで作動するＪＥＯＬ３
５ｃ走査型電子頴微鏡上で、１００ξクロンスポツト上
に集束した２３．６ｎＡのビーム電流で２秒の曝露時間
において電子ビーム照射される。典型的な得られる光学
濃度は第１図に上の曲線で示しである。電子ビーム曝露
後２４時間以内に完成に到達する短期間光学濃度増加の
後、光学濃度の低下は存在しない。
実施例の磨いたガラスプレートは上のものより高い温度
によってイオン交換表面処理され、そして同じ条件で電
子ビーム照射される。典型的な得られる光学濃度を第２
図に示す。ＵＭＳ Ｐ−８０ミクロ濃度計において０．
２０ Ｄの測定再現性範囲内において、光学密度の第１
図に示した高い値への２４時間以内の短期間緩和の証拠
は存在しない。
によってイオン交換表面処理され、そして同じ条件で電
子ビーム照射される。典型的な得られる光学濃度を第２
図に示す。ＵＭＳ Ｐ−８０ミクロ濃度計において０．
２０ Ｄの測定再現性範囲内において、光学密度の第１
図に示した高い値への２４時間以内の短期間緩和の証拠
は存在しない。
加えて、電子ビーム曝露後１０日までの期間減少が記録
されなかった。このサンプルによって示された全体とし
て低い光学濃度は、表面と５ミクロン以上の層から反射
した光からの強度の干渉を解析することによって測定さ
れた、イオン交換侵入深さの結果である。照射のため使
用した電子ビームの侵入深さはたった４、５ミクロンで
ある。
されなかった。このサンプルによって示された全体とし
て低い光学濃度は、表面と５ミクロン以上の層から反射
した光からの強度の干渉を解析することによって測定さ
れた、イオン交換侵入深さの結果である。照射のため使
用した電子ビームの侵入深さはたった４、５ミクロンで
ある。
比較例
原子状態で１−４ｄ電子を含んでいる遷移金属酸化物、
すなわちＴｉＯ２を含んでいる組成物を溶融し、上に記
載したように表面処理する。それは第１図の下の曲線で
示すように材料に電子ビーム誘起した暗色化の時間的不
安定性を示す。時間に対する電子ビーム誘起光学濃度の
同様な挙動は、原子状態においてｌないし４ｄ電子を含
んでいる他の遷移金属酸化物を含んでいるサンプルでも
発生する。上に述べた高い温度におけるこれら組成物の
表面処理は光学濃度を安定化することができない。
すなわちＴｉＯ２を含んでいる組成物を溶融し、上に記
載したように表面処理する。それは第１図の下の曲線で
示すように材料に電子ビーム誘起した暗色化の時間的不
安定性を示す。時間に対する電子ビーム誘起光学濃度の
同様な挙動は、原子状態においてｌないし４ｄ電子を含
んでいる他の遷移金属酸化物を含んでいるサンプルでも
発生する。上に述べた高い温度におけるこれら組成物の
表面処理は光学濃度を安定化することができない。
以上の実施例は、以上の実施例に用いたものを本発明の
一般的にまたは具体的に記載した反応剤および／または
作業条件で置換することによって同様な成功度をもって
くり返すことができる。
一般的にまたは具体的に記載した反応剤および／または
作業条件で置換することによって同様な成功度をもって
くり返すことができる。
以上の説明から、当業者は本発明の本質的特徴を容易に
確かめることができ、種々の用途および条件に適応させ
るため種々の変更および修飾を加えることができる。
確かめることができ、種々の用途および条件に適応させ
るため種々の変更および修飾を加えることができる。
（以下余白）
表
酸化物モル％“
＊例外は元素モル％のＣ
！である。
これ以上考究することなく、当業者は以上の説明を利用
して本発明をその全範囲にわたって利用できるものと信
じられる。従って以上の好ましい特定具体例は単に例証
と考えるべきであり、開示の残部の限定と解−すべきで
はない。
して本発明をその全範囲にわたって利用できるものと信
じられる。従って以上の好ましい特定具体例は単に例証
と考えるべきであり、開示の残部の限定と解−すべきで
はない。
第１図および第２図は、実施例および比較例の組成物の
光学濃度の時間に関する安定性を示すグラフである。 手続補正書 平成２年特許願第１ ８４ １８号 ２゜ 発明の名称 ３゜ 補正をする者 事件との関係
光学濃度の時間に関する安定性を示すグラフである。 手続補正書 平成２年特許願第１ ８４ １８号 ２゜ 発明の名称 ３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (22)
- （１）モル％で以下の組成： ＳｉＯ＿２３０−９５ Ｐ＿２Ｏ＿５０−２０ Ｂ＿２Ｏ＿３０−３０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ＿２Ｏ１−３５ ハライド０−１０ を有し、そして原子状態において１−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｚｎ
Ｏおよび／またはＰｂＯであり、 ＲＯはＬｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏ、Ｒｂ＿２Ｏ
および／またはＣｓ＿２Ｏであり、 ハライドはＣｌ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであるガラ
ス物品であって、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、 前記物品はその少なくとも一表面の少なくとも一部分の
上に電子ビームを照射することによって実質的に暗色化
され、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体として機能するための幾
何学的特性を有することを特徴とするガラス物品。 - （２）モル％で以下の組成： ＳｉＯ＿２４０−９０ Ｐ＿２Ｏ＿５０−５ Ｂ＿２Ｏ＿３０−３０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０−１５ ＲＯ５−３０ ΣＬｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏ５−２５ハライド
０−６ を有する第１項のガラス物品。 - （３）モル％で以下の組成： ＳｉＯ＿２５０−８５ Ｐ＿２Ｏ＿５０−２ Ｂ＿２Ｏ＿３０−２０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０−５ ＲＯ５−２０ ΣＬｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏ５−２５Ｃｌ０．
１−６ を有する第１項のガラス物品。 - （４）銀および水和分を実質上含まない前記組成物のバ
ルク部分と、前記の実質上連続した銀および水和分を有
する前記組成物の表面層とよりなる第１項のガラス物品
。 - （５）前記バルク部分および前記表面層は一体である第
４項のガラス物品。 - （６）前記銀および水和分を実質上その全体を通じて持
っている第１項のガラス物品。 - （７）フォトマスク十字線である第１項のガラス物品。
- （８）光ディスクである第１項のガラス物品。
- （９）アーカイバル記憶媒体である第１項のガラス物品
。 - （１０）実質上平坦なプレートである第１項のガラス物
品。 - （１１）２０ｋｅＶ電子ビームの２〜６走査カウントに
よって１．５以上の光学濃度へ安定に暗色化し得る第１
項のガラス物品。 - （１２）前記銀分は、前記組成物の銀塩の酸性溶液との
２００〜３７０℃の温度および２００ｐｓｉｇ以上の圧
力および３０秒以上の処理時間におけるイオン交換によ
って得られる第１項のガラス物品。 - （１３）前記溶液中の銀塩の濃度はその溶解限界の約９
０〜９５％である第１２項のガラス物品。 - （１４）モル％で以下の組成： ＳｉＯ＿２３０−９５ Ｐ＿２Ｏ＿５０−２０ Ｂ＿２Ｏ＿３０−３０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ＿２Ｏ１−３５ ハライド０−１０ を有し、そして原子状態において１−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｚｎ
Ｏおよび／またはＰｂＯであり、 ＲＯはＬｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏ、Ｒｂ＿２Ｏ
および／またはＣｓ＿２Ｏであり、 ハライドはＣｌ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであるガラ
ス物品であって、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、 前記物品は化学紫外線によって誘起される変化し得る光
異方性効果を実質的に示さず、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体として機能するための幾
何学的特性を有することを特徴とするガラス物品。 - （１５）ネットワーク形成材として有効量のＳｉＯ＿２
を含むガラス物品であって、前記物品の少なくとも一表
面は電子ビーム線へ曝露する時前記表面を暗色化し得る
がしかし実質上熱可塑性としないのに有効な実質的に連
続する銀および水和分をその面積に亘って有し、前記物
品はその少なくとも一表面の少なくとも一部分の上に電
子ビームを照射することによって実質的に暗色化され、
そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体として機能するための幾
何学的特性を有することを特徴とするケイ酸ガラス物品
。 - （１６）前記電子ビーム暗色化部分は化学紫外線で読取
ることができるイメージを形成する第１項のガラス物品
。 - （１７）モル％で以下の組成： ＳｉＯ＿２３０−９５ Ｐ＿２Ｏ＿５０−２０ Ｂ＿２Ｏ＿３０−３０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０−４０ ＲＯ０−４０ Ｒ＿２Ｏ１−３５ ハライド０−１０ を有し、そして原子状態において１−４ｄ電子を持つ遷
移金属を実質上含まず、 前記組成においてＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｚｎ
Ｏおよび／またはＰｂＯであり、 ＲＯはＬｉ＿２Ｏ、Ｎａ＿２Ｏ、Ｋ＿２Ｏ、Ｒｂ＿２Ｏ
および／またはＣｓ＿２Ｏであり、 ハライドはＣｌ、Ｆ、Ｂｒおよび／またはＩであるガラ
ス物品であって、 前記物品の少なくとも一表面は電子ビーム線へ曝露する
時前記表面を暗色化し得るがしかし実質上熱可塑性とし
ないのに有効な実質的に連続する銀および水和分をその
面積に亘って有し、 そして前記物品はフォトマスク十字線、光ディスクまた
は類似のアーカイバル記憶媒体として機能するための幾
何学的特性を有するガラス物品を使用し、 前記ガラス物品を電子ビーム照射することによって紫外
線により読取ることができるイメージを書込むことを特
徴とするイメージの形成方法。 - （１８）ネットワーク形成材として有効量のＳｉＯ＿２
を含むガラス物品であって、前記物品の少なくとも一表
面は電子ビーム線へ曝露する時前記表面を暗色化し得る
がしかし実質上熱可塑性としないのに有効な実質的に連
続する銀および水和分をその面積に亘って有し、前記物
品はフォトマスク十字線、光ディスクまたは類似のアー
カイバル記憶媒体として機能するための幾何学的特性を
有する前記ガラス物品を使用し、それを電子ビーム照射
することによって前記ガラス物品中に紫外線によって読
取ることができるイメージを書込むことを特徴とするイ
メージの形成方法。 - （１９）前記物品を暗色消去に有効な温度へ加熱するこ
とよりなる第１項のガラス物品の電子ビーム暗色を消去
する方法。 - （２０）前記物品をイメージ消去に有効な温度へ加熱す
ることよりなる第１６項のガラス物品の電子ビームイメ
ージを消去する方法。 - （２１）ネットワーク形成材として有効量のＳｉＯ＿２
を含むガラス物品であって、前記物品の少なくとも一表
面は電子ビーム線へ曝露する時前記表面を暗色化し得る
がしかし実質上熱可塑性としないのに有効な実質的に連
続する銀および水和分をその面積に亘って有し、前記物
品は化学紫外線によって誘起される変化し得る光異方性
効果を実質的に示さず、そして前記物品はフォトマスク
十字線、光ディスクまたは類似のアーカイバル記憶媒体
として機能するための幾何学的特性を有することを特徴
とするケイ酸塩ガラス物品。 - （２２）前記組成は原子状態において１−４ｄ電子を持
っている金属を実質上含んでいない第１項のガラス物品
。
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|---|---|---|---|
| US07/369,997 US5145757A (en) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | Method of forming stable images in electron beam writable glass compositions |
| US07/369,997 | 1989-06-23 | ||
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|---|---|
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- 1990-06-19 EP EP90111515A patent/EP0404040A1/en not_active Withdrawn
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| EP0404040A1 (en) | 1990-12-27 |
| JP2608486B2 (ja) | 1997-05-07 |
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