JPH06118257A - 光学素子を含む物品及びその製造方法 - Google Patents
光学素子を含む物品及びその製造方法Info
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- JPH06118257A JPH06118257A JP5103350A JP10335093A JPH06118257A JP H06118257 A JPH06118257 A JP H06118257A JP 5103350 A JP5103350 A JP 5103350A JP 10335093 A JP10335093 A JP 10335093A JP H06118257 A JPH06118257 A JP H06118257A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 局所的に著しく高屈折率化した領域を有する
光学素子を提供する。 【構成】 ガラスの少くとも一部を２５０℃又はそれ以
下の温度において、Ｈ2又はＤ2 （Ｈ2 又はＤ2 の分圧
は１気圧以上）に曝し、曝された部分の少くとも一部
に、化学的作用の放射線（典型的な場合ＵＶ）を照射す
る処理により、たとえば高シリカガラスのように酸化物
ガラス中に、予測されないほど大きな規格化屈折率変化
（Δ＞１０-5、しかし恐らく１０-3よりも大きい）が得
られる。その方法はたとえば光導波路中のイン−ライン
屈折率、プレーナ光導波路又は位相回折格子のような高
屈折率の領域（又は複数の領域）を含む光学素子の作製
に使用できる。
光学素子を提供する。 【構成】 ガラスの少くとも一部を２５０℃又はそれ以
下の温度において、Ｈ2又はＤ2 （Ｈ2 又はＤ2 の分圧
は１気圧以上）に曝し、曝された部分の少くとも一部
に、化学的作用の放射線（典型的な場合ＵＶ）を照射す
る処理により、たとえば高シリカガラスのように酸化物
ガラス中に、予測されないほど大きな規格化屈折率変化
（Δ＞１０-5、しかし恐らく１０-3よりも大きい）が得
られる。その方法はたとえば光導波路中のイン−ライン
屈折率、プレーナ光導波路又は位相回折格子のような高
屈折率の領域（又は複数の領域）を含む光学素子の作製
に使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はたとえばプレーナ導波路
のような光学素子を含む物品の製造方法、より具体的に
は、酸化物ガラス基体の屈折率を局部的に変える工程を
含む方法、及びその方法により作られた物品に係る。
のような光学素子を含む物品の製造方法、より具体的に
は、酸化物ガラス基体の屈折率を局部的に変える工程を
含む方法、及びその方法により作られた物品に係る。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】イン−ライン光ファイ
バ屈折率回折格子は知られている。たとえば、米国特許
第４，８０７，９５０号を参照のこと、また、そのよう
な回折格子の作製方法を特許請求の範囲とする米国特許
第４，７２５，１１０号も参照のこと、光ファイバ中に
イン−ライン回折格子を“書き込む”現在好ましい方法
は、ファイバの一部分中での化学線作用（典型的な場合
ＵＶ）放射の２つのビーム間の干渉を含む。２つのビー
ムは横方向にファイバ上に入射し、２つのビーム間の角
（及び放射の波長）は、回折格子間隔を規定する。
バ屈折率回折格子は知られている。たとえば、米国特許
第４，８０７，９５０号を参照のこと、また、そのよう
な回折格子の作製方法を特許請求の範囲とする米国特許
第４，７２５，１１０号も参照のこと、光ファイバ中に
イン−ライン回折格子を“書き込む”現在好ましい方法
は、ファイバの一部分中での化学線作用（典型的な場合
ＵＶ）放射の２つのビーム間の干渉を含む。２つのビー
ムは横方向にファイバ上に入射し、２つのビーム間の角
（及び放射の波長）は、回折格子間隔を規定する。
【０００３】典型的な場合、回折格子はＧｅ−ドープフ
ァイバ中に形成される。たとえば、エフ・オウレッテ
（F. Ouellette）ら、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ（Applied Physics Letters ）第５８（１７）
巻、１８１３頁を参照のこと、これは中でも化学線作用
放射に対するＧｅ−ドープファイバの感度は、熱的水素
処理（Ｈ2 の１２気圧中４００℃で４時間）により増す
ことを、明らかにしている。また、ジー・メルツ（G. M
eltz）ら、エス・ピー・アイ・イー（ＳＰＩＥ）、第１
５１６巻、光ファイバ中の光誘導自己構成に関する国際
ワークショップ、５月１０−１１日、１９９１、ケベッ
クシティ、カナダ、論文１５１６−１８も参照のこと、
これは高濃度ドープ・ゲルマノシリケートプリフォーム
・ロッドを、Ｈ2 の１気圧中、６１０℃において７５時
間処理することにより、ガラスの光感度が増すことを報
告している。アール・エム・アトキンス（R. M. Atkin
s）らにより、１９９１年１月１８日出願された米国特
許第６４３，８８６号は、ファイバのＧｅ−ドープコア
中の GeO／GeO2比を増し、それによって化学的作用放射
線に対するファイバの感度が増す光ファイバの作製プロ
セスを、明らかにしている。たとえば、そのプロセス
は、本質的に酸素のない雰囲気中で、プリフォーム管を
つぶすことを含む。
ァイバ中に形成される。たとえば、エフ・オウレッテ
（F. Ouellette）ら、アプライド・フィジックス・レタ
ーズ（Applied Physics Letters ）第５８（１７）
巻、１８１３頁を参照のこと、これは中でも化学線作用
放射に対するＧｅ−ドープファイバの感度は、熱的水素
処理（Ｈ2 の１２気圧中４００℃で４時間）により増す
ことを、明らかにしている。また、ジー・メルツ（G. M
eltz）ら、エス・ピー・アイ・イー（ＳＰＩＥ）、第１
５１６巻、光ファイバ中の光誘導自己構成に関する国際
ワークショップ、５月１０−１１日、１９９１、ケベッ
クシティ、カナダ、論文１５１６−１８も参照のこと、
これは高濃度ドープ・ゲルマノシリケートプリフォーム
・ロッドを、Ｈ2 の１気圧中、６１０℃において７５時
間処理することにより、ガラスの光感度が増すことを報
告している。アール・エム・アトキンス（R. M. Atkin
s）らにより、１９９１年１月１８日出願された米国特
許第６４３，８８６号は、ファイバのＧｅ−ドープコア
中の GeO／GeO2比を増し、それによって化学的作用放射
線に対するファイバの感度が増す光ファイバの作製プロ
セスを、明らかにしている。たとえば、そのプロセス
は、本質的に酸素のない雰囲気中で、プリフォーム管を
つぶすことを含む。
【０００４】従来技術のＨ2 高感度化処理は、ガラスを
典型的な場合少くとも４００℃といった比較的高い温度
において、Ｈ2 に露出することを含む、この高温処理は
もし光ファイバに適用すると、最善でも不便である。周
知のように、光ファイバは典型的な場合、引張りプロセ
スの一部で、ポリマ材料で被覆される。なぜなら、被覆
されていないファイバはもろく、特に手で扱った時、急
速にその強度を失うからである。従来技術のＨ2 処理の
温度において、典型的なポリマファイバ被覆は、破損す
るか、少くとも著しい損傷を受ける。更に、従来技術の
高温高感度化処理は、ファイバ中の光学的損失をしばし
ば増すか、またはファイバを弱くすることがある。
典型的な場合少くとも４００℃といった比較的高い温度
において、Ｈ2 に露出することを含む、この高温処理は
もし光ファイバに適用すると、最善でも不便である。周
知のように、光ファイバは典型的な場合、引張りプロセ
スの一部で、ポリマ材料で被覆される。なぜなら、被覆
されていないファイバはもろく、特に手で扱った時、急
速にその強度を失うからである。従来技術のＨ2 処理の
温度において、典型的なポリマファイバ被覆は、破損す
るか、少くとも著しい損傷を受ける。更に、従来技術の
高温高感度化処理は、ファイバ中の光学的損失をしばし
ば増すか、またはファイバを弱くすることがある。
【０００５】ディー・マクスティ（D. McStay)、エス・
ピー・アイ・イー（ＳＰＩＥ）、第１３１４巻、“ファ
イバ光学 ′９０”、２２３−２３３頁は特にＧｅ−ド
ープ光ファイバを、たとえば１気圧、２４℃で３日とい
うように、各種時間、温度及び圧力でＨ2 に曝した報告
をしている。ラマン測定により、処理例の後、ファイバ
中に分子状水素の存在が明らかになった。ファイバを４
８８nmの放射に曝すと、約２１５０cm-1におけるラマン
ピークが増加した。そのピークは、Ｈ2 の本質的にすべ
てがファイバから再び失われるまで、照射を延長した後
ですら現れた。著者は、観測された光感度応答は弱く、
２−フォトンプロセスが含まれているであろうと述べ
た。屈折率の変化は、観測されなかった。
ピー・アイ・イー（ＳＰＩＥ）、第１３１４巻、“ファ
イバ光学 ′９０”、２２３−２３３頁は特にＧｅ−ド
ープ光ファイバを、たとえば１気圧、２４℃で３日とい
うように、各種時間、温度及び圧力でＨ2 に曝した報告
をしている。ラマン測定により、処理例の後、ファイバ
中に分子状水素の存在が明らかになった。ファイバを４
８８nmの放射に曝すと、約２１５０cm-1におけるラマン
ピークが増加した。そのピークは、Ｈ2 の本質的にすべ
てがファイバから再び失われるまで、照射を延長した後
ですら現れた。著者は、観測された光感度応答は弱く、
２−フォトンプロセスが含まれているであろうと述べ
た。屈折率の変化は、観測されなかった。
【０００６】たとえば、光導波路中のイン−ライン屈折
率回折格子により得られる利点の可能性という点では、
従来技術の上述の短所のない導波路屈折率を局部的に増
す方法を得ることが、非常に望ましい。更に、もし強い
イン−ライン回折格子を、従来通り作製された形の光フ
ァイバ中に書き込み、光ファイバ通信システムに組込む
ことができるか、もし光導波路がプレーナガラス層中に
“書き込む”ことができれば、非常に望ましい。
率回折格子により得られる利点の可能性という点では、
従来技術の上述の短所のない導波路屈折率を局部的に増
す方法を得ることが、非常に望ましい。更に、もし強い
イン−ライン回折格子を、従来通り作製された形の光フ
ァイバ中に書き込み、光ファイバ通信システムに組込む
ことができるか、もし光導波路がプレーナガラス層中に
“書き込む”ことができれば、非常に望ましい。
【０００７】用語の説明
【０００８】“光導波路”はここでは少くとも部分的
に、相対的に低屈折率の材料の“クラッド”により囲ま
れた相対的に高屈折率のガラスの“コア”を含み、それ
を通して（典型的な場合縦方向に）たとえば０．４−
１．７μm 範囲の“光”波長の電磁波を伝送するのに適
した典型的な場合、細長い構造である。
に、相対的に低屈折率の材料の“クラッド”により囲ま
れた相対的に高屈折率のガラスの“コア”を含み、それ
を通して（典型的な場合縦方向に）たとえば０．４−
１．７μm 範囲の“光”波長の電磁波を伝送するのに適
した典型的な場合、細長い構造である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明により課題を解決
する手段は全ては特許請求の範囲に記載されている。本
発明によると高シリカガラス（たとえば５０又は８０モ
ルパーセント SiO2 以上）中に、非常に低温（２５０℃
又はそれ以下、しかし好ましくは１５０以下あるいは１
００℃より低い温度）及び中程度の圧力（１気圧以上、
好ましくは１０気圧以上のＨ2 分圧）において、比較的
多量の分子状水素（Ｈ2)を導入でき、Ｈ2 含有ガラスに
化学的作用線の放射（典型的な場合ＵＶ）を照射するこ
とにより、照射領域中のガラスの屈折率が、予測できな
いほど大きく増加できるという、全く予測できない発見
をした。たとえば、規格化された屈折率変化は少くとも
１０-5で、好ましくは少くとも５×１０-5又は１０
-4で、１０-3よりも大きくすることすらできる。変化は
もしガラスを加熱しなければ本質的に無限に保持され、
ガラスの適当な加熱（たとえば＜４００℃）で、少くと
もかなりの割合の変化が残る。１０-5より小さい屈折率
変化ももちろん生成できるが、典型的な場合、商業上有
用ではない。
する手段は全ては特許請求の範囲に記載されている。本
発明によると高シリカガラス（たとえば５０又は８０モ
ルパーセント SiO2 以上）中に、非常に低温（２５０℃
又はそれ以下、しかし好ましくは１５０以下あるいは１
００℃より低い温度）及び中程度の圧力（１気圧以上、
好ましくは１０気圧以上のＨ2 分圧）において、比較的
多量の分子状水素（Ｈ2)を導入でき、Ｈ2 含有ガラスに
化学的作用線の放射（典型的な場合ＵＶ）を照射するこ
とにより、照射領域中のガラスの屈折率が、予測できな
いほど大きく増加できるという、全く予測できない発見
をした。たとえば、規格化された屈折率変化は少くとも
１０-5で、好ましくは少くとも５×１０-5又は１０
-4で、１０-3よりも大きくすることすらできる。変化は
もしガラスを加熱しなければ本質的に無限に保持され、
ガラスの適当な加熱（たとえば＜４００℃）で、少くと
もかなりの割合の変化が残る。１０-5より小さい屈折率
変化ももちろん生成できるが、典型的な場合、商業上有
用ではない。
【００１０】本発明は、光学素子（たとえば光ファイ
バ、プレーナ導波路又は位相マスク）を含む物品の作製
方法に係り、一実施例においては、導波路を準備する工
程、導波路をＨ2 に曝す工程及び導波路の少くとも一部
に、化学線作用の放射を照射することにより照射部分の
屈折率を変化させる工程を含む。重要なことは、Ｈ2 に
曝す工程中、導波路はせいぜい２５０℃の温度にあるこ
とである。導波路は少くとも１気圧のＨ2 分圧をもつＨ
2 を含む雰囲気に曝され、得られる規格化された屈折率
変化は少くとも約10-5で、少くとも５×10-5又は10-4が
好ましい。“水素”又は“Ｈ2 ”ということでは、水素
又はその同位元素重水素を意味する。
バ、プレーナ導波路又は位相マスク）を含む物品の作製
方法に係り、一実施例においては、導波路を準備する工
程、導波路をＨ2 に曝す工程及び導波路の少くとも一部
に、化学線作用の放射を照射することにより照射部分の
屈折率を変化させる工程を含む。重要なことは、Ｈ2 に
曝す工程中、導波路はせいぜい２５０℃の温度にあるこ
とである。導波路は少くとも１気圧のＨ2 分圧をもつＨ
2 を含む雰囲気に曝され、得られる規格化された屈折率
変化は少くとも約10-5で、少くとも５×10-5又は10-4が
好ましい。“水素”又は“Ｈ2 ”ということでは、水素
又はその同位元素重水素を意味する。
【００１１】別の実施例において、本発明は高シリカガ
ラスを含む基体を、本質的に上述のように水素に曝し、
続いてガラスのあらかじめ決められた領域の屈折率が、
たとえばプレーナ導波路のコアが形成されるように、適
当な大きさだけ上昇するように、ガラスを化学作用放射
線に曝す。
ラスを含む基体を、本質的に上述のように水素に曝し、
続いてガラスのあらかじめ決められた領域の屈折率が、
たとえばプレーナ導波路のコアが形成されるように、適
当な大きさだけ上昇するように、ガラスを化学作用放射
線に曝す。
【００１２】本発明の方法は、各種の方法で使用でき
る。たとえば、それは光ファイバ又はプレーナ導波路中
のイン−ライン屈折率回折格子を作製するために使用で
き、あるいはそれは光ファイバ又はプレーナ導波路の一
部に、本質的に一様な屈折率変化を生成させるために用
いることもできる。また、それは適当なガラス中にプレ
ーナ光導波路のコアを“書き込み”、たとえばホログラ
ム又は位相マスクが生じるように、適当なガラス基体の
屈折率を、パターン形成するためにも使用できる。
る。たとえば、それは光ファイバ又はプレーナ導波路中
のイン−ライン屈折率回折格子を作製するために使用で
き、あるいはそれは光ファイバ又はプレーナ導波路の一
部に、本質的に一様な屈折率変化を生成させるために用
いることもできる。また、それは適当なガラス中にプレ
ーナ光導波路のコアを“書き込み”、たとえばホログラ
ム又は位相マスクが生じるように、適当なガラス基体の
屈折率を、パターン形成するためにも使用できる。
【００１３】
【実施例】新しい水素処理の例は、以下のとおりであ
る。標準的な市販の光通信ファイバ（すなわち、エイ・
ティー・アンド・ティー、の５Ｄファイバで、それはゲ
ルマノシリケート・コアを有し、約２．６モル％ GeO2
をもち、高感度化処理をしない時、たとえばΔ＜１０-5
といったたいした光感度を示さない）の３つの試料は１
０．４、４２及び１４７気圧における水素雰囲気中に、
４８−７２時間、７５℃の雰囲気中に保たれた。ファイ
バコア中の得られた、Ｈ2 濃度は、それぞれ６．９８×
１０-2、２．８２×１０3 及び９．８４×１０3 ppm
（ppm ；１ppm はSiO2 のモル当り１０-6モルＨ2 と定
義される）と計算された。このように準備したファイバ
を、エキシマレーザ励起の倍周波色素レーザからのＵＶ
放射（約２４２nm）に曝した（２０パルス／秒、２mJ／
パルス、１０分露出）ところ、それぞれ以下のような規
格化屈折率変化Δ（Δ＝Δｎ／ｎ）：９．７×１０-5、
７×１０-4及び１．８×１０-3が得られた。化学作用放
射線に曝しても、本質的にそれ以上Δは増加しないであ
ろう。
る。標準的な市販の光通信ファイバ（すなわち、エイ・
ティー・アンド・ティー、の５Ｄファイバで、それはゲ
ルマノシリケート・コアを有し、約２．６モル％ GeO2
をもち、高感度化処理をしない時、たとえばΔ＜１０-5
といったたいした光感度を示さない）の３つの試料は１
０．４、４２及び１４７気圧における水素雰囲気中に、
４８−７２時間、７５℃の雰囲気中に保たれた。ファイ
バコア中の得られた、Ｈ2 濃度は、それぞれ６．９８×
１０-2、２．８２×１０3 及び９．８４×１０3 ppm
（ppm ；１ppm はSiO2 のモル当り１０-6モルＨ2 と定
義される）と計算された。このように準備したファイバ
を、エキシマレーザ励起の倍周波色素レーザからのＵＶ
放射（約２４２nm）に曝した（２０パルス／秒、２mJ／
パルス、１０分露出）ところ、それぞれ以下のような規
格化屈折率変化Δ（Δ＝Δｎ／ｎ）：９．７×１０-5、
７×１０-4及び１．８×１０-3が得られた。化学作用放
射線に曝しても、本質的にそれ以上Δは増加しないであ
ろう。
【００１４】別の市販の光ファイバ（コア中に約１０モ
ル％の GeO2 を有する）を、５０℃において、Ｈ2 の９
５気圧中に、３日保ったところ、ファイバコア中のＨ2
は約８．０４×１０3 ppm であった。上述のＵＶ放射に
曝す（１．５mJ／パルス、５０パルス／秒、８分）こと
により、Δ＝１．６×１０-3が得られた。
ル％の GeO2 を有する）を、５０℃において、Ｈ2 の９
５気圧中に、３日保ったところ、ファイバコア中のＨ2
は約８．０４×１０3 ppm であった。上述のＵＶ放射に
曝す（１．５mJ／パルス、５０パルス／秒、８分）こと
により、Δ＝１．６×１０-3が得られた。
【００１５】これらの結果の例は、図１に示されてい
る。ここで、点１１、１２及び１３は低濃度Ｇｅ−ドー
プ（５Ｄ）ファイバの場合で、１４は中程度のＧｅ−ド
ープファイバについてである。図１に示されるように、
少くともＧｅ−ドーピングのある範囲では、ファイバ中
のＨ2 含有量と屈折率変化の得られる値には、本質的に
直線的な関係がある。
る。ここで、点１１、１２及び１３は低濃度Ｇｅ−ドー
プ（５Ｄ）ファイバの場合で、１４は中程度のＧｅ−ド
ープファイバについてである。図１に示されるように、
少くともＧｅ−ドーピングのある範囲では、ファイバ中
のＨ2 含有量と屈折率変化の得られる値には、本質的に
直線的な関係がある。
【００１６】ある程度の有用な屈折率変化は、非常に低
濃度のＧｅ−ドーピング（たとえば＜０．５モル％の G
eO2 ）でも得られるかもしれないが、本発明はしばしば
少くとも０．５モル％ GeO2 又は他の適当なドーパント
を含むシリカガラス（すなわち、 SiO2 が最大の単一成
分である酸化物ガラス）か、ゲルマニウムガラス（純粋
なガラス状ゲルマニウムを含む GeO2 が最大の単一成分
である酸化物ガラス）で実施されるであろう。純粋な S
iO2 は、（少くとも約８，４００ppm Ｈ2 までは）ファ
イバ中のＨ2 濃度に依存せず、顕著な屈折率変化は示さ
ない。本発明はGeO2 を含む多くの酸化物ガラス、又は
SiO2 及び GeO2 又は他の適当なドーパントを含む酸化
物ガラスで実施できると、現在確信される。この分野の
技術に習熟した人なら、適度な実験により、与えられた
組成の酸化物ガラスが、本発明を実施する上で適してい
るか否かを決定できるであろう。
濃度のＧｅ−ドーピング（たとえば＜０．５モル％の G
eO2 ）でも得られるかもしれないが、本発明はしばしば
少くとも０．５モル％ GeO2 又は他の適当なドーパント
を含むシリカガラス（すなわち、 SiO2 が最大の単一成
分である酸化物ガラス）か、ゲルマニウムガラス（純粋
なガラス状ゲルマニウムを含む GeO2 が最大の単一成分
である酸化物ガラス）で実施されるであろう。純粋な S
iO2 は、（少くとも約８，４００ppm Ｈ2 までは）ファ
イバ中のＨ2 濃度に依存せず、顕著な屈折率変化は示さ
ない。本発明はGeO2 を含む多くの酸化物ガラス、又は
SiO2 及び GeO2 又は他の適当なドーパントを含む酸化
物ガラスで実施できると、現在確信される。この分野の
技術に習熟した人なら、適度な実験により、与えられた
組成の酸化物ガラスが、本発明を実施する上で適してい
るか否かを決定できるであろう。
【００１７】他の結果の例は、以下のとおりである。光
ファイバを２００℃において４０分間、１５０気圧のＨ
2 中に保ったところ、コア中のＨ2 は約４．５６×１０
3 ppm となった。また、２５μm 厚の SiO2 層と下のゲ
ルマノシリケートガラス層（８μm 厚、２．６モル％ G
eO2 ）を含むプレーナ構造を、２１℃に６日、１８７気
圧のＨ2 中、又は７５℃において１１時間、３２５気圧
のＨ2 中に保つことにより、ゲルマニウムドープガラス
中の導波路コアに十分なＨ2 が添加され、ＵＶ放射への
露出後、Δ〜４×１０-3となると見積られた。
ファイバを２００℃において４０分間、１５０気圧のＨ
2 中に保ったところ、コア中のＨ2 は約４．５６×１０
3 ppm となった。また、２５μm 厚の SiO2 層と下のゲ
ルマノシリケートガラス層（８μm 厚、２．６モル％ G
eO2 ）を含むプレーナ構造を、２１℃に６日、１８７気
圧のＨ2 中、又は７５℃において１１時間、３２５気圧
のＨ2 中に保つことにより、ゲルマニウムドープガラス
中の導波路コアに十分なＨ2 が添加され、ＵＶ放射への
露出後、Δ〜４×１０-3となると見積られた。
【００１８】従来技術の（高温）水素処理は、本発明の
（低温）処理とは異なる物理的機構をもつと、現在は確
信される。マクスティ（McStay）（上で引用）により明
らかにされた事実はまた、彼が観測した弱い光感度は、
本発明に従う処理で得られる大きな光屈折効果とは異な
る機構によることを、明らかに示している。
（低温）処理とは異なる物理的機構をもつと、現在は確
信される。マクスティ（McStay）（上で引用）により明
らかにされた事実はまた、彼が観測した弱い光感度は、
本発明に従う処理で得られる大きな光屈折効果とは異な
る機構によることを、明らかに示している。
【００１９】ガラスにＨ2 を完全に添加した後、ある程
度の水素は一般に、特に温度に依存する速度で、再びガ
ラスから拡散して出ていくことが認識されるであろう。
しかし、速度は典型的な場合、化学作用の放射線でガラ
スを照射する十分な時間（典型的な場合、数時間）があ
るほど、十分遅い。たとえば、照射は水素添加が完了し
てから、約１週間以内に行うべきである。当業者はファ
イバを冷却貯蔵すると、外方拡散を遅らせ、より長い遅
延を可能にすることを認識するであろう。
度の水素は一般に、特に温度に依存する速度で、再びガ
ラスから拡散して出ていくことが認識されるであろう。
しかし、速度は典型的な場合、化学作用の放射線でガラ
スを照射する十分な時間（典型的な場合、数時間）があ
るほど、十分遅い。たとえば、照射は水素添加が完了し
てから、約１週間以内に行うべきである。当業者はファ
イバを冷却貯蔵すると、外方拡散を遅らせ、より長い遅
延を可能にすることを認識するであろう。
【００２０】ガラスの未照射部分からＨ2 が失われるこ
とは、本発明の方法により導波路中の光学損の増加が比
較的小さく、本質的に未照射部分中の屈折率の変化がな
いという望ましい結果をもたらす。
とは、本発明の方法により導波路中の光学損の増加が比
較的小さく、本質的に未照射部分中の屈折率の変化がな
いという望ましい結果をもたらす。
【００２１】ファイバ中の屈折率回折格子の信頼性につ
いての疑問は、そのような回折格子の開発に従事する人
の関心事である。このことは、そのような回折格子の特
性（たとえば光強度）が時間とともに変化するか否か、
特に回折格子を高温に露出した時変化するか否かという
関心があることを意味する。同様の考えは本発明に従う
他の製品にも適用される。
いての疑問は、そのような回折格子の開発に従事する人
の関心事である。このことは、そのような回折格子の特
性（たとえば光強度）が時間とともに変化するか否か、
特に回折格子を高温に露出した時変化するか否かという
関心があることを意味する。同様の考えは本発明に従う
他の製品にも適用される。
【００２２】本発明の方法によると、非常に安定な屈折
率変化を得ることができ、その例が図２に示されてい
る。この図は先にＨ2 を添加し、ＵＶ放射に曝し、ファ
イバ中に屈折率回折格子（格子間隔約０．５μm ）が形
成されるようにした市販の（５Ｄ）ファイバの例につい
て、時間の関数として、規格化された屈折率変化Δを示
す。ファイバは約９．３×１０3 ppm のＨ2 を含むが、
ＵＶ露出は適度な強さの回折格子（Δ〜１．１×１
０-4）が得られるように、制限された。回折格子が十分
形成された後、ファイバは７５０℃まで２５０℃／時間
で加熱され、続いて室温まで冷却された。図２からわか
るように、７５０℃に到達した後、規格化された屈折率
変化は、約３×１０-5まで減少した。温度処理の開始後
約１９時間でファイバは５００℃に加熱され、約２９時
間その温度に保たれた。図２からわかるように、屈折率
はこの時間中、本質的に一定に保たれ、先のアニーリン
グにより比較的不安定な物質が除去され、残った物質は
５００℃という非常に高い温度ですら、安定であること
を示している。
率変化を得ることができ、その例が図２に示されてい
る。この図は先にＨ2 を添加し、ＵＶ放射に曝し、ファ
イバ中に屈折率回折格子（格子間隔約０．５μm ）が形
成されるようにした市販の（５Ｄ）ファイバの例につい
て、時間の関数として、規格化された屈折率変化Δを示
す。ファイバは約９．３×１０3 ppm のＨ2 を含むが、
ＵＶ露出は適度な強さの回折格子（Δ〜１．１×１
０-4）が得られるように、制限された。回折格子が十分
形成された後、ファイバは７５０℃まで２５０℃／時間
で加熱され、続いて室温まで冷却された。図２からわか
るように、７５０℃に到達した後、規格化された屈折率
変化は、約３×１０-5まで減少した。温度処理の開始後
約１９時間でファイバは５００℃に加熱され、約２９時
間その温度に保たれた。図２からわかるように、屈折率
はこの時間中、本質的に一定に保たれ、先のアニーリン
グにより比較的不安定な物質が除去され、残った物質は
５００℃という非常に高い温度ですら、安定であること
を示している。
【００２３】本発明の方法は、比較的不安定な物質を除
去し、それによってファイバ中の屈折率変化の信頼性が
改善できるアニールを、必要に応じて含む。一般に、ア
ニールは導波路（又はその適切な一部、又は本質的に導
波路コアのみ）を、導波路の予想される動作温度以上の
温度に加熱することを含む。この加熱は化学作用放射線
への露出中、又はそれに続いて行うことができる。それ
はまた、第１の露出に続き、かつ第２の露出の前に行う
ことができる。本質的に導波路コアのみの好ましい加熱
方法は、たとえばＨ2 処理ファイバの場合の約1.４μm
というように、導波路のＵＶ照射部が吸収する波長の導
波路放射中に結合することを含む。ここでは、“加熱”
ということで、アニール温度において安定でない欠陥の
少くとも主要部分を除去するのに効果的な時間（たとえ
ば少くとも１分）、加熱することをここでは意味するこ
とが認識されよう。この用語は化学作用放射線の個々の
パルスの入射に伴う瞬間的な加熱は含まない。
去し、それによってファイバ中の屈折率変化の信頼性が
改善できるアニールを、必要に応じて含む。一般に、ア
ニールは導波路（又はその適切な一部、又は本質的に導
波路コアのみ）を、導波路の予想される動作温度以上の
温度に加熱することを含む。この加熱は化学作用放射線
への露出中、又はそれに続いて行うことができる。それ
はまた、第１の露出に続き、かつ第２の露出の前に行う
ことができる。本質的に導波路コアのみの好ましい加熱
方法は、たとえばＨ2 処理ファイバの場合の約1.４μm
というように、導波路のＵＶ照射部が吸収する波長の導
波路放射中に結合することを含む。ここでは、“加熱”
ということで、アニール温度において安定でない欠陥の
少くとも主要部分を除去するのに効果的な時間（たとえ
ば少くとも１分）、加熱することをここでは意味するこ
とが認識されよう。この用語は化学作用放射線の個々の
パルスの入射に伴う瞬間的な加熱は含まない。
【００２４】当業者には認識されるであろうが、アニー
リングにより（典型的な場合温度依存性の）Δの減少が
起り、最初のΔは所望の値より大きいことが必要とされ
る。あらかじめ決められたアニール温度に対して、Δの
減少分を決ることは簡単で、従って適当な最初のΔある
いは等価的に適当なＨ2 添加条件を決ることは簡単であ
る。多くの場合、導波路の動作温度は７５℃を越えず、
アニール温度はしばしば２００−４００℃の範囲であ
る。（しかし、常に予測される最大動作温度より高く、
しばしば少くとも１００℃以上高い。）
リングにより（典型的な場合温度依存性の）Δの減少が
起り、最初のΔは所望の値より大きいことが必要とされ
る。あらかじめ決められたアニール温度に対して、Δの
減少分を決ることは簡単で、従って適当な最初のΔある
いは等価的に適当なＨ2 添加条件を決ることは簡単であ
る。多くの場合、導波路の動作温度は７５℃を越えず、
アニール温度はしばしば２００−４００℃の範囲であ
る。（しかし、常に予測される最大動作温度より高く、
しばしば少くとも１００℃以上高い。）
【００２５】当業者には認識されるであろうか、本発明
の方法は光ファイバだけでなく、プレーナ導波路の屈折
率を修正するために、使用することができる。更に、こ
の方法によって容易に大きな屈折率変化（たとえばΔｎ
＞１０-4）を生じさせることにより、たとえば図３に概
略的に描かれたプレーナ光導波路のような、光部品を形
成する新しい方法が可能になる。たとえば、基板３０
（たとえば Si 又は SiO2 ウエハ）上に、下部クラッド
層３１（たとえばガラス状シリカ）、ドープシリカ（た
とえばゲルマノシリケート）層３２及び上部クラッド層
３３（たとえばガラス状シリカ）を形成する。この構造
３７は層に垂直方向に導波路特性をもつが、面内では放
射を閉じ込めない。閉じ込めは、本質的に上述のよう
に、構造にＨ2 を添加し、構造に焦点をあわせた化学的
作用放射線３４を照射し、ビームを構造上であらかじめ
決められたように（矢印３５で示されるように）移動さ
せることにより、実現される。（あるいは、あらかじめ
選択された部分を露出させるために、マスクを使用する
ことができる。）コア領域３６中の屈折率は上昇し、横
方向の導波路ができる。他方、層３１及び３３の屈折率
は本質的に不変である。層３１及び３３は必要に応じて
設ければよく、層３３は３２を化学的作用放射線に曝し
た後、堆積できることが認識されるであろう。
の方法は光ファイバだけでなく、プレーナ導波路の屈折
率を修正するために、使用することができる。更に、こ
の方法によって容易に大きな屈折率変化（たとえばΔｎ
＞１０-4）を生じさせることにより、たとえば図３に概
略的に描かれたプレーナ光導波路のような、光部品を形
成する新しい方法が可能になる。たとえば、基板３０
（たとえば Si 又は SiO2 ウエハ）上に、下部クラッド
層３１（たとえばガラス状シリカ）、ドープシリカ（た
とえばゲルマノシリケート）層３２及び上部クラッド層
３３（たとえばガラス状シリカ）を形成する。この構造
３７は層に垂直方向に導波路特性をもつが、面内では放
射を閉じ込めない。閉じ込めは、本質的に上述のよう
に、構造にＨ2 を添加し、構造に焦点をあわせた化学的
作用放射線３４を照射し、ビームを構造上であらかじめ
決められたように（矢印３５で示されるように）移動さ
せることにより、実現される。（あるいは、あらかじめ
選択された部分を露出させるために、マスクを使用する
ことができる。）コア領域３６中の屈折率は上昇し、横
方向の導波路ができる。他方、層３１及び３３の屈折率
は本質的に不変である。層３１及び３３は必要に応じて
設ければよく、層３３は３２を化学的作用放射線に曝し
た後、堆積できることが認識されるであろう。
【００２６】当業者には明らかであろうが、プレーナ導
波路の上述の新しい技術は、多くの有利な特徴をもつ。
たとえば、 SiO2 をエッチングする必要性、表面を平坦
に保つ必要性なしに、任意の所望の導波路構造を容易に
作製するのに使用できる。重要なことは、本発明に従う
導波路は、構造的に均一な材料中に実現でき、従って比
較的低い散乱損失をもつということである。
波路の上述の新しい技術は、多くの有利な特徴をもつ。
たとえば、 SiO2 をエッチングする必要性、表面を平坦
に保つ必要性なしに、任意の所望の導波路構造を容易に
作製するのに使用できる。重要なことは、本発明に従う
導波路は、構造的に均一な材料中に実現でき、従って比
較的低い散乱損失をもつということである。
【００２７】本発明の方法は、光ファイバ通信システム
及びファイバ又はプレーナ光増幅器を含む各種の製品で
実現できる。それはまた、新しい特性の組合せ、すなわ
ち比較的低濃度ドープコア（典型的な場合、 SiO2 １モ
ル当り、４．５モルパーセントより少い GeO2 ）及び比
較的大きな局所的屈折率変化（典型的な場合Δは少くと
も１０-4）を有する光ファイバ中でも実現できる。その
ようなファイバの屈折率が、概略的に図４に描かれてい
る。図において、ｎ0 は純粋なガラス状シリカの屈折率
をさし、ｎc 及びｎ1 はそれぞれコア４０及びクラッド
４１の屈折率をさす。規格化されたコア／クラッド屈折
率差Δ＝（ｎc −ｎ1 ）／ｎc 及び４２１、４２２・・・
は屈折率が増加した局所的な領域をさす。たとえば、局
所的な変化は周期的で、強いイン−ライン回折格子を形
成する。そのくり返し距離Λは約０．５μm で、典型的
な場合（必要ではないが）約１００μm より小さい。も
ちろん、実際の光ファイバ中の屈折率分布は図４に概略
的に示されるような長方形ではなく、かつ実際の分布は
各種の領域間でそのような急な変化をしないことが理解
されよう。しかし、実際の分布はしばしば（実効的な屈
折率と実効的な半径をもつ）従来の等価な段差屈折率分
布によって記述される。従って、図４は等価な段差屈折
率分布を示すためのもので、ｎc 及びｎ1 は実効屈折率
を意図している。また、上の議論は軸方向に一様な断面
をもつファイバのみについてであり（すなわち断面の周
期的な変化を含むよう処理されたファイバは除外され
る）、更に、クラッド屈折率が本質的に変化しないファ
イバのみについてである。
及びファイバ又はプレーナ光増幅器を含む各種の製品で
実現できる。それはまた、新しい特性の組合せ、すなわ
ち比較的低濃度ドープコア（典型的な場合、 SiO2 １モ
ル当り、４．５モルパーセントより少い GeO2 ）及び比
較的大きな局所的屈折率変化（典型的な場合Δは少くと
も１０-4）を有する光ファイバ中でも実現できる。その
ようなファイバの屈折率が、概略的に図４に描かれてい
る。図において、ｎ0 は純粋なガラス状シリカの屈折率
をさし、ｎc 及びｎ1 はそれぞれコア４０及びクラッド
４１の屈折率をさす。規格化されたコア／クラッド屈折
率差Δ＝（ｎc −ｎ1 ）／ｎc 及び４２１、４２２・・・
は屈折率が増加した局所的な領域をさす。たとえば、局
所的な変化は周期的で、強いイン−ライン回折格子を形
成する。そのくり返し距離Λは約０．５μm で、典型的
な場合（必要ではないが）約１００μm より小さい。も
ちろん、実際の光ファイバ中の屈折率分布は図４に概略
的に示されるような長方形ではなく、かつ実際の分布は
各種の領域間でそのような急な変化をしないことが理解
されよう。しかし、実際の分布はしばしば（実効的な屈
折率と実効的な半径をもつ）従来の等価な段差屈折率分
布によって記述される。従って、図４は等価な段差屈折
率分布を示すためのもので、ｎc 及びｎ1 は実効屈折率
を意図している。また、上の議論は軸方向に一様な断面
をもつファイバのみについてであり（すなわち断面の周
期的な変化を含むよう処理されたファイバは除外され
る）、更に、クラッド屈折率が本質的に変化しないファ
イバのみについてである。
【００２８】上述のように、本発明の方法は適当な酸化
物ガラスの屈折率のパターンを形成するために、有利に
使用することができる。この方法は以下のようにプレー
ナ光導波路を作製するために用いられた。ガラス基体
（３モル％ GeO2 、残りは SiO2 ；２５×１０×２mm）
が３０８時間、２１℃において、２０８気圧のＨ2 中に
保たれ、試料表面で２．４モル％のＨ2 、５０μm の深
さで約１．１モル％Ｈ2が得られた。ＵＶ放射ビーム
（波長２４２nm、１．５mJ／パルス、３０パルス／秒）
を線状（約１００μm 幅）に焦点を絞り、焦点を絞った
ビームを、６０μm／秒の速度で、ガラス基体の２５×
１０mm面の１つの幅全体に走査させた。ＵＶ露光に続い
て、アルゴンイオンレーザ（５１４．５nm波長）からの
光を×６顕微鏡対物レンズにより、露出させた領域の一
端に焦点を合わせた。出力面から１１９cmの距離で観測
されたパターンは、楕円スポット（約６０×８mm）で、
楕円の長軸はガラス基体の露出面に垂直な面に平行で、
楕円の短軸は露出された領域の幅に平行であった。これ
により、露出された領域は（マルチモード）導波路を形
成し、導波路の深さは、幅より小さかった。シングルモ
ード導波路は、同様のプロセスにより、容易に作ること
ができる。
物ガラスの屈折率のパターンを形成するために、有利に
使用することができる。この方法は以下のようにプレー
ナ光導波路を作製するために用いられた。ガラス基体
（３モル％ GeO2 、残りは SiO2 ；２５×１０×２mm）
が３０８時間、２１℃において、２０８気圧のＨ2 中に
保たれ、試料表面で２．４モル％のＨ2 、５０μm の深
さで約１．１モル％Ｈ2が得られた。ＵＶ放射ビーム
（波長２４２nm、１．５mJ／パルス、３０パルス／秒）
を線状（約１００μm 幅）に焦点を絞り、焦点を絞った
ビームを、６０μm／秒の速度で、ガラス基体の２５×
１０mm面の１つの幅全体に走査させた。ＵＶ露光に続い
て、アルゴンイオンレーザ（５１４．５nm波長）からの
光を×６顕微鏡対物レンズにより、露出させた領域の一
端に焦点を合わせた。出力面から１１９cmの距離で観測
されたパターンは、楕円スポット（約６０×８mm）で、
楕円の長軸はガラス基体の露出面に垂直な面に平行で、
楕円の短軸は露出された領域の幅に平行であった。これ
により、露出された領域は（マルチモード）導波路を形
成し、導波路の深さは、幅より小さかった。シングルモ
ード導波路は、同様のプロセスにより、容易に作ること
ができる。
【００２９】図５は本発明に従う別の製品の例、すなわ
ちホログラム５０を概略的に示す。物品は酸化物ガラス
基体５１、たとえばＧｅ−ドープガラスシリカの薄板を
含み、薄板の所望の領域５２は、材料の他の部分より高
い屈折率をもつ。パターン形成された屈折率は、本質的
に上述の方式で、基体にＨ2 を添加した後、化学作用放
射線に適切に曝すことにより生成される。適切な屈折率
パターンは計算し、基体を化学的作用放射線に選択的に
曝すことにより生成できるか、あるいは化学線作用放射
の干渉ビームに曝すことからできる。当業者は、領域５
２のすべては同じ屈折率をもつ必要はなく、屈折率は任
意の与えられた領域５２内で変えられることを、認識す
るであろう。基体５０はたとえば、情報蓄積に使うと有
利である。
ちホログラム５０を概略的に示す。物品は酸化物ガラス
基体５１、たとえばＧｅ−ドープガラスシリカの薄板を
含み、薄板の所望の領域５２は、材料の他の部分より高
い屈折率をもつ。パターン形成された屈折率は、本質的
に上述の方式で、基体にＨ2 を添加した後、化学作用放
射線に適切に曝すことにより生成される。適切な屈折率
パターンは計算し、基体を化学的作用放射線に選択的に
曝すことにより生成できるか、あるいは化学線作用放射
の干渉ビームに曝すことからできる。当業者は、領域５
２のすべては同じ屈折率をもつ必要はなく、屈折率は任
意の与えられた領域５２内で変えられることを、認識す
るであろう。基体５０はたとえば、情報蓄積に使うと有
利である。
【００３０】図６は図５の製品の具体的で、現在好まし
い実施例、すなわち位相マスク６０を概略的に示す。こ
れはたとえば、本件と同じ権利者の米国特許出願番号第
０８／００４，７７０に本質的に記述されているような
光導波路中に、イン−ライン屈折率回折格子を生成させ
るために、使用できる。適切に均一にドープされた高シ
リカガラスプレート６１は領域６３に対し屈折率の増し
た空間的に離れた領域６２を含む。領域６２は従って領
域６３より大きな光学的厚さを有し、領域６２を貫いて
伝送される光は、一般に領域６３を貫いて伝送される光
に比べ位相がシフトしている。屈折率の増加は、上述の
ようにＨ2 添加に続いて、化学的作用放射線に曝すこと
により、有利に得られる。屈折率分布は、たとえば露光
条件の適当な選択により、所望のように容易に整えられ
ることが、認識されよう。
い実施例、すなわち位相マスク６０を概略的に示す。こ
れはたとえば、本件と同じ権利者の米国特許出願番号第
０８／００４，７７０に本質的に記述されているような
光導波路中に、イン−ライン屈折率回折格子を生成させ
るために、使用できる。適切に均一にドープされた高シ
リカガラスプレート６１は領域６３に対し屈折率の増し
た空間的に離れた領域６２を含む。領域６２は従って領
域６３より大きな光学的厚さを有し、領域６２を貫いて
伝送される光は、一般に領域６３を貫いて伝送される光
に比べ位相がシフトしている。屈折率の増加は、上述の
ようにＨ2 添加に続いて、化学的作用放射線に曝すこと
により、有利に得られる。屈折率分布は、たとえば露光
条件の適当な選択により、所望のように容易に整えられ
ることが、認識されよう。
【００３１】上述のように酸化物ガラスにＨ2 （又はＤ
2 ）を添加し、続いて化学的作用の放射線に、曝すこと
により、ガラスの露光された領域中にＯＨ（ＯＤ）が存
在するようになり、ＯＨ（ＯＤ）レベルは典型的な場
合、本質的に領域中の屈折率変化に比例する。従って、
ガラス中に相対的に高濃度及び相対的に低濃度のＯＨ
（ＯＤ）濃度の領域が存在することは、本発明の特徴で
ある。たとえば、規格化された屈折率変化Δ＝２×１０
-4は、約２０００ppm のＯＨに付随し、等価的に１．３
９μm （ＯＨの一次倍音）における損失は約０．３dB／
cmで、Δ＝２×１０-2が約２０モル％ＯＨに付随し、
１．３９μm における損失は約３０dB／cmである。たと
えば、本発明に従う光学素子は比較的高ＯＨ（ＯＤ）含
有で、従って比較的高（たとえばＯＨの場合、１．３９
μm において回折格子の＞０．１dB／cm）光損の領域と
ともに、比較的低ＯＨ（ＯＤ）含有で、従って比較的低
（たとえばＯＨの場合１．３９μm において＜０．１dB
／cm、典型的な場合＜０．０１あるいは０．００１dB／
cmより小さいことすらある）光損の領域を含む光シリカ
ガラスである。
2 ）を添加し、続いて化学的作用の放射線に、曝すこと
により、ガラスの露光された領域中にＯＨ（ＯＤ）が存
在するようになり、ＯＨ（ＯＤ）レベルは典型的な場
合、本質的に領域中の屈折率変化に比例する。従って、
ガラス中に相対的に高濃度及び相対的に低濃度のＯＨ
（ＯＤ）濃度の領域が存在することは、本発明の特徴で
ある。たとえば、規格化された屈折率変化Δ＝２×１０
-4は、約２０００ppm のＯＨに付随し、等価的に１．３
９μm （ＯＨの一次倍音）における損失は約０．３dB／
cmで、Δ＝２×１０-2が約２０モル％ＯＨに付随し、
１．３９μm における損失は約３０dB／cmである。たと
えば、本発明に従う光学素子は比較的高ＯＨ（ＯＤ）含
有で、従って比較的高（たとえばＯＨの場合、１．３９
μm において回折格子の＞０．１dB／cm）光損の領域と
ともに、比較的低ＯＨ（ＯＤ）含有で、従って比較的低
（たとえばＯＨの場合１．３９μm において＜０．１dB
／cm、典型的な場合＜０．０１あるいは０．００１dB／
cmより小さいことすらある）光損の領域を含む光シリカ
ガラスである。
【００３２】当業者には認識されるであろうが、もしガ
ラスをＨ2 の代りにＤ2 で高感度化すると、関連した波
長（ＯＤの一次倍音）は約１．９μm である。ある種の
光ファイバでは、１．９μm における損失測定は困難
で、１．２６μm （ＯＤの二次倍音）における測定が好
ましいかもしれない。それは二次の倍音における吸収
は、第１におけるものより、はるかに弱いという事実に
もかかわらずである。
ラスをＨ2 の代りにＤ2 で高感度化すると、関連した波
長（ＯＤの一次倍音）は約１．９μm である。ある種の
光ファイバでは、１．９μm における損失測定は困難
で、１．２６μm （ＯＤの二次倍音）における測定が好
ましいかもしれない。それは二次の倍音における吸収
は、第１におけるものより、はるかに弱いという事実に
もかかわらずである。
【００３３】しかし、倍音波長をどのように選んだとし
ても、光導波路中の本発明に従う回折格子は、導波路の
回折格子のない部分中のＯＤによる光損失（dB／cm単位
での）の少くとも１０倍の、ＯＤによる光損失（回折格
子のdB／cm単位）をもつであろう。
ても、光導波路中の本発明に従う回折格子は、導波路の
回折格子のない部分中のＯＤによる光損失（dB／cm単位
での）の少くとも１０倍の、ＯＤによる光損失（回折格
子のdB／cm単位）をもつであろう。
【００３４】より一般的には、本発明に従う製品は典型
的な場合、第１及び第２の領域を含む酸化物ガラスを含
む基体を含み、前者は後者より少くとも１０-5だけ大き
い規格化屈折率を有する。更に、ガラスはＯＨ及びＯＤ
から選択された化学物質を含み、第１の領域中の少くと
も一部では、前記物質の濃度は、第２の領域中の物質の
濃度の少くとも１０倍である。ＯＨがＯＤかの違いは別
にして、ガラスの化学組成は本質的に前記第１及び第２
の領域中で同じである。たとえば、第１の領域はプレー
ナ光導波路のコアか、あるいは光ファイバのコア中のイ
ン−ライン屈折率回折格子の高屈折率部分である。
的な場合、第１及び第２の領域を含む酸化物ガラスを含
む基体を含み、前者は後者より少くとも１０-5だけ大き
い規格化屈折率を有する。更に、ガラスはＯＨ及びＯＤ
から選択された化学物質を含み、第１の領域中の少くと
も一部では、前記物質の濃度は、第２の領域中の物質の
濃度の少くとも１０倍である。ＯＨがＯＤかの違いは別
にして、ガラスの化学組成は本質的に前記第１及び第２
の領域中で同じである。たとえば、第１の領域はプレー
ナ光導波路のコアか、あるいは光ファイバのコア中のイ
ン−ライン屈折率回折格子の高屈折率部分である。
【図１】ガラス中のＨ2 濃度の関数として、ＵＶ導入屈
折率変化のデータ例を示す図である。
折率変化のデータ例を示す図である。
【図２】光ファイバの具体的な熱処理工程中の、時間の
関数としての屈折率のデータ例を示す図である。
関数としての屈折率のデータ例を示す図である。
【図３】新規なプレーナ光導波路を概略的に描いた図で
ある。
ある。
【図４】イン−ライン屈折率回折格子を有する光ファイ
バの例の半径対屈折率を概略的に示す図である。
バの例の半径対屈折率を概略的に示す図である。
【図５】本発明に従う他の例、すなわちそれぞれホログ
ラム及び位相マスクを概略的に示す図である。
ラム及び位相マスクを概略的に示す図である。
【図６】本発明に従う他の例、すなわちそれぞれホログ
ラム及び位相マスクを概略的に示す図である。
ラム及び位相マスクを概略的に示す図である。
１１、１２、１３、１４ 点 ３０ 基板 ３１ 下部クラッド層、層 ３２ ドープシリカ層 ３３ 上部クラッド層、層 ３４ 化学線作用放射 ３５ 矢印 ３６ コア領域 ３７ 構造 ４０ コア ４１ クラッド ５０ ホログラム、基体 ５１ 基体 ５２ 領域 ６０ 位相マスク ６１ ガラスプレート ６２、６３ 領域 ４２１、４２２ 領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/00 (72)発明者 ロバート マイケル アトキンズ アメリカ合衆国 07946 ニュージャーシ ィ，ミリントン，ディヴィジョン アヴェ ニュー 103 (72)発明者 ポール ジョセフ レマイアー アメリカ合衆国 07940 ニュージャーシ ィ，マディソン，ファーンデール ロード 18 (72)発明者 ヴィクター ミスラヒ アメリカ合衆国 07921 ニュージャーシ ィ，ベッドミンスター，カーディナル レ ーン 412 (72)発明者 ケネス リー ウォーカー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ，ニュープロヴィデンス，セントラル アヴェニュー 1003
Claims (12)
- 【請求項１】 ａ）酸化物ガラスを含む基体を準備する
工程、 ｂ）ガラスの少くとも一部を、Ｈ2 及びＤ2 から成るグ
ループから選択された“高感度化”ガスと称するガスを
含む雰囲気に接触させる工程、 ｃ）ガラスの前記部分の少くとも一部を、化学的作用放
射線に曝すことにより、該曝された部分の屈折率が変化
させる工程を含む光素子を含む物品の製造方法におい
て、 ｄ）前記工程ｂ）は前記ガラスを、２５０℃又はそれ以
下の温度において、１気圧以上の分圧の高感度化ガスを
含む雰囲気に接触させ、前記放射線照射により少くとも
１０-5の規格化屈折率変化（Δ）を生じるようにするこ
とを特徴とする光学素子を含む物品の製造方法。 - 【請求項２】 温度は１５０℃又はそれ以下で、雰囲気
は本質的に１０気圧以上の圧力のＨ2 雰囲気からなり、
Δは少くとも５×１０-5であることを特徴とする請求項
１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記酸化物ガラスは最大の成分として S
iO2 を有する酸化物ガラスと、最大の成分として GeO2
を有する酸化物ガラスから成るグループから選択される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。 - 【請求項４】 前記ガラスは５０モル％以上の SiO2 と
更に0.５モル％以上の GeO2 を含む酸化物ガラスである
ことを特徴とする請求項１−３のいずれか一項に記載さ
れた方法。 - 【請求項５】 光学素子はプレーナ型光導波路又は光フ
ァイバを含むことを特徴とする請求項１−４のいずれか
一項に記載された方法。 - 【請求項６】 光導波路又は光ファイバは少くとも０．
５モル％の GeO2 を含むコアを含むことを特徴とする請
求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 光学素子に付随して、最大予測動作温度
があり、工程ｃ）の間又はその後に、方法は少くとも放
射線に曝されたガラスの一部を、光学素子の最大予測動
作温度より高い温度に加熱することを含むことを特徴と
する請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 光学素子はコアを含む光導波路を含み、
前記コアは導波路に結合された放射線により加熱される
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記加熱工程に続いて、化学作用放射線
で前記酸化物ガラスの少くともある程度の部分を照射す
る工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方
法。 - 【請求項１０】 物品は光通信システムで、光学素子は
プレーナ光導波路であることを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項１１】 光学素子はホログラム又は位相マスク
であることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】 第１の領域（３６）及び第２の領域を
含み、第１の領域のガラスは第２の領域のそれより大き
な規格化屈折率を有する酸化物ガラスを含む基体（たと
えば３７）を含む物品において、 前記ガラスはＯＨ及びＯＤから成るグループから選択さ
れた化学物質を含み、第１領域の少くともその部分中の
前記化学物質の濃度は、第２領域中の化学物質の濃度の
少くとも１０倍あり、第１の領域の少くとも一部中の規
格化屈折率は、第２領域中の規格化屈折率より、少くと
も１０-5だけ大きいことを特徴とする物品。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
| US07/878,802 US5235659A (en) | 1992-05-05 | 1992-05-05 | Method of making an article comprising an optical waveguide |
| US878802 | 1992-05-05 | ||
| US08/010,237 US5287427A (en) | 1992-05-05 | 1993-01-28 | Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component |
| US010237 | 1996-01-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118257A true JPH06118257A (ja) | 1994-04-28 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10335093A Expired - Lifetime JP3727358B2 (ja) | 1992-05-05 | 1993-04-30 | 光学素子を含む物品及びその製造方法 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| DE (1) | DE69315886T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08160240A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シリカ系光部品及びその製造方法 |
| US8547008B2 (en) | 2006-01-12 | 2013-10-01 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Material having laser induced light redirecting features |
| US8629610B2 (en) | 2006-01-12 | 2014-01-14 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Display panel |
Families Citing this family (109)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478371A (en) * | 1992-05-05 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Method for producing photoinduced bragg gratings by irradiating a hydrogenated glass body in a heated state |
| US5699183A (en) * | 1993-02-10 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production |
| DE69408021T2 (de) * | 1993-04-30 | 1998-05-07 | At & T Corp | Verfahren zur Erhöhung des Brechungsindex von Glas |
| US5475780A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-12 | At&T Corp. | Optical waveguiding component comprising a band-pass filter |
| CA2133849C (en) * | 1993-11-12 | 1999-08-17 | Turan Erdogan | Method for making stable optical devices employing radiation-induced index changes |
| US5416863A (en) * | 1993-12-30 | 1995-05-16 | At&T Corp. | Mode-field transforming optical waveguide |
| US5457760A (en) * | 1994-05-06 | 1995-10-10 | At&T Ipm Corp. | Wavelength division optical multiplexing elements |
| AU3529295A (en) * | 1994-09-23 | 1996-04-09 | British Telecommunications Public Limited Company | Planar waveguides |
| CH693368A5 (de) * | 1994-12-09 | 2003-06-30 | Unaxis Balzers Ag | Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters, Lichtleiterbauteil sowie deren Verwendungen. |
| GB2301678B (en) * | 1995-04-28 | 1999-02-24 | Univ Southampton | Optical waveguide device |
| US5903690A (en) * | 1996-07-05 | 1999-05-11 | D-Star Technologies, Inc. | Method for changing the refraction index in germanium silicate glass |
| AU710448B2 (en) * | 1995-07-28 | 1999-09-23 | Nauchny Tsentr Volokonnoi Optiki Pri Institute Obschei Fiziki Rossyskoi Akademii Nauk | Raman fibre-optical laser, bragg fibre-optical grating and method of altering the refractive index in germano-silicate glass |
| US5620495A (en) * | 1995-08-16 | 1997-04-15 | Lucent Technologies Inc. | Formation of gratings in polymer-coated optical fibers |
| US5875272A (en) * | 1995-10-27 | 1999-02-23 | Arroyo Optics, Inc. | Wavelength selective optical devices |
| US5805751A (en) * | 1995-08-29 | 1998-09-08 | Arroyo Optics, Inc. | Wavelength selective optical couplers |
| US6236782B1 (en) | 1995-08-29 | 2001-05-22 | Arroyo Optics, Inc. | Grating assisted coupler devices |
| FR2738353B1 (fr) * | 1995-08-31 | 1997-11-21 | France Telecom | Procede de photosensibilisation d'un guide d'onde optique d'aluminosilicate et guide d'onde obtenu par ce procede |
| JP2832337B2 (ja) * | 1995-11-17 | 1998-12-09 | 工業技術院長 | 回折格子の製造方法 |
| JP2775416B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1998-07-16 | 工業技術院長 | 紫外光照射により体積変化するガラス材料 |
| US5896484A (en) * | 1996-02-15 | 1999-04-20 | Corning Incorporated | Method of making a symmetrical optical waveguide |
| US5949934A (en) * | 1996-04-05 | 1999-09-07 | Fujikura, Ltd. | Optical waveguide grating and production method therefor |
| JP2873937B2 (ja) * | 1996-05-24 | 1999-03-24 | 工業技術院長 | ガラスの光微細加工方法 |
| US5670280A (en) * | 1996-05-30 | 1997-09-23 | Brown University Research Foundation | Optically controlled imaging phase mask element |
| US6246815B1 (en) | 1996-08-12 | 2001-06-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Grating element, light wavelength selection utilizing the same, and optical signal transmitting system |
| US6169830B1 (en) | 1996-08-26 | 2001-01-02 | Arroyo Optics, Inc. | Methods of fabricating grating assisted coupler devices |
| JPH1090546A (ja) | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Toyota Motor Corp | 平面導波路の製造方法及び平面導波路 |
| US6763686B2 (en) * | 1996-10-23 | 2004-07-20 | 3M Innovative Properties Company | Method for selective photosensitization of optical fiber |
| US6311524B1 (en) * | 2000-07-14 | 2001-11-06 | 3M Innovative Properties Company | Accelerated method for increasing the photosensitivity of a glassy material |
| US5745617A (en) * | 1996-12-30 | 1998-04-28 | D-Star Technologies, Llc | Near-ultra-violet formation of refractive-index grating using reflective phase mask |
| CA2276100A1 (en) * | 1996-12-30 | 1998-07-09 | D-Star Technologies, Inc. | Near-ultraviolet formation of refractive-index grating using phase mask |
| JP3270353B2 (ja) * | 1997-03-05 | 2002-04-02 | 日本電気株式会社 | 光導波路の製造方法 |
| TW434193B (en) * | 1997-05-01 | 2001-05-16 | Sumitomo Electric Industries | Method of producing optical fiber grating |
| US6504962B2 (en) | 1997-05-01 | 2003-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for determining an aging condition for an optical waveguide grating and temperature sensor |
| US6292607B1 (en) | 1997-05-01 | 2001-09-18 | Sumitomo Electric Industries | Method for determining an aging condition for an optical waveguide grating and temperature sensor |
| US5901264A (en) * | 1997-06-12 | 1999-05-04 | Fiberguide Industries | Solar resistant optical fiber and method |
| US6233381B1 (en) | 1997-07-25 | 2001-05-15 | Corning Incorporated | Photoinduced grating in oxynitride glass |
| US6549706B2 (en) * | 1997-07-25 | 2003-04-15 | Corning Incorporated | Photoinduced grating in oxynitride glass |
| DE59812989D1 (de) * | 1997-10-31 | 2005-09-15 | Infineon Technologies Ag | Anordnung aus optischen Wellenleitern |
| US6352759B2 (en) * | 1998-08-20 | 2002-03-05 | Physical Optics Corporation | Non-lambertian glass diffuser and method of making |
| US6221566B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-04-24 | Corning Incorporated | Optical waveguide photosensitization |
| KR100322135B1 (ko) * | 1999-03-11 | 2002-02-04 | 윤종용 | 잔류 기계적 스트레스를 최대화하는 광섬유 및 이를 이용한 광섬유 격자 제작방법 |
| US6146713A (en) | 1999-03-25 | 2000-11-14 | Acme Grating Ventures, Llc | Optical transmission systems and apparatuses including Bragg gratings and methods of making |
| US6977137B2 (en) | 1999-07-29 | 2005-12-20 | Corning Incorporated | Direct writing of optical devices in silica-based glass using femtosecond pulse lasers |
| US6573026B1 (en) | 1999-07-29 | 2003-06-03 | Corning Incorporated | Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses |
| US6796148B1 (en) * | 1999-09-30 | 2004-09-28 | Corning Incorporated | Deep UV laser internally induced densification in silica glasses |
| US7167615B1 (en) | 1999-11-05 | 2007-01-23 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same |
| US7103245B2 (en) | 2000-07-10 | 2006-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | High density integrated optical chip |
| WO2002010826A1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | Corning Incorporated | Bulk internal bragg gratings and optical devices |
| US6708741B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-03-23 | Ocean Spray Cranberries, Inc. | Beverage dispenser |
| EP1327170A2 (en) * | 2000-10-20 | 2003-07-16 | Corning Incorporated | Using deuterated source gases to fabricate low loss germanium-doped silicon oxynitride (gesion-sion) waveguides |
| AUPR335301A0 (en) * | 2001-02-26 | 2001-03-22 | University Of Sydney, The | A method of enhancing the photosensitivity of a material |
| US6601411B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-08-05 | Cidra Corporation | Method for annealing an optical waveguide having a bragg grating to accelerate ageing |
| US7469558B2 (en) * | 2001-07-10 | 2008-12-30 | Springworks, Llc | As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture |
| US6832026B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-12-14 | Nufern | Optical fiber having high temperature insensitivity over a temperature range centered on a selected temperature and method of making same |
| EP1293810A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A method of producing optical waveguides in a tellurite glass |
| US7404877B2 (en) * | 2001-11-09 | 2008-07-29 | Springworks, Llc | Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD |
| US6857293B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-02-22 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus for selective photosensitization of optical fiber |
| US6934427B2 (en) * | 2002-03-12 | 2005-08-23 | Enablence Holdings Llc | High density integrated optical chip with low index difference waveguide functions |
| US7268927B2 (en) * | 2002-03-15 | 2007-09-11 | Corning Incorporated | Tunable optical filter array and method of use |
| US6912073B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-06-28 | Corning Incorporated | Optical filter array and method of use |
| US20030175142A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-18 | Vassiliki Milonopoulou | Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications |
| US7378356B2 (en) * | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
| US6884327B2 (en) | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
| US20030179981A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Lnl Technologies,Inc. | Tunable inorganic dielectric microresonators |
| US6904214B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-06-07 | Nufern | Method of providing an optical fiber having a minimum temperature sensitivity at a selected temperature |
| US6950591B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-09-27 | Corning Incorporated | Laser-written cladding for waveguide formations in glass |
| US6947640B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-09-20 | Cidra Corporation | Alignment and imaging system for writing Bragg gratings |
| US8394522B2 (en) * | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
| US8236443B2 (en) * | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US8021778B2 (en) * | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8431264B2 (en) * | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US7993773B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-08-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US8445130B2 (en) * | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
| US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
| US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| WO2004021532A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Symmorphix, Inc. | Optically coupling into highly uniform waveguides |
| AU2003304260A1 (en) * | 2002-11-26 | 2005-01-13 | 3Sae Technologies, Inc. | Hydrogen concentration relocation in optical fiber |
| US7205662B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Symmorphix, Inc. | Dielectric barrier layer films |
| US7689087B2 (en) * | 2003-03-21 | 2010-03-30 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Industry, Through The Communications Research Centre Canada | Method of changing the birefringence of an optical waveguide by laser modification of the cladding |
| US7031571B2 (en) | 2003-03-21 | 2006-04-18 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Industry Through The Communications Research Centre Canada | Bragg grating and method of producing a Bragg grating using an ultrafast laser |
| US7515792B2 (en) * | 2003-03-21 | 2009-04-07 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry, Through The Communications Research Centre Canada | Method of increasing photosensitivity of glasses to ultrafast infrared laser radiation using hydrogen or deuterium |
| CA2436499C (en) * | 2003-03-21 | 2012-04-17 | Her Majesty In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Industry | Bragg grating and method of producing a bragg grating using an ultrafast laser |
| US20040223694A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-11-11 | Dower William V. | Method and apparatus for the photosensitization of optical fiber |
| US7238628B2 (en) * | 2003-05-23 | 2007-07-03 | Symmorphix, Inc. | Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides |
| US8728285B2 (en) * | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
| US20040241556A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | Bellman Robert A. | Mask, mask blank, photosensitive film therefor and fabrication thereof |
| US20040241557A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | Bellman Robert A. | Mask, mask blank, photosensitive material therefor and fabrication thereof |
| US7959769B2 (en) * | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
| CN101931097B (zh) * | 2004-12-08 | 2012-11-21 | 希莫菲克斯公司 | LiCoO2的沉积 |
| US20070253668A1 (en) * | 2004-12-08 | 2007-11-01 | Nanyang Technological University | Method of Producing Germanosilicate with a High Refractive Index Change |
| US7838133B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
| US10400579B2 (en) * | 2006-09-08 | 2019-09-03 | Weatherford Canada Ltd. | Optical device for measuring a physical parameter in a hydrogen contaminated sensing zone |
| US8062708B2 (en) * | 2006-09-29 | 2011-11-22 | Infinite Power Solutions, Inc. | Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates |
| US8197781B2 (en) * | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
| KR20100102180A (ko) * | 2007-12-21 | 2010-09-20 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 |
| US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
| JP5705549B2 (ja) | 2008-01-11 | 2015-04-22 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化 |
| US8350519B2 (en) * | 2008-04-02 | 2013-01-08 | Infinite Power Solutions, Inc | Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting |
| EP2136227B1 (en) | 2008-06-18 | 2015-08-19 | National Research Council of Canada | High temperature stable fiber grating sensor and method for producing same |
| US8272236B2 (en) | 2008-06-18 | 2012-09-25 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Industry, Through The Communications Research Centre Canada | High temperature stable fiber grating sensor and method for producing same |
| US8906523B2 (en) * | 2008-08-11 | 2014-12-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
| EP2332127A4 (en) * | 2008-09-12 | 2011-11-09 | Infinite Power Solutions Inc | ENERGY DEVICE HAVING AN INTEGRATED CONDUCTIVE SURFACE FOR DATA COMMUNICATION VIA ELECTROMAGNETIC ENERGY AND ASSOCIATED METHOD |
| WO2010042594A1 (en) * | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
| EP2433330A4 (en) * | 2009-05-20 | 2016-12-07 | Sapurast Res Llc | METHOD FOR INTEGRATION OF ELECTROCHEMICAL DEVICES IN AND ON ACCESSORIES |
| EP2474056B1 (en) | 2009-09-01 | 2016-05-04 | Sapurast Research LLC | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| JP2013528912A (ja) | 2010-06-07 | 2013-07-11 | インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド | 再充電可能高密度電気化学素子 |
| US10866125B2 (en) | 2016-02-16 | 2020-12-15 | National Research Council Of Canada | Low insertion loss high temperature stable fiber Bragg grating sensor and method for producing same |
| CA2978018A1 (en) | 2016-09-02 | 2018-03-02 | National Research Council Of Canada | Automated system for trans-jacket fiber bragg grating inscription and manufacturing |
| WO2020170047A1 (en) | 2019-02-22 | 2020-08-27 | National Research Council Of Canada | Apparatus, method and system for detecting presence of a fluid |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4406517A (en) * | 1979-01-02 | 1983-09-27 | Corning Glass Works | Optical waveguide having optimal index profile for multicomponent nonlinear glass |
| US4439007A (en) * | 1981-06-09 | 1984-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Low dispersion single mode fiber |
| US4521351A (en) * | 1983-01-27 | 1985-06-04 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing light-transmitting element of synthetic resin |
| JPS59202401A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバおよびその製造方法 |
| JPS59232302A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光伝送用フアイバ |
| WO1986001303A1 (en) * | 1984-08-13 | 1986-02-27 | United Technologies Corporation | Method for impressing grating within fiber optics |
| JPS62152292A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 映像信号記録再生装置 |
| US4893896A (en) * | 1987-07-10 | 1990-01-16 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Energy transmission optical fiber |
| JP3132729B2 (ja) * | 1990-02-23 | 2001-02-05 | 住友電気工業株式会社 | 広帯域高ｎａ光ファイバ |
| US5212757A (en) * | 1991-10-03 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | Fatigue resistant optical fiber |
-
1993
- 1993-01-28 US US08/010,237 patent/US5287427A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-26 DE DE69315886T patent/DE69315886T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-26 EP EP93303236A patent/EP0569182B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-30 JP JP10335093A patent/JP3727358B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08160240A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シリカ系光部品及びその製造方法 |
| US8547008B2 (en) | 2006-01-12 | 2013-10-01 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Material having laser induced light redirecting features |
| US8629610B2 (en) | 2006-01-12 | 2014-01-14 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Display panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE69315886D1 (de) | 1998-02-05 |
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