JPS60246658A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60246658A JPS60246658A JP59103214A JP10321484A JPS60246658A JP S60246658 A JPS60246658 A JP S60246658A JP 59103214 A JP59103214 A JP 59103214A JP 10321484 A JP10321484 A JP 10321484A JP S60246658 A JPS60246658 A JP S60246658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin
- bis
- aminophenoxy
- thermoplastic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/40—Polyamides containing oxygen in the form of ether groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/32—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids from aromatic diamines and aromatic dicarboxylic acids with both amino and carboxylic groups aromatically bound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4846—Connecting portions with multiple bonds on the same bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体チップの表面が良好に保護された半導
体装置、特に、小信号用のＩＣ，パワーダイオード、パ
ワートランジスタ、パワーＩＣ等に利用するのに好適な
半導体装置に関する。
体装置、特に、小信号用のＩＣ，パワーダイオード、パ
ワートランジスタ、パワーＩＣ等に利用するのに好適な
半導体装置に関する。
（従来の技術）
樹脂モールド型の電力用半導体部品の場合１発熱が大き
いため、このストレスでチップが反り。
いため、このストレスでチップが反り。
特性が変わったり、ワイヤが切れたり、基板やケースが
割れたりする重大な不良が多発している。
割れたりする重大な不良が多発している。
また、樹脂封止のため、湿度によるワイヤの腐食も起こ
りやすい。
りやすい。
これらの対策としては、使用する樹脂に７リカ譜、
等の充填剤を添加して低熱膨張飲数型にするか。
又は重合後も軟らかさを保つような添加剤を添加したス
トレス吸収型にする等、批々検討されたが。
トレス吸収型にする等、批々検討されたが。
満足するべきものは未だない。もう一つの対策として、
半導体チップに表面保護膜を設ける方法が折案され、一
般に／リコーン樹脂、エポキシ樹脂。
半導体チップに表面保護膜を設ける方法が折案され、一
般に／リコーン樹脂、エポキシ樹脂。
ポリイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂が検討されて
いる（例えは、特公昭５０−１９４３６号公報参照）。
いる（例えは、特公昭５０−１９４３６号公報参照）。
（発明が解決しようとする問題点）
半導体チップに表面保護膜を設ける場合に、シリコーン
ゴムや／リコーンゲル等の７リコーン樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂を使用す
ると、硬化時にこれらの材料が収縮し、ワイヤを断線さ
せてし寸うという欠点があり、収縮の少ない保護膜の開
発が望プれている。
ゴムや／リコーンゲル等の７リコーン樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂を使用す
ると、硬化時にこれらの材料が収縮し、ワイヤを断線さ
せてし寸うという欠点があり、収縮の少ない保護膜の開
発が望プれている。
従って１本発明は、耐熱性に優れ、硬化時に収縮の小さ
い表面保護膜を有する半導体装置を提供することを目的
とする。
い表面保護膜を有する半導体装置を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、硬化収縮のない耐熱性熱可塑性樹脂を使用し
て前記の問題点を解決したものである。
て前記の問題点を解決したものである。
即ち２本発明は、半導体チップの表面保ａ膜としてガラ
ス転移点が１６０℃以上で、熱分解開始温度が３５０℃
以上の熱可塑性樹脂を用いてなることを特徴とする半導
体装置に関する。
ス転移点が１６０℃以上で、熱分解開始温度が３５０℃
以上の熱可塑性樹脂を用いてなることを特徴とする半導
体装置に関する。
本発明に使用する熱可塑性樹脂は、ガラス転移点が１８
０℃以上で、熱分解開始温度が３９０℃以上であるのが
好ましい。
０℃以上で、熱分解開始温度が３９０℃以上であるのが
好ましい。
本発明に使用する熱可塑性樹脂としては、下記の一般式
ｉｌ＋又は一般式［１１１で表わされる繰り返し単位を
有する樹脂が特に好ましい。
ｉｌ＋又は一般式［１１１で表わされる繰り返し単位を
有する樹脂が特に好ましい。
一般式（Ｉ）
一般式（Ｉｌｌ
１
上記式中、Ｘは結合、 −０−、−８０２−、−Ｃ−。
−Ｃ−０−、−８−、−ＮＨ−Ｃ−、又は５
−Ｃ−（式中、Ｒ５及びＲ６は、同−又は異なってい「
６
てよく、それぞれ水素、低級アルキル基又はハロゲン原
子で置換された低級アルキル基を表わす）を表わし＋Ｒ
１＋几２．Ｒ３及びＲ，４は、同−又は異なっていてよ
く、それぞれ水素、低級アルキル基。
子で置換された低級アルキル基を表わす）を表わし＋Ｒ
１＋几２．Ｒ３及びＲ，４は、同−又は異なっていてよ
く、それぞれ水素、低級アルキル基。
低級アルコキシ基、塩素又は臭素を表わす。更に。
これらの繰り返し単位を適宜１組み合わせて含む樹脂で
あってもよい。
あってもよい。
上記樹脂の具体例としては、下記のものが挙げられる。
３１式：
（式中、几１ ＋ Ｒ４＋ Ｒ３＋几４．Ｒ５及びＲ６
は前記のものヲ表わり、 Ａｒはｐ−フェニレン基、メ
タフェニレン基、ジフェニレンエーテル基、ジフェニレ
ンスルホン基、ジフェニレン基又はナフチレン基を表わ
す）の繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド
、例えば日立化成工業株式会社から「スタウテス」の商
品名で市販されているガラス転移点２３５℃のポリエー
テルアミド。
は前記のものヲ表わり、 Ａｒはｐ−フェニレン基、メ
タフェニレン基、ジフェニレンエーテル基、ジフェニレ
ンスルホン基、ジフェニレン基又はナフチレン基を表わ
す）の繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド
、例えば日立化成工業株式会社から「スタウテス」の商
品名で市販されているガラス転移点２３５℃のポリエー
テルアミド。
５２式。
の繰り返し単位を有するポリカーボネート、例えば帝人
化成株式会社から「パンライト」の商品名で市販されて
いるガラス転移点１６４℃のポリカーボネート。
化成株式会社から「パンライト」の商品名で市販されて
いるガラス転移点１６４℃のポリカーボネート。
Ｃ０式。
の繰り返し単位を有する芳香族ポリエステル、例えばユ
ニチカ株式会社から［Ｕポリマー」の商品名で市販され
ているガラス転移点１９８℃のポリエステル。
ニチカ株式会社から［Ｕポリマー」の商品名で市販され
ているガラス転移点１９８℃のポリエステル。
６１式・
の繰返し単位を有するポリスルホン、例えばＵ、 Ｃ，
０社から「ニーデル」の商品名で市販されているガラス
転移点２１０℃のポリスルホン。
０社から「ニーデル」の商品名で市販されているガラス
転移点２１０℃のポリスルホン。
０１式：
の繰り返し単位を有するポリエーテルスルホン。
例えば１． Ｃ，Ｉ社から「ピクトレックス」の商品名
で市販されているガラス転移点２３８℃のポリスルホン
。
で市販されているガラス転移点２３８℃のポリスルホン
。
１０式
の繰り返し単位を有するポリフェニレンスルフィド、例
えばフィリップス・ペトロリウム社から「ライドン」の
商品名で市販されているガラス転移点１７１℃のポリフ
ェニレンスルフィド。
えばフィリップス・ペトロリウム社から「ライドン」の
商品名で市販されているガラス転移点１７１℃のポリフ
ェニレンスルフィド。
２１式：
の繰り返し単位を有するポリエーテルイミド、例えばＧ
、 Ｅ、社から「ウルテム」の商品名で市販されている
ガラス転移点２３５℃のボリエ゛−チルイミド。
、 Ｅ、社から「ウルテム」の商品名で市販されている
ガラス転移点２３５℃のボリエ゛−チルイミド。
６０式：
の繰り返し単位を有するポリエーテルエーテルケトン、
例えば１． Ｃ，Ｉ社から「ピーク」の商品名で市販さ
れているガラス転移点１７０℃のポリエーテルエーテル
ケトン。
例えば１． Ｃ，Ｉ社から「ピーク」の商品名で市販さ
れているガラス転移点１７０℃のポリエーテルエーテル
ケトン。
これらのうち、芳香族ポリエーテルアミドを用いるのが
、特に好ましい。
、特に好ましい。
本発明に使用する芳香族ポリエーテルアミド樹脂は、芳
香族核を重合体主鎖の主構成成分として含むポリアミド
樹脂であり、主鎖にエーテル結合を含むものである。
香族核を重合体主鎖の主構成成分として含むポリアミド
樹脂であり、主鎖にエーテル結合を含むものである。
芳香族ポリエーテルアミド樹脂旨け、加工性、耐熱性、
可撓性、耐薬品性等に優れているため、これを光伝送用
ガラス繊維の被覆材料として使用しやすく、また、該繊
維に好ましい特性を付与することができる。
可撓性、耐薬品性等に優れているため、これを光伝送用
ガラス繊維の被覆材料として使用しやすく、また、該繊
維に好ましい特性を付与することができる。
上記芳香族ポリニー・チルアミド樹脂としては１例えば
一般式（■）。
一般式（■）。
（ｍｌ
（式中、Ｒ１，几２．Ｒ３及びＲ４は同−又は異なって
いてよく、それぞれ水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、塩素又は臭素を表わし、ＲＩＳ及び馬は同−又
は異なっていてよく、それぞれ水素、低級アルキル基又
はハロゲン原子で置換された低級アルキル基１例えばト
リフルオロメチル基若しくはトリクロロメチル基を表わ
し、Ａｒはフェニレン基。
いてよく、それぞれ水素、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、塩素又は臭素を表わし、ＲＩＳ及び馬は同−又
は異なっていてよく、それぞれ水素、低級アルキル基又
はハロゲン原子で置換された低級アルキル基１例えばト
リフルオロメチル基若しくはトリクロロメチル基を表わ
し、Ａｒはフェニレン基。
ジフェニレン基、酸素架橋若しくはスルホン基で遮断さ
れたジフェニレン基又はナフチレン基を表わす）で示さ
れる繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド樹
脂が好ましい。
れたジフェニレン基又はナフチレン基を表わす）で示さ
れる繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド樹
脂が好ましい。
これらの芳香族ポリエーテルアミド樹脂は１例えば次の
ようにして製造される。
ようにして製造される。
例えば、一般式（■）：
（ｊ／）
（式中、 Ｒ，、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及び山は前記
のものを表わす）で表わされる芳香族ジアミン及び一般
式■）： ＸＯＣ−Ａｒ −ＣＯＸ ｆｉｌ （式中Ｘはハロゲン原子を表わし＋Ａｒは前記のものを
表わす）で表わされる芳香族ジカルボン酸・・ライドを
公知の方法１例えば溶液重合法や特開昭５２−．２３１
９８号公報に開示されている方法によって反応させるこ
とにより製造される。
のものを表わす）で表わされる芳香族ジアミン及び一般
式■）： ＸＯＣ−Ａｒ −ＣＯＸ ｆｉｌ （式中Ｘはハロゲン原子を表わし＋Ａｒは前記のものを
表わす）で表わされる芳香族ジカルボン酸・・ライドを
公知の方法１例えば溶液重合法や特開昭５２−．２３１
９８号公報に開示されている方法によって反応させるこ
とにより製造される。
一般式（ＩＶＩで表わされる芳香族ジアミンとしては。
２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
ジプロパン、λ２−ビス〔３−メチル−４＝（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルジプロパン。
ジプロパン、λ２−ビス〔３−メチル−４＝（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルジプロパン。
４２−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニルジプロパン、２．２−ビス〔３−ブロモー４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパン、λ２
−ビス〔３−エチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルジプロパン、 ２．２−ビス〔３−プロピル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プｏパン、２．
２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルジプロパン、２，２−ビス−〔３−ブチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパン
。
）フェニルジプロパン、２．２−ビス〔３−ブロモー４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパン、λ２
−ビス〔３−エチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルジプロパン、 ２．２−ビス〔３−プロピル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プｏパン、２．
２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルジプロパン、２，２−ビス−〔３−ブチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパン
。
４２−ビス（３−５ｅｃ−ブチ＃−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルジプロパン、λ２−ビス〔３−メト
キシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパ
ン、２．２−ビス〔３−エトキシ−４＝（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルジプロパン。
ェノキシ）フェニルジプロパン、λ２−ビス〔３−メト
キシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルジプロパ
ン、２．２−ビス〔３−エトキシ−４＝（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルジプロパン。
２．２−ビス〔３，５〜ジメチル−４−（４−アミノン
エノキシ）フェニルジプロパン、２．２−ビス［３，５
−ジクロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
フロパン、 ２．２−ビス［：３，５−ジブロモ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕フロパン、２．２
−ビス〔３，５−ジメトキシ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルジプロパン。
エノキシ）フェニルジプロパン、２．２−ビス［３，５
−ジクロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
フロパン、 ２．２−ビス［：３，５−ジブロモ−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕フロパン、２．２
−ビス〔３，５−ジメトキシ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルジプロパン。
ス２−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキン
’）−５−メチルフェニル〕プロパン、１．１−ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，
１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−クロロ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、ｌ１１−ビ
ス〔３−ブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタン、１゜１−ビス〔３−エチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス（３
−プロピル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、１．ｌ−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１゜１−ビス〔
３−ブチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、ｌ１１−ビス［３−ｓｅｃ−ブチルー４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．ｌ−ビス
〔３−メトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタンｌ １＋１−ビス〔３−エトキシ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス
（３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタ／、１．１−ビス〔３，５−ジクロロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１
−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エタン、１．Ｘ−ヒス（３，５−シｌト
キシー４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、１，１−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル−５−メチルフェニル〕エタン、ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コメタン、ビス〔３−クロロ〜４−（４−アミノンエノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−エ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン
、ビス〔３−プロピル−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニルコメタン、ビス〔３−イソプロピル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−ブ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン
、ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メトキシ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−
エトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメ
タン、ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３゜５−ジクロロ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
［３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルコメタン、ビス（３，５−ジメトキシ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス（３−１
０ロー４−（４−アミノフェノキシ）−５−メチルフェ
ニル〕メタン、 １，１，１，３，３．３−へギサフル
オローλ２−ビスＣ４−＜４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−へキサク
ロロ−４２−ビスＣ４−（４−アミノフェノキシ〕フェ
ニル〕プロパン、３，３−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス〔４−（４
−アミノフェノキ７）フェニル〕プロパン。
’）−５−メチルフェニル〕プロパン、１．１−ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，
１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕エタン、１．１−ビス〔３−クロロ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、ｌ１１−ビ
ス〔３−ブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタン、１゜１−ビス〔３−エチル−４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１−ビス（３
−プロピル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、１．ｌ−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１゜１−ビス〔
３−ブチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、ｌ１１−ビス［３−ｓｅｃ−ブチルー４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．ｌ−ビス
〔３−メトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕エタンｌ １＋１−ビス〔３−エトキシ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス
（３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタ／、１．１−ビス〔３，５−ジクロロ−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１．１
−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エタン、１．Ｘ−ヒス（３，５−シｌト
キシー４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、１，１−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル−５−メチルフェニル〕エタン、ビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コメタン、ビス〔３−クロロ〜４−（４−アミノンエノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−エ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン
、ビス〔３−プロピル−４−（４−アミノフェノキシ）
フェニルコメタン、ビス〔３−イソプロピル−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−ブ
チル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン
、ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メトキシ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−
エトキシ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメ
タン、ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３゜５−ジクロロ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
［３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルコメタン、ビス（３，５−ジメトキシ−４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス（３−１
０ロー４−（４−アミノフェノキシ）−５−メチルフェ
ニル〕メタン、 １，１，１，３，３．３−へギサフル
オローλ２−ビスＣ４−＜４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−へキサク
ロロ−４２−ビスＣ４−（４−アミノフェノキシ〕フェ
ニル〕プロパン、３，３−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス〔４−（４
−アミノフェノキ７）フェニル〕プロパン。
１、１．１．３．３．３−ヘキサフルオロ−２，２−ビ
ス〔３゜５−ジメチル−４−（４−アミノンエノキシ）
フェニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−ヘキ
サクロロ−２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４
−アミノフェノキン）フェニル〕プロパ７．３．５−ビ
ス［３，５”−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス（３，５−ジメチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕フロパン
、 １．１．１．３．３．３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス［３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−
ヘキサクロロース２−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン。
ス〔３゜５−ジメチル−４−（４−アミノンエノキシ）
フェニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−ヘキ
サクロロ−２，２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４
−アミノフェノキン）フェニル〕プロパ７．３．５−ビ
ス［３，５”−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス（３，５−ジメチ
ル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕フロパン
、 １．１．１．３．３．３−ヘキサフルオロ−２，２
−ビス［３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、 １．１．１．３．３．３−
ヘキサクロロース２−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン。
３．３−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス〔３，５
−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
フロパン、 ２．２−ヒス（４−（４−７ミノフエノキ
シ）フェニル〕ブタ７．２．２−ビス〔３−メチル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２．２
−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニルコブタン。
ェノキシ）フェニル〕ペンタン、１．１−ビス〔３，５
−ジブロモ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
フロパン、 ２．２−ヒス（４−（４−７ミノフエノキ
シ）フェニル〕ブタ７．２．２−ビス〔３−メチル−４
−（４−アミノフェノキシ）フェニルコブタン、２．２
−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニルコブタン。
２．２−ビス〔３，５−ジブロモ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルコブタン、 １．１．１．３．３．
３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン等がある
。
ェノキシ）フェニルコブタン、 １．１．１．３．３．
３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン等がある
。
本発明に用いられる一般式ｔｖ＋で表わされる芳香族ジ
カルボン酸シバライドとしては、公知のこれに属するも
のの総てが有用である。例えばテレフタル酸ジクロリド
、テレフタル酸ジプロミド、イソフタル酸ジクロリド、
イソフタル酸ジブロミド。
カルボン酸シバライドとしては、公知のこれに属するも
のの総てが有用である。例えばテレフタル酸ジクロリド
、テレフタル酸ジプロミド、イソフタル酸ジクロリド、
イソフタル酸ジブロミド。
ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド−４゜４′
、ジフェニルエーテルジヵルホ゛ン酸ジブロミド−４，
４’、ジフェニルスルホンジカルボン酸シクロ’Ｊト−
４，４’、ジフェニルスルホンジ力ルポ゛ン酸ジブロミ
ド−４，４’ 、ジフェニルジカルボン酸ジクロリド−
４，４’ 、ジフェニルジヵルホ゛ン酸ジブロミド−４
，４’ 、ナフタリンジカルボン酸ジクロリド−１゜５
或いはナフタリンジカルボン酸ジブロミド−１゜５等が
あり、これらの化合物のうちの少なくとも１種が用いら
れる。
、ジフェニルエーテルジヵルホ゛ン酸ジブロミド−４，
４’、ジフェニルスルホンジカルボン酸シクロ’Ｊト−
４，４’、ジフェニルスルホンジ力ルポ゛ン酸ジブロミ
ド−４，４’ 、ジフェニルジカルボン酸ジクロリド−
４，４’ 、ジフェニルジヵルホ゛ン酸ジブロミド−４
，４’ 、ナフタリンジカルボン酸ジクロリド−１゜５
或いはナフタリンジカルボン酸ジブロミド−１゜５等が
あり、これらの化合物のうちの少なくとも１種が用いら
れる。
前記芳香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸ジノ・ライド
の配合割合は、好ましくは前者１当量に対して、後者０
．９〜１．２当量の範囲に設定される。
の配合割合は、好ましくは前者１当量に対して、後者０
．９〜１．２当量の範囲に設定される。
この範囲を外れると、高分子量のものが得られに＜＜、
樹脂状を呈さないオリゴマー程成のものしか得られなく
なる傾向にある。特に好ましくは。
樹脂状を呈さないオリゴマー程成のものしか得られなく
なる傾向にある。特に好ましくは。
前者の芳香族ジアミン１当量に対して後者の芳香族ジカ
ルボン酸シバライドが０．９７〜１．０３当ｊｌの範囲
である。特に１等当景の場合に１分子量が最大の目的芳
香族ポリエーテルアミド樹脂が得られる。
ルボン酸シバライドが０．９７〜１．０３当ｊｌの範囲
である。特に１等当景の場合に１分子量が最大の目的芳
香族ポリエーテルアミド樹脂が得られる。
前記芳香族ジアミンの一部を他の公知の芳香族ジ′アミ
ンで置き換えることができる。その量は。
ンで置き換えることができる。その量は。
合目的的には好ましくけ５０モルチ１％に好ましくは３
０モル％（芳香族ジアミン全量を基準として）を上限と
すべきである。５０モルチを越えると。
０モル％（芳香族ジアミン全量を基準として）を上限と
すべきである。５０モルチを越えると。
特に成形加工性を損うおそれがある。ここに他の芳香族
ジアミンとしては２例えばｍ−フェニレンジアミン、ｐ
−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、４．４’−ジアミノジフエニルエーテル、４．
４’−ジアミノジフェニルスルポン。
ジアミンとしては２例えばｍ−フェニレンジアミン、ｐ
−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニル
メタン、４．４’−ジアミノジフエニルエーテル、４．
４’−ジアミノジフェニルスルポン。
４．４′−ジアミノジフェニルプロパン−２，２、４，
４’−ジアミノジフェニルスルフィド、１．５−ジアミ
ノナフタリン、４．４’−ジアミノジフェニルエタン。
４’−ジアミノジフェニルスルフィド、１．５−ジアミ
ノナフタリン、４．４’−ジアミノジフェニルエタン。
ｍ−）ルイレンジアミン、ｐ−トルイレンジアミン、３
．４’−ジアミノベンズアニリド、１，２−ジアミノナ
フタリン、３．３’−ジクロロ−４，４′−ジアミノジ
フェニル、ベンジジン、４．４’−ジアミノジフェニル
アミン、４．４’−ジアミノジフェニル−Ｎ−メチルア
ミン、４．４’−ジアミノジフェニル−Ｎ−フェニルア
ミン、３．３’−ジアミノジフェニルスルホン、４．４
’−ジアミノジフェニルジエチルシラン。
．４’−ジアミノベンズアニリド、１，２−ジアミノナ
フタリン、３．３’−ジクロロ−４，４′−ジアミノジ
フェニル、ベンジジン、４．４’−ジアミノジフェニル
アミン、４．４’−ジアミノジフェニル−Ｎ−メチルア
ミン、４．４’−ジアミノジフェニル−Ｎ−フェニルア
ミン、３．３’−ジアミノジフェニルスルホン、４．４
’−ジアミノジフェニルジエチルシラン。
４．４′−ジアミノジフェニルシラン等があり、これら
の少なくとも１種が用いられる。
の少なくとも１種が用いられる。
また、公知の脂肪族ジアミン、例えば、ピペラジン、ヘ
キサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチ
レンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレ
ンジアミン、テトラメチレンジアミン、ドデカメチレン
ジアミン、４゜４−ジメチルへブタメチレンジアミン、
３−メチルへブタメチレンジアミン、２．１１−ジアミ
ノドデカン、１．１２−ジアミノオクタデカン等を上記
芳香族ジアミンと併用することもできる。脂肪族ジアミ
ンの併用は、目的芳香族ポリエーテルアミド樹脂の成形
加工性を更に改善するという効果がある。しかし、その
配合量を増すにしたがって耐熱性は次第に低下するので
２本発明の目的を損わないように、その配合量を設定す
べきであり、好ましくは３０モルチ以下、特に好ましく
は１０モルチ以下（全ジアミン量を基準として）の範囲
で併用される。
キサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチ
レンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレ
ンジアミン、テトラメチレンジアミン、ドデカメチレン
ジアミン、４゜４−ジメチルへブタメチレンジアミン、
３−メチルへブタメチレンジアミン、２．１１−ジアミ
ノドデカン、１．１２−ジアミノオクタデカン等を上記
芳香族ジアミンと併用することもできる。脂肪族ジアミ
ンの併用は、目的芳香族ポリエーテルアミド樹脂の成形
加工性を更に改善するという効果がある。しかし、その
配合量を増すにしたがって耐熱性は次第に低下するので
２本発明の目的を損わないように、その配合量を設定す
べきであり、好ましくは３０モルチ以下、特に好ましく
は１０モルチ以下（全ジアミン量を基準として）の範囲
で併用される。
前述の各種ジアミンを併用する場合、全ジアミン成分と
芳香族ジカルボン酸ジ・・ライドとの配合割合は、前述
と全く同じ基準で設定することができる。
芳香族ジカルボン酸ジ・・ライドとの配合割合は、前述
と全く同じ基準で設定することができる。
ジアミンと芳香族ジカルボン酸ジノ・ライドとの反応に
際しては、既に公知のアミンと酸との反応に用いられて
いる方法をそのまま採用することができ、諸条件につい
ても、特に限定されるものではない９例えば界面重縮合
法、溶液重縮合法、溶融重縮合法等によって反応させる
ことができる。
際しては、既に公知のアミンと酸との反応に用いられて
いる方法をそのまま採用することができ、諸条件につい
ても、特に限定されるものではない９例えば界面重縮合
法、溶液重縮合法、溶融重縮合法等によって反応させる
ことができる。
界面重縮合反応に際しては、後述の公知の水溶性中和剤
が用いられる。また、溶液重合法の場合には、トリエチ
ルアミン、ピリジン、トリブチルアミン等の公知の第三
級アミンからなる中和剤を使用する。界面重縮合法及び
溶液重合法においては反応溶液が用いられるが、この溶
媒としては芳香族ジアミン又は芳香族ジカルボン酸ジノ
・ライドのうち、少なくともいずれか一方を、好ましく
は両方を溶解しうるものでなければならない。界面重縮
合法において使用する特に有効な反応溶媒の代表例とし
ては、シクロヘキサノンがある。その他に使用しうる溶
媒を幾つか例示すると、塩化メチレン、トリクレン、パ
ークレン、二塩化エタン。
が用いられる。また、溶液重合法の場合には、トリエチ
ルアミン、ピリジン、トリブチルアミン等の公知の第三
級アミンからなる中和剤を使用する。界面重縮合法及び
溶液重合法においては反応溶液が用いられるが、この溶
媒としては芳香族ジアミン又は芳香族ジカルボン酸ジノ
・ライドのうち、少なくともいずれか一方を、好ましく
は両方を溶解しうるものでなければならない。界面重縮
合法において使用する特に有効な反応溶媒の代表例とし
ては、シクロヘキサノンがある。その他に使用しうる溶
媒を幾つか例示すると、塩化メチレン、トリクレン、パ
ークレン、二塩化エタン。
ニトロベンゼン、クロロホルム、 四塩化炭素、 ジイ
ソブチルケトン、アセトフェノン、ｐ−メチルアセトフ
ェノン等がある。
ソブチルケトン、アセトフェノン、ｐ−メチルアセトフ
ェノン等がある。
溶液重合法に使用する反応溶媒としてはｌＮｌＮ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
、Ｎ−ジエチルホルムアミドｌＮｌＮ−ジエチルアセト
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピリ
ジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド
、テトラメチルスルホン、ジメチルテトラメチルスルホ
ン等が好ましい。
チルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
、Ｎ−ジエチルホルムアミドｌＮｌＮ−ジエチルアセト
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピリ
ジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド
、テトラメチルスルホン、ジメチルテトラメチルスルホ
ン等が好ましい。
反応溶媒は溶解操作を容易にするため等、必要に応じて
２種以上混合して用いることもできる。
２種以上混合して用いることもできる。
また、できるだけ高分子量のものを得たい場合には、芳
香族ジカルボン酸ジ／・ライドを溶解する溶媒として、
より高度に脱水したものを用いるとよい。特に、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミドｌＮｌＮ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピ、 ＩＪトン等の極性溶媒を用
いて溶液重縮合を行う場合、助溶媒として、５〜１０重
量−の塩化リチウム、塩化カルシウム、ロダンカル／ラ
ム等を加えて合成すると、著しく溶解性が増し、好都合
である。
香族ジカルボン酸ジ／・ライドを溶解する溶媒として、
より高度に脱水したものを用いるとよい。特に、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミドｌＮｌＮ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチル−２−ピ、 ＩＪトン等の極性溶媒を用
いて溶液重縮合を行う場合、助溶媒として、５〜１０重
量−の塩化リチウム、塩化カルシウム、ロダンカル／ラ
ム等を加えて合成すると、著しく溶解性が増し、好都合
である。
半導体チップの表面を熱可塑性樹脂で被覆する方法とし
ては、樹脂粉末或いは樹脂小片（フィルム等）をチップ
上に載せた後、加熱、溶融して被覆する方法、又は熱可
塑性樹脂を溶剤に溶解させて得られる溶液を１回又は数
回塗布し、乾燥する方法（溶剤溶液法）等がある。
ては、樹脂粉末或いは樹脂小片（フィルム等）をチップ
上に載せた後、加熱、溶融して被覆する方法、又は熱可
塑性樹脂を溶剤に溶解させて得られる溶液を１回又は数
回塗布し、乾燥する方法（溶剤溶液法）等がある。
溶融被覆する方法では、被覆時に樹脂の溶融温度である
３００℃以上の加熱が必要であるため。
３００℃以上の加熱が必要であるため。
この時にかえってワイヤ断線等を招く恐れがあるので、
被覆法としては溶剤溶液法が好ましい。
被覆法としては溶剤溶液法が好ましい。
溶剤溶液法では、熱可塑性樹脂を２〜５０重量％溶剤に
溶解させて得られる溶液を半導体チップ上にポツティン
グ又はコーティングした後、溶剤を除去するために乾燥
する。
溶解させて得られる溶液を半導体チップ上にポツティン
グ又はコーティングした後、溶剤を除去するために乾燥
する。
表面保護膜としての効果を得るためには、乾燥後の被膜
厚が１〜５０μｍになるようにするのが好ましい。
厚が１〜５０μｍになるようにするのが好ましい。
また、熱可塑性樹脂そのま捷でもＳｉ 、 Ｎｉ 、
Ａ１等の金属に対する接着は充分であるが、更に接着力
を向上させるために、ンランカップリング剤等のカップ
リング剤を添加することも可能であり。
Ａ１等の金属に対する接着は充分であるが、更に接着力
を向上させるために、ンランカップリング剤等のカップ
リング剤を添加することも可能であり。
これらのカップリング剤を添加したものも１本発明の範
囲に含まれるものとする。
囲に含まれるものとする。
（作用）
硬化収縮の小さい樹脂を用いて半導体チップの表面保護
膜を形成することにより、膜形成時の硬化収縮によるワ
イヤ断線を防止することができ。
膜を形成することにより、膜形成時の硬化収縮によるワ
イヤ断線を防止することができ。
また、樹脂が耐熱性であるので、この保護膜は樹脂モー
ルドによるストレスからワイヤや回路を良好に保護する
。
ルドによるストレスからワイヤや回路を良好に保護する
。
（実施例）
以下１本発明を実施例によって説明するが、これらは例
示的なものであり１本発明の範囲を限定するものではな
い。
示的なものであり１本発明の範囲を限定するものではな
い。
実施例１
テレフクル酸ジクロリド５０重ｆｉ％とイソフタル酸ジ
クロリド５０重量％からなる酸クロリド混合物の１０重
量％シクロヘキサノン溶液及び２，２−ビス−（４−（
４−アミノフェノキン）フェニル〕プロパン９０重量％
とジアミノジフェニルエーテル１０重量φからなる芳香
族ジアミン混合物０２０重量俤ンクロヘキサノン溶液を
、酸クロリドと芳香族ジアミンが等モルになるような割
合で。
クロリド５０重量％からなる酸クロリド混合物の１０重
量％シクロヘキサノン溶液及び２，２−ビス−（４−（
４−アミノフェノキン）フェニル〕プロパン９０重量％
とジアミノジフェニルエーテル１０重量φからなる芳香
族ジアミン混合物０２０重量俤ンクロヘキサノン溶液を
、酸クロリドと芳香族ジアミンが等モルになるような割
合で。
１０重量％水酸化す） ＋１ウム水溶液の存在下に混合
して酸クロリドと芳香族ジアミンとを反応させ。
して酸クロリドと芳香族ジアミンとを反応させ。
得られた芳香族ポリエーテルアミド樹脂を単離した。
単離した樹脂を再びジメチルホルムアミドに溶解し、こ
れをメタノール中に投入し、芳香族ポリエーテルアミド
樹脂を単離する精製操作を３回行った。この精製した樹
脂の還元粘度は、ジメチルこの樹脂の５重量％ジメチル
ホルムアミド溶液を第１図に示したパワートランジスタ
素子（斜視図）の半導体チップの表面保護膜に使用した
素子を１００個作製した。
れをメタノール中に投入し、芳香族ポリエーテルアミド
樹脂を単離する精製操作を３回行った。この精製した樹
脂の還元粘度は、ジメチルこの樹脂の５重量％ジメチル
ホルムアミド溶液を第１図に示したパワートランジスタ
素子（斜視図）の半導体チップの表面保護膜に使用した
素子を１００個作製した。
その際、ボッティングにより樹脂溶液を施して塗膜を形
成し、１５０°Ｃで１時間乾燥した。乾燥後の平均膜厚
は５μであった。
成し、１５０°Ｃで１時間乾燥した。乾燥後の平均膜厚
は５μであった。
第１図において、１はリード線、２はアルミニウムワイ
ヤであり、３は半導体チップ、４はプラスチックパッケ
ージ、５け放熱フィン、６はホ゛ンデイングを表わす。
ヤであり、３は半導体チップ、４はプラスチックパッケ
ージ、５け放熱フィン、６はホ゛ンデイングを表わす。
半導体チップ３は表面保護膜７で被覆されている。
これらの素子を一５５℃で１０分、１５０℃で１０分の
ヒートサイクル試験に付したところ。
ヒートサイクル試験に付したところ。
４０００回後の不良率はＯであった。
実施例２
実施例】で製造した芳香族ポリエーテルアミドｍ脂の５
重量％ジメチルホルムアミド溶液を第２図に示したパワ
ートランジスタチップを搭載した・・イブリッドＴＣ．
（断面模式図）の表面保護膜に使用した素子を１００個
作製した。塗膜はポツティングにより形成し，１５０℃
で１時間乾燥した。
重量％ジメチルホルムアミド溶液を第２図に示したパワ
ートランジスタチップを搭載した・・イブリッドＴＣ．
（断面模式図）の表面保護膜に使用した素子を１００個
作製した。塗膜はポツティングにより形成し，１５０℃
で１時間乾燥した。
乾燥後の平均膜厚は７μであった。
第２図において，半導体チップ８ ｉ．、基板９上に設
けられた印刷導体１０上に投信され，それぞれ表面保護
膜１１で保護されている。リード線１２はチップと導体
にボンティングされ，全体力；樹脂１３で封止されてい
る。
けられた印刷導体１０上に投信され，それぞれ表面保護
膜１１で保護されている。リード線１２はチップと導体
にボンティングされ，全体力；樹脂１３で封止されてい
る。
これらの素子を一５５℃で１０分、１５０℃で１０分の
ヒートサイクル試験に付したところ。
ヒートサイクル試験に付したところ。
４０００回後の不良率は０であった。
（発明の効果）
本発明に係る半導体装置は、チップ表面保護膜形成時の
硬化収縮によるワイヤ断線等の初期不良が少ないと同時
に、樹脂モールドによるストレスからワイヤ、回路が充
分に保論されている。また。
硬化収縮によるワイヤ断線等の初期不良が少ないと同時
に、樹脂モールドによるストレスからワイヤ、回路が充
分に保論されている。また。
保護膜に使用した樹脂の耐熱性、可撓性及び低吸湿性か
ら１本発明に係る半導体装置は長期信頼性において優れ
ている。
ら１本発明に係る半導体装置は長期信頼性において優れ
ている。
第１図はパワートランジスタ素子の斜視図、第２図はハ
イブリッドＩＣの断面模式図である。 符号の説明 ３．８・・・半導体チップ４・・・プラスチックパッケ
ージ５・・放熱フィン ７．１１・・・表面保護膜９・
・・基板 第 １ 図 す 夢 ２ 口 ３新宿区 ５新宅区 万東区北 宮栗所内
イブリッドＩＣの断面模式図である。 符号の説明 ３．８・・・半導体チップ４・・・プラスチックパッケ
ージ５・・放熱フィン ７．１１・・・表面保護膜９・
・・基板 第 １ 図 す 夢 ２ 口 ３新宿区 ５新宅区 万東区北 宮栗所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップの表面保護膜としてガラス転移点が１
６０℃以上で、熱分解開始温度が３５０℃以上の熱可塑
性樹脂を用いてなることを特徴とする半導体装置。 ２ 熱可塑性樹脂が芳香族ポリエーテルアミド樹脂であ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、芳香族ポリエーテルアミド樹脂が一般式（式中、
Ｒ＋ 、 Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同−又は異なっていて
よく、それぞれ水素、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、塩素又は臭素を表わし、凡５及び＆は同−又は異な
っていてよく、それぞれ水素、低級アルキル基又はハロ
ゲン原子で置換された低級アルキル基を表わし、Ａｒは
フェニレン基、ジフェニレン基、酸素架橋若しくはスル
ホン基で遮断されたジフェニレン基又はナフチレン基を
表わす）で示される繰り返し単位を有する芳香族ポリエ
ーテルアミド樹脂でちる特許請求の範囲第２項記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103214A JPS60246658A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103214A JPS60246658A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246658A true JPS60246658A (ja) | 1985-12-06 |
Family
ID=14348250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103214A Pending JPS60246658A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246658A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039779A (en) * | 1988-05-28 | 1991-08-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Thermoplastically processible aromatic polyetheramide from 2,2-bis(4'-amino phenoxy phenyl) propane and terephthalic acid |
| JP2000040515A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 二次電池 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59103214A patent/JPS60246658A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039779A (en) * | 1988-05-28 | 1991-08-13 | Hoechst Aktiengesellschaft | Thermoplastically processible aromatic polyetheramide from 2,2-bis(4'-amino phenoxy phenyl) propane and terephthalic acid |
| JP2000040515A (ja) * | 1998-07-22 | 2000-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 二次電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5808386B2 (ja) | ポリイミド、それから形成されるコーティング組成物、およびそれらの使用 | |
| JPH02115265A (ja) | 耐熱性フイルムおよびその積層物 | |
| JP2873815B2 (ja) | シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂組成物 | |
| JPS60246658A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003213130A (ja) | ポリイミド樹脂組成物及び耐熱接着剤 | |
| JP2987820B2 (ja) | ポリイミド多層膜及びその製造方法 | |
| JP6103992B2 (ja) | ポリイミド | |
| JP2003041189A (ja) | ワニスおよび架橋ポリイミド | |
| JP2003145561A (ja) | ポリイミドフィルムの製造法 | |
| JPS62236732A (ja) | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 | |
| JPH0940777A (ja) | ポリイミドシロキサンブロック共重合体、それを含むワニスおよびその使用方法 | |
| JP2754445B2 (ja) | シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂およびその製造方法 | |
| JP2007099842A (ja) | 新規なポリイミド樹脂 | |
| JPS62223228A (ja) | 耐熱性樹脂の製造方法 | |
| JPH09227697A (ja) | ゲルを経由した耐熱性ポリイミドフィルムの製造方法 | |
| JPH07133349A (ja) | ポリイミド共重合体及びその製造方法 | |
| JP2754446B2 (ja) | シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂およびその製造方法 | |
| JPH0812763A (ja) | 新規ポリアミドイミド共重合体、その製造方法、それを含む被膜形成材料およびパターン形成方法 | |
| JPS63199239A (ja) | 新規な溶剤可溶性ポリイミド及びその製造方法 | |
| JP4969941B2 (ja) | ポリイミド組成物、フレキシブル配線板及びフレキシブル配線板の製造方法 | |
| JP2873816B2 (ja) | シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂組成物 | |
| EP0490364B1 (en) | Process for producing polyisoimide | |
| JP2973330B2 (ja) | 導電性樹脂組成物 | |
| JP2002060488A (ja) | ポリアミド酸及びポリイミドの製造方法、並びにこれらを用いて得られた接着テープ | |
| JP2007099843A (ja) | 新規なポリイミド樹脂 |