JPS60246657A - α線照射防止用樹脂膜の形成方法 - Google Patents
α線照射防止用樹脂膜の形成方法Info
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- JPS60246657A JPS60246657A JP59103906A JP10390684A JPS60246657A JP S60246657 A JPS60246657 A JP S60246657A JP 59103906 A JP59103906 A JP 59103906A JP 10390684 A JP10390684 A JP 10390684A JP S60246657 A JPS60246657 A JP S60246657A
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- resin film
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体集租回路装置（ＩＣ）特に半導体メモ
リにおけるα線照射によるいわゆるソフトエラーの発生
を防止するために半導体チップの主面上にα線照射防止
用樹脂膜を形成する方法に関するものである〇 〔従来技術〕 最近、工Ｃの集積度の向上に連れてＩＣチップの回路パ
ターンが微細化され、これに伴ってＩＣチップの回路パ
ターン内に取扱われる電荷量は必然的：（小さくなり、
雑音に対する余裕度が小さくなっている。このだめに、
ＩＣチップを収容するパッケージに含まれている微量の
ウラン（ｎ）、トリウム（Ｔｈ）などの放射性元素から
放射されるα線によってＩＣチップの回路パターン内に
誘起される１！離電荷量が回路パターン内に取扱われる
信号電荷量と同程度になり、−１性の閉動作いわゆるソ
フトエラーが生ずる。このソフトエラーの発生を防止す
るために、ＩＣチップの回路パターンが形成されている
工面部上にα線照射防止用樹脂膜を形成する必要があっ
だこ ＠１図はα線照射防止用樹脂膜の従来の形成方法の一例
を説明するための断面図である。
リにおけるα線照射によるいわゆるソフトエラーの発生
を防止するために半導体チップの主面上にα線照射防止
用樹脂膜を形成する方法に関するものである〇 〔従来技術〕 最近、工Ｃの集積度の向上に連れてＩＣチップの回路パ
ターンが微細化され、これに伴ってＩＣチップの回路パ
ターン内に取扱われる電荷量は必然的：（小さくなり、
雑音に対する余裕度が小さくなっている。このだめに、
ＩＣチップを収容するパッケージに含まれている微量の
ウラン（ｎ）、トリウム（Ｔｈ）などの放射性元素から
放射されるα線によってＩＣチップの回路パターン内に
誘起される１！離電荷量が回路パターン内に取扱われる
信号電荷量と同程度になり、−１性の閉動作いわゆるソ
フトエラーが生ずる。このソフトエラーの発生を防止す
るために、ＩＣチップの回路パターンが形成されている
工面部上にα線照射防止用樹脂膜を形成する必要があっ
だこ ＠１図はα線照射防止用樹脂膜の従来の形成方法の一例
を説明するための断面図である。
まず、ＩＣチップ、半導体メモリチップなどの半導体チ
ップ（１）の主面の周縁部の一部上に形成されたポンデ
ィングパッド（２）以外の部分上にバツシペーンヨン膜
（３）を形成する。次に、ポンディングパッド（２）の
表面上にアルミニウム（ＡＪ）細線または金（Ａｕ）細
線からなるボンディングワイヤ１４１を接続する。しか
るのち、放射性元素が含有されていないように精製され
後工程における熱処理に耐え得る耐熱性を有するポリイ
ミド樹脂剤をパッシベーション膜（３）の表面上に滴下
し、この滴下され７ｈポリイミド樹脂剤＆Ｃよってパッ
シベーション膜１３）の表面と、ポンディングパッド（
２）の表面上およびボンディングワイヤ（４）のポンデ
ィングパッド（２）への接続部分を覆い、キユアリング
を行うと、この従来例の方法によるα線照射防止用樹脂
膜（５）が得られところで、この従来例の方法では、α
線照射防止用樹脂膜（５）がボンディングワイヤ（４）
のポンディングパッド（２）への接続部分を覆っている
ので、α線照射防止用樹脂膜（５）の熱膨張率とパッシ
ベーション膜（２）の熱膨張率との差による応力によっ
てボンディングワイヤ（４）が断線するおそれがあり、
信頼性が悪いという欠点があった。
ップ（１）の主面の周縁部の一部上に形成されたポンデ
ィングパッド（２）以外の部分上にバツシペーンヨン膜
（３）を形成する。次に、ポンディングパッド（２）の
表面上にアルミニウム（ＡＪ）細線または金（Ａｕ）細
線からなるボンディングワイヤ１４１を接続する。しか
るのち、放射性元素が含有されていないように精製され
後工程における熱処理に耐え得る耐熱性を有するポリイ
ミド樹脂剤をパッシベーション膜（３）の表面上に滴下
し、この滴下され７ｈポリイミド樹脂剤＆Ｃよってパッ
シベーション膜１３）の表面と、ポンディングパッド（
２）の表面上およびボンディングワイヤ（４）のポンデ
ィングパッド（２）への接続部分を覆い、キユアリング
を行うと、この従来例の方法によるα線照射防止用樹脂
膜（５）が得られところで、この従来例の方法では、α
線照射防止用樹脂膜（５）がボンディングワイヤ（４）
のポンディングパッド（２）への接続部分を覆っている
ので、α線照射防止用樹脂膜（５）の熱膨張率とパッシ
ベーション膜（２）の熱膨張率との差による応力によっ
てボンディングワイヤ（４）が断線するおそれがあり、
信頼性が悪いという欠点があった。
そこで、このような欠点を除去するために、ボンディン
グワイヤのポンディングパッドへの接続部分を覆うこと
なく、半導体チップの主面部に形成されている回路パタ
ーンのソフトエラーが生ずる部分に対応するパッシベー
ション膜の部分の表面上を覆うようにα線照射防止用樹
脂膜を形成する方法が先行技術によって開発されている
０第２図はα線照射防止用樹脂膜の先行技術による形成
方法を説明するだめの断面図である。
グワイヤのポンディングパッドへの接続部分を覆うこと
なく、半導体チップの主面部に形成されている回路パタ
ーンのソフトエラーが生ずる部分に対応するパッシベー
ション膜の部分の表面上を覆うようにα線照射防止用樹
脂膜を形成する方法が先行技術によって開発されている
０第２図はα線照射防止用樹脂膜の先行技術による形成
方法を説明するだめの断面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示す。
を示す。
まず、第１図に示した従来例の方法におけるα線照射防
止用樹脂膜（５）を形成する以前の状態と同様の状態に
形成したのちに、パッシベーション膜（３）の表面上、
ポンディングパッド（２）の表面上およびボンディング
ワイヤ（４）のポンディングパッド（２）への接続部分
ＦＫわたって、スピンナーｆｌトの塗布装置（好示せず
）を用いて、ポリイミド樹脂膜を形成する。次いで、こ
のポリイミド樹脂膜にフォトレジスト膜とヒドラジン溶
液とを用いる通常のフォトリングラフィ処理を施して、
上記ポリイミド樹脂膜の半導体チップ（１）の工面部に
形成されている回路パターン（図示せず）のソフトエラ
ーが生ずる部分に対応する部分をパッシベーション膜（
３）の表面上に残すと、この先行技術の方法によるα線
照射防止用樹脂膜（５ａ）が得られる。
止用樹脂膜（５）を形成する以前の状態と同様の状態に
形成したのちに、パッシベーション膜（３）の表面上、
ポンディングパッド（２）の表面上およびボンディング
ワイヤ（４）のポンディングパッド（２）への接続部分
ＦＫわたって、スピンナーｆｌトの塗布装置（好示せず
）を用いて、ポリイミド樹脂膜を形成する。次いで、こ
のポリイミド樹脂膜にフォトレジスト膜とヒドラジン溶
液とを用いる通常のフォトリングラフィ処理を施して、
上記ポリイミド樹脂膜の半導体チップ（１）の工面部に
形成されている回路パターン（図示せず）のソフトエラ
ーが生ずる部分に対応する部分をパッシベーション膜（
３）の表面上に残すと、この先行技術の方法によるα線
照射防止用樹脂膜（５ａ）が得られる。
ところが、この先行技術の方法では、α線照射防止用樹
脂１１ｉ（５ａ）がヒドラジン溶液を用いるフォトリン
グラフィ処理によって形成されるので、α線照射防止用
樹脂膜（５ａ）の膜厚が厚い程、サイドエツチングくよ
ってα線照射防止用樹脂膜（５ａ）のパターン精度をよ
くすることがむずかしく、α線照射防止用樹脂膜（５ａ
）の膜厚は高々３０μｍ程度が実際上の限度であった。
脂１１ｉ（５ａ）がヒドラジン溶液を用いるフォトリン
グラフィ処理によって形成されるので、α線照射防止用
樹脂膜（５ａ）の膜厚が厚い程、サイドエツチングくよ
ってα線照射防止用樹脂膜（５ａ）のパターン精度をよ
くすることがむずかしく、α線照射防止用樹脂膜（５ａ
）の膜厚は高々３０μｍ程度が実際上の限度であった。
一方、α線照射防止用樹脂膜（５ａ）の膜厚を厚くする
程α線照射防止効果が大きくなるので、α線の照射によ
るソフトエラーの発生を防止するＫは、α線照射防止用
樹脂膜（５ａ）の膜厚は５０〜７０μｍ程度であること
が望ましい０ 〔発明の概要〕 この発明は、上述の問題点を除去するため和なされたも
ので、半導体チップの主面上に形成されたパッシベーシ
ョン膜の半導体チップの工面部に形成されている回路パ
ターンのα線の照射によるソフトエラーが生ずる部分上
の部分の表面上に低温でのパッシベーション膜への拡散
係数が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい金属薄膜を
形成し、この金属薄膜の表面上に放射性元素が含有され
ていないように精製され所要の粘性を有する樹脂剤を滴
下して金属薄膜の表面上を覆いキユアリングを行うこと
によって、α線の照射によるソフトエラーの発生を防止
することが可能な膜厚を有するα線照射防止用樹脂膜を
形成する方法を提供するものである。
程α線照射防止効果が大きくなるので、α線の照射によ
るソフトエラーの発生を防止するＫは、α線照射防止用
樹脂膜（５ａ）の膜厚は５０〜７０μｍ程度であること
が望ましい０ 〔発明の概要〕 この発明は、上述の問題点を除去するため和なされたも
ので、半導体チップの主面上に形成されたパッシベーシ
ョン膜の半導体チップの工面部に形成されている回路パ
ターンのα線の照射によるソフトエラーが生ずる部分上
の部分の表面上に低温でのパッシベーション膜への拡散
係数が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい金属薄膜を
形成し、この金属薄膜の表面上に放射性元素が含有され
ていないように精製され所要の粘性を有する樹脂剤を滴
下して金属薄膜の表面上を覆いキユアリングを行うこと
によって、α線の照射によるソフトエラーの発生を防止
することが可能な膜厚を有するα線照射防止用樹脂膜を
形成する方法を提供するものである。
第３図はこの発明によるα線照射防止用樹脂膜の形成方
法の一実施例を説明するための断面図である。
法の一実施例を説明するための断面図である。
図において、第１図および第２因に示した符号と同一符
号は同等部分を示す。
号は同等部分を示す。
オす、第１図に示した従来例の方法におけるα線照射防
止用樹脂膜（５）を形成する以前の状態と同様の状態に
形成したのちに、パッシベーション膜（２）の表面上に
低温でのパッシベーション膜（２）への拡散係数が小さ
くしかも樹脂膜との接着性のよいチタン、チタンタング
ステンなどの高融点金属からなる金属薄膜をスパッタリ
ング方法などＫよって形成する。次いで、この金属薄膜
にフォトレジスト膜とこの金属薄膜をエツチング可能な
薬液とを用いる通常のフォトリソグラフィ処理を施し、
半導体チップ（１）の工面部に形成されている回路パタ
ーン（図示せず）のソフトエラーが生ずる部分に対応す
る上記金属薄膜の部分をパッシベーション膜（３）の表
面、Ｆに残して金属薄膜（６）とする。しかるのち、放
射性元素が含有されていないように精製され５０００Ｃ
ｐ日程度の粘性を有するポリイミド樹、賭剤を金属Ｍ膜
（６）の表面上に滴下し、この滴下されたポリイミド樹
脂剤によって金属薄膜（６）の表面上を覆い、キユアリ
ングを行うと、この実施例の方法によるα線照射防止用
樹脂膜（５ｂ）が得られる。
止用樹脂膜（５）を形成する以前の状態と同様の状態に
形成したのちに、パッシベーション膜（２）の表面上に
低温でのパッシベーション膜（２）への拡散係数が小さ
くしかも樹脂膜との接着性のよいチタン、チタンタング
ステンなどの高融点金属からなる金属薄膜をスパッタリ
ング方法などＫよって形成する。次いで、この金属薄膜
にフォトレジスト膜とこの金属薄膜をエツチング可能な
薬液とを用いる通常のフォトリソグラフィ処理を施し、
半導体チップ（１）の工面部に形成されている回路パタ
ーン（図示せず）のソフトエラーが生ずる部分に対応す
る上記金属薄膜の部分をパッシベーション膜（３）の表
面、Ｆに残して金属薄膜（６）とする。しかるのち、放
射性元素が含有されていないように精製され５０００Ｃ
ｐ日程度の粘性を有するポリイミド樹、賭剤を金属Ｍ膜
（６）の表面上に滴下し、この滴下されたポリイミド樹
脂剤によって金属薄膜（６）の表面上を覆い、キユアリ
ングを行うと、この実施例の方法によるα線照射防止用
樹脂膜（５ｂ）が得られる。
この実施例の方法では、金属薄膜（６）の膜厚を薄くす
ることができるので、金Ｆｌｉ薄膜（６）のパターン精
度をよくすることができる。しかも、α線照射防止用樹
脂膜（５ｂ）を形成するポリイミド樹脂剤が５０００
ｃｐｓ Ｓ度の粘性を有し金属薄膜（６）との接着性が
よいので、金属薄膜（６）の表面上に滴下されたポリイ
ミド樹脂剤の厚さを５０μｍ以上の厚さ圧しても、金属
薄膜（６）の表面上からはみ出し、てボンディングワイ
ヤ（４）のポンディングパッド（２）への接続部分を覆
うようなことがηい０従って、α線照射防止用樹脂膜（
５ｂ）の膜、味をα線の照射によるソフトエラーの発生
を防止することが可能な５０〜７０μｍ程度にすること
ができ、従来例のようなボンディングワイヤ（４）の断
線が発生するおそれがなく、信頼性をよくすることがで
きるｏしかも、金属薄膜（６）が低温でのパッシベーシ
ョン膜（２）への拡散係数の小さい編融点金属で構成さ
れているので、全滅薄膜（６）の形成によって・（ノシ
ベーション膜（２）の性能の劣化はほとんどない。
ることができるので、金Ｆｌｉ薄膜（６）のパターン精
度をよくすることができる。しかも、α線照射防止用樹
脂膜（５ｂ）を形成するポリイミド樹脂剤が５０００
ｃｐｓ Ｓ度の粘性を有し金属薄膜（６）との接着性が
よいので、金属薄膜（６）の表面上に滴下されたポリイ
ミド樹脂剤の厚さを５０μｍ以上の厚さ圧しても、金属
薄膜（６）の表面上からはみ出し、てボンディングワイ
ヤ（４）のポンディングパッド（２）への接続部分を覆
うようなことがηい０従って、α線照射防止用樹脂膜（
５ｂ）の膜、味をα線の照射によるソフトエラーの発生
を防止することが可能な５０〜７０μｍ程度にすること
ができ、従来例のようなボンディングワイヤ（４）の断
線が発生するおそれがなく、信頼性をよくすることがで
きるｏしかも、金属薄膜（６）が低温でのパッシベーシ
ョン膜（２）への拡散係数の小さい編融点金属で構成さ
れているので、全滅薄膜（６）の形成によって・（ノシ
ベーション膜（２）の性能の劣化はほとんどない。
なお、この実施例では、α線照射防止用樹脂膜（５ｂ）
をポリイミド樹脂で構成したが、ツ・ずしもこれはポリ
イミド便、脂に限定する必貿けなく、放射性元素が含有
されていないように精製され所要の粘性を有するその他
の樹脂であってもよい。
をポリイミド樹脂で構成したが、ツ・ずしもこれはポリ
イミド便、脂に限定する必貿けなく、放射性元素が含有
されていないように精製され所要の粘性を有するその他
の樹脂であってもよい。
また、この実施例では、金属薄膜（６）γ高融点金属で
構成したが、必ずしもこれは高融点金属である必要はな
く、低温でのパッシベーション膜への拡散係数が小さく
、かつ樹脂膜との接着性のよいその他の金属であっても
よい０ 〔発明の効果〕 以上、説明したように、この発明のα線照射防止用樹脂
膜の形成力法では、半導体チタンの主面上に形成された
パッシベーション膜の半導体チップの工面部に形成され
ている回路ノくターンのα線の照射によるソフトエラー
が生ずる部分上の部分の表面上に低温でのパッシベーシ
ョン膜への拡散係数が小さくしかも樹脂膜との接着性の
よい金属薄膜を形成し、この金属薄膜の表面上に所要の
粘性を有する樹脂剤を滴下して金属薄膜の表面上を覆い
キユアリングを行うので、金属薄膜の膜厚を薄くするこ
とが可能となり、金部薄膜のノくターン精度をよくする
ことができる。しかも、樹脂剤の粘性によって樹脂剤の
厚さを厚くしても金属薄膜の表面上からはみ出すことな
く、α線の照射によるソフトエラーの発生を防止するこ
とが可能な膜厚を有するα線照射防止用樹脂膜を形成す
ることができる０さらに、金属薄膜の低温でのノくツシ
ベーション膜への拡散係数が小さいので、金属薄膜の形
成によってパツシベーシヨン層の性能の劣化はほとんど
ない０
構成したが、必ずしもこれは高融点金属である必要はな
く、低温でのパッシベーション膜への拡散係数が小さく
、かつ樹脂膜との接着性のよいその他の金属であっても
よい０ 〔発明の効果〕 以上、説明したように、この発明のα線照射防止用樹脂
膜の形成力法では、半導体チタンの主面上に形成された
パッシベーション膜の半導体チップの工面部に形成され
ている回路ノくターンのα線の照射によるソフトエラー
が生ずる部分上の部分の表面上に低温でのパッシベーシ
ョン膜への拡散係数が小さくしかも樹脂膜との接着性の
よい金属薄膜を形成し、この金属薄膜の表面上に所要の
粘性を有する樹脂剤を滴下して金属薄膜の表面上を覆い
キユアリングを行うので、金属薄膜の膜厚を薄くするこ
とが可能となり、金部薄膜のノくターン精度をよくする
ことができる。しかも、樹脂剤の粘性によって樹脂剤の
厚さを厚くしても金属薄膜の表面上からはみ出すことな
く、α線の照射によるソフトエラーの発生を防止するこ
とが可能な膜厚を有するα線照射防止用樹脂膜を形成す
ることができる０さらに、金属薄膜の低温でのノくツシ
ベーション膜への拡散係数が小さいので、金属薄膜の形
成によってパツシベーシヨン層の性能の劣化はほとんど
ない０
第１図はα線照射防止用樹脂膜の従来の形成方法の一例
を説明するだめの断面図、第２図はα線照射防正用樹脂
嘆の先行技術による形成方法を説明するための断面図、
ｐ？、３図（はこの発明によるα線照射防止用樹脂膜の
形成方法の一実施例を説明するだめの断面Ｍである。 図において、（１）は半導体チップ、（３）はパツシベ
ー／ヨン膜、（５ｂ）はα線照射防止用樹脂膜、（６）
は金属薄膜である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相部部分を示
す。 代理人 大岩増雄 第１図 第３図
を説明するだめの断面図、第２図はα線照射防正用樹脂
嘆の先行技術による形成方法を説明するための断面図、
ｐ？、３図（はこの発明によるα線照射防止用樹脂膜の
形成方法の一実施例を説明するだめの断面Ｍである。 図において、（１）は半導体チップ、（３）はパツシベ
ー／ヨン膜、（５ｂ）はα線照射防止用樹脂膜、（６）
は金属薄膜である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相部部分を示
す。 代理人 大岩増雄 第１図 第３図
Claims (3)
- （１）半導体チップの主面上に形成されたパッシベーシ
ョン膜の上記半導体チップの主面部に形成されている回
路パターンのα線の照射によるソフトエラーが生ずる部
分上の部分の表面上に低温での上記パッシベーション膜
への拡散係数が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい金
Ｍ薄膜を形成する工程、およびこの金属薄膜の表面上に
放射性元素が含有されていないように精製され所要の粘
性を有する樹脂剤を滴下して上記金属薄膜の表面上を徨
いキユアリングを行う工程を備えたα線照射防止用樹脂
膜の形成方法０ - （２）金属薄膜が高融点金属薄膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のα線照射防止用樹脂膜の
形成方法。 - （３） 樹脂剤がポリイミド樹脂剤であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項または第２項記載のα線照射
防止用樹脂膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103906A JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103906A JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246657A true JPS60246657A (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0318739B2 JPH0318739B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=14366466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103906A Granted JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246657A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59103906A patent/JPS60246657A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318739B2 (ja) | 1991-03-13 |
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