JPH0318739B2 - - Google Patents
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- JPH0318739B2 JPH0318739B2 JP59103906A JP10390684A JPH0318739B2 JP H0318739 B2 JPH0318739 B2 JP H0318739B2 JP 59103906 A JP59103906 A JP 59103906A JP 10390684 A JP10390684 A JP 10390684A JP H0318739 B2 JPH0318739 B2 JP H0318739B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体集積回路装置（IC）特に半
導体メモリにおけるα線照射によるいわゆるソフ
トエラーの発生を防止するために半導体チツプの
主面上にα線照射防止用樹脂膜を形成する方法に
関するものである。
導体メモリにおけるα線照射によるいわゆるソフ
トエラーの発生を防止するために半導体チツプの
主面上にα線照射防止用樹脂膜を形成する方法に
関するものである。
最近、ICの集積度の向上に連れてICチツプの
回路パターンが微細化され、これに伴つてICチ
ツプの回路パターン内に取扱われる電荷量は必然
的に小さくなり、雑音に対する余裕度が小さくな
つている。このために、ICチツプを収容するパ
ツケージに含まれている微量のウラン（Ｕ）、ト
リウム（Th）などの放射性元素から放射される
α線によつてICチツプの回路パターン内に誘起
される電離電荷量が回路パターン内に取扱われる
信号電荷量と同程度になり、一過性の誤動作いわ
ゆるソフトエラーが生ずる。このソフトエラーの
発生を防止するために、ICチツプの回路パター
ンが形成されている主面部上にα線照射防止用樹
脂膜を形成する必要があつた。
回路パターンが微細化され、これに伴つてICチ
ツプの回路パターン内に取扱われる電荷量は必然
的に小さくなり、雑音に対する余裕度が小さくな
つている。このために、ICチツプを収容するパ
ツケージに含まれている微量のウラン（Ｕ）、ト
リウム（Th）などの放射性元素から放射される
α線によつてICチツプの回路パターン内に誘起
される電離電荷量が回路パターン内に取扱われる
信号電荷量と同程度になり、一過性の誤動作いわ
ゆるソフトエラーが生ずる。このソフトエラーの
発生を防止するために、ICチツプの回路パター
ンが形成されている主面部上にα線照射防止用樹
脂膜を形成する必要があつた。
第１図はα線照射防止用樹脂膜の従来の形成方
法の一例を説明するための断面図である。
法の一例を説明するための断面図である。
まず、ICチツプ、半導体メモリチツプなどの
半導体チツプ１の主面の周縁部の一部上に形成さ
れたボンデイングパツド２以外の部分上にパツシ
ベーシヨン膜３を形成する。次に、ボンデイング
パツド２の表面上にアルミニウム（Al）細線ま
たは金（Au）細線からなるボンデイングワイヤ
４を接続する。しかるのち、放射性元素が含有さ
れていないように精製され後工程における熱処理
に耐え得る耐熱性を有するポリイミド樹脂剤をパ
ツシベーシヨン膜３の表面上に滴下し、この滴下
されたポリイミド樹脂剤によつてパツシベーシヨ
ン膜３の表面上、ボンデイングパツド２の表面上
およびボンデイングワイヤ４のボンデイングパツ
ド２への接続部分を覆い、キユアリングを行う
と、この従来例の方法によるα線照射防止用樹脂
膜５が得られる。
半導体チツプ１の主面の周縁部の一部上に形成さ
れたボンデイングパツド２以外の部分上にパツシ
ベーシヨン膜３を形成する。次に、ボンデイング
パツド２の表面上にアルミニウム（Al）細線ま
たは金（Au）細線からなるボンデイングワイヤ
４を接続する。しかるのち、放射性元素が含有さ
れていないように精製され後工程における熱処理
に耐え得る耐熱性を有するポリイミド樹脂剤をパ
ツシベーシヨン膜３の表面上に滴下し、この滴下
されたポリイミド樹脂剤によつてパツシベーシヨ
ン膜３の表面上、ボンデイングパツド２の表面上
およびボンデイングワイヤ４のボンデイングパツ
ド２への接続部分を覆い、キユアリングを行う
と、この従来例の方法によるα線照射防止用樹脂
膜５が得られる。
ところで、この従来例の方法では、α線照射防
止用樹脂膜５がボンデイングワイヤ４のボンデイ
ングパツド２への接続部分を覆つているので、α
線照射防止用樹脂膜５の熱膨張率とパツシベーシ
ヨン膜２の熱膨張率との差による応力によつてボ
ンデイングワイヤ４が断線するおそれがあり、信
頼性が悪いという欠点があつた。
止用樹脂膜５がボンデイングワイヤ４のボンデイ
ングパツド２への接続部分を覆つているので、α
線照射防止用樹脂膜５の熱膨張率とパツシベーシ
ヨン膜２の熱膨張率との差による応力によつてボ
ンデイングワイヤ４が断線するおそれがあり、信
頼性が悪いという欠点があつた。
そこで、このような欠点を除去するために、ボ
ンデイングワイヤのボンデイングパツドへの接続
部分を覆うことなく、半導体チツプの主面部に形
成されている回路パターンのソフトエラーが生ず
る部分に対応するパツシベーシヨン膜の部分の表
面上を覆うようにα線照射防止用樹脂膜を形成す
る方法が先行技術によつて開発されている。
ンデイングワイヤのボンデイングパツドへの接続
部分を覆うことなく、半導体チツプの主面部に形
成されている回路パターンのソフトエラーが生ず
る部分に対応するパツシベーシヨン膜の部分の表
面上を覆うようにα線照射防止用樹脂膜を形成す
る方法が先行技術によつて開発されている。
第２図はα線照射防止用樹脂膜の先行技術によ
る形成方法を説明するための断面図である。
る形成方法を説明するための断面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は
同等部分を示す。
同等部分を示す。
まず、第１図に示した従来例の方法におけるα
線照射防止用樹脂膜５を形成する以前の状態と同
様の状態に形成したのちに、パツシベーシヨン膜
３の表面上、ボンデイングパツド２の表面上およ
びボンデイングワイヤ４のボンデイングパツド２
への接続部分上にわたつて、スピンナーなどの塗
布装置（図示せず）を用いて、ポリイミド樹脂膜
を形成する。次いで、このポリイミド樹脂膜にフ
オトレジスト膜とヒドラジン溶液とを用いる通常
のフオトリソグラフイ処理を施して、上記ポリイ
ミド樹脂膜の半導体チツプ１の主面部に形成され
ている回路パターン（図示せず）のソフトエラー
が生ずる部分に対応する部分をパツシベーシヨン
膜３の表面上に残すと、この先行技術の方法によ
るα線照射防止用樹脂膜５ａが得られる。
線照射防止用樹脂膜５を形成する以前の状態と同
様の状態に形成したのちに、パツシベーシヨン膜
３の表面上、ボンデイングパツド２の表面上およ
びボンデイングワイヤ４のボンデイングパツド２
への接続部分上にわたつて、スピンナーなどの塗
布装置（図示せず）を用いて、ポリイミド樹脂膜
を形成する。次いで、このポリイミド樹脂膜にフ
オトレジスト膜とヒドラジン溶液とを用いる通常
のフオトリソグラフイ処理を施して、上記ポリイ
ミド樹脂膜の半導体チツプ１の主面部に形成され
ている回路パターン（図示せず）のソフトエラー
が生ずる部分に対応する部分をパツシベーシヨン
膜３の表面上に残すと、この先行技術の方法によ
るα線照射防止用樹脂膜５ａが得られる。
ところが、この先行技術の方法では、α線照射
防止用樹脂膜５ａがヒドラジン溶液を用いるフオ
トリソグラフイ処理によつて形成されるので、α
線照射防止用樹脂膜５ａの膜厚が厚い程、サイド
エツチングによつてα線照射防止用樹脂膜５ａの
パターン精度をよくすることがむずかしく、α線
照射防止用樹脂膜５ａの膜厚は高々30μｍ程度が
実際上の限度であつた。一方、α線照射防止用樹
脂膜５ａの膜厚を厚くする程α線照射防止効果が
大きくなるので、α線の照射によるソフトエラー
の発生を防止するには、α線照射防止用樹脂膜５
ａの膜厚は50〜70μｍ程度であることが望まし
い。
防止用樹脂膜５ａがヒドラジン溶液を用いるフオ
トリソグラフイ処理によつて形成されるので、α
線照射防止用樹脂膜５ａの膜厚が厚い程、サイド
エツチングによつてα線照射防止用樹脂膜５ａの
パターン精度をよくすることがむずかしく、α線
照射防止用樹脂膜５ａの膜厚は高々30μｍ程度が
実際上の限度であつた。一方、α線照射防止用樹
脂膜５ａの膜厚を厚くする程α線照射防止効果が
大きくなるので、α線の照射によるソフトエラー
の発生を防止するには、α線照射防止用樹脂膜５
ａの膜厚は50〜70μｍ程度であることが望まし
い。
この発明は、上述の問題点を除去するためにな
されたもので、ボンデイングパツドが形成された
部分を除く半導体チツプの主面上に形成されたパ
ツシベーシヨン膜の半導体チツプの主面部に形成
されている回路パターンのα線の照射によるソフ
トエラーが生ずる部分上の部分の表面上に低温で
のパツシベーシヨン膜への拡散係数が小さくしか
も樹脂膜との接着性のよい金属薄膜を形成し、こ
の金属薄膜の表面上に放射性元素が含有されてい
ないように精製され所要の粘性を有する樹脂剤を
滴下して金属薄膜の表面上を覆いキユアリングを
行うことによつて、α線の照射によるソフトエラ
ーの発生を防止することが可能な膜厚を有するα
線照射防止用樹脂膜を形成する方法を提供するも
のである。
されたもので、ボンデイングパツドが形成された
部分を除く半導体チツプの主面上に形成されたパ
ツシベーシヨン膜の半導体チツプの主面部に形成
されている回路パターンのα線の照射によるソフ
トエラーが生ずる部分上の部分の表面上に低温で
のパツシベーシヨン膜への拡散係数が小さくしか
も樹脂膜との接着性のよい金属薄膜を形成し、こ
の金属薄膜の表面上に放射性元素が含有されてい
ないように精製され所要の粘性を有する樹脂剤を
滴下して金属薄膜の表面上を覆いキユアリングを
行うことによつて、α線の照射によるソフトエラ
ーの発生を防止することが可能な膜厚を有するα
線照射防止用樹脂膜を形成する方法を提供するも
のである。
第３図はこの発明によるα線照射防止用樹脂膜
の形成方法の一実施例を説明するための断面図で
ある。
の形成方法の一実施例を説明するための断面図で
ある。
図において、第１図および第２図に示した符号
と同一符号は同等部分を示す。
と同一符号は同等部分を示す。
まず、第１図に示した従来例の方法におけるα
線照射防止用樹脂膜５を形成する以前の状態と同
様の状態に形成したのちに、パツシベーシヨン膜
２の表面上に低温でのパツシベーシヨン膜２への
拡散係数が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい
チタン、チタンタングステンなどの高融点金属か
らなる金属薄膜をスパツタリング方法などによつ
て形成する。次いで、この金属薄膜にフオトレジ
スト膜とこの金属薄膜をエツチング可能な薬液と
を用いる通常のフオトソリグラフイ処理を施し、
半導体チツプ１の主面部に形成されている回路パ
ターン（図示せず）のソフトエラーが生ずる部分
に対応する上記金属薄膜の部分をパツシベーシヨ
ン膜３の表面上に残して金属薄膜６とする。しか
るのち、放射性元素が含有されていないように精
製され5000cps程度の粘性を有するポリイミド樹
脂剤を金属薄膜６の表面上に滴下し、この滴下さ
れたポリイミド樹脂剤によつて金属薄膜６の表面
上を覆い、キユアリングを行うと、この実施例の
方によるα線照射防止用樹脂膜５ｂが得られる。
線照射防止用樹脂膜５を形成する以前の状態と同
様の状態に形成したのちに、パツシベーシヨン膜
２の表面上に低温でのパツシベーシヨン膜２への
拡散係数が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい
チタン、チタンタングステンなどの高融点金属か
らなる金属薄膜をスパツタリング方法などによつ
て形成する。次いで、この金属薄膜にフオトレジ
スト膜とこの金属薄膜をエツチング可能な薬液と
を用いる通常のフオトソリグラフイ処理を施し、
半導体チツプ１の主面部に形成されている回路パ
ターン（図示せず）のソフトエラーが生ずる部分
に対応する上記金属薄膜の部分をパツシベーシヨ
ン膜３の表面上に残して金属薄膜６とする。しか
るのち、放射性元素が含有されていないように精
製され5000cps程度の粘性を有するポリイミド樹
脂剤を金属薄膜６の表面上に滴下し、この滴下さ
れたポリイミド樹脂剤によつて金属薄膜６の表面
上を覆い、キユアリングを行うと、この実施例の
方によるα線照射防止用樹脂膜５ｂが得られる。
この実施例の方法では、金属薄膜６の膜厚を薄
くすることができるので、金属薄膜６のパターン
精度をよくすることができる。しかも、α線照射
防止用樹脂膜５ｂを形成するポリイミド樹脂剤が
5000cps程度の粘性を有し金属薄膜６との接着性
がよいので、金属薄膜６の表面上に滴下されたポ
リイミド樹脂剤の厚さを50μｍ以上の厚さにして
も、金属薄膜６の表面上からはみ出してボンデイ
ングワイヤ４のボンデイングパツド２への接続部
分を覆うようなことがない。従つて、α線照射防
止用樹脂膜５ｂの膜厚をα線の照射によるソフト
エラーの発生を防止することが可能な50〜70μｍ
程度にすることができ、従来例のようなボンデイ
ングワイヤ４の断線が発生するおそれがなく、信
頼性をよくすることができる。しかも、金属薄膜
６が低温でのパツシベーシヨン膜２への拡散係数
の小さい高融点金属で形成されているので、金属
薄膜６の形成によつてパツシベーシヨン膜２の性
能の劣化はほとんどない。
くすることができるので、金属薄膜６のパターン
精度をよくすることができる。しかも、α線照射
防止用樹脂膜５ｂを形成するポリイミド樹脂剤が
5000cps程度の粘性を有し金属薄膜６との接着性
がよいので、金属薄膜６の表面上に滴下されたポ
リイミド樹脂剤の厚さを50μｍ以上の厚さにして
も、金属薄膜６の表面上からはみ出してボンデイ
ングワイヤ４のボンデイングパツド２への接続部
分を覆うようなことがない。従つて、α線照射防
止用樹脂膜５ｂの膜厚をα線の照射によるソフト
エラーの発生を防止することが可能な50〜70μｍ
程度にすることができ、従来例のようなボンデイ
ングワイヤ４の断線が発生するおそれがなく、信
頼性をよくすることができる。しかも、金属薄膜
６が低温でのパツシベーシヨン膜２への拡散係数
の小さい高融点金属で形成されているので、金属
薄膜６の形成によつてパツシベーシヨン膜２の性
能の劣化はほとんどない。
なお、この実施例では、α線照射防止用樹脂膜
５ｂをポリイミド樹脂で構成したが、必ずしもこ
れはポリイミド樹脂に限定する必要はなく、放射
性元素が含有されていないように精製された所要
の粘性を有するその他の樹脂であつてもよい。
５ｂをポリイミド樹脂で構成したが、必ずしもこ
れはポリイミド樹脂に限定する必要はなく、放射
性元素が含有されていないように精製された所要
の粘性を有するその他の樹脂であつてもよい。
また、この実施例では、金属薄膜６と高融点金
属で構成したが、必ずしもこれは高融点金属であ
る必要はなく、低温でのパツシベーシヨン膜への
拡散係数が小さく、かつ樹脂膜との接着性のよい
その他の金属であつてもよい。
属で構成したが、必ずしもこれは高融点金属であ
る必要はなく、低温でのパツシベーシヨン膜への
拡散係数が小さく、かつ樹脂膜との接着性のよい
その他の金属であつてもよい。
以上、説明したように、この発明のα線照射防
止用樹脂膜の形成方法では、ボンデイングパツド
が形成された部分を除く半導体チツプの主面上に
形成されたパツシベーシヨン膜の半導体チツプの
主面部に形成されている回路パターンのα線の照
射によるソフトエラーが生ずる部分上の部分の表
面上に低温でのパツシベーシヨン膜への拡散係数
が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい金属薄膜
を形成し、この金属薄膜の表面上に所要の粘性を
を有する樹脂剤を滴下して金属薄膜の表面上を覆
いキユアリングを行うので、金属薄膜の膜厚を薄
くすることが可能となり、金属薄膜のパターン精
度をよくすることができる。しかも、樹脂剤の粘
性によつて樹脂剤の厚さを厚くしても金属薄膜の
表面上からはみ出すことなく、α線の照射による
ソフトエラーの発生を防止することが可能な膜厚
を有するα線照射防止用樹脂膜を形成することが
できる。さらに、金属薄膜の低温でのパツシベー
シヨン膜への拡散係数が小さいので、金属薄膜の
形成によつてパツシベーシヨン膜の性能の劣化は
ほとんどない。
止用樹脂膜の形成方法では、ボンデイングパツド
が形成された部分を除く半導体チツプの主面上に
形成されたパツシベーシヨン膜の半導体チツプの
主面部に形成されている回路パターンのα線の照
射によるソフトエラーが生ずる部分上の部分の表
面上に低温でのパツシベーシヨン膜への拡散係数
が小さくしかも樹脂膜との接着性のよい金属薄膜
を形成し、この金属薄膜の表面上に所要の粘性を
を有する樹脂剤を滴下して金属薄膜の表面上を覆
いキユアリングを行うので、金属薄膜の膜厚を薄
くすることが可能となり、金属薄膜のパターン精
度をよくすることができる。しかも、樹脂剤の粘
性によつて樹脂剤の厚さを厚くしても金属薄膜の
表面上からはみ出すことなく、α線の照射による
ソフトエラーの発生を防止することが可能な膜厚
を有するα線照射防止用樹脂膜を形成することが
できる。さらに、金属薄膜の低温でのパツシベー
シヨン膜への拡散係数が小さいので、金属薄膜の
形成によつてパツシベーシヨン膜の性能の劣化は
ほとんどない。
第１図はα線照射防止用樹脂膜の従来の形成方
法の一例を説明するための断面図、第２図はα線
照射防止用樹脂膜の先行技術による形成方法を説
明するための断面図、第３図はこの発明によるα
線照射防止用樹脂膜の形成方法の一実施例を説明
するための断面図である。 図において、１は半導体チツプ、３はパツシベ
ーシヨン膜、５ｂはα線照射防止用樹脂膜、６は
金属薄膜である。なお、図中同一符号はそれぞれ
同一または相当部分を示す。
法の一例を説明するための断面図、第２図はα線
照射防止用樹脂膜の先行技術による形成方法を説
明するための断面図、第３図はこの発明によるα
線照射防止用樹脂膜の形成方法の一実施例を説明
するための断面図である。 図において、１は半導体チツプ、３はパツシベ
ーシヨン膜、５ｂはα線照射防止用樹脂膜、６は
金属薄膜である。なお、図中同一符号はそれぞれ
同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプの主面の周縁部の一部上に形成
されたボンデイングパツド以外の部分上にパツシ
ベーシヨン膜を形成する工程、 上記パツシベーシヨン膜上で、半導体チツプの
主面に形成された回路パターンのα線の照射によ
るソフトエラーが生ずる部分上に、低温での上記
パツシベーシヨン膜への拡散係数が小さくしかも
樹脂膜との接着性のよい金属薄膜を形成する工
程、 およびこの金属薄膜の表面上に放射性元素が含
有されていないように精製され所要の粘性を有す
る樹脂剤を滴下して上記金属薄膜の表面上を覆い
キユアリングを行なう工程を備えたα線照射防止
用樹脂膜の形成方法。 ２ 金属薄膜が高融点金属薄膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のα線照射防止
用樹脂膜の形成方法。 ３ 樹脂剤がポリイミド樹脂剤であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
α線照射防止用樹脂膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103906A JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103906A JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246657A JPS60246657A (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0318739B2 true JPH0318739B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=14366466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103906A Granted JPS60246657A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | α線照射防止用樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246657A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59103906A patent/JPS60246657A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56165345A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60246657A (ja) | 1985-12-06 |
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