JPS60246297A - 窒素ド−プシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
窒素ド−プシリコン単結晶の製造方法Info
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- JPS60246297A JPS60246297A JP9946384A JP9946384A JPS60246297A JP S60246297 A JPS60246297 A JP S60246297A JP 9946384 A JP9946384 A JP 9946384A JP 9946384 A JP9946384 A JP 9946384A JP S60246297 A JPS60246297 A JP S60246297A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン単結晶の製造方法に関するもので、特
にエピタキシャルｅウェーッ＼を使用する半導体素子製
造工程に含まれる熱処理工程においてシリコンウェーＩ
＼に生ずる熱応力に強いシリコンエピタキシャルウェー
ｌ＼を得ることを目的とするものである。
にエピタキシャルｅウェーッ＼を使用する半導体素子製
造工程に含まれる熱処理工程においてシリコンウェーＩ
＼に生ずる熱応力に強いシリコンエピタキシャルウェー
ｌ＼を得ることを目的とするものである。
一般にチョコラルスキー法で育成されたシリコンウェー
ッ・には酸素が４ｘｌＯ〜 ２ｘｌＯ１８７ ａｔｏｍｓ ／ｃｃ程添加されているため熱応力に強い
ことが知られている（文献Ｓ、Ｍ、Ｈｕ ｅｔ ａｌ
、ジャーナル オフ アプライド フィジクス４Ｂ （
５） Ｐ １８［１９，１８７５） 。
ッ・には酸素が４ｘｌＯ〜 ２ｘｌＯ１８７ ａｔｏｍｓ ／ｃｃ程添加されているため熱応力に強い
ことが知られている（文献Ｓ、Ｍ、Ｈｕ ｅｔ ａｌ
、ジャーナル オフ アプライド フィジクス４Ｂ （
５） Ｐ １８［１９，１８７５） 。
一方、エピタキシャル成長法では酸素を添加する試みが
種々なされているが、エピタキシャル成長を阻害する等
の問題から熱応力に対する改善に必要な程充分な酸素を
添加することは困難である。
種々なされているが、エピタキシャル成長を阻害する等
の問題から熱応力に対する改善に必要な程充分な酸素を
添加することは困難である。
本発明者はかかる熱応力による結晶性の劣化に対する特
にエピタキシャル成長法における改善について種々検討
の結果、窒素をシリコンエピタキシャルウェーハ中に少
量添加することにより酸素添加と同等又はそれ以−Ｌの
効果が得られることを知見し本発明に到達したものであ
る。
にエピタキシャル成長法における改善について種々検討
の結果、窒素をシリコンエピタキシャルウェーハ中に少
量添加することにより酸素添加と同等又はそれ以−Ｌの
効果が得られることを知見し本発明に到達したものであ
る。
即ちエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶を製造
する方法において、原料シリコン化合物を同伴するキャ
リアガス中又はエピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガス
又は窒素化合物ガスを存在させることを特徴とする窒素
ドープシリコン単結晶の製造方法に関するものである。
する方法において、原料シリコン化合物を同伴するキャ
リアガス中又はエピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガス
又は窒素化合物ガスを存在させることを特徴とする窒素
ドープシリコン単結晶の製造方法に関するものである。
キャリヤガス中に窒素ガス又は窒素化合物ガスを存在さ
せる場合の濃度はおおむね０．１〜５χとすればよい、
またエピタキシャル成長雰囲気中における濃度もこれに
ほぼ準ずればよい。
せる場合の濃度はおおむね０．１〜５χとすればよい、
またエピタキシャル成長雰囲気中における濃度もこれに
ほぼ準ずればよい。
添付図面は本発明の方法を実施するための概略フロー図
を例示したものである。１はエピタキシャル成長炉、２
はヒータ、３はサセプタ、４はウェーハである。
を例示したものである。１はエピタキシャル成長炉、２
はヒータ、３はサセプタ、４はウェーハである。
図は本発明を実施するための概略フロー図であある。
１ ・・・エピタキシャル成長炉。
２・Φ・ヒータ、 ３ ・・・サセプタ、４・争・ウェ
ーハ 特許出願人 信越半導体株式会社 図面の浄書（内■に変更なし） 手 続 ン市 正 １膝（方式） ％式％ ２、発明の名称 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 信越半導体株式会社 ４、代理人 発送日：昭和５９年 ８月２８日 ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 別紙のとおり 手続省市ｉ、Ｉ三−誓Ｉ）： 昭和６０年４月３０ Ｉｌ １、事件の表示 昭和５９年特許願第９９４６３号 ２、発明の名称 窒素トープシリコン単結１１７＋の製造方法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 信越半導体株式会社 ４、代理人 明細書および図面 ６゜補正の内容 １）明細書全文を別紙訂正明細書のとおりに補正する。 ２）図面登別紙第１図、第２図のとおりに補正する。 以上 明 細 書 １、発明の名称 窒素１・−ブレ１ｌ］ンｌ１１結晶の製造方’ｔＪ、２
、特許請求の範囲 １）゛ト導体シリコンのガス状化合物を熱分解もしくは
還元させ、ウェーハ１−にシリコンｌｌｉ結晶をエピタ
キシャル成長させる方法ににいて、該゛１（Ｉり体シリ
コンのガス状化合物を同伴するキャリアガス中またはエ
ピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガスもしくは窒素化合
物ガスを存在させろことを特徴とする窒素１・−ゾシリ
ｍｌン単結晶のり・）漬方法・ ２）該ウェーハがシリコン’ｌ’ ４’ｉ品、イＩつ１
、サファイヤもしくは電気絶縁１′１セラミックスか＋
７＋選ばれることを特徴とする特ｉ′１請求の範囲第１
１ｆ１記、Ｉｉｌ：の方法。 ３）該ウェーハとしてシリコン中結晶に用い、詠つ工−
ハＩ−に部分的に開１１部を設けてなる酸化膜に被覆処
理した後シリコン結晶の成長をネ１なわ １− せ、−）いて該成長層の準結晶化を行なわせることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法・ ４）半導体シリコンのガス状化合物がシリコンのハロゲ
ン化合物から選ばれることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第３項記載のいずれかの方法。 ５）成長シリコンＱｔ結晶中に窒素が５ｘｉｏ”〜４，
５×１０１５原子／ａＩ？含有されることを特徴とする
特ＦＦ請求の範囲第１項、第３項記載のいずれかの方法
。 ６）窒素化合物がアンモニアであることを特徴とする特
許請求の蝉囲第１項、第３項記載のいずれかの方法。 ３、発明の詳細な説明 産−幕−１１′、−の：ｊｊ ｆ■−分−」本発明は、
気相エピタキシャル成長によるシリコンＩ）ｉ結晶の′
ｙｉ造方法に関するもので、特ｌこ熱応力に強い窒素ド
ープシリコン単結晶の製造方法に係る。 従来の技術 近時半心体結晶のエビクキシャルウエーハ１」、ＬＳＩ
回路素子に幅広く利用されている。このつ工−ハは■、
Ｓ■回路素ｒとして加Ｉ−されろ１．程において、酸化
や拡散などの熱処理が行なわれるので、この加熱にとも
なう熱に、；力によってウェーハに転位が発生し、ソリ
を生ずるようになる。このウェーハに生ずるソリは回路
形成の露光１．程にｊ；けるパターニングを不良にする
ので避ける必要がある。 他方、溶融体からの引ｌ・げに」；ろチョクラルスキー
法によって合成されるシリコン’ｌ’−４Ｉ′ｉ晶捧に
（Ｊ酸素か４ＸＩＯ”〜２ Ｘ Ｉ Ｏ” Ｉｔｒミｆ
／（ｉｌｌ ｊ’ｊ、度含有されており、この酸素の存
在が熱応力に強く影響することが知られている（ Ｓ
、 Ｍ 、 Ｊｌｕ ｅｔ ａｌ、、Ｉｏｕｒ−ｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、４６（５）
、ｌ”、１８６！１．１９７５）。 これは、含有酸素がシリコン１１１−結晶中で転位の固
若作））１をするためであると考えられる。 発１すＪが一解決ｑよう一仁−する問題点■−記公知の
技術を応用し、シリコン学結晶の工ピタキシャル成長に
おいて酸素を添加し、熱応力に強いエピタキシャルウェ
ーハを得んとする試みがなされているが、この場合には
結晶の熱応力を改善するのに十分な量の酸素を添加する
にいたる前に、酸素がエピタキシャル成長を阻害するの
で、熱応力改善の目的を達することができないという欠
点があった。 同一１屯−を−解決ｔ−６だへ９一手段本発明者は上述
のごとき欠点を解決するため種々研究の結果、意外にも
窒素がこの熱応力改善に寄与すること、およびこの窒素
は酸素のようにエピタキシャル成長を阻害することが全
くないという事実を知見し本発明に到達した。すなわち
本発明は、半導体シリコンのガス状化合物を熱分解もし
くは還元させ、ウェーハＬにシリコン憤結晶をエピタキ
シャル成長させる方法において、該半導体シリコンのガ
ス状化合物を同伴するキャリアガス中またはエピタキシ
ャル成長雰囲気中に窒素ガスもしくは窒素化合物ガスを
存在させることを特徴とする窒素ドープシリコン喀）１
結晶の製造方法である。 本発明ｈ゛け、」−述のように窒素の添加によりシリコ
ンタ１１−結晶の熱応力改善をなし得たのであるが、こ
れは窒素がシリコン結晶中において酸素と同じよ）な転
イ◇の固着作用をするためと考えられる。 −）ぎに本発明を図面によって詳細に説明する。 第１図は本発明を実施する概略フロー図であるが、エピ
タキシャル成Ｊく炉１を囲んてピーク２装配置し、該成
長炉内に設けたサセプタ；３の１−にウェーハ４を必要
数戟随する。ヒータに電流を流して成長炉内を所定温度
に加熱しなが１）、エピタキシャル成長させる原料シリ
コン化合物ガスおよびドーパンｉ−ガスをそれぞれ供給
管５．６から流量調節器（ＮＦＣ） ９、ｌＯを経て成
長炉内に送入する。 同時にキャリアガスたとえば水素ガスを供給管７より流
量調節器１１を経て成長力１内に送入し、また同伴ガス
として窒素ガスまたは窒素化合物ガスなキャリアガスに
対し０．１〜５．Ｏｖｏ］％の割合になるように流量調
節器１２を調節しながら供給管８より成長炉内に送入ず
ろ。成長炉内のエピタキシャル４− 雰囲気中に窒素ガスまたは窒素化合物ガスを存在させる
ときも同じ比率とする。反応を終えたガスはスクラバー
Ｊ３より糸外に排出される。通常この成長時間は、成長
層の厚みにもよるが、５〜２０分程度である。 これによって、結晶中における窒素の含有量を５ Ｘ１
０１３〜４．５Ｘ］Ｏ”原子／ａｔ？とすることができ
る。なお、結晶中の窒素含有量は、５ＸＩ０１３原子／
−未満では、本発明の目的とする熱応力改善を達するこ
とができず、また４、５Ｘ］０”原子／ｄ以」二である
と成長層の表面が荒れてくるという弊害を生ずるように
なる。 またここにおける、窒素化合物ガスとしてはアンモニア
が用いられ、これを窒素分として前述の量が含有される
ように添加する。 本発明においてエピタキシャル成長に用いられるウェー
ハは、シリコン県結晶、石英、サファイヤもしくは電気
絶縁性セラミックスたとえば窒化シリコンの中から選ば
れる。シリコンの成長層は、一般には、シリコン単結晶
ウェーハの場合に１（）〜５− ２０μＩｌｌ、シリコン以外のウェーハでは１〜２Ｉ目
り程度である。 本発明は前述のごとくシリコン単結晶ウェーハ上に直接
シリコン＋１ｔ 結晶をエピタキシャル成長させる場合
のほか、シリコン（）１結晶ウェーハ１−に酸化膜（Ｓ
ｊＯ，）を開口部を残して形成させたのち、この」二に
ポリシリコンの成長層を形成させ、さらにこの成長層を
アニール法により再結晶化してｉｌｌ結晶どする方法を
含む。 つぎに本発明の実施例を挙げる。 犬脆例 ＣＺ法により得られたＩ）型＜１（１０）結晶力（Ｓｌ
を有する直径１００Ｉ、抵抗率３０Ω（ｊＩ＋のシリコ
ン単結晶ウェーハ（サンプルＡ）をサセプター３１−に
載ＩＩゞ１゜し、ついでこのウェーハを約１１００℃に
加熱しながら、キャリアガスＩＩ２に１−リクロロシラ
ン５．Ｏｖｏ１％、窒素ガス４．Ｏｖｏ１％を配合して
成長炉内１こ送入し、２０分間成長を行なわせたところ
、Ｐ７さ２０μｍ、抵抗率４０Ω（２）１の成長層をネ
！）だ１．このウェーハの窒素含有量は４．ＯＸ］０”
原ｆ ／ ｃｕｆであった。 また、回し条件で窒素ガスを２．０ν０］％添加して成
長させたサンプルＢの窒素含有量は１．８Ｘ］ｏ”原子
／ ＱＪてあった。なお、窒素ガス無添加で成長させた
サンプルＣの窒素含有量は測定検出限界以下であった。 以」−のサンプルＡ、Ｒ，Ｃについてのフォトルミネッ
センス法による測定結果は、第２図に示すとおりであり
、サンプルＡ、Ｈについては明らかにＮのピークが認め
られた。 北門−の一幼−釆 本発明の方法によれば、エピタキシャル成長を阻害する
ことなく熱応力に強いシリコン昨結晶が得られるので、
半導体素子製造工程における熱処理によってもソリが発
生することがなく、従来より熱的に優れた素子を工業的
に有利に製造することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明を実施するための概略フロー図を、第２
図は実施例のシリコンエピタキシャル層中の窒素濃度測
定のためのフォトルミネッセンス法による測定結果を示
す。 ＝８− １・・・成長炉、 ２・・・ヒータ、 ３・・・サセプタ、 ４・・・ウェーハ、 ５．６．７．８・・・供給管、 ９．１０．１１．１２・・・ｄε蔽調節器（ＮＦＣ）、
１３・・・スクラバー。 −〇−
ーハ 特許出願人 信越半導体株式会社 図面の浄書（内■に変更なし） 手 続 ン市 正 １膝（方式） ％式％ ２、発明の名称 窒素ドープシリコン単結晶の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 信越半導体株式会社 ４、代理人 発送日：昭和５９年 ８月２８日 ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 別紙のとおり 手続省市ｉ、Ｉ三−誓Ｉ）： 昭和６０年４月３０ Ｉｌ １、事件の表示 昭和５９年特許願第９９４６３号 ２、発明の名称 窒素トープシリコン単結１１７＋の製造方法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 信越半導体株式会社 ４、代理人 明細書および図面 ６゜補正の内容 １）明細書全文を別紙訂正明細書のとおりに補正する。 ２）図面登別紙第１図、第２図のとおりに補正する。 以上 明 細 書 １、発明の名称 窒素１・−ブレ１ｌ］ンｌ１１結晶の製造方’ｔＪ、２
、特許請求の範囲 １）゛ト導体シリコンのガス状化合物を熱分解もしくは
還元させ、ウェーハ１−にシリコンｌｌｉ結晶をエピタ
キシャル成長させる方法ににいて、該゛１（Ｉり体シリ
コンのガス状化合物を同伴するキャリアガス中またはエ
ピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガスもしくは窒素化合
物ガスを存在させろことを特徴とする窒素１・−ゾシリ
ｍｌン単結晶のり・）漬方法・ ２）該ウェーハがシリコン’ｌ’ ４’ｉ品、イＩつ１
、サファイヤもしくは電気絶縁１′１セラミックスか＋
７＋選ばれることを特徴とする特ｉ′１請求の範囲第１
１ｆ１記、Ｉｉｌ：の方法。 ３）該ウェーハとしてシリコン中結晶に用い、詠つ工−
ハＩ−に部分的に開１１部を設けてなる酸化膜に被覆処
理した後シリコン結晶の成長をネ１なわ １− せ、−）いて該成長層の準結晶化を行なわせることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法・ ４）半導体シリコンのガス状化合物がシリコンのハロゲ
ン化合物から選ばれることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第３項記載のいずれかの方法。 ５）成長シリコンＱｔ結晶中に窒素が５ｘｉｏ”〜４，
５×１０１５原子／ａＩ？含有されることを特徴とする
特ＦＦ請求の範囲第１項、第３項記載のいずれかの方法
。 ６）窒素化合物がアンモニアであることを特徴とする特
許請求の蝉囲第１項、第３項記載のいずれかの方法。 ３、発明の詳細な説明 産−幕−１１′、−の：ｊｊ ｆ■−分−」本発明は、
気相エピタキシャル成長によるシリコンＩ）ｉ結晶の′
ｙｉ造方法に関するもので、特ｌこ熱応力に強い窒素ド
ープシリコン単結晶の製造方法に係る。 従来の技術 近時半心体結晶のエビクキシャルウエーハ１」、ＬＳＩ
回路素子に幅広く利用されている。このつ工−ハは■、
Ｓ■回路素ｒとして加Ｉ−されろ１．程において、酸化
や拡散などの熱処理が行なわれるので、この加熱にとも
なう熱に、；力によってウェーハに転位が発生し、ソリ
を生ずるようになる。このウェーハに生ずるソリは回路
形成の露光１．程にｊ；けるパターニングを不良にする
ので避ける必要がある。 他方、溶融体からの引ｌ・げに」；ろチョクラルスキー
法によって合成されるシリコン’ｌ’−４Ｉ′ｉ晶捧に
（Ｊ酸素か４ＸＩＯ”〜２ Ｘ Ｉ Ｏ” Ｉｔｒミｆ
／（ｉｌｌ ｊ’ｊ、度含有されており、この酸素の存
在が熱応力に強く影響することが知られている（ Ｓ
、 Ｍ 、 Ｊｌｕ ｅｔ ａｌ、、Ｉｏｕｒ−ｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、４６（５）
、ｌ”、１８６！１．１９７５）。 これは、含有酸素がシリコン１１１−結晶中で転位の固
若作））１をするためであると考えられる。 発１すＪが一解決ｑよう一仁−する問題点■−記公知の
技術を応用し、シリコン学結晶の工ピタキシャル成長に
おいて酸素を添加し、熱応力に強いエピタキシャルウェ
ーハを得んとする試みがなされているが、この場合には
結晶の熱応力を改善するのに十分な量の酸素を添加する
にいたる前に、酸素がエピタキシャル成長を阻害するの
で、熱応力改善の目的を達することができないという欠
点があった。 同一１屯−を−解決ｔ−６だへ９一手段本発明者は上述
のごとき欠点を解決するため種々研究の結果、意外にも
窒素がこの熱応力改善に寄与すること、およびこの窒素
は酸素のようにエピタキシャル成長を阻害することが全
くないという事実を知見し本発明に到達した。すなわち
本発明は、半導体シリコンのガス状化合物を熱分解もし
くは還元させ、ウェーハＬにシリコン憤結晶をエピタキ
シャル成長させる方法において、該半導体シリコンのガ
ス状化合物を同伴するキャリアガス中またはエピタキシ
ャル成長雰囲気中に窒素ガスもしくは窒素化合物ガスを
存在させることを特徴とする窒素ドープシリコン喀）１
結晶の製造方法である。 本発明ｈ゛け、」−述のように窒素の添加によりシリコ
ンタ１１−結晶の熱応力改善をなし得たのであるが、こ
れは窒素がシリコン結晶中において酸素と同じよ）な転
イ◇の固着作用をするためと考えられる。 −）ぎに本発明を図面によって詳細に説明する。 第１図は本発明を実施する概略フロー図であるが、エピ
タキシャル成Ｊく炉１を囲んてピーク２装配置し、該成
長炉内に設けたサセプタ；３の１−にウェーハ４を必要
数戟随する。ヒータに電流を流して成長炉内を所定温度
に加熱しなが１）、エピタキシャル成長させる原料シリ
コン化合物ガスおよびドーパンｉ−ガスをそれぞれ供給
管５．６から流量調節器（ＮＦＣ） ９、ｌＯを経て成
長炉内に送入する。 同時にキャリアガスたとえば水素ガスを供給管７より流
量調節器１１を経て成長力１内に送入し、また同伴ガス
として窒素ガスまたは窒素化合物ガスなキャリアガスに
対し０．１〜５．Ｏｖｏ］％の割合になるように流量調
節器１２を調節しながら供給管８より成長炉内に送入ず
ろ。成長炉内のエピタキシャル４− 雰囲気中に窒素ガスまたは窒素化合物ガスを存在させる
ときも同じ比率とする。反応を終えたガスはスクラバー
Ｊ３より糸外に排出される。通常この成長時間は、成長
層の厚みにもよるが、５〜２０分程度である。 これによって、結晶中における窒素の含有量を５ Ｘ１
０１３〜４．５Ｘ］Ｏ”原子／ａｔ？とすることができ
る。なお、結晶中の窒素含有量は、５ＸＩ０１３原子／
−未満では、本発明の目的とする熱応力改善を達するこ
とができず、また４、５Ｘ］０”原子／ｄ以」二である
と成長層の表面が荒れてくるという弊害を生ずるように
なる。 またここにおける、窒素化合物ガスとしてはアンモニア
が用いられ、これを窒素分として前述の量が含有される
ように添加する。 本発明においてエピタキシャル成長に用いられるウェー
ハは、シリコン県結晶、石英、サファイヤもしくは電気
絶縁性セラミックスたとえば窒化シリコンの中から選ば
れる。シリコンの成長層は、一般には、シリコン単結晶
ウェーハの場合に１（）〜５− ２０μＩｌｌ、シリコン以外のウェーハでは１〜２Ｉ目
り程度である。 本発明は前述のごとくシリコン単結晶ウェーハ上に直接
シリコン＋１ｔ 結晶をエピタキシャル成長させる場合
のほか、シリコン（）１結晶ウェーハ１−に酸化膜（Ｓ
ｊＯ，）を開口部を残して形成させたのち、この」二に
ポリシリコンの成長層を形成させ、さらにこの成長層を
アニール法により再結晶化してｉｌｌ結晶どする方法を
含む。 つぎに本発明の実施例を挙げる。 犬脆例 ＣＺ法により得られたＩ）型＜１（１０）結晶力（Ｓｌ
を有する直径１００Ｉ、抵抗率３０Ω（ｊＩ＋のシリコ
ン単結晶ウェーハ（サンプルＡ）をサセプター３１−に
載ＩＩゞ１゜し、ついでこのウェーハを約１１００℃に
加熱しながら、キャリアガスＩＩ２に１−リクロロシラ
ン５．Ｏｖｏ１％、窒素ガス４．Ｏｖｏ１％を配合して
成長炉内１こ送入し、２０分間成長を行なわせたところ
、Ｐ７さ２０μｍ、抵抗率４０Ω（２）１の成長層をネ
！）だ１．このウェーハの窒素含有量は４．ＯＸ］０”
原ｆ ／ ｃｕｆであった。 また、回し条件で窒素ガスを２．０ν０］％添加して成
長させたサンプルＢの窒素含有量は１．８Ｘ］ｏ”原子
／ ＱＪてあった。なお、窒素ガス無添加で成長させた
サンプルＣの窒素含有量は測定検出限界以下であった。 以」−のサンプルＡ、Ｒ，Ｃについてのフォトルミネッ
センス法による測定結果は、第２図に示すとおりであり
、サンプルＡ、Ｈについては明らかにＮのピークが認め
られた。 北門−の一幼−釆 本発明の方法によれば、エピタキシャル成長を阻害する
ことなく熱応力に強いシリコン昨結晶が得られるので、
半導体素子製造工程における熱処理によってもソリが発
生することがなく、従来より熱的に優れた素子を工業的
に有利に製造することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明を実施するための概略フロー図を、第２
図は実施例のシリコンエピタキシャル層中の窒素濃度測
定のためのフォトルミネッセンス法による測定結果を示
す。 ＝８− １・・・成長炉、 ２・・・ヒータ、 ３・・・サセプタ、 ４・・・ウェーハ、 ５．６．７．８・・・供給管、 ９．１０．１１．１２・・・ｄε蔽調節器（ＮＦＣ）、
１３・・・スクラバー。 −〇−
Claims (1)
- エピタキシャル成長法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、原料シリコン化合物を同伴するキャリア
ガス中又はエピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガス又は
窒素化合物ガスを存在させることを特徴とする窒素ドー
プシリコン単結晶の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9946384A JPS60246297A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 窒素ド−プシリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9946384A JPS60246297A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 窒素ド−プシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246297A true JPS60246297A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0371398B2 JPH0371398B2 (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=14248003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9946384A Granted JPS60246297A (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 窒素ド−プシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246297A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073820A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| JP2016500475A (ja) * | 2012-12-06 | 2016-01-12 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP9946384A patent/JPS60246297A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073820A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| JP2016500475A (ja) * | 2012-12-06 | 2016-01-12 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371398B2 (ja) | 1991-11-13 |
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