JP2739469B2 - ＳｉＣ膜の成長方法 - Google Patents
ＳｉＣ膜の成長方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シリコン基板上にシリコンカーバイド（SiC）膜を成
長する際に、反応ガスとしてトリクロロシラン（SiHC
l3）とプロパン（C3H8）ガスを選び、SiHCl3（Ａ）とC3
H8（Ｂ）の流量比（B/A）を0.01以上0.5以下に設定し、
それに応じてガスの流速と成長温度を選択することによ
りシリコン基板上に単結晶SiCを成長することを特徴と
する減圧SiCヘテロエピタキシャル成長方法である。 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、さら
に詳しく言えば、シリコン（Si）基板上にそれとは性質
の異なるシリコン・カーバイド（SiC）結晶をエピタキ
シャル成長する方法に関するものである。 〔従来の技術〕 SiCは硬度とか耐熱性（融点2800℃）とかが優れてい
るために、過去には研摩材などの特殊目的のために用い
られたものであるが、半導体材料としては、熱的、化学
的に強いので高温や衝撃の強い条件下でも使用でき、さ
らにエネルギー間隔が大で、PN接合が形成されうるの
で、注目されている材料である。 従来SiCの成長法としては、2500℃前後での昇華法、
気相エピタキシャル（VPE）成長、液相エピタキシャル
成長（LPE）が研究され、気相エピタキシャル成長とし
ては、常圧でSiCl4＋CCl4,SiHCl3＋C6H14,SiH4＋C3H8,S
iCl4＋C6H14,SiCl4＋C3H8などのガスの組合せ、CH3とSi
Cl3分散などにより、1300〜1800℃の高温でのSiCヘテロ
エピタキシャル成長が報告されている（松波弘之,SiCの
エピタキシャル成長と固体素子への応用．応用物理（19
79）pp.565−571.）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記したVPE法においては、1300〜1800℃の範囲の高
温条件を必要とするが、通常の半導体装置の製造工程で
実用可能な温度の限界は1000℃前後であるので、上記し
た温度条件は実用的でない問題がある。 さらに、上記した1300〜1800℃の範囲の温度でシリコ
ン基板上にSiC膜を成長した場合、シリコン基板の温度
を常温に戻すとSiC膜が剥離し、SiC膜にデバイスを形成
することが難しくなる問題も確認された。 本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、10
00℃前後の温度条件下で、SiCを性質の異なるシリコン
基板上にエピタキシャル成長させるSiCヘテロエピタキ
シャル成長方法を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、反応炉内に結晶方位（111）の単結晶
シリコン基板を配置する工程と、該反応炉内に、水素ガ
スを供給する工程と、該反応炉内に、プロパンガス／ト
リクロロシランガスの流量比を0.01〜0.5の範囲にし
て、該ガスの流速を50cm/sec以上の速度で供給し、ま
た、成長温度を900〜1100℃に設定して、前記シリコン
基板上に、結晶方位が（111）であるSiCを成長すること
を特徴とするSiC膜の成長方法を提供することにより解
決される。 第１図は本発明実施例の配置を示す図である。 本発明においては、従来試みられることのなかった。
SiHCl3とC3H8ガスの組合せにおいて、減圧（約200Pa）
下、高流速（50cm/sec以上）で、流量比（C3H8/SiHC
l3）0.01〜0.5の範囲、成長温度900〜1100℃（典型的に
は1000℃）で、（111）シリコン基板上にSiC単結晶を成
長させる。第１図を参照すると、シリコン基板（ウエ
ハ）21を載置したカーボンサセプタ22が配置されたRFコ
イル12で加熱される反応炉（石英管）11をブースタ・ポ
ンプ16とロータリ・ポンプ17を用いて排気し、前記した
成長ガスとキャリアガス（H2）をマス・フロー・コント
ローラ14を通して供給する。 〔作用〕 シリコン基板上にSiCをエピタキシャル成長するに
は、基板上にSiとＣとが１対１の割合で堆積させること
が重要で、そのために具体的には、圧力（Ｐ）＝200Pa,
流量（C3H8）＝0.04/min,流量（SiHCl3）＝0.7/mi
n,流量（H2）＝７/minとし、1000℃で結晶方位（11
1）〔＜211＞方向へ４゜斜め（off）〕のシリコン基板
〔直径４インチまたは５インチ（10cmまたは12.5cm）の
ウエハ〕上にβ−SiC（β相のSiC）単結晶を成長するこ
とができた。 〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。 本発明者は、SiCのエピタキシャル成長のための成長
ガスの組合せについて実験をなし、前記した如きSiCl4
＋CCl4,SiHCl3＋C6H14,SiH4＋C3H8,SiCl4＋C6H14,SiCl4
＋C3H8などの組合せを用いたが、いずれの場合において
も1300〜1800℃の高温成長温度が必要なことを確認した
に止った。そこで、従来知られた組合せ以外の組合せに
着目し、従来試みられなかったSiHCl3とC3H8との組合せ
を選択し、第１図に示される装置を用い（111）シリコ
ン基板〔直径（10cmまたは12.5cm）（＜211＞方向へ４
゜斜め）のシリコンウエハ〕上にSiCを成長させたとこ
ろ、以下に示す結果を得ることができた。なお第１図に
おいて、11は反応炉となる石英管で、そのまわりにはオ
ッシレータ13によって8KHzのRFを与えられるコイル12が
配置され、石英管11には、C3H8がマス・フロー・コント
ローラ（M.F.）14を通し、SiHCl3が気化コントローラ
（V.C.）15とM.F.14を通し、またH2がM.F.14を通して供
給され、石英管11はメカニカル・ブースタ（M.B.）ポン
プ16とロータリ・ポンプ（R.P.）17によって排気され、
石英管11内でウエハ21はカーボン・サセプタ22上に配置
されている。 シリコンウエハ21上にSiとＣとを１対１の比率で堆積
するにつれて、本発明者は、反応ガスに前記した如く新
規にSiHCl3とC3H8との組合せを選択したことに加え、前
記ガスの流量比、ガスの流速、成長温度を多様に組み合
せる実験を行い、以下に説明する結果を得たものであ
る。 成長温度のプログラムは第２図の線図に示され、同図
において横軸には時間を分（min）でとり、縦軸には温
度を℃でとった。すなわち、室温から1000℃に昇温する
過程で10分間H2のみを供給してウエハ12の表面を清浄に
し、次いでSiHCl3/H2＋C3H8＋H2＋B2H6（またはPH3）で
SiCを堆積し、次いでH2のみを供給しつつ室温まで降温
した。 膜厚の成長時間による変化は第３図の線図に示され、
同図で横軸には時間をminでとり、縦軸には膜厚をμｍ
でとった。温度は1000℃、圧力は200Paであった。膜厚
は成長時間に比例して直線的に安定して増加すること、
および1000℃で成長したSiC膜は、ウエハを常温に戻し
た後でも剥離しないことが確認された。 ガス流量による変化は、成長時間５分の場合が第４図
の線図に示され、同図において、横軸は流量（SiHCl3は
/min,C3H8はcc/min）を、縦軸は膜厚をμｍで表し、
成長ガスの流量が増えるのに比例し安定した状態で膜厚
が大になる。第４図に示す例でC3H8/SiHCl3の流量比は
ほぼ0.05であるが、この流量比は0.01〜0.5の範囲内に
設定しうることが実験によって確認された。なお、流量
比を0.01より小または0.5よりも大にした実験において
は、単結晶SiC膜の成長は実現されなかった。 前記の成長速度のH2流量による変化は第５図の線図に
示され、同図において横軸はH2の流量（/min）を、縦
軸は成長速度を（μm/min）で表し、温度は1000℃,SiHC
l3の流量は0.7/min,C3H8の流量は40cc/minであった。
同図はH2の流量が３/minに達するまでSiCの成長速度
は急激に増大してピークに達し、以後H2の流量が増加す
るとSiCの成長速度が安定した状態で減少することを表
す。 更に、成長速度の温度による変化は第６図の線図に示
され、同図において縦軸に温度〔104/T（K-1）〕をとり
縦軸には成長速度を（μm/min）でとり、活性化エネル
ギー（Ｅ）は24Kcol/molであった。同図から理解される
如く成長速度と成長温度との関係は900〜1100℃の範囲
内でほぼリニアーであり、以上に示した事実はSiC膜の
成長が900℃〜1100℃の範囲で工業的規模で実現可能な
ことを裏付けるものである。温度が900℃より低い場合
にはSiC膜に白濁が認められ、表面が鏡面になったSiC膜
の成長ができ難いことが認められ、また1100℃より高い
温度では常温に戻した後にSiC膜の剥離が発生してデバ
イスの作成が不可能であることが判明し、前記の温度範
囲外でSiC膜の成長が実際的でないことが確認された。 上記の如くに成長したβ−SiCを本発明者がＸ線回折
によって評価した結果は第７図（ａ）と（ｂ）のＸ線ロ
ッキングカーブ（Ｘ−ray rocking curve）に示され、
同図（ａ）はSiCを（100）シリコン基板上に成長した場
合を、また同図（ｂ）はβ−SiCをSi（111）４゜斜めに
成長した場合を示す。Si（100）においてはβ−SiC（11
1）が現れ、成長膜には多結晶SiCが含まれることが理解
されるが、SiC（111）４゜斜めにおいては単結晶β−Si
Cのみが成長したことが判明する。 第８図はキャリア濃度（cm-3）とホール移動度（cm2/
V.s）の関係を示す線図で、線A,BおよびＣは試料がそれ
ぞれ1000℃,1100℃および1150でアニールされたもので
ある場合の結果を示す。キャリア濃度が大になるにつれ
てホール移動度は減少するが、その理由は、イオン化さ
れた不純物がキャリアを散乱するからである。1100℃で
アニールされた試料（SiC膜）の移動度は単結晶シリコ
ンの移動度にほぼ等しいこと、また1150℃でアニールさ
れた試料の移動度は単結晶シリコンの移動度よりも大で
あることを示す。 ガスの流速は50cm/sec以上に設定した。その理由は、
ガス流速を例えば10cm/sec程度に小にしたところウエハ
の上方部分にガスの停滞層が作られ、そうなると過度の
分圧で発生したSiCl2が不規則に成長核を発生させ、そ
こにSiCの成長に寄与する分子種SiHCl3,SiCl4,SiCl2,Si
H2等が集まって、ウエハ上に均一にではなく不規則にSi
とＣの核成長が進行し不均一な結晶方位と膜厚のSiCが
作られることが認められた。実験においてガス流速を50
cm/secから400cm/secの範囲にしたところ、SiC膜の成長
が可能であることが確かめられた。 更に、β−SiC/Si界面の断面TEM像を調べたところ、
（111）SiC格子の配列が横に並んで配列されていること
が観察され、単結晶Siの上にSiCがヘテロエピタキシャ
ル成長したことが確認された。 本発明によって成長したSiCの諸特性は次の表ＩにSi,
GaAsと比較して示される。 ただし、 νｓは飽和電子密度、 Ecは破壊電界強度、 εは誘電率、 λは熱伝導率、 Zjは高周波大電力指標、 Zkは小型化指標、 である。 なかんずく、上記の表からGaAsに比べてSiCの高周波
大電力指標は３桁、小型化指標は１桁大であることが理
解される。 〔発明の効果〕 以上述べてきたように本発明によれば、電気的諸特性
に優れたβ−SiCの単結晶膜がシリコン基板上に1000℃
前後の温度で成膜可能となり、大電力ダイオード、大電
力バイポーラトランジスタ、高速バイポーラトランジス
タへの応用が可能となる。
長する際に、反応ガスとしてトリクロロシラン（SiHC
l3）とプロパン（C3H8）ガスを選び、SiHCl3（Ａ）とC3
H8（Ｂ）の流量比（B/A）を0.01以上0.5以下に設定し、
それに応じてガスの流速と成長温度を選択することによ
りシリコン基板上に単結晶SiCを成長することを特徴と
する減圧SiCヘテロエピタキシャル成長方法である。 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、さら
に詳しく言えば、シリコン（Si）基板上にそれとは性質
の異なるシリコン・カーバイド（SiC）結晶をエピタキ
シャル成長する方法に関するものである。 〔従来の技術〕 SiCは硬度とか耐熱性（融点2800℃）とかが優れてい
るために、過去には研摩材などの特殊目的のために用い
られたものであるが、半導体材料としては、熱的、化学
的に強いので高温や衝撃の強い条件下でも使用でき、さ
らにエネルギー間隔が大で、PN接合が形成されうるの
で、注目されている材料である。 従来SiCの成長法としては、2500℃前後での昇華法、
気相エピタキシャル（VPE）成長、液相エピタキシャル
成長（LPE）が研究され、気相エピタキシャル成長とし
ては、常圧でSiCl4＋CCl4,SiHCl3＋C6H14,SiH4＋C3H8,S
iCl4＋C6H14,SiCl4＋C3H8などのガスの組合せ、CH3とSi
Cl3分散などにより、1300〜1800℃の高温でのSiCヘテロ
エピタキシャル成長が報告されている（松波弘之,SiCの
エピタキシャル成長と固体素子への応用．応用物理（19
79）pp.565−571.）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記したVPE法においては、1300〜1800℃の範囲の高
温条件を必要とするが、通常の半導体装置の製造工程で
実用可能な温度の限界は1000℃前後であるので、上記し
た温度条件は実用的でない問題がある。 さらに、上記した1300〜1800℃の範囲の温度でシリコ
ン基板上にSiC膜を成長した場合、シリコン基板の温度
を常温に戻すとSiC膜が剥離し、SiC膜にデバイスを形成
することが難しくなる問題も確認された。 本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、10
00℃前後の温度条件下で、SiCを性質の異なるシリコン
基板上にエピタキシャル成長させるSiCヘテロエピタキ
シャル成長方法を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点は、反応炉内に結晶方位（111）の単結晶
シリコン基板を配置する工程と、該反応炉内に、水素ガ
スを供給する工程と、該反応炉内に、プロパンガス／ト
リクロロシランガスの流量比を0.01〜0.5の範囲にし
て、該ガスの流速を50cm/sec以上の速度で供給し、ま
た、成長温度を900〜1100℃に設定して、前記シリコン
基板上に、結晶方位が（111）であるSiCを成長すること
を特徴とするSiC膜の成長方法を提供することにより解
決される。 第１図は本発明実施例の配置を示す図である。 本発明においては、従来試みられることのなかった。
SiHCl3とC3H8ガスの組合せにおいて、減圧（約200Pa）
下、高流速（50cm/sec以上）で、流量比（C3H8/SiHC
l3）0.01〜0.5の範囲、成長温度900〜1100℃（典型的に
は1000℃）で、（111）シリコン基板上にSiC単結晶を成
長させる。第１図を参照すると、シリコン基板（ウエ
ハ）21を載置したカーボンサセプタ22が配置されたRFコ
イル12で加熱される反応炉（石英管）11をブースタ・ポ
ンプ16とロータリ・ポンプ17を用いて排気し、前記した
成長ガスとキャリアガス（H2）をマス・フロー・コント
ローラ14を通して供給する。 〔作用〕 シリコン基板上にSiCをエピタキシャル成長するに
は、基板上にSiとＣとが１対１の割合で堆積させること
が重要で、そのために具体的には、圧力（Ｐ）＝200Pa,
流量（C3H8）＝0.04/min,流量（SiHCl3）＝0.7/mi
n,流量（H2）＝７/minとし、1000℃で結晶方位（11
1）〔＜211＞方向へ４゜斜め（off）〕のシリコン基板
〔直径４インチまたは５インチ（10cmまたは12.5cm）の
ウエハ〕上にβ−SiC（β相のSiC）単結晶を成長するこ
とができた。 〔実施例〕 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。 本発明者は、SiCのエピタキシャル成長のための成長
ガスの組合せについて実験をなし、前記した如きSiCl4
＋CCl4,SiHCl3＋C6H14,SiH4＋C3H8,SiCl4＋C6H14,SiCl4
＋C3H8などの組合せを用いたが、いずれの場合において
も1300〜1800℃の高温成長温度が必要なことを確認した
に止った。そこで、従来知られた組合せ以外の組合せに
着目し、従来試みられなかったSiHCl3とC3H8との組合せ
を選択し、第１図に示される装置を用い（111）シリコ
ン基板〔直径（10cmまたは12.5cm）（＜211＞方向へ４
゜斜め）のシリコンウエハ〕上にSiCを成長させたとこ
ろ、以下に示す結果を得ることができた。なお第１図に
おいて、11は反応炉となる石英管で、そのまわりにはオ
ッシレータ13によって8KHzのRFを与えられるコイル12が
配置され、石英管11には、C3H8がマス・フロー・コント
ローラ（M.F.）14を通し、SiHCl3が気化コントローラ
（V.C.）15とM.F.14を通し、またH2がM.F.14を通して供
給され、石英管11はメカニカル・ブースタ（M.B.）ポン
プ16とロータリ・ポンプ（R.P.）17によって排気され、
石英管11内でウエハ21はカーボン・サセプタ22上に配置
されている。 シリコンウエハ21上にSiとＣとを１対１の比率で堆積
するにつれて、本発明者は、反応ガスに前記した如く新
規にSiHCl3とC3H8との組合せを選択したことに加え、前
記ガスの流量比、ガスの流速、成長温度を多様に組み合
せる実験を行い、以下に説明する結果を得たものであ
る。 成長温度のプログラムは第２図の線図に示され、同図
において横軸には時間を分（min）でとり、縦軸には温
度を℃でとった。すなわち、室温から1000℃に昇温する
過程で10分間H2のみを供給してウエハ12の表面を清浄に
し、次いでSiHCl3/H2＋C3H8＋H2＋B2H6（またはPH3）で
SiCを堆積し、次いでH2のみを供給しつつ室温まで降温
した。 膜厚の成長時間による変化は第３図の線図に示され、
同図で横軸には時間をminでとり、縦軸には膜厚をμｍ
でとった。温度は1000℃、圧力は200Paであった。膜厚
は成長時間に比例して直線的に安定して増加すること、
および1000℃で成長したSiC膜は、ウエハを常温に戻し
た後でも剥離しないことが確認された。 ガス流量による変化は、成長時間５分の場合が第４図
の線図に示され、同図において、横軸は流量（SiHCl3は
/min,C3H8はcc/min）を、縦軸は膜厚をμｍで表し、
成長ガスの流量が増えるのに比例し安定した状態で膜厚
が大になる。第４図に示す例でC3H8/SiHCl3の流量比は
ほぼ0.05であるが、この流量比は0.01〜0.5の範囲内に
設定しうることが実験によって確認された。なお、流量
比を0.01より小または0.5よりも大にした実験において
は、単結晶SiC膜の成長は実現されなかった。 前記の成長速度のH2流量による変化は第５図の線図に
示され、同図において横軸はH2の流量（/min）を、縦
軸は成長速度を（μm/min）で表し、温度は1000℃,SiHC
l3の流量は0.7/min,C3H8の流量は40cc/minであった。
同図はH2の流量が３/minに達するまでSiCの成長速度
は急激に増大してピークに達し、以後H2の流量が増加す
るとSiCの成長速度が安定した状態で減少することを表
す。 更に、成長速度の温度による変化は第６図の線図に示
され、同図において縦軸に温度〔104/T（K-1）〕をとり
縦軸には成長速度を（μm/min）でとり、活性化エネル
ギー（Ｅ）は24Kcol/molであった。同図から理解される
如く成長速度と成長温度との関係は900〜1100℃の範囲
内でほぼリニアーであり、以上に示した事実はSiC膜の
成長が900℃〜1100℃の範囲で工業的規模で実現可能な
ことを裏付けるものである。温度が900℃より低い場合
にはSiC膜に白濁が認められ、表面が鏡面になったSiC膜
の成長ができ難いことが認められ、また1100℃より高い
温度では常温に戻した後にSiC膜の剥離が発生してデバ
イスの作成が不可能であることが判明し、前記の温度範
囲外でSiC膜の成長が実際的でないことが確認された。 上記の如くに成長したβ−SiCを本発明者がＸ線回折
によって評価した結果は第７図（ａ）と（ｂ）のＸ線ロ
ッキングカーブ（Ｘ−ray rocking curve）に示され、
同図（ａ）はSiCを（100）シリコン基板上に成長した場
合を、また同図（ｂ）はβ−SiCをSi（111）４゜斜めに
成長した場合を示す。Si（100）においてはβ−SiC（11
1）が現れ、成長膜には多結晶SiCが含まれることが理解
されるが、SiC（111）４゜斜めにおいては単結晶β−Si
Cのみが成長したことが判明する。 第８図はキャリア濃度（cm-3）とホール移動度（cm2/
V.s）の関係を示す線図で、線A,BおよびＣは試料がそれ
ぞれ1000℃,1100℃および1150でアニールされたもので
ある場合の結果を示す。キャリア濃度が大になるにつれ
てホール移動度は減少するが、その理由は、イオン化さ
れた不純物がキャリアを散乱するからである。1100℃で
アニールされた試料（SiC膜）の移動度は単結晶シリコ
ンの移動度にほぼ等しいこと、また1150℃でアニールさ
れた試料の移動度は単結晶シリコンの移動度よりも大で
あることを示す。 ガスの流速は50cm/sec以上に設定した。その理由は、
ガス流速を例えば10cm/sec程度に小にしたところウエハ
の上方部分にガスの停滞層が作られ、そうなると過度の
分圧で発生したSiCl2が不規則に成長核を発生させ、そ
こにSiCの成長に寄与する分子種SiHCl3,SiCl4,SiCl2,Si
H2等が集まって、ウエハ上に均一にではなく不規則にSi
とＣの核成長が進行し不均一な結晶方位と膜厚のSiCが
作られることが認められた。実験においてガス流速を50
cm/secから400cm/secの範囲にしたところ、SiC膜の成長
が可能であることが確かめられた。 更に、β−SiC/Si界面の断面TEM像を調べたところ、
（111）SiC格子の配列が横に並んで配列されていること
が観察され、単結晶Siの上にSiCがヘテロエピタキシャ
ル成長したことが確認された。 本発明によって成長したSiCの諸特性は次の表ＩにSi,
GaAsと比較して示される。 ただし、 νｓは飽和電子密度、 Ecは破壊電界強度、 εは誘電率、 λは熱伝導率、 Zjは高周波大電力指標、 Zkは小型化指標、 である。 なかんずく、上記の表からGaAsに比べてSiCの高周波
大電力指標は３桁、小型化指標は１桁大であることが理
解される。 〔発明の効果〕 以上述べてきたように本発明によれば、電気的諸特性
に優れたβ−SiCの単結晶膜がシリコン基板上に1000℃
前後の温度で成膜可能となり、大電力ダイオード、大電
力バイポーラトランジスタ、高速バイポーラトランジス
タへの応用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例であるSiC膜成長装置の配置図、
第２図はSiC膜成長温度のプログラムを示す線図、
第３図はSiC膜厚の成長時間による変化を示す線図、
第４図はSiC膜厚のガス流量による変化を示す線図、
第５図はSiC膜成長速度のH2流量による変化を示す線
図、 第６図はSiC膜成長速度の温度による変化を示す線図、 第７図はSiC膜のＸ線ロッキングカーブの図、 第８図はAs+をイオン注入したSiCのキャリア濃度とホー
ル移動度の関係を示す線図である。 第１図において、 11は石英管、 12はコイル、 13はオッシレータ、 14はマス・フロー・コントローラ、 15は気化コントローラ、 16はブースタ・ポンプ、 17はロータリ・ポンプ、 21はウエハ、 22はカーボンサセプタである。
図、 第６図はSiC膜成長速度の温度による変化を示す線図、 第７図はSiC膜のＸ線ロッキングカーブの図、 第８図はAs+をイオン注入したSiCのキャリア濃度とホー
ル移動度の関係を示す線図である。 第１図において、 11は石英管、 12はコイル、 13はオッシレータ、 14はマス・フロー・コントローラ、 15は気化コントローラ、 16はブースタ・ポンプ、 17はロータリ・ポンプ、 21はウエハ、 22はカーボンサセプタである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 土岐 雅彦
川崎市中原区上小田中1015番地 富士通
株式会社内
(56)参考文献 特開 昭56−153727（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−155512（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−216218（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．反応炉内に結晶方位（111）の単結晶シリコン基板
を配置する工程と、 該反応炉内に、水素ガスを供給する工程と、 該反応炉内に、プロパンガス／トリクロロシランガスの
流量比を0.01〜0.5の範囲にして、該ガスの流速を50cm/
sec以上の速度で供給し、また、成長温度を900〜1100℃
に設定して、前記シリコン基板上に、結晶方位が（11
1）であるSiCを成長することを特徴とするSiC膜の成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167823A JP2739469B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ＳｉＣ膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167823A JP2739469B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ＳｉＣ膜の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325914A JPS6325914A (ja) | 1988-02-03 |
| JP2739469B2 true JP2739469B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=15856754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167823A Expired - Fee Related JP2739469B2 (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | ＳｉＣ膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2739469B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7910494B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-03-22 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing furnace, gas delivery system therefor, and methods for delivering a process gas thereto |
| CN105008598B (zh) | 2013-07-09 | 2018-01-19 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153727A (en) * | 1981-04-15 | 1981-11-27 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPH06101438B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-12-12 | 富士通株式会社 | β−Ｓｉｃのエピタキシヤル成長方法 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP61167823A patent/JP2739469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325914A (ja) | 1988-02-03 |
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