JPS60233653A - 写真蝕刻方法 - Google Patents
写真蝕刻方法Info
- Publication number
- JPS60233653A JPS60233653A JP8953484A JP8953484A JPS60233653A JP S60233653 A JPS60233653 A JP S60233653A JP 8953484 A JP8953484 A JP 8953484A JP 8953484 A JP8953484 A JP 8953484A JP S60233653 A JPS60233653 A JP S60233653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- steps
- resist coating
- prebaking
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真蝕刻方法に係り、特に液晶装置用のガラス
基板の写真蝕刻方法に関するものである写真蝕刻法は、
基板に感光膜を塗布し露光現像することによって所望の
パターンをもつ感光膜を残し、それをマスクとしてエツ
チング液により基板表面のエツチングすべき層を選択的
にエツチングする方法である。この写真蝕刻を行なう工
程は、通常第１図に示すような一連の処理システムによ
って構成されている。すなわち、ヒ）洗浄：選択的にエ
ツチングすべき透明導電膜２を有する基板１を洗浄し塵
や有機物などの汚染物を除去し乾燥させる工程；（ロ）
レジストコート：表面に感光膜（フォトレジスト）４を
所定厚みで塗布する工程；（ハ）プリベーク：感光膜の
基板に対する付着力を強め且つ感光膜のその後の工程で
の収縮、膨潤を防ぐため低温で乾燥（ペイキング）安定
させる工程、５はプリベーク後の感光膜を示す；に）露
光現像：所望のパターンが描かれたガラスやクロムなど
のマスクを表面にあて露光しその後の現像によって所望
のパターンを有する感光膜を表面に残す工程；（ホ）エ
ツチング：基板をエツチング液に浸漬し感光膜をマスク
として選択的に感光膜のない部分のエツチングすべき層
２をエツチングする工程：（へ）すムーブ：不必要にな
った感光膜を薬品やガスによって炭化、灰化して除去す
る工程；（ト）洗浄：表面に残存する炭化した感光膜や
一連の工程で付着したごみ、有機物などの汚染物質を洗
浄によって除去する工程；である。
基板の写真蝕刻方法に関するものである写真蝕刻法は、
基板に感光膜を塗布し露光現像することによって所望の
パターンをもつ感光膜を残し、それをマスクとしてエツ
チング液により基板表面のエツチングすべき層を選択的
にエツチングする方法である。この写真蝕刻を行なう工
程は、通常第１図に示すような一連の処理システムによ
って構成されている。すなわち、ヒ）洗浄：選択的にエ
ツチングすべき透明導電膜２を有する基板１を洗浄し塵
や有機物などの汚染物を除去し乾燥させる工程；（ロ）
レジストコート：表面に感光膜（フォトレジスト）４を
所定厚みで塗布する工程；（ハ）プリベーク：感光膜の
基板に対する付着力を強め且つ感光膜のその後の工程で
の収縮、膨潤を防ぐため低温で乾燥（ペイキング）安定
させる工程、５はプリベーク後の感光膜を示す；に）露
光現像：所望のパターンが描かれたガラスやクロムなど
のマスクを表面にあて露光しその後の現像によって所望
のパターンを有する感光膜を表面に残す工程；（ホ）エ
ツチング：基板をエツチング液に浸漬し感光膜をマスク
として選択的に感光膜のない部分のエツチングすべき層
２をエツチングする工程：（へ）すムーブ：不必要にな
った感光膜を薬品やガスによって炭化、灰化して除去す
る工程；（ト）洗浄：表面に残存する炭化した感光膜や
一連の工程で付着したごみ、有機物などの汚染物質を洗
浄によって除去する工程；である。
上述した写真蝕刻工程を基板の乾燥状態の如何で分ける
と、基板が洗浄液、エツチング液、現像液などにふれて
いるいわゆるウェット状態（第１図におけるビ）、に）
、（ホ）、（へ）、 （）） ）とドライ状態（（ロ）
、（ハ））とになっている。ダイオードやトランジスタ
などが多数組み込まれている集積回路などの半導体装置
を製作する場合には、上記した一連の工程からなる写真
蝕刻工程が種々の製作工程の間に割り込む形で独立した
工程として複数回繰り返されて行なわれるのが普通であ
る。それはある写真蝕刻工程とある写真蝕刻工程との間
にエピタキシャル成長とか不純物拡散とかアルミニウム
などの金属蒸着とかいった半導体装置の製作に不可欠な
工程があり、大体の場合それらの工程に対応した所望の
エツチングパターンを得る写真蝕刻工程が付随している
ためである。
と、基板が洗浄液、エツチング液、現像液などにふれて
いるいわゆるウェット状態（第１図におけるビ）、に）
、（ホ）、（へ）、 （）） ）とドライ状態（（ロ）
、（ハ））とになっている。ダイオードやトランジスタ
などが多数組み込まれている集積回路などの半導体装置
を製作する場合には、上記した一連の工程からなる写真
蝕刻工程が種々の製作工程の間に割り込む形で独立した
工程として複数回繰り返されて行なわれるのが普通であ
る。それはある写真蝕刻工程とある写真蝕刻工程との間
にエピタキシャル成長とか不純物拡散とかアルミニウム
などの金属蒸着とかいった半導体装置の製作に不可欠な
工程があり、大体の場合それらの工程に対応した所望の
エツチングパターンを得る写真蝕刻工程が付随している
ためである。
最近になってＩｎ１Ｏ１やＩＴＯなどの導電性透明電極
などを有するガラス板を基板としてそのガラス板に挾み
込む形で液晶などを入れた各種の表示装置や液晶テレビ
などが製作されるようになってきた。これらの導電性透
明電極も表示装置に応じた特定のパターンが要求され上
記した写真蝕刻技術が導入されている。
などを有するガラス板を基板としてそのガラス板に挾み
込む形で液晶などを入れた各種の表示装置や液晶テレビ
などが製作されるようになってきた。これらの導電性透
明電極も表示装置に応じた特定のパターンが要求され上
記した写真蝕刻技術が導入されている。
しかしながら、それらの表示装置の機能が高くなるにつ
れ、ガラス基板の片面にのみ特定のパターンを有する導
電性透明電極を有するガラス板を得ることが必要とされ
るだけではなく、ガラス基板の両面に特定のパターン（
それも同種のパターンだけでなく異種のパターンの場合
もある）をもつ導電性透明電極を設けることも要求され
るようになってきた。これに加えてガラス基板上に透明
電極とは別にＡｔ、 Ｃｒ 、 Ｍｏなどの金属薄膜を
蒸着やスパッタリングなどの工程で付着させそれを写真
蝕刻法で特定のパターンをもつ金属電極とするような更
に複雑な工程が要求される場合もある。
れ、ガラス基板の片面にのみ特定のパターンを有する導
電性透明電極を有するガラス板を得ることが必要とされ
るだけではなく、ガラス基板の両面に特定のパターン（
それも同種のパターンだけでなく異種のパターンの場合
もある）をもつ導電性透明電極を設けることも要求され
るようになってきた。これに加えてガラス基板上に透明
電極とは別にＡｔ、 Ｃｒ 、 Ｍｏなどの金属薄膜を
蒸着やスパッタリングなどの工程で付着させそれを写真
蝕刻法で特定のパターンをもつ金属電極とするような更
に複雑な工程が要求される場合もある。
ただ表示装置などの製作の場合には、前述した半導体装
置製作の場合と違って写真蝕刻工程は他の工程を遂行す
るに必要な付随工程ではなく、所望のパターンをもつ電
極を得ることが目的であるから１あるパターンを形成す
る写真蝕刻工程とある別なパターンを形成する写真蝕刻
工程とが連続して行なわれることが多い。
置製作の場合と違って写真蝕刻工程は他の工程を遂行す
るに必要な付随工程ではなく、所望のパターンをもつ電
極を得ることが目的であるから１あるパターンを形成す
る写真蝕刻工程とある別なパターンを形成する写真蝕刻
工程とが連続して行なわれることが多い。
このため表示装置などの製作の場合には、写真蝕刻法で
特定のパターンをガラス基板の片面だけに形成する工程
、同種のパターンをガラス基板の両面に形成する工程、
また異種のパターンをガラス基板の両面に形成する工程
の何れであっても、処理すべき内容の異なるそれらの基
板が同一の写真蝕刻装置内で処理されること、その装置
を構成する処理システムの中を基板が移動していく流れ
が一方向でスムーズであること、すなわち処理すべき基
板がコンベア搬送できること、また基層を処理すべきシ
ステムが装置内でドライ状態にある処理システムとウェ
ット状態にある処理システムとに大きく分離されており
基板の汚染の発生が極力抑えられ且つ汚染物の除去が容
易であることなどが満足される処理システムを有する写
真蝕刻装置による処理方法の登場が望まれていたのであ
る。
特定のパターンをガラス基板の片面だけに形成する工程
、同種のパターンをガラス基板の両面に形成する工程、
また異種のパターンをガラス基板の両面に形成する工程
の何れであっても、処理すべき内容の異なるそれらの基
板が同一の写真蝕刻装置内で処理されること、その装置
を構成する処理システムの中を基板が移動していく流れ
が一方向でスムーズであること、すなわち処理すべき基
板がコンベア搬送できること、また基層を処理すべきシ
ステムが装置内でドライ状態にある処理システムとウェ
ット状態にある処理システムとに大きく分離されており
基板の汚染の発生が極力抑えられ且つ汚染物の除去が容
易であることなどが満足される処理システムを有する写
真蝕刻装置による処理方法の登場が望まれていたのであ
る。
本発明は畝上の諸要求を満足する構成を有する処理シス
テムからなる液晶用ガラス基板の写真蝕刻方法を提供す
ることを目的とする。
テムからなる液晶用ガラス基板の写真蝕刻方法を提供す
ることを目的とする。
本発明法による写真蝕刻（フォトエツチング）装置内の
処理システムの構成を第２図においてブロック図で示す
。また、それらの各処理内容をガラス基板上の導電性透
明電極のフォトエツチングを実施例として第３図に示し
た。
処理システムの構成を第２図においてブロック図で示す
。また、それらの各処理内容をガラス基板上の導電性透
明電極のフォトエツチングを実施例として第３図に示し
た。
本発明による写真蝕刻方法の処理システムの構成は、基
板の流れとして捉えれば第２図に示すように、（ａ）洗
浄、（ｂ）レジストコート、（Ｃ）プリベータ。
板の流れとして捉えれば第２図に示すように、（ａ）洗
浄、（ｂ）レジストコート、（Ｃ）プリベータ。
（ｄ）レジストコート、（ｅ）プリベータ、（ｆ）露光
、（ｇ）レジストコート、（ｈ）プリベータ、０）現像
、 Ｕ）エツチング、（荀リムーブ、（１）洗浄の順に
構成される。処理すべきガラス基板は１枚ずつこの装置
に供給され上記処理順に従った流れに沿ってベルトコン
ベア式に搬送移動していくことになる。
、（ｇ）レジストコート、（ｈ）プリベータ、０）現像
、 Ｕ）エツチング、（荀リムーブ、（１）洗浄の順に
構成される。処理すべきガラス基板は１枚ずつこの装置
に供給され上記処理順に従った流れに沿ってベルトコン
ベア式に搬送移動していくことになる。
いま為ガラス基板の片面の導電性透明電極をフォトエツ
チングする場合には、第２図、第３図中、Ａで示した処
理システムの順序で工程を進めていく。すなわち（ｄ）
、 （ｅ）及び（ｇ） 、 （ｈ）の処理段階では処
理せずに通過させ、（ａ） 、 （ｂ） 、 （（１）
、 （ｆ） 、 （ｔ） 、 Ｕ） ＋伽）。
チングする場合には、第２図、第３図中、Ａで示した処
理システムの順序で工程を進めていく。すなわち（ｄ）
、 （ｅ）及び（ｇ） 、 （ｈ）の処理段階では処
理せずに通過させ、（ａ） 、 （ｂ） 、 （（１）
、 （ｆ） 、 （ｔ） 、 Ｕ） ＋伽）。
（１）の処理段階を経てＡ→Ａ′で目的のフォトエツチ
ング工程を終了させるわけである。なお、第３図中、参
照符号１，２，４．５は第１図の参照符号で示したもの
に対応する。
ング工程を終了させるわけである。なお、第３図中、参
照符号１，２，４．５は第１図の参照符号で示したもの
に対応する。
次に、両面に導電性透明電極をもつガラス基板を両面同
一パターンでフォトエツチングする場合には、Ｂで示し
た処理システムの順序で工程を進めていく。すなわち、
（ｇ） 、（ｈ）の処理段階では処理せずに通過させ、
（ａ） 、（ｂ） 、（ｃ） 、（ｄ） 、（ａ） ＊
（ｆ） 、（１） ＋（ｊ） 、 （ｋ） 、 （１
）の処理段階を経てＢ −＋ Ｂ’で目的のフォトエツ
チング工程を終了させるわけである。ここで（ｄ） 、
（ｅ）のレジストコート、プリベータなる処理は裏面
の導電性透明電極２′に対するものとなる。
一パターンでフォトエツチングする場合には、Ｂで示し
た処理システムの順序で工程を進めていく。すなわち、
（ｇ） 、（ｈ）の処理段階では処理せずに通過させ、
（ａ） 、（ｂ） 、（ｃ） 、（ｄ） 、（ａ） ＊
（ｆ） 、（１） ＋（ｊ） 、 （ｋ） 、 （１
）の処理段階を経てＢ −＋ Ｂ’で目的のフォトエツ
チング工程を終了させるわけである。ここで（ｄ） 、
（ｅ）のレジストコート、プリベータなる処理は裏面
の導電性透明電極２′に対するものとなる。
更に、両面に導電性透明電極をもつガラス基板に対し両
面が異種のパターンをもつように７オトエツチングする
場合には、Ｃ及び来で示した処理システムの順序で工程
を進めればよい。すなわち、（ｄ） 、 （＠）の処理
段階は通過するだけで、（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ
） 。
面が異種のパターンをもつように７オトエツチングする
場合には、Ｃ及び来で示した処理システムの順序で工程
を進めればよい。すなわち、（ｄ） 、 （＠）の処理
段階は通過するだけで、（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｅ
） 。
（ｆ） 、 （ｇ） 、（ｈ） 、 （ｉ） 、 （ｊ
） 、 （ｋ） 、 （１） 、 （ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ） 、（ｆ） −（ｇ） 、（ｈ） 、（１
） 、Ｕ） ＋ （→、（１）なる処理段階を経てＣ→
来→米→σで目的のフォトエツチング工程を終了するわ
けである。この場合にはガラス基板は装置を２回通るわ
けであり、装置に２回目に搬送された時の（ｇ） 、
（ｈ）の処理段階は１回目で形成された透明パターン電
極ろの保護マスク形成を目的としているのである。
） 、 （ｋ） 、 （１） 、 （ａ） 、 （ｂ）
、 （ｃ） 、（ｆ） −（ｇ） 、（ｈ） 、（１
） 、Ｕ） ＋ （→、（１）なる処理段階を経てＣ→
来→米→σで目的のフォトエツチング工程を終了するわ
けである。この場合にはガラス基板は装置を２回通るわ
けであり、装置に２回目に搬送された時の（ｇ） 、
（ｈ）の処理段階は１回目で形成された透明パターン電
極ろの保護マスク形成を目的としているのである。
以上述べてきたことから明らかなように、基板の片面或
いは両面にフォトエツチングによってパターン電極を形
成する際に、それが同一パターンであろうと異種パター
ンであろうと、写真蝕刻装置を本発明による処理システ
ムの構成にすることにより、何れの基板も同一装置でフ
ォトエツチングすることができ、且つ基板の流れもベル
トコンベア式に一方向にスムーズに搬送移動することが
できる。しかもウェット状態の処理段階とドライ状態の
処理段階とがブロックとして分離された形で行なわれる
ので、装置の前後すなわち基板が供給される第１段階と
基板が取りｍｍされる最終段階とに洗浄工程を設けるだ
けで何れの種類の基板をも汚染のない形で処理できるの
である。
いは両面にフォトエツチングによってパターン電極を形
成する際に、それが同一パターンであろうと異種パター
ンであろうと、写真蝕刻装置を本発明による処理システ
ムの構成にすることにより、何れの基板も同一装置でフ
ォトエツチングすることができ、且つ基板の流れもベル
トコンベア式に一方向にスムーズに搬送移動することが
できる。しかもウェット状態の処理段階とドライ状態の
処理段階とがブロックとして分離された形で行なわれる
ので、装置の前後すなわち基板が供給される第１段階と
基板が取りｍｍされる最終段階とに洗浄工程を設けるだ
けで何れの種類の基板をも汚染のない形で処理できるの
である。
本発明をガラス基板における導電性透明電極を実施例に
説明してきたが、金属電極のフォトエツチングに対して
も本発明が適用できることはいうまでもない。
説明してきたが、金属電極のフォトエツチングに対して
も本発明が適用できることはいうまでもない。
第１図は写真蝕刻工程の処理システムを説明するための
ブロック図。 第２図は本発明のフォトエツチング工程を構成する処理
システムを処理順序に従って配置したブロック図。 第３図は第２図のフォトエツチング工程において導電性
透明電極を有するガラス基板を実施例としたときの処理
内容を処理順に従って示す模式図である。 １・・・ガラス基板； ２ 、２’・・・透明導電膜；
３・・・透明パターン電極；４・・・感光膜；５・・・
プリベーク後の感光膜。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸
ブロック図。 第２図は本発明のフォトエツチング工程を構成する処理
システムを処理順序に従って配置したブロック図。 第３図は第２図のフォトエツチング工程において導電性
透明電極を有するガラス基板を実施例としたときの処理
内容を処理順に従って示す模式図である。 １・・・ガラス基板； ２ 、２’・・・透明導電膜；
３・・・透明パターン電極；４・・・感光膜；５・・・
プリベーク後の感光膜。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代理人：弁理士海津保三 同 ：弁理士 平 山 −幸
Claims (1)
- 少なくとも導電性透明膜彎有するガラス基板上にフォト
エツチングによって特定のパターンを有する電極を形成
する写真蝕刻方法において、各処理工程が洗浄、レジス
トコート、 ゛ プリベータ、レジストコート、プリベ
ータ、露光、レジストコート、プリベータ、現像、エツ
チング、リムーブ、洗浄でなり、且つフォトエツチング
すべき上記ガラス基板が上記工程を少なくとも１回ベル
トコンベア式に搬送されて上記順序に従って一方向に移
動ししかも上記各工程のいくつかを選択的に経ることに
よってフォト蔓ツチングを完了するようにしたことを特
徴とする写真蝕刻方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8953484A JPS60233653A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 写真蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8953484A JPS60233653A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 写真蝕刻方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233653A true JPS60233653A (ja) | 1985-11-20 |
Family
ID=13973476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8953484A Pending JPS60233653A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 写真蝕刻方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60233653A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168629A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Manufacture of liquid crystal display element |
| JPS57102015A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Hitachi Ltd | Pattern formation |
| JPS5921095A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | 日本電気株式会社 | 多層印刷配線板の製造方法 |
| JPS5963612A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-11 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8953484A patent/JPS60233653A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS56168629A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Sharp Corp | Manufacture of liquid crystal display element |
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| JPS5963612A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-11 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
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