JPS60231910A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS60231910A JPS60231910A JP8863284A JP8863284A JPS60231910A JP S60231910 A JPS60231910 A JP S60231910A JP 8863284 A JP8863284 A JP 8863284A JP 8863284 A JP8863284 A JP 8863284A JP S60231910 A JPS60231910 A JP S60231910A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- magnetic
- oxide film
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は磁気ディスクに関し、特にその高記録密度を
実現しようとするものに関する。
実現しようとするものに関する。
磁気ディスクの高記録密度を実現するためには。
磁気ディスクの表面精度を高めて磁気ヘッドの浮上高さ
を低くすること、及び記録媒体の磁気特性を適切な値に
することなどが重要である。さらに。
を低くすること、及び記録媒体の磁気特性を適切な値に
することなどが重要である。さらに。
記録・再生時のエラー発生率を低減させるために表面欠
陥を少々くする必要がある、 従来の磁気ディスクとして第１図に示すものがあった、
図において、（１）はアルミニウム合金基材。
陥を少々くする必要がある、 従来の磁気ディスクとして第１図に示すものがあった、
図において、（１）はアルミニウム合金基材。
（２）は下地層で０例えば、９０重量％Ｎｉ、１０重量
％ＰのＮ１−Ｐ又はアルマイトで構成され、アルミニウ
ム合金基材（１１の上部に形成さｒている。（３］は下
地層（２）の上に積層された酸化物磁性膜で０例えばｒ
Ｆｅ２Ｏ３膜で形成されている。
％ＰのＮ１−Ｐ又はアルマイトで構成され、アルミニウ
ム合金基材（１１の上部に形成さｒている。（３］は下
地層（２）の上に積層された酸化物磁性膜で０例えばｒ
Ｆｅ２Ｏ３膜で形成されている。
このような構成の磁気ディスクを製造する方法の一例を
以下に述べる、アルミニウム合金基材（１）は軟らかく
、シかも加工性が悪いので、ポリッシュ加工しやすくす
るため、並びに耐クラツシユ性及び耐摩耗性を向上させ
るために、アルミニウム合金基材（１）の上部に下地層
（２）を形成する。この下地層＋２）はアルミニウム合
金基材（１）の表面の陽極酸化によって形成されたアル
マイト層、又は化学メッキによって形成されたＮ１−Ｐ
層によって構成し。
以下に述べる、アルミニウム合金基材（１）は軟らかく
、シかも加工性が悪いので、ポリッシュ加工しやすくす
るため、並びに耐クラツシユ性及び耐摩耗性を向上させ
るために、アルミニウム合金基材（１）の上部に下地層
（２）を形成する。この下地層＋２）はアルミニウム合
金基材（１）の表面の陽極酸化によって形成されたアル
マイト層、又は化学メッキによって形成されたＮ１−Ｐ
層によって構成し。
表面精度を高めるためにポリッシュ加工する。この下地
層（２）の上に、Ｆｅ又はＦｅ ５０４ターゲツトを使
用し、 Ａｒ−０２又はＡｒ雰囲気中におけるスパッタ
リングを利用してＦｅ５０．膜を形成した後、大気中熱
処理してｒ −Ｆｅ２Ｏ３膜（３）を成膜していた。
層（２）の上に、Ｆｅ又はＦｅ ５０４ターゲツトを使
用し、 Ａｒ−０２又はＡｒ雰囲気中におけるスパッタ
リングを利用してＦｅ５０．膜を形成した後、大気中熱
処理してｒ −Ｆｅ２Ｏ３膜（３）を成膜していた。
しかし上記のように構成された磁気ディスクでは、アル
ミニウム合金基材（１１内の不純物の偏析などによる突
起の影響が大きく、また下地層（２）中に存在するピン
ホールなどの影響によって磁気ディスクの表面粗さを表
わす最大高さく ＴＬｍａｘ ）は２００Ｘ程度までし
か下がらず、従って磁気ヘッドの浮上高さを１ｏｏｏＸ
以下にすることは不可能であり穴このため、記録・再生
時のエラー発生率も高かった。また、アルミニウム合金
基材１１１自体が軟らかく、下地層（２）の硬度も不充
分であった。
ミニウム合金基材（１１内の不純物の偏析などによる突
起の影響が大きく、また下地層（２）中に存在するピン
ホールなどの影響によって磁気ディスクの表面粗さを表
わす最大高さく ＴＬｍａｘ ）は２００Ｘ程度までし
か下がらず、従って磁気ヘッドの浮上高さを１ｏｏｏＸ
以下にすることは不可能であり穴このため、記録・再生
時のエラー発生率も高かった。また、アルミニウム合金
基材１１１自体が軟らかく、下地層（２）の硬度も不充
分であった。
そこで、最近、磁気ヘッドの低浮上高さを実現するため
にディスク基材として単結晶８ｉ 基材を用いた単結晶
Ｓ！ウェーハーディスクの使用が試みられている。この
ディスク基材は硬度がアルマイト及びＮ１−ｐを用いた
場合の２倍以上で、しかも表面粗さは１０〜２０叉几ｍ
ａｘであシ、アルマイト及びＮ１−ｐの場合の約１／１
ｏである。従って磁気ヘッドの浮上高さを非常に低くす
ること、及び記録・再生時のエラー発生率を非常に低く
することが可能である。しかし、この単結晶ｓｉ基材上
に酸化物磁性膜であるｒ −Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜すると
。
にディスク基材として単結晶８ｉ 基材を用いた単結晶
Ｓ！ウェーハーディスクの使用が試みられている。この
ディスク基材は硬度がアルマイト及びＮ１−ｐを用いた
場合の２倍以上で、しかも表面粗さは１０〜２０叉几ｍ
ａｘであシ、アルマイト及びＮ１−ｐの場合の約１／１
ｏである。従って磁気ヘッドの浮上高さを非常に低くす
ること、及び記録・再生時のエラー発生率を非常に低く
することが可能である。しかし、この単結晶ｓｉ基材上
に酸化物磁性膜であるｒ −Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜すると
。
ｒ −Ｐｅ２０５膜の酸素が８１の方に拡散してｒ−Ｆ
ｅ２０３膜の酸素が不足してしまったＦ）、ｒ Ｆｅ２
Ｏ３膜の結晶成長方向が単結晶ｓｉ基材の結晶方位の影
響を受けることによ’）、ｒ Ｆｅ２Ｏ３膜の磁気特性
が劣化してしまう。次表にアルマイト層上と単結晶ｓｉ
Ｏ基材上にｒ Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜した場合の磁気特性
の一例を示す。
ｅ２０３膜の酸素が不足してしまったＦ）、ｒ Ｆｅ２
Ｏ３膜の結晶成長方向が単結晶ｓｉ基材の結晶方位の影
響を受けることによ’）、ｒ Ｆｅ２Ｏ３膜の磁気特性
が劣化してしまう。次表にアルマイト層上と単結晶ｓｉ
Ｏ基材上にｒ Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜した場合の磁気特性
の一例を示す。
表
この表における保磁力（Ｈｃ）−飽和磁束密度（ＢＳ
）。
）。
角形比（Ｂｒ／Ｂｓ ）、及び角形比（Ｈｒ／ＨＣ）は
第２図に示す磁束ω）−磁界１曲１ｆＭＫ従って定義さ
れている。この表で示されるように、単結晶Ｓｉ基材上
にｒ Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜した場合には保磁力（Ｈｃ
） 。
第２図に示す磁束ω）−磁界１曲１ｆＭＫ従って定義さ
れている。この表で示されるように、単結晶Ｓｉ基材上
にｒ Ｆｅ２Ｏ３膜を成膜した場合には保磁力（Ｈｃ
） 。
飽和磁束密度（ＢＳ ） 、及び角形比（Ｂｒ／Ｂｓ、
Ｈｒ／Ｈｃ）すべて小さく、磁気特性がアルマイトを用
いた場合よシ劣っている。、また、へき開しやすく６局
所的な衝撃や傷に弱い、 従来の磁気ディスクは以上述べたように、アルミニウム
合金基材を使用した場合には０表面粗さが悪く、磁気ヘ
ッドの低浮上化が困難であるという欠点があり、単結晶
８１基材を使用した場合には。
Ｈｒ／Ｈｃ）すべて小さく、磁気特性がアルマイトを用
いた場合よシ劣っている。、また、へき開しやすく６局
所的な衝撃や傷に弱い、 従来の磁気ディスクは以上述べたように、アルミニウム
合金基材を使用した場合には０表面粗さが悪く、磁気ヘ
ッドの低浮上化が困難であるという欠点があり、単結晶
８１基材を使用した場合には。
磁気特性が劣化するという欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、単結晶８ｉ基劇。
めになされたもので、単結晶８ｉ基劇。
この基材に形成した酸化物膜、及びこの酸化物膜上に形
成した酸化物磁性膜を備えることにより。
成した酸化物磁性膜を備えることにより。
磁気ヘッドの低浮上化が可能で、かつ磁気特性の劣化を
防止して、高記録密度の実現が可能な磁気ディスクを提
供することを目的としている。
防止して、高記録密度の実現が可能な磁気ディスクを提
供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第３
図において、１４）は単結晶ｓｉ基材、（５）は単結晶
ｓｉ基材（４１に形成された酸化物膜で、 例えレイ５
ｉｎ−ｊ！ｆｚスーとのＱ ｉｎ−Ｗ ＩＲｌ ｂ＋
１１４ 話ｊｊ Ｑ ｒ ｊｉｃ材（４）を熱酸化処理
によって表面を酸化して形成さｔ’１． ８１０２層（
５）の上にｒ−Ｆｅ２０３層を従来と同様に成膜する。
図において、１４）は単結晶ｓｉ基材、（５）は単結晶
ｓｉ基材（４１に形成された酸化物膜で、 例えレイ５
ｉｎ−ｊ！ｆｚスーとのＱ ｉｎ−Ｗ ＩＲｌ ｂ＋
１１４ 話ｊｊ Ｑ ｒ ｊｉｃ材（４）を熱酸化処理
によって表面を酸化して形成さｔ’１． ８１０２層（
５）の上にｒ−Ｆｅ２０３層を従来と同様に成膜する。
この発明では表面粗さの良い単結晶ｓｉ基材（４）を用
いておシ、この表面を熱酸化しても８ｉの純度が非常に
高いため０表面粗さはほとんど低下しない。この実施例
において、磁気ヘッドの浮上特性を調べた結果、浮上高
さは５００Ｘが可能であることを確認した。また、ｒ
Ｆｅ２０３Ｊ曽（３）と 単結晶８ｉ基板（４）との間
Ｖｃ８１０２膜（５）が形成されているため＋ ｒ Ｐ
ｅ２０５膜（３）の酸素が基板（４）に拡散せず安定す
る。従ってｒ Ｆｅ２Ｏ３膜（３１の磁気特性の劣化が
低減され、高記録密度の実現が可能となる。
いておシ、この表面を熱酸化しても８ｉの純度が非常に
高いため０表面粗さはほとんど低下しない。この実施例
において、磁気ヘッドの浮上特性を調べた結果、浮上高
さは５００Ｘが可能であることを確認した。また、ｒ
Ｆｅ２０３Ｊ曽（３）と 単結晶８ｉ基板（４）との間
Ｖｃ８１０２膜（５）が形成されているため＋ ｒ Ｐ
ｅ２０５膜（３）の酸素が基板（４）に拡散せず安定す
る。従ってｒ Ｆｅ２Ｏ３膜（３１の磁気特性の劣化が
低減され、高記録密度の実現が可能となる。
この実施例におけるｒ Ｆｅ２Ｏ３膜（３）の磁気特性
は。
は。
保磁カフ２００ｅ、飽和磁束密度３２００ＧＡＵ８Ｓ、
角形比（Ｂｒ／Ｂｓ ） ０．８４．及び角形比（Ｈｒ
／ｎｃ ） ｏ、ｇｓが得られ、従来のアルマイト層を
下地層として使用した場合と同程度の値が得られた。し
かも’１７！ｈＫ対して強く、耐クラツシユ性に優れ、
記録・再生時のエラー発生率も非常に低くなることもｍ
認した。
角形比（Ｂｒ／Ｂｓ ） ０．８４．及び角形比（Ｈｒ
／ｎｃ ） ｏ、ｇｓが得られ、従来のアルマイト層を
下地層として使用した場合と同程度の値が得られた。し
かも’１７！ｈＫ対して強く、耐クラツシユ性に優れ、
記録・再生時のエラー発生率も非常に低くなることもｍ
認した。
なお、上記実施例ではｓ ｉｏ、層（５）を単結晶ｓｉ
基材（４）を熱酸化して形成しているが、スパッタ法な
どによって成膜してもよい。また、酸化物膜（５）とし
て８１０２層に限らず、膜厚が均一でピンホールの少な
い酸化物膜であれば何でもよく１例えばＴａ２０５ 、
ＷＯ３，８ｎ０２ 、及びＩｎ２Ｏ３なども使用でき
る、さらに、酸化物磁性膜（３）としてｒ Ｆｅ２０Ｊ
でなくてもよく、Ｆｅ３Ｏ４膜やバリウムフェライト膜
などの場合でも同様の効果を期待できる。
基材（４）を熱酸化して形成しているが、スパッタ法な
どによって成膜してもよい。また、酸化物膜（５）とし
て８１０２層に限らず、膜厚が均一でピンホールの少な
い酸化物膜であれば何でもよく１例えばＴａ２０５ 、
ＷＯ３，８ｎ０２ 、及びＩｎ２Ｏ３なども使用でき
る、さらに、酸化物磁性膜（３）としてｒ Ｆｅ２０Ｊ
でなくてもよく、Ｆｅ３Ｏ４膜やバリウムフェライト膜
などの場合でも同様の効果を期待できる。
以上述べたように、この発明によれば、単結晶ｓｉ基材
、この基材に形成した酸化物膜、 及びこの酸化物膜上
に形成した酸化物磁性膜な備えることによシ９磁気ヘッ
ドの浮上高さが低くエラー発生基の低い単結晶８ｉ基材
を用いた時の磁気特性の低下を酸化物膜によシ防止して
、記録密度を高めることができる磁気ディスクを得る効
果がある。
、この基材に形成した酸化物膜、 及びこの酸化物膜上
に形成した酸化物磁性膜な備えることによシ９磁気ヘッ
ドの浮上高さが低くエラー発生基の低い単結晶８ｉ基材
を用いた時の磁気特性の低下を酸化物膜によシ防止して
、記録密度を高めることができる磁気ディスクを得る効
果がある。
第１図は従来の８気デイスクを示す断面図、第２図は横
軸の磁界■と縦軸の磁束（９）との関係を示す特性曲線
図、第３図はこの発明の一実施例による磁気ディスクを
示す断面図である。 （３）・・・・・酸化物磁性膜、（４）・・・・・・単
結晶８ｉ４材。 （５）・・・・・酸化物膜。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示＋、 代理人大岩増雄
軸の磁界■と縦軸の磁束（９）との関係を示す特性曲線
図、第３図はこの発明の一実施例による磁気ディスクを
示す断面図である。 （３）・・・・・酸化物磁性膜、（４）・・・・・・単
結晶８ｉ４材。 （５）・・・・・酸化物膜。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示＋、 代理人大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 単結晶ｓｉ基材、この基材に形成した酸化物膜。 及びこの酸化物膜上に形成した酸化物磁性膜を備えた磁
気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8863284A JPS60231910A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8863284A JPS60231910A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231910A true JPS60231910A (ja) | 1985-11-18 |
Family
ID=13948179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8863284A Pending JPS60231910A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60231910A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080267675A1 (en) * | 2005-11-30 | 2008-10-30 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Intermediate Transfer Member, Method of Manufacturing Intermediate Transfer Member, and Image Forming Apparatus |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP8863284A patent/JPS60231910A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080267675A1 (en) * | 2005-11-30 | 2008-10-30 | Konica Minolta Business Technologies, Inc. | Intermediate Transfer Member, Method of Manufacturing Intermediate Transfer Member, and Image Forming Apparatus |
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