JPS60229387A - 光情報記憶回路 - Google Patents
光情報記憶回路Info
- Publication number
- JPS60229387A JPS60229387A JP59085235A JP8523584A JPS60229387A JP S60229387 A JPS60229387 A JP S60229387A JP 59085235 A JP59085235 A JP 59085235A JP 8523584 A JP8523584 A JP 8523584A JP S60229387 A JPS60229387 A JP S60229387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- current
- bistable semiconductor
- temperature
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は注入電流と出射光量との間にヒステリシス特性
を示す双安定半導体レーザを用いた光情報記憶回路に関
する。
を示す双安定半導体レーザを用いた光情報記憶回路に関
する。
（従来技術とその問題点）
従来、電気信号の論理演算を高速で行なうデバイスとし
ては、カレント・スイッチを基本ブロックとしたカレン
トモードロジックが知られており更には近年ＧａＡｓＦ
ＥＴやジョセフソン結合素子等を用いた超高速論理演算
デバイスの研死が進められている。
ては、カレント・スイッチを基本ブロックとしたカレン
トモードロジックが知られており更には近年ＧａＡｓＦ
ＥＴやジョセフソン結合素子等を用いた超高速論理演算
デバイスの研死が進められている。
しかしながら画像情報等の２次元的で大型なデータの高
速ディジタル情報処理を電気信号で行なうには演算速度
、消費電力等の面で限界がある。
速ディジタル情報処理を電気信号で行なうには演算速度
、消費電力等の面で限界がある。
このため高速で２次元並列の情報処理に親和性のある光
信号を光のままディジタル情報処理することのできる光
論理演算デバイスの実現が望まれており、このような光
論理演算デバイスには光情報を読み書きすることのでき
る光情報記憶デバイスが不可欠である。
信号を光のままディジタル情報処理することのできる光
論理演算デバイスの実現が望まれており、このような光
論理演算デバイスには光情報を読み書きすることのでき
る光情報記憶デバイスが不可欠である。
この光情報記憶デバイスとしてアイ イー イーイージ
ャーナル オブ クオンタム エレクトロニクス（ＩＥ
ＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔａｍＥｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ ）誌、 １９８２年ＱＢ−１８、１３
５２〜１３６１頁に記載されているよう−ご半導体レー
ザの電極を２つに分割することによって、共振器内ｌこ
光の増幅領域と損失領域を設けることによって注入電流
対光出力特性にヒステリシス特性をもたせ、前記ヒステ
リシス内に注入電流を設定することによって（以後この
注入電流の値をバイアス電流と称する。）２値の光量の
いずれか一方を記憶する双安定牛轟体レーザが知られて
いる。
ャーナル オブ クオンタム エレクトロニクス（ＩＥ
ＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＱｕａｎｔａｍＥｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ ）誌、 １９８２年ＱＢ−１８、１３
５２〜１３６１頁に記載されているよう−ご半導体レー
ザの電極を２つに分割することによって、共振器内ｌこ
光の増幅領域と損失領域を設けることによって注入電流
対光出力特性にヒステリシス特性をもたせ、前記ヒステ
リシス内に注入電流を設定することによって（以後この
注入電流の値をバイアス電流と称する。）２値の光量の
いずれか一方を記憶する双安定牛轟体レーザが知られて
いる。
このような双安定半導体レーザは、そのヒステリシス特
性が温度によって大きく変化するため、これによって記
憶情報−こ誤りを生ずる結果となる。
性が温度によって大きく変化するため、これによって記
憶情報−こ誤りを生ずる結果となる。
このため、この双安定半導体レーザ゛を光ｆｆｔ報記憶
デバイスとして用いるためには、ペルチェ素子などによ
って前記双安定半導体レーザの温度を例えば±０１℃以
内に制御する必要があった。この点について、図面を参
照しつつ、より具体的ｔこ説明する。
デバイスとして用いるためには、ペルチェ素子などによ
って前記双安定半導体レーザの温度を例えば±０１℃以
内に制御する必要があった。この点について、図面を参
照しつつ、より具体的ｔこ説明する。
第１図＋ａ）は双安定半導体レーザの具体例を示す断面
図である。構造は通常用いられる電流注入形の半導体レ
ーザとほぼ同じであり、例えばＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ
やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰを材料とするダブルへテロ接
合構造のレーザである。但し、電極が第１の電極１００
および第２の電極１０１の２つに分割され、それぞれ正
の注入電流１．と負の注入″電流１２を与えることによ
り、活性１ｆｌｉの内部に光の増幅領域１０２と光の損
失領域１０３が存在していることが通常の半導体レーザ
♂は異なっている。このようにして第１図１ａ）の双安
定半導体レーザでは注入電流対光出力特性にヒステリシ
ス特性をもたせることができる。この双安定半導体レー
ザでは注入電流１１および１２ を適当に選ぶことによ
って、外部からの注入光ｌこ対する出射光の特性ｌども
双安定特性が得られる。
図である。構造は通常用いられる電流注入形の半導体レ
ーザとほぼ同じであり、例えばＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ
やＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰを材料とするダブルへテロ接
合構造のレーザである。但し、電極が第１の電極１００
および第２の電極１０１の２つに分割され、それぞれ正
の注入電流１．と負の注入″電流１２を与えることによ
り、活性１ｆｌｉの内部に光の増幅領域１０２と光の損
失領域１０３が存在していることが通常の半導体レーザ
♂は異なっている。このようにして第１図１ａ）の双安
定半導体レーザでは注入電流対光出力特性にヒステリシ
ス特性をもたせることができる。この双安定半導体レー
ザでは注入電流１１および１２ を適当に選ぶことによ
って、外部からの注入光ｌこ対する出射光の特性ｌども
双安定特性が得られる。
第１図（ｂｌは前記第１図（ａ）に示した双安定半導体
レーザの特性を説明するための図であり、第２Ｑ）電極
１０１に注入される電流ｉ、二ｉ； とじた時の前記第
１の電極１００に注入される電Ｒ’＋と出射光量Ｐｏｕ
ｔ の関係を示す図である。
レーザの特性を説明するための図であり、第２Ｑ）電極
１０１に注入される電流ｉ、二ｉ； とじた時の前記第
１の電極１００に注入される電Ｒ’＋と出射光量Ｐｏｕ
ｔ の関係を示す図である。
第１図ｔｂｌにおいて、１０４は活性層の温度Ｔ＝Ｔ’
の場合の注入電流１１−出射光量Ｐｏｕｔ 特性を示す
もので、注入電流１１を０から増加させたときｔこはｌ
に１ｕ で急激に出射光量Ｐｏｕｔ が増加し、逆に注
入電流ｌ、を輸充分の値から減少させた場合には出射光
１Ｐｏｕｔはｉ、＝ｉｄで急激に減少するようなヒステ
リシス特性を示す。したがって注入り流１１をバイアス
電流値ｉｂに設定すると第１図１ａ）に示した双安定半
導体レーザは２つの安定点ＡおよびＢを有し出射光量Ｐ
。およびＰ、の２値の光情報を記憶することができる。
の場合の注入電流１１−出射光量Ｐｏｕｔ 特性を示す
もので、注入電流１１を０から増加させたときｔこはｌ
に１ｕ で急激に出射光量Ｐｏｕｔ が増加し、逆に注
入電流ｌ、を輸充分の値から減少させた場合には出射光
１Ｐｏｕｔはｉ、＝ｉｄで急激に減少するようなヒステ
リシス特性を示す。したがって注入り流１１をバイアス
電流値ｉｂに設定すると第１図１ａ）に示した双安定半
導体レーザは２つの安定点ＡおよびＢを有し出射光量Ｐ
。およびＰ、の２値の光情報を記憶することができる。
しかしながら、第１図（ａ）に示した双安定半導体レー
ザは活性層の温度ＴがＴ′からＴ“に上昇すると注入電
流ｌ、−出射光量Ｐｏｕｔ特性は１０５の如く変化し、
例えば双安定半導体レーザが光量Ｐ、を記憶している場
合を考えると、これによって安定点はＢ点から０点に変
化し出射光量はＰｌからＰ；に減少する。このようにし
て活性層の温度ＴがさらにＴ“に上昇すると注入電流ｉ
Ｉ−出射光ｍ Ｐｏｕｔ特性は１０６の如く変化し、こ
れによって安定点は０点からＡ点に移り出射光量はしき
い値光量Ｐｔｈ以下の値Ｐ０ となる。このように第１
図ｔａｌに示した双安定半導体レーザは活性層の温度に
よってそのヒステリシス特性が大きく変化し保持すべき
情報ｌこ誤りを生ずるこ七となる。このため、第１図１
ａｌｉこ示した双安定半導体レーザを光情報記憶デバイ
スとして用いるためにはペルチェ素子などによって双安
定半導体レーザの温度をたとえば±Ｏ１℃程度に制御す
ることが不可欠であった。
ザは活性層の温度ＴがＴ′からＴ“に上昇すると注入電
流ｌ、−出射光量Ｐｏｕｔ特性は１０５の如く変化し、
例えば双安定半導体レーザが光量Ｐ、を記憶している場
合を考えると、これによって安定点はＢ点から０点に変
化し出射光量はＰｌからＰ；に減少する。このようにし
て活性層の温度ＴがさらにＴ“に上昇すると注入電流ｉ
Ｉ−出射光ｍ Ｐｏｕｔ特性は１０６の如く変化し、こ
れによって安定点は０点からＡ点に移り出射光量はしき
い値光量Ｐｔｈ以下の値Ｐ０ となる。このように第１
図ｔａｌに示した双安定半導体レーザは活性層の温度に
よってそのヒステリシス特性が大きく変化し保持すべき
情報ｌこ誤りを生ずるこ七となる。このため、第１図１
ａｌｉこ示した双安定半導体レーザを光情報記憶デバイ
スとして用いるためにはペルチェ素子などによって双安
定半導体レーザの温度をたとえば±Ｏ１℃程度に制御す
ることが不可欠であった。
（発明の目的）
本発明の目的は、ペルチェ素子などによる温度制御が不
要であり、かつ安定に光情報の記憶を行なうことのでき
る光情報記憶回路を提供することにある。
要であり、かつ安定に光情報の記憶を行なうことのでき
る光情報記憶回路を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば、半導体レーザの一端の電極を２つに分
割することにより活性層に光の増幅領域と損失領域とを
設けられた双安定半導体レーザと、前記増幅領域側の電
極に電流を供給する第１の電流供給手段と、前記損失領
域側の電極に電流を供給する第２の電流供給手段と、前
記活性層の温度を電気信号もしくは光信号として検出す
る温度検出手段と該温度検出手段の出力に基づき前記第
２の電流供給手段の電流値を制御する信号を発生する手
段とから少なくとも構成されることを特徴とする光情報
記憶回路が得られる。
割することにより活性層に光の増幅領域と損失領域とを
設けられた双安定半導体レーザと、前記増幅領域側の電
極に電流を供給する第１の電流供給手段と、前記損失領
域側の電極に電流を供給する第２の電流供給手段と、前
記活性層の温度を電気信号もしくは光信号として検出す
る温度検出手段と該温度検出手段の出力に基づき前記第
２の電流供給手段の電流値を制御する信号を発生する手
段とから少なくとも構成されることを特徴とする光情報
記憶回路が得られる。
（実施例）
第２図は本発明の第１の実施例を示す図である。
第２図によれば、本発明の第１の実施例は双安定半導体
レーザ２００と、この双安定半導体レーザ２００と同じ
温度となるように双安定中導体Ｌ・−ザ２００と近接し
て設けられたトランジスタ２０１と、このトランジスタ
２０１のコレクタに一端を“電源に他端をそれぞれ接続
された定電流回路２０２と、トランジスタ２０１のベー
スに一方の入力を、トランジスタ２０１のエミッタに他
方の入力をそれぞれ接続された電圧検出回路２０３と、
双安定半導体レーザ２００の一方の電極に一端を電源に
他端をそれぞれ接続され双安定半導体レーザ２００に正
のバイアス電流ｉｂを注入する定電流回路２０５と、一
端を双安定半導体レーザ２００の第２の゛成極２０６に
、他端を電源にそれぞれ接続され、電圧検出回路２０３
の出力に応じて電流領置、の制御が行なわれる可変電流
回路２０７を含む。
レーザ２００と、この双安定半導体レーザ２００と同じ
温度となるように双安定中導体Ｌ・−ザ２００と近接し
て設けられたトランジスタ２０１と、このトランジスタ
２０１のコレクタに一端を“電源に他端をそれぞれ接続
された定電流回路２０２と、トランジスタ２０１のベー
スに一方の入力を、トランジスタ２０１のエミッタに他
方の入力をそれぞれ接続された電圧検出回路２０３と、
双安定半導体レーザ２００の一方の電極に一端を電源に
他端をそれぞれ接続され双安定半導体レーザ２００に正
のバイアス電流ｉｂを注入する定電流回路２０５と、一
端を双安定半導体レーザ２００の第２の゛成極２０６に
、他端を電源にそれぞれ接続され、電圧検出回路２０３
の出力に応じて電流領置、の制御が行なわれる可変電流
回路２０７を含む。
第３図は第２図に示した本発明の第１の実施例の動作を
説明するための図であり、活性層の温度Ｔ ＝ Ｔ’と
した時の第１図（ａｌに示した双安定半導体レーザの第
１の電極１００に注入される電流！、と出射光量Ｐｏｕ
ｔ の関係を示す図である。
説明するための図であり、活性層の温度Ｔ ＝ Ｔ’と
した時の第１図（ａｌに示した双安定半導体レーザの第
１の電極１００に注入される電流！、と出射光量Ｐｏｕ
ｔ の関係を示す図である。
第３図に示すように第１図（ａ）に示した双安定半導体
レーザは負の注入電流輸＝１．の場合には３００で示す
ヒステリシス特性を示し負の注入電流ｉ！を”ｔ ＋
ｊ！と減少させるとこれにともなってヒステリシス特性
は３０１，３０２と変化する。
レーザは負の注入電流輸＝１．の場合には３００で示す
ヒステリシス特性を示し負の注入電流ｉ！を”ｔ ＋
ｊ！と減少させるとこれにともなってヒステリシス特性
は３０１，３０２と変化する。
第３図を参照すると第２図に示した本発明の第１の実施
例は、双安定半導体レーザ２００と同じ温度となるよう
ｉこ双安定半導体レーザ２００と近接してトランジスタ
２０１が設けられている。ここで定電流回路２０２の電
流値を工。とすると、トランジスタ２０１のベース・エ
ミッタ間電圧ＶＢＩ＋は、温度Ｔによって次式のグロく
表わすことができる。
例は、双安定半導体レーザ２００と同じ温度となるよう
ｉこ双安定半導体レーザ２００と近接してトランジスタ
２０１が設けられている。ここで定電流回路２０２の電
流値を工。とすると、トランジスタ２０１のベース・エ
ミッタ間電圧ＶＢＩ＋は、温度Ｔによって次式のグロく
表わすことができる。
ここでｑは電子の電荷、ｋはボルツマン定数、Ｉ。
は飽和電流をそれぞれ表わす。したがって定電流回路２
０２の電流値工。を一定に保てばトランジスタ２０１の
ベース・エミッタ電圧１部によって双安定半導体レーザ
２００の活性層温度Ｔを検出することができる。第２図
に示した電圧検出回路２０３はトランジスタ２０１のベ
ース・エミッタ電圧ＶＢＥに応じて可変電流回路２０７
の電流値ｊ２の制御を行なっており、トランジスタ２０
１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥが上昇するとこれに応
じて可変電流回路２０７の電流値１２を減少させる。
０２の電流値工。を一定に保てばトランジスタ２０１の
ベース・エミッタ電圧１部によって双安定半導体レーザ
２００の活性層温度Ｔを検出することができる。第２図
に示した電圧検出回路２０３はトランジスタ２０１のベ
ース・エミッタ電圧ＶＢＥに応じて可変電流回路２０７
の電流値ｊ２の制御を行なっており、トランジスタ２０
１のベース・エミッタ電圧ＶＢＥが上昇するとこれに応
じて可変電流回路２０７の電流値１２を減少させる。
電圧検出回路２０３は、オペアンプ等を用いて構成する
ことができるが、以上の説明から明かな通り、双安定半
導体レーザのｉ、 −Ｐｏｕｔ 特性の温度変化及びｉ
、による同特性の変化を相殺する電流値を可変定眠流回
路２０７に発生させるべく、この電圧検出回路２０３の
入出力特性が定められる、このようにして双安定半導体
レーザ２００の活性層の温度ＴがＴ′→Ｔ’→Ｔ″ と
上昇し注入ｉｔ流１１−出射光量Ｐ■ｔ ％性が第１図
（ｂｌに示す如＜１０４→１０５→１０６と変化しよう
としても電圧検出回路２０３の出力によって負の注入電
流ｉ、の値が１．→ｉ；→１； と制御されるため、第
３図に示す如く注入電流１２−出射光量Ｐｏｕｔ 特性
は３００−＋ ３０１−）３０２と変化し、結果として
’＋ Ｐｏｕｔ 特性は常に一定に保たれる。
ことができるが、以上の説明から明かな通り、双安定半
導体レーザのｉ、 −Ｐｏｕｔ 特性の温度変化及びｉ
、による同特性の変化を相殺する電流値を可変定眠流回
路２０７に発生させるべく、この電圧検出回路２０３の
入出力特性が定められる、このようにして双安定半導体
レーザ２００の活性層の温度ＴがＴ′→Ｔ’→Ｔ″ と
上昇し注入ｉｔ流１１−出射光量Ｐ■ｔ ％性が第１図
（ｂｌに示す如＜１０４→１０５→１０６と変化しよう
としても電圧検出回路２０３の出力によって負の注入電
流ｉ、の値が１．→ｉ；→１； と制御されるため、第
３図に示す如く注入電流１２−出射光量Ｐｏｕｔ 特性
は３００−＋ ３０１−）３０２と変化し、結果として
’＋ Ｐｏｕｔ 特性は常に一定に保たれる。
以上述べたように第２図にボした本発明の第１の実施例
は双安定半導体レーザ２００の活性層の温度Ｔが変化し
てもつねに安定な注入電流ｉ、−出射光１ｔＰｏｕｔ
特性が得られ、ペルチェ素子などによる温度制御を必要
とせずに安定な光情報記憶動作が行なえる。
は双安定半導体レーザ２００の活性層の温度Ｔが変化し
てもつねに安定な注入電流ｉ、−出射光１ｔＰｏｕｔ
特性が得られ、ペルチェ素子などによる温度制御を必要
とせずに安定な光情報記憶動作が行なえる。
第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。
第４図において第２図と同一番号を付したものは第２図
と同一の構成要素を示す。
と同一の構成要素を示す。
第４図によれば本発明の第２の実施例は、双安足手導体
レーザ２００と同じ温度となるようｌこ、この双安定半
導体レーザ２００と近接して設けられた双安定半導体レ
ーザ４００と、双安定半導体レーザ４００の一方の電極
４０１に一端を、電源に他端をそれぞれ接続され、双安
定半導体レーザ４００に正のバイアス電波型すを注入す
る定電流回路４０２と、一端を双安定半導体レーザ４０
０の第２の電極４０３に、他端を電源に接続され、双安
定半導体レーザ４００に負の電流ｉ、を注入する可変定
電流回路４０４と、双安定半導体レーザ４００の出射光
量Ｐｏｕｔ を検出し、この出射光量Ｐｏｕｔ に応じ
て可変定電流回路２０７及び４０４の電流値１２を制御
する光−電気変換回路４０５をさらに含む。
レーザ２００と同じ温度となるようｌこ、この双安定半
導体レーザ２００と近接して設けられた双安定半導体レ
ーザ４００と、双安定半導体レーザ４００の一方の電極
４０１に一端を、電源に他端をそれぞれ接続され、双安
定半導体レーザ４００に正のバイアス電波型すを注入す
る定電流回路４０２と、一端を双安定半導体レーザ４０
０の第２の電極４０３に、他端を電源に接続され、双安
定半導体レーザ４００に負の電流ｉ、を注入する可変定
電流回路４０４と、双安定半導体レーザ４００の出射光
量Ｐｏｕｔ を検出し、この出射光量Ｐｏｕｔ に応じ
て可変定電流回路２０７及び４０４の電流値１２を制御
する光−電気変換回路４０５をさらに含む。
第４図に示した双安定半導体レーザ４００は双安定半導
体レーザ２００と同一の特性を有し、第１図（ｂｌに示
した安定点Ｂにあって常時光量Ｐ、の光Ｐｏｕｔ を出
射している。この時双安定半導体レーザ２００の活性層
温度がＴ′からＴ’に変化すると、双安定半導体レーザ
４００の活性層温度Ｔもこれをこ追随し、これによって
出射光Ｐｏｕｔ の光量が第１図１ａｌに示す如＜Ｐ＋
からＰ；ｌこ減少する。第４図ｔこ示した本発明の第２
の実施例においては、光−電気変換回路４０５によって
活性層温度Ｔの変化による出射光Ｐｏｕｔ の光量の変
化を検出し、これによって双安定半導体レーザ２００及
び２０４の可変定電流回路２０７及び４０４の電流値＋
２の制御を行なっている。すなわち、活性層温度Ｔの上
昇ｌこよって双安定半導体レーザ２００および４００の
ヒステリシス特性が第１図１ａｌζこ示す如＜１０４→
１０５→１０６と変化しても光−電気変換回路４０１の
出力によって双安定半導体レーザ２００及び４００の負
の注入電流ｉ。
体レーザ２００と同一の特性を有し、第１図（ｂｌに示
した安定点Ｂにあって常時光量Ｐ、の光Ｐｏｕｔ を出
射している。この時双安定半導体レーザ２００の活性層
温度がＴ′からＴ’に変化すると、双安定半導体レーザ
４００の活性層温度Ｔもこれをこ追随し、これによって
出射光Ｐｏｕｔ の光量が第１図１ａｌに示す如＜Ｐ＋
からＰ；ｌこ減少する。第４図ｔこ示した本発明の第２
の実施例においては、光−電気変換回路４０５によって
活性層温度Ｔの変化による出射光Ｐｏｕｔ の光量の変
化を検出し、これによって双安定半導体レーザ２００及
び２０４の可変定電流回路２０７及び４０４の電流値＋
２の制御を行なっている。すなわち、活性層温度Ｔの上
昇ｌこよって双安定半導体レーザ２００および４００の
ヒステリシス特性が第１図１ａｌζこ示す如＜１０４→
１０５→１０６と変化しても光−電気変換回路４０１の
出力によって双安定半導体レーザ２００及び４００の負
の注入電流ｉ。
の値が１２→１．→Ｉ２ と制御されるため、第３図ｔ
こ示す如くヒステリシス特性は３００→３０１→３０２
と変化し常に一定に保たれる。
こ示す如くヒステリシス特性は３００→３０１→３０２
と変化し常に一定に保たれる。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば活性層の温度な光情報
記憶動作を示す光情報記憶回路が得られる。
記憶動作を示す光情報記憶回路が得られる。
第１図（ａｌは本発明に用いる双安定半導体レーザの断
面図、第１図（ｂｌは第１図１ａｌ ｉこ示した双安定
半導体レーザの注入電流１．と出射光量Ｐｏｕｔ Ｌの
関係を示す図、第２図は本発明の第１の実施例を示す回
路図、第３図は第１図ｔａ）に示した双安定半導体レー
ザの活性層温度Ｔに対する注入電流ｌＩ−出射光量ＰＯ
ｕｔ 特性の変化を示す図、第４図は本発明の第２の実
施例を示す回路図である。 図−こおいて２００および４００は双安定半導体レーザ
２０２，２０５および４０２は定電流回路、２０７およ
び４０４は可変定電流回路、２０３は電圧検出回路。 ４０１は光−電気変換回路、をそれぞれ示す。 ″；＋１図 ７２図 ７３図
面図、第１図（ｂｌは第１図１ａｌ ｉこ示した双安定
半導体レーザの注入電流１．と出射光量Ｐｏｕｔ Ｌの
関係を示す図、第２図は本発明の第１の実施例を示す回
路図、第３図は第１図ｔａ）に示した双安定半導体レー
ザの活性層温度Ｔに対する注入電流ｌＩ−出射光量ＰＯ
ｕｔ 特性の変化を示す図、第４図は本発明の第２の実
施例を示す回路図である。 図−こおいて２００および４００は双安定半導体レーザ
２０２，２０５および４０２は定電流回路、２０７およ
び４０４は可変定電流回路、２０３は電圧検出回路。 ４０１は光−電気変換回路、をそれぞれ示す。 ″；＋１図 ７２図 ７３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの一端の電極を２つに分割することにより
活性ノーに光の増幅領域と損失領域とを設けられた双安
定半導体レーザと、前記増幅領域側の電極に電流を供給
する第１の電流供給手段と。 前記損失領域側の電極に電流を供給する第２の電流供給
手段と、前記活性層の温度を電気信号もしくは光信号と
して検出する温度検出手段と、該温度検出手段の出力ｌ
こ基づき前記第２の電流供給手段の電流値を制御する信
号を発生する手段とから少なくとも構成されることを特
徴とする光情報記憶回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085235A JPS60229387A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 光情報記憶回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085235A JPS60229387A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 光情報記憶回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229387A true JPS60229387A (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=13852896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59085235A Pending JPS60229387A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 光情報記憶回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229387A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126279A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光双安定素子 |
| JP2007048905A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 非線形半導体光素子駆動装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5912421A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nec Corp | 非線形光双安定素子 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59085235A patent/JPS60229387A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5912421A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nec Corp | 非線形光双安定素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126279A (ja) * | 1984-07-16 | 1986-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光双安定素子 |
| JP2007048905A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Sharp Corp | 非線形半導体光素子駆動装置 |
| JP4703312B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 非線形半導体光素子駆動装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4954786A (en) | Optical amplifying device | |
| CA1215138A (en) | Latching circuits | |
| Okumura et al. | Optical bistability and monolithic logic functions based on bistable laser/light-emitting diodes | |
| JPS60229387A (ja) | 光情報記憶回路 | |
| US4483004A (en) | Laser functional device | |
| US4709163A (en) | Current-discrimination arrangement | |
| JPH0645674A (ja) | 温度補償回路つきレーザダイオード駆動回路 | |
| US4802175A (en) | Opto-electric logic elements | |
| JPS6190487A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JPS60254991A (ja) | 時分割光交換機 | |
| JPH0426086B2 (ja) | ||
| JPH0797194B2 (ja) | 光信号シフト回路 | |
| JPS5831590A (ja) | 光機能素子 | |
| JPH02137383A (ja) | 双安定半導体レーザの駆動方法 | |
| US3303478A (en) | Information coupling arrangement for cryogenic systems | |
| JPH0640595B2 (ja) | 双安定半導体レ−ザの注入電流制御回路 | |
| JPS61165736A (ja) | 光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路 | |
| JPS6366984A (ja) | 半導体レ−ザ論理回路 | |
| JPS59207739A (ja) | 光ｄラツチ回路 | |
| JPH0578809B2 (ja) | ||
| JPH0666510B2 (ja) | 光メモリ書き込み方式 | |
| JPS5992587A (ja) | 光増幅回路 | |
| JPH0439837B2 (ja) | ||
| JPS61153900A (ja) | 光情報記憶回路 | |
| JPS61115370A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |