JPS61165736A - 光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路 - Google Patents
光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路Info
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- JPS61165736A JPS61165736A JP608785A JP608785A JPS61165736A JP S61165736 A JPS61165736 A JP S61165736A JP 608785 A JP608785 A JP 608785A JP 608785 A JP608785 A JP 608785A JP S61165736 A JPS61165736 A JP S61165736A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電気のクロック信号にしたがって光のデータ信
号をラッチすることのできる光マスタースレーブフリッ
プ７０ツブ回路に関する。
号をラッチすることのできる光マスタースレーブフリッ
プ７０ツブ回路に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、電気信号の論理演算を高速で行うデバイスとして
は、カレント・スイッチを基本ブロックとしたカレント
モードロジックが知られており、更には近年ＧａＡｓ
ＦＥＴやジョセフソン結合素子などを用いた超高速論理
演算デバイスの研究が進められている。
は、カレント・スイッチを基本ブロックとしたカレント
モードロジックが知られており、更には近年ＧａＡｓ
ＦＥＴやジョセフソン結合素子などを用いた超高速論理
演算デバイスの研究が進められている。
しかしながら、画像情報などの２次元的で大量なデータ
の高速ディジタル情報処理を電気信号で行うには、演算
速度・消費電力等の面で限界がある。
の高速ディジタル情報処理を電気信号で行うには、演算
速度・消費電力等の面で限界がある。
このため高速で２次元並列の情報処理に親和性のある光
信号を光のままディジタル情＠処理することのできる光
論理演算デバイスの実現が望まれており、このような光
論理演算デバイスには光情報を読み書きすることのでき
る光メモリが不可欠である。このような光メモリとして
は、たとえば文献エレクトロニクスルター（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）第１７巻７４１ページ
記載の双安定半導体レーザが知られている。
信号を光のままディジタル情＠処理することのできる光
論理演算デバイスの実現が望まれており、このような光
論理演算デバイスには光情報を読み書きすることのでき
る光メモリが不可欠である。このような光メモリとして
は、たとえば文献エレクトロニクスルター（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ）第１７巻７４１ページ
記載の双安定半導体レーザが知られている。
第７図は双安定半導体レーザの具体例を示す断面図であ
る。構造は通常用いられる電流注入形の半導体レーザと
ほぼ同じであり、例えばＧａＡｌＡｓ ／ＧａＡｓやＩ
ｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰを材料とするダブルへテロ接
合構造のレーザである。但し、電極７０１が一様ではな
く、一部に電流の注入されない部分７０２が存在してい
ることが通常の半導体レーザとは異なっている。上記電
流の非注入領域７０２は可飽和吸収体として働くので、
第７図の双安定半導体レーザでは注入電流ｉ対光出力Ｐ
。特性にヒステリシス特性をもたせることができる。な
お、電極を不均一にするかわりに、発光領域である活性
居の部分に不均一性をもたせ、一部に可飽和吸収領域を
設置することにより同様な双安定特性をもたせることが
できる。
る。構造は通常用いられる電流注入形の半導体レーザと
ほぼ同じであり、例えばＧａＡｌＡｓ ／ＧａＡｓやＩ
ｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＰを材料とするダブルへテロ接
合構造のレーザである。但し、電極７０１が一様ではな
く、一部に電流の注入されない部分７０２が存在してい
ることが通常の半導体レーザとは異なっている。上記電
流の非注入領域７０２は可飽和吸収体として働くので、
第７図の双安定半導体レーザでは注入電流ｉ対光出力Ｐ
。特性にヒステリシス特性をもたせることができる。な
お、電極を不均一にするかわりに、発光領域である活性
居の部分に不均一性をもたせ、一部に可飽和吸収領域を
設置することにより同様な双安定特性をもたせることが
できる。
これらの双安定半導体レーザでは主入電流ｉを適当に選
ぶことによって、外部からの注入光Ｐｉに対する出射光
Ｐ。の特性にも双安定特性が得られる。
ぶことによって、外部からの注入光Ｐｉに対する出射光
Ｐ。の特性にも双安定特性が得られる。
第８図（ａ） （ｂ）は、第７図の双安定半導体レーザ
の動作を説明するための図である。第８図（ａ）は入射
光量Ｐｉ＝０とした時の注入電流ｉと出射光量Ｐ。の関
係を示す図である。すなわち注入電流ｉを１０から増加
させたときには１＝ｉｕで急激に出射光量Ｐ。が増加し
、逆に注入電流ｉを電量上の値から減少させた場合には
出射光量Ｐ。は１＝ｉｄで急激にｉ減少するようなヒス
テリシス特性を示し１＝ｉ１）において出射光量Ｐ。お
よびＰｏｈの２つの安定点ＡおよびＢを有する。第８図
（ｂ）に示した８００は第７図において注入電流ｉ＝籍
とした時の入射光量Ｐｉと出射光量Ｐ。の関係を示す。
の動作を説明するための図である。第８図（ａ）は入射
光量Ｐｉ＝０とした時の注入電流ｉと出射光量Ｐ。の関
係を示す図である。すなわち注入電流ｉを１０から増加
させたときには１＝ｉｕで急激に出射光量Ｐ。が増加し
、逆に注入電流ｉを電量上の値から減少させた場合には
出射光量Ｐ。は１＝ｉｄで急激にｉ減少するようなヒス
テリシス特性を示し１＝ｉ１）において出射光量Ｐ。お
よびＰｏｈの２つの安定点ＡおよびＢを有する。第８図
（ｂ）に示した８００は第７図において注入電流ｉ＝籍
とした時の入射光量Ｐｉと出射光量Ｐ。の関係を示す。
すなわち出射光量Ｐ。−〇の第１の安定点Ａにある時に
入射光量Ｐｉを０から増加させた場合は出射光量Ｐ。は
Ｐｉ”Ｐｉｕで急激に増加し、以降入射光量Ｐｉ”Ｐｉ
ｈから減少させた場合には出射光量Ｐ。はほとんど減少
せずに出射光量Ｐ。＝Ｐｏｈの第２の安定点Ｂに移る。
入射光量Ｐｉを０から増加させた場合は出射光量Ｐ。は
Ｐｉ”Ｐｉｕで急激に増加し、以降入射光量Ｐｉ”Ｐｉ
ｈから減少させた場合には出射光量Ｐ。はほとんど減少
せずに出射光量Ｐ。＝Ｐｏｈの第２の安定点Ｂに移る。
第８図（ａ）における点Ａ、 Ｂはそれぞれ第８図（ｂ
）における点Ａ、 Ｂと同一の点を表す。
）における点Ａ、 Ｂと同一の点を表す。
第８図（ａ）において注入電流ｉの値をｉｗからｉｂに
減少させると、第８図（ｂ）の８０１に示すように入出
射光量特性は出射光量Ｐ。が立ち上がる入射光量Ｐｉが
ＰｉｕからＰｉｕ’に増加し、これにより双安定半導体
レーザＰｉｈの入射光量によってセットすることが不可
能となる。
減少させると、第８図（ｂ）の８０１に示すように入出
射光量特性は出射光量Ｐ。が立ち上がる入射光量Ｐｉが
ＰｉｕからＰｉｕ’に増加し、これにより双安定半導体
レーザＰｉｈの入射光量によってセットすることが不可
能となる。
第９図は第７図に示した双安定半導体レーザを用いた従
来技術による光マスタスレーブフリップフロップ回路を
示す図であり、第１０図は第９図に示した光マスタスレ
ー１フリップ７０ツブ回路の動作を説明するためのタイ
ムチャートである。
来技術による光マスタスレーブフリップフロップ回路を
示す図であり、第１０図は第９図に示した光マスタスレ
ー１フリップ７０ツブ回路の動作を説明するためのタイ
ムチャートである。
第１０図によれば第９図に示した光マスタスレーブフリ
ップフロップ回路の入力には光信号Ｄ１が加えられてお
り、可変電流源９００および９０１を制御することによ
って光信号Ｄ１をラッチし光信号Ｑ２として出力する。
ップフロップ回路の入力には光信号Ｄ１が加えられてお
り、可変電流源９００および９０１を制御することによ
って光信号Ｄ１をラッチし光信号Ｑ２として出力する。
第９図に示した双安定半導体レーザ９０２および９０３
には、第１０図に示すようにそれぞれ可変電流源９００
および９０１によって第８図（ａ）に示した電流値ｉｂ
の注入電流が供給されており、これにより双安定半導体
レーザ９０２および９０３は第８図に示す安定点Ａある
いはＢのいずれか一点を保持することにより、それぞれ
Ｘｎ、ｘｎ−１の光情報を記憶しているものとする。
には、第１０図に示すようにそれぞれ可変電流源９００
および９０１によって第８図（ａ）に示した電流値ｉｂ
の注入電流が供給されており、これにより双安定半導体
レーザ９０２および９０３は第８図に示す安定点Ａある
いはＢのいずれか一点を保持することにより、それぞれ
Ｘｎ、ｘｎ−１の光情報を記憶しているものとする。
ここで注入電流Ｔ２の値を第８図（ａ）に示す１０に減
少させると、双安定半導体レーザ９０３は第８図（ａ）
のＡ。
少させると、双安定半導体レーザ９０３は第８図（ａ）
のＡ。
Ｂいずれの安定点にあっても出射光量Ｑ２は０となる。
この後に注入電流Ｔ２の値を第８図（ａ）に示すｉｗに
増加させると、双安定半導体レーザ９０３の活性層の一
端９０４にはアイソレータ９０５を通して双安定半導体
レーザ９０２に蓄えられている光量＠Ｘｎ−１が光信号
Ｑ１として加えられており、光信号Ｑ１の光量Ｐ。ｈを
第８図（ｂ）に有する光量ＰｉｕとＰｉｕ・との間の値
を選ぶことにより、光情報Ｘ ｎ−１は双安定半導体レ
ーザ９０３に記憶され活性層の一端９０４および他端９
０９から光信号Ｑ２として出力する。次に双安定半導体
レーザ９０２の注入電流Ｔ１を第８図（ａ）に示すｉ（
に減少させると同様にして出射光量Ｑ１は０となる。こ
の後に注入電流Ｔ１の値を第８図（ａ）に示すｉｗに増
加させると、双安定半導体レーザ９０２の活性層の一端
９０６にはアイソレータ９０７を通して光情報Ｘｎ＋１
を有する光信号Ｄ１が加えられており、光信号Ｄ１の光
量を第８図（ｂ）に示すＰｉｈに選ぶことにより光情報
Ｘｎ＋１は双安定半導体レーザ９０２に記憶され活性層
の一端９０６および他端９０８から光信号Ｑ１として出
力する。
増加させると、双安定半導体レーザ９０３の活性層の一
端９０４にはアイソレータ９０５を通して双安定半導体
レーザ９０２に蓄えられている光量＠Ｘｎ−１が光信号
Ｑ１として加えられており、光信号Ｑ１の光量Ｐ。ｈを
第８図（ｂ）に有する光量ＰｉｕとＰｉｕ・との間の値
を選ぶことにより、光情報Ｘ ｎ−１は双安定半導体レ
ーザ９０３に記憶され活性層の一端９０４および他端９
０９から光信号Ｑ２として出力する。次に双安定半導体
レーザ９０２の注入電流Ｔ１を第８図（ａ）に示すｉ（
に減少させると同様にして出射光量Ｑ１は０となる。こ
の後に注入電流Ｔ１の値を第８図（ａ）に示すｉｗに増
加させると、双安定半導体レーザ９０２の活性層の一端
９０６にはアイソレータ９０７を通して光情報Ｘｎ＋１
を有する光信号Ｄ１が加えられており、光信号Ｄ１の光
量を第８図（ｂ）に示すＰｉｈに選ぶことにより光情報
Ｘｎ＋１は双安定半導体レーザ９０２に記憶され活性層
の一端９０６および他端９０８から光信号Ｑ１として出
力する。
このよにして第９図に示した光マスクスレーブフリップ
フロップ回路は、注入電流Ｔ２を制御することにより双
安定半導体レーザ９０２に記憶されている光情報ｘｎを
双安定半導体レーザ９０３に移し、圧入電流Ｔ１を制御
することにより入力に加えられた光情報Ｘｎ＋１を双安
定半導体レーザ９０２にラッチする。
フロップ回路は、注入電流Ｔ２を制御することにより双
安定半導体レーザ９０２に記憶されている光情報ｘｎを
双安定半導体レーザ９０３に移し、圧入電流Ｔ１を制御
することにより入力に加えられた光情報Ｘｎ＋１を双安
定半導体レーザ９０２にラッチする。
第９図において双安定半導体レーザ９０３は活性層の両
端から光信号Ｑ２を出射しており、アイソレータ９０５
を除去すると双安定半導体レーザ９０２の活性層の一端
には入力光信号Ｄ１が、活性層の他端には双安定半導体
レーザ９０４の出力光信号Ｑ２がそれぞれ加えられるこ
ととなり、注入電流Ｔ１を電流値ｉｗに増加させた際に
、２つの光信号Ｄ１およびＱ２の論理和が記憶されてし
まう。このため第９図に示した光マ □スタスレー
ブフリップフロツプ回路においては、光アイソレータ９
０５が不可決であり、これによって回路が複雑となり集
積化を妨げる大きな原因となっている。
端から光信号Ｑ２を出射しており、アイソレータ９０５
を除去すると双安定半導体レーザ９０２の活性層の一端
には入力光信号Ｄ１が、活性層の他端には双安定半導体
レーザ９０４の出力光信号Ｑ２がそれぞれ加えられるこ
ととなり、注入電流Ｔ１を電流値ｉｗに増加させた際に
、２つの光信号Ｄ１およびＱ２の論理和が記憶されてし
まう。このため第９図に示した光マ □スタスレー
ブフリップフロツプ回路においては、光アイソレータ９
０５が不可決であり、これによって回路が複雑となり集
積化を妨げる大きな原因となっている。
（発明の目的）
本発明の目的は光アイソレータが不要で集積化の容易な
光マスタスレーブフリップフロップ回路を提供すること
にある。
光マスタスレーブフリップフロップ回路を提供すること
にある。
更に本発明の目的は電気のタロツク信号に従ってデータ
光信号を左右にシフトすることのできる光マスクスレー
ブフリップフロップ回路を提供することにある。
光信号を左右にシフトすることのできる光マスクスレー
ブフリップフロップ回路を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によれば活性層の一端に入力光信号が入射され、
溝により電極が共振軸方向に前記活性層の一端から第１
及び第２の電極に分割された第１の双安定半導体レーザ
と１、前記第１の双安定半導体レーザの活性層の他端に
活性層の一端を接し、溝により電極が共振軸方向に前記
活性層の一端から第１及び第２の電極に分割され活性層
の他端から出力光信号を出射する第２の双安定半導体レ
ーザと、前記第１乃ＴＦ笛９の３Ｘｌ害室半屯休レーザ
の第１の電極にそれぞれ注入電流を供給する第１及び第
２の可変定電流源と、前記第１及び第２の双安定半導体
レーザの第２の電極にそれぞれ注入電流を供給する第１
及び第２の定電流源とを少なくとも有することを特徴と
する光マスタスレーブフリップフロップ回路が得られる
。
溝により電極が共振軸方向に前記活性層の一端から第１
及び第２の電極に分割された第１の双安定半導体レーザ
と１、前記第１の双安定半導体レーザの活性層の他端に
活性層の一端を接し、溝により電極が共振軸方向に前記
活性層の一端から第１及び第２の電極に分割され活性層
の他端から出力光信号を出射する第２の双安定半導体レ
ーザと、前記第１乃ＴＦ笛９の３Ｘｌ害室半屯休レーザ
の第１の電極にそれぞれ注入電流を供給する第１及び第
２の可変定電流源と、前記第１及び第２の双安定半導体
レーザの第２の電極にそれぞれ注入電流を供給する第１
及び第２の定電流源とを少なくとも有することを特徴と
する光マスタスレーブフリップフロップ回路が得られる
。
また、本発明によれば活性層の一端に第１の光入力信号
が入射されるとともに前記活性層の他端から光出力信号
を出射し、溝により電極が共振軸方向に第１及び第２の
電極に分割された第１の双安定半導体レーザと、前記第
１の双安定半導体レーザの活性層の他端に活性層の一端
を接し、溝により電極が共振軸方向に第１及び第２の電
極に分割され活性層の他端から第２の光出力信号を出射
するとともに、前記活性層の他端に第２の光信号が入射
される第２の双安定半導体レーザと、前記第１の双安定
半導体レーザの第１及び第２の電極ならびに、前記第２
の双安定半導体レーザの第１及び第２の電極にそれぞれ
注入電流を供給する第１、第２、第３、第４の可変電流
源とを少なくとも有することを特徴とする特マスタスレ
ーブフリップ７０ツブ回路が得られる。
が入射されるとともに前記活性層の他端から光出力信号
を出射し、溝により電極が共振軸方向に第１及び第２の
電極に分割された第１の双安定半導体レーザと、前記第
１の双安定半導体レーザの活性層の他端に活性層の一端
を接し、溝により電極が共振軸方向に第１及び第２の電
極に分割され活性層の他端から第２の光出力信号を出射
するとともに、前記活性層の他端に第２の光信号が入射
される第２の双安定半導体レーザと、前記第１の双安定
半導体レーザの第１及び第２の電極ならびに、前記第２
の双安定半導体レーザの第１及び第２の電極にそれぞれ
注入電流を供給する第１、第２、第３、第４の可変電流
源とを少なくとも有することを特徴とする特マスタスレ
ーブフリップ７０ツブ回路が得られる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第５図は本発明に用いる双安定半導体レーザの具体例を
示す断面図である。構造は第７図に示した双安定半導体
レーザ７００とほぼ同じであるが、電極が共振軸方向に
電極５０１と電極５０２の２つに分割されていることが
第７図に示したものと異なっている。このような双安定
半導体レーザとしては昭和５７年度電子通信学会光・電
波部門全国大会講演論文集（分冊２）２７２番に述べら
れているものが知られている。
示す断面図である。構造は第７図に示した双安定半導体
レーザ７００とほぼ同じであるが、電極が共振軸方向に
電極５０１と電極５０２の２つに分割されていることが
第７図に示したものと異なっている。このような双安定
半導体レーザとしては昭和５７年度電子通信学会光・電
波部門全国大会講演論文集（分冊２）２７２番に述べら
れているものが知られている。
第５図に示した双安定半導体レーザ５００の電極５０１
および５０２にはそれぞれ注入電流１１及び１２が供給
されており、活性層５０３の一端５０４および他端５０
５にそれぞれ入射、２つの光信号Ｐ１およびＰ２のいづ
れか一方の値を記憶し活性層５０３の両端から光信号ｐ
ｏを出射する。
および５０２にはそれぞれ注入電流１１及び１２が供給
されており、活性層５０３の一端５０４および他端５０
５にそれぞれ入射、２つの光信号Ｐ１およびＰ２のいづ
れか一方の値を記憶し活性層５０３の両端から光信号ｐ
ｏを出射する。
第６図は第５図に示した双安定半導体レーザの特性を示
す図である。第６図（ａ）に示すように第５図に示した
は双安定半導体レーザ５００は入射光量ｐＨ＝： ０、
注入電流ｉ２＝ ｉ２ｂとしたときに注入電流１１と出
射光量Ｐ０との間に、６００で示すヒステリシス特性を
有し、注入電流１１の値をｉｘｂに設定することによっ
て、２つ安定点ＡおよびＢを示す。第６図（ｂ）は注入
電流１２＝１２ｂとした時の入射光量Ｐ１と出射光量Ｐ
。との関係を示す図であり、１２＝１２ｂとした時の入
射光量Ｐ１と出射光量第５図に示した双安定半導体レー
ザ５００は、？主入電流１１の値を第６図（ａ）に示し
た１１ｂの値に設定することにより第６図（ｂ）に６０
１で示す特性を有する。ここで注入電流１１の値を第６
図（ａ）に示す１１ｗに設定すると、双安定半導体レー
ザ５００は第６図（ｂ）に６０２で示した特性を示す。
す図である。第６図（ａ）に示すように第５図に示した
は双安定半導体レーザ５００は入射光量ｐＨ＝： ０、
注入電流ｉ２＝ ｉ２ｂとしたときに注入電流１１と出
射光量Ｐ０との間に、６００で示すヒステリシス特性を
有し、注入電流１１の値をｉｘｂに設定することによっ
て、２つ安定点ＡおよびＢを示す。第６図（ｂ）は注入
電流１２＝１２ｂとした時の入射光量Ｐ１と出射光量Ｐ
。との関係を示す図であり、１２＝１２ｂとした時の入
射光量Ｐ１と出射光量第５図に示した双安定半導体レー
ザ５００は、？主入電流１１の値を第６図（ａ）に示し
た１１ｂの値に設定することにより第６図（ｂ）に６０
１で示す特性を有する。ここで注入電流１１の値を第６
図（ａ）に示す１１ｗに設定すると、双安定半導体レー
ザ５００は第６図（ｂ）に６０２で示した特性を示す。
一方、第６図（ｃ）に示すように第５図に示した双安定
半導体レーザ５００は、また入射光量ｐ２＝ ｏ、注入
電流ｉｚ＝ ｉ２ｂとした時に注入電流１２と出射光量
Ｐ。どの間に第６図（Ｃ）に６０３で示すヒステリシス
特性を有し、注入電流１２の値を１２ｂに設定すること
によって、２つの安定点ＡおよびＢを示す。第６図（ｄ
）は注入電流ｉｘ＝ ｉｌｂとした時の入射光量Ｐ２と
出射光量Ｐ。どの関係を示す図であり、第５図に示した
双安定半導体レーザ５００は、注入電流１２の値を第６
図（ｅ）に示した１２ｂの値に設定することにより第６
図（ｄ）に６０４で示す特性を有する。ここで注入電流
１２の値を第６図（ｃ）に示すｊ２ｗ４こ設定すると、
双安定半導体レーザ５００は６０３で示す特性を示す。
半導体レーザ５００は、また入射光量ｐ２＝ ｏ、注入
電流ｉｚ＝ ｉ２ｂとした時に注入電流１２と出射光量
Ｐ。どの間に第６図（Ｃ）に６０３で示すヒステリシス
特性を有し、注入電流１２の値を１２ｂに設定すること
によって、２つの安定点ＡおよびＢを示す。第６図（ｄ
）は注入電流ｉｘ＝ ｉｌｂとした時の入射光量Ｐ２と
出射光量Ｐ。どの関係を示す図であり、第５図に示した
双安定半導体レーザ５００は、注入電流１２の値を第６
図（ｅ）に示した１２ｂの値に設定することにより第６
図（ｄ）に６０４で示す特性を有する。ここで注入電流
１２の値を第６図（ｃ）に示すｊ２ｗ４こ設定すると、
双安定半導体レーザ５００は６０３で示す特性を示す。
第６図（ａ）における点Ａ、 Ｂは、それぞれ第６図（
ｂ）〜（ｄ）における点Ａ、 Ｂと同一の点を表す。
ｂ）〜（ｄ）における点Ａ、 Ｂと同一の点を表す。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図であり、第２図
は第１図に示した本発明の第１の実施例の動作を説明す
るためのタイムチャートである。
は第１図に示した本発明の第１の実施例の動作を説明す
るためのタイムチャートである。
第２図によれば第１図に示した本発明による光マスタス
レーブフリップ７０ツブ回路の入力には光信号Ｄ１が加
えられており、可変電流源１００および１０１を制御す
ることによって光信号Ｄ１をラッチし光信号Ｑ２として
出力する。
レーブフリップ７０ツブ回路の入力には光信号Ｄ１が加
えられており、可変電流源１００および１０１を制御す
ることによって光信号Ｄ１をラッチし光信号Ｑ２として
出力する。
第１図に示した双安定半導体レーザ１０２の電極１０り
七 ）−ｆｋ”ｌ＾Ａ１−Ｉ＋π丁泣ｉ叶（太る匿１ｎ
＾半」 トスに一つ頷慴六べ匿１０５によって、それぞ
れ記入電流Ｔ１、Ｔ１’が供給されており、双安定半導
体レーザ１０６の電極１０７および１０８には可変定電
流源１０１および定電流源１０９によって、それぞれ記
入電流Ｔ２、Ｔ２’が供給されている。
七 ）−ｆｋ”ｌ＾Ａ１−Ｉ＋π丁泣ｉ叶（太る匿１ｎ
＾半」 トスに一つ頷慴六べ匿１０５によって、それぞ
れ記入電流Ｔ１、Ｔ１’が供給されており、双安定半導
体レーザ１０６の電極１０７および１０８には可変定電
流源１０１および定電流源１０９によって、それぞれ記
入電流Ｔ２、Ｔ２’が供給されている。
第１図に示した本発明の実施例においては、）主入電流
Ｔ１およびＴ２を第９図に示した注入電流Ｔ１およびＴ
２と同様に制御することにより、双安定半導体レーザ１
０２に記憶されている光情報ｘｎを双安定半導体レーザ
１０６に移し、入力に加えられた光情報Ｘｎ＋１を双安
定半導体レーザ１０２にラッチすることができる。
Ｔ１およびＴ２を第９図に示した注入電流Ｔ１およびＴ
２と同様に制御することにより、双安定半導体レーザ１
０２に記憶されている光情報ｘｎを双安定半導体レーザ
１０６に移し、入力に加えられた光情報Ｘｎ＋１を双安
定半導体レーザ１０２にラッチすることができる。
第９図において双安定半導体レーザ１０２には活性層の
一端１１０には入力光信号Ｄ１が、活性層の他端１１１
には双安定半導体レーザ１０６の出力光信号Ｑ２が
・加えられているが、注入電流Ｔ１、Ｔ１’の値をそ
れぞれ第６図（ａ）、（Ｃ）に示したｉｌｗ、ｉ２ｂに
設定することによって入力光信号Ｄ１のみをラッチする
ことができる。
一端１１０には入力光信号Ｄ１が、活性層の他端１１１
には双安定半導体レーザ１０６の出力光信号Ｑ２が
・加えられているが、注入電流Ｔ１、Ｔ１’の値をそ
れぞれ第６図（ａ）、（Ｃ）に示したｉｌｗ、ｉ２ｂに
設定することによって入力光信号Ｄ１のみをラッチする
ことができる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す図である。
第３図において第１図と同一の番号を付けたものは第３
図と同一の構成要素を示す。第２図および第４図は第３
図に示した本発明の第２の実施例の動作を説明するため
のタイムチャートである。第２図によれば、第３図に示
した本発明の第２の実施例においては、第１図に示した
第１の実施例と同様に注入電流Ｔ１およびＴ２を制御す
ることにより、双安定半導体レーザ１０２に記憶されて
いる光情報Ｘｎを双安定半導体レーザ１０６に移し、双
安定半導体レーザ１０２の活性層の一端１１０に加えら
れた入力光信号Ｘｎ＋１を双安定半導体レーザ１０２に
ラッチすることができる。
図と同一の構成要素を示す。第２図および第４図は第３
図に示した本発明の第２の実施例の動作を説明するため
のタイムチャートである。第２図によれば、第３図に示
した本発明の第２の実施例においては、第１図に示した
第１の実施例と同様に注入電流Ｔ１およびＴ２を制御す
ることにより、双安定半導体レーザ１０２に記憶されて
いる光情報Ｘｎを双安定半導体レーザ１０６に移し、双
安定半導体レーザ１０２の活性層の一端１１０に加えら
れた入力光信号Ｘｎ＋１を双安定半導体レーザ１０２に
ラッチすることができる。
第３図に示した本発明の第２の実施例は更に第４図に示
すように、注入電流Ｔ１およびＴ２の値を第６図（ｂ）
に示した一定値１１ｂに設定し、可変電流源３００およ
び３０１により注入電流Ｔ１’およびＴ２′を制御する
ことにより双安定半導体レーザ１０６に記憶されている
光量？Ｇ Ｘｎ’を双安定半導体レーザ１０２に移し、
双安定半導体レーザ１０６の活性層の一端３０２に加え
られた入力光信号Ｘｎ＋１’ を双安定半導体レー
ザ１０６にラッチすることができる。
すように、注入電流Ｔ１およびＴ２の値を第６図（ｂ）
に示した一定値１１ｂに設定し、可変電流源３００およ
び３０１により注入電流Ｔ１’およびＴ２′を制御する
ことにより双安定半導体レーザ１０６に記憶されている
光量？Ｇ Ｘｎ’を双安定半導体レーザ１０２に移し、
双安定半導体レーザ１０６の活性層の一端３０２に加え
られた入力光信号Ｘｎ＋１’ を双安定半導体レー
ザ１０６にラッチすることができる。
第３図に示した本発明の第２の実施例においては、双安
定半導体レーザ１０６にも活性層の一端３０２および他
端３０３にそれぞれ入力光信号Ｄ２’および双安定半導
体レーザ１０２の出力光信号Ｑ１が同時に加えられるか
、注入電流Ｔ２およびＴ２′のいずれか一方をそれぞれ
第６図（ａ）、（Ｃ）に示した電流値ｉｔｂおよびｉ２
ｂに設定することによって、入力光信号Ｄ２’および出
力光信号Ｑ１のいずれか一方を記憶することができる。
定半導体レーザ１０６にも活性層の一端３０２および他
端３０３にそれぞれ入力光信号Ｄ２’および双安定半導
体レーザ１０２の出力光信号Ｑ１が同時に加えられるか
、注入電流Ｔ２およびＴ２′のいずれか一方をそれぞれ
第６図（ａ）、（Ｃ）に示した電流値ｉｔｂおよびｉ２
ｂに設定することによって、入力光信号Ｄ２’および出
力光信号Ｑ１のいずれか一方を記憶することができる。
（発明の効果）
以上述べたように第１図に示した本発明の第１の実施例
においては、アイソレータが不要で集積化が容易な構成
が得られる。
においては、アイソレータが不要で集積化が容易な構成
が得られる。
更に第３図に示した本発明の第２の実施例においては、
注入電流Ｔ１、Ｔ２を制御するがＴ１′、Ｔ２′を制御
□するかによって、光信号を右あるいは左のいず
れか一方にシフトすることができる。
注入電流Ｔ１、Ｔ２を制御するがＴ１′、Ｔ２′を制御
□するかによって、光信号を右あるいは左のいず
れか一方にシフトすることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は第１
図に示した本発明の第１の実施例の動作を説明するため
の図、第３図は本発明の第２の実施例を示す図、第４図
は第３図に示した本発明の第２の実施例の動作を説明す
るための図、第５図は双安定半導体レーザ１０２および
１０６の具体例を示す断面図、第６図は第５図に示した
双安定半導体レーザの特性を示す図、第７図は双安定半
導体レーザ９０２および９０３の具体例を示す断面図、
第８図は第７図に示した双安定半導体レーザの特性を示
す図、第９図は従来技術による光マスタスレーブフリッ
プフロップ回路の一例を示す図、第１０図は第９図に示
した光マろタスレーブフリップフロツプ回路の動作を説
明するための図である。 図において １００、１０１．３００．３０１．９００．９０１・・
・・・ 可変電流源１０５、１０９
・四 定電流源１０２、１０６．５００．７００．９０
２．９０３・曲 双安定半導体レーザ ９０５、９０７ 、、、−０ ア
イソレータである。 ・ ビ′入 代理人弁理士内原 ■！Ｌ ’：’ 、ｌ；’：’；
＋ノ＼、−１ 享 １ 図 Ｔ： １２ｂ Ｑ２ｒＸｎ−＋ Ｘｎ 藁 ３ 図 ｌ ｈｂ Ｔ２ １ｚｂ Ｑ、ヤスシー ｘ； ゛ ５θｌ、５θ２：電秒 ５θ３ ： 法、ｌ 亭 ７ 図 （ａ） Ｐ。 （ｂ） 享 ｔｏ 図
図に示した本発明の第１の実施例の動作を説明するため
の図、第３図は本発明の第２の実施例を示す図、第４図
は第３図に示した本発明の第２の実施例の動作を説明す
るための図、第５図は双安定半導体レーザ１０２および
１０６の具体例を示す断面図、第６図は第５図に示した
双安定半導体レーザの特性を示す図、第７図は双安定半
導体レーザ９０２および９０３の具体例を示す断面図、
第８図は第７図に示した双安定半導体レーザの特性を示
す図、第９図は従来技術による光マスタスレーブフリッ
プフロップ回路の一例を示す図、第１０図は第９図に示
した光マろタスレーブフリップフロツプ回路の動作を説
明するための図である。 図において １００、１０１．３００．３０１．９００．９０１・・
・・・ 可変電流源１０５、１０９
・四 定電流源１０２、１０６．５００．７００．９０
２．９０３・曲 双安定半導体レーザ ９０５、９０７ 、、、−０ ア
イソレータである。 ・ ビ′入 代理人弁理士内原 ■！Ｌ ’：’ 、ｌ；’：’；
＋ノ＼、−１ 享 １ 図 Ｔ： １２ｂ Ｑ２ｒＸｎ−＋ Ｘｎ 藁 ３ 図 ｌ ｈｂ Ｔ２ １ｚｂ Ｑ、ヤスシー ｘ； ゛ ５θｌ、５θ２：電秒 ５θ３ ： 法、ｌ 亭 ７ 図 （ａ） Ｐ。 （ｂ） 享 ｔｏ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層の一端に入力光信号が入射され、溝により電
極が共振軸方向に前記活性層の一端から第１及び第２の
電極に分割された第１の双安定半導体レーザと、前記第
１の双安定半導体レーザの活性層の他端に活性層の一端
を接し、溝により電極が共振軸方向に前記活性層の一端
から第１及び第２の電極に分割され活性層の他端から出
力光信号を出射する第２の双安定半導体レーザと、前記
第１及び第２の双安定半導体レーザの第１の電極にそれ
ぞれ注入電流を供給する第１及び第２の可変定電流源と
、前記第１及び第２の双安定半導体レーザの第２の電極
にそれぞれ注入電流を供給する第１及び第２の定電流源
とを少なくとも有することを特徴とする光マスタスレー
ブフリップフロップ回路。 ２、活性層の一端に第１の光入力信号が入射されるとと
もに前記活性層の他端から光出力信号を出射し、溝によ
り電極が共振軸方向に第１及び第２の電極に分割された
第１の双安定半導体レーザと、前記第１の双安定半導体
レーザの活性層の他端に活性層の一端を接し、溝により
電極が共振軸方向に第１及び第２の電極に分割され活性
層の他端から第２の光出力信号を出射するとともに、前
記活性層の他端に第２の光信号が入射される第２の双安
定半導体レーザと、前記第１の双安定半導体レーザの第
１及び第２の電極ならびに、前記第２の双安定半導体レ
ーザの第１及び第２の電極にそれぞれ注入電流を供給す
る第１、第２、第３、第４の可変電流源とを少なくとも
有することを特徴とする光マスタスレーブフリップフロ
ップ回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP608785A JPS61165736A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路 |
| US06/818,932 US4748630A (en) | 1985-01-17 | 1986-01-15 | Optical memory device comprising a semiconductor laser having bistability and two injection current sources for individually controlling the bistability |
| CA000499717A CA1270561A (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Optical memory device comprising a semiconductor laser having bistability and two injection current sources |
| EP86100539A EP0188290B1 (en) | 1985-01-17 | 1986-01-17 | Optical memory device comprising a semiconductor laser having bistability and two injection current sources for individually controlling the bistability |
| DE8686100539T DE3688433T2 (de) | 1985-01-17 | 1986-01-17 | Optischer speicher mit einem bistabilen halbleiterlaser und zwei injektionsstromquellen zur individuellen kontrolle de bistabilitaet. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP608785A JPS61165736A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165736A true JPS61165736A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH0584491B2 JPH0584491B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=11628752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP608785A Granted JPS61165736A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 光マスタスレ−ブフリツプフロツプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61165736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277033A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-03-16 | Fujitsu Ltd | 光データ処理装置 |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP608785A patent/JPS61165736A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277033A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-03-16 | Fujitsu Ltd | 光データ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584491B2 (ja) | 1993-12-02 |
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