JPS6366984A - 半導体レ−ザ論理回路 - Google Patents
半導体レ−ザ論理回路Info
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- JPS6366984A JPS6366984A JP61210928A JP21092886A JPS6366984A JP S6366984 A JPS6366984 A JP S6366984A JP 61210928 A JP61210928 A JP 61210928A JP 21092886 A JP21092886 A JP 21092886A JP S6366984 A JPS6366984 A JP S6366984A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 60
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- GGZZISOUXJHYOY-UHFFFAOYSA-N 8-amino-4-hydroxynaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=C(S(O)(=O)=O)C=C2C(N)=CC=CC2=C1O GGZZISOUXJHYOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ZPUCINDJVBIVPJ-LJISPDSOSA-N cocaine Chemical compound O([C@H]1C[C@@H]2CC[C@@H](N2C)[C@H]1C(=O)OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 ZPUCINDJVBIVPJ-LJISPDSOSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06236—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the polarisation, e.g. TM/TE polarisation switching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザと、それを利用した光論理回路に
関する。
関する。
従来の技術
光を信号として用いる論理回路（以下、光論理回路と記
す）は、光の伝搬速度が電気信号より速いこと、光フア
イバ通信網と直結できること等の特長を持つと考えられ
ている。特に、半導体基板上に集積された場合、回路全
体の寸法が小さくなる、信頼性が向上する等の長所があ
るので、半導体レーザや、半導体受光素子を用いた光論
理回路が活発に研究されている。
す）は、光の伝搬速度が電気信号より速いこと、光フア
イバ通信網と直結できること等の特長を持つと考えられ
ている。特に、半導体基板上に集積された場合、回路全
体の寸法が小さくなる、信頼性が向上する等の長所があ
るので、半導体レーザや、半導体受光素子を用いた光論
理回路が活発に研究されている。
例えば、偏光双安定レーザと光電スイッチを用いた光入
力、光出力のフリップフロップ（例えば、Ｉ ＥＥＥ・
ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス、第Ｑ
Ｅ−２１巻、２９８頁）、タンデム型双安定レーザの光
出力を、外部からの光入力により低レベルから高レベル
ヘスイッチする光スィッチ（例えば、第３２回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集１４０頁、 ３１ ａ −
Ｚ Ｂ −７〜８ ）、クリ−ブト・カップルドｅキャ
ビティ拳レーザを用いた電気入力、光入力の論理ゲート
（例えば、Ｉ ＥＥＥ・ジャーナルｅオプ・カンタム・
エレクトロニクス、第ＱＥ−１９号、１６２１頁）等が
ある。
力、光出力のフリップフロップ（例えば、Ｉ ＥＥＥ・
ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス、第Ｑ
Ｅ−２１巻、２９８頁）、タンデム型双安定レーザの光
出力を、外部からの光入力により低レベルから高レベル
ヘスイッチする光スィッチ（例えば、第３２回応用物理
学関係連合講演会講演予稿集１４０頁、 ３１ ａ −
Ｚ Ｂ −７〜８ ）、クリ−ブト・カップルドｅキャ
ビティ拳レーザを用いた電気入力、光入力の論理ゲート
（例えば、Ｉ ＥＥＥ・ジャーナルｅオプ・カンタム・
エレクトロニクス、第ＱＥ−１９号、１６２１頁）等が
ある。
しかし、これらは、信号ラインに電流が関与しているた
め、動作速度は電気的な時定数によって決足されてしま
う。これ全回避して、期待される高速動作を得るために
は、電流または電圧は素子にバイアスを与えるだけで、
信号は全て光で処理されるような構成にする必要がある
。このために、光入力、光出力特性にヒステリシスを持
つ、いわゆる光双安定素子が必要である。特に、入射光
を多少なりとも増幅する方が回路構成上好ましいので、
能動菓子である半導体レーザを用いた光双安定素子の開
発が重要となる。以下にこれを用いた光論理回路の一例
を示す。
め、動作速度は電気的な時定数によって決足されてしま
う。これ全回避して、期待される高速動作を得るために
は、電流または電圧は素子にバイアスを与えるだけで、
信号は全て光で処理されるような構成にする必要がある
。このために、光入力、光出力特性にヒステリシスを持
つ、いわゆる光双安定素子が必要である。特に、入射光
を多少なりとも増幅する方が回路構成上好ましいので、
能動菓子である半導体レーザを用いた光双安定素子の開
発が重要となる。以下にこれを用いた光論理回路の一例
を示す。
第７図は、従来の光論理回路の一例の構成を示す（例え
ば、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、第
６６巻、６６４頁）。これは、クリ−ブト・カップルド
・キャビティ・レーザを利用したものである。２つの半
導体レーザＥ１．Ｅ２の共振器長Ｌ１．Ｌ２は２５０ミ
クロン、間隙ｄは６ミクロン以下で、Ｅｌ、Ｅ２の活性
層は互いに対向している。Ｅｌ、Ｅ２の基本的な構造は
埋込み三日月型レーザと同じである。Ｅｌは、第８図の
Ｉ、＝ｏ ミリアンペアの曲線の通り、しきい値１５
ミリアンペアの通常のレーザ特性全示している。
ば、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス、第
６６巻、６６４頁）。これは、クリ−ブト・カップルド
・キャビティ・レーザを利用したものである。２つの半
導体レーザＥ１．Ｅ２の共振器長Ｌ１．Ｌ２は２５０ミ
クロン、間隙ｄは６ミクロン以下で、Ｅｌ、Ｅ２の活性
層は互いに対向している。Ｅｌ、Ｅ２の基本的な構造は
埋込み三日月型レーザと同じである。Ｅｌは、第８図の
Ｉ、＝ｏ ミリアンペアの曲線の通り、しきい値１５
ミリアンペアの通常のレーザ特性全示している。
Ｅ２も同様の特性金持つ。さて、Ｅ２へ流す電流工２を
２１ミリアンペアに固定し、Ｅｌへ流す電流工、を変化
させたとき、Ｅｌ、Ｅ２の光出力Ｐ１゜Ｐ２はそれぞれ
第８図、第９図のように変化する。
２１ミリアンペアに固定し、Ｅｌへ流す電流工、を変化
させたとき、Ｅｌ、Ｅ２の光出力Ｐ１゜Ｐ２はそれぞれ
第８図、第９図のように変化する。
このとき、１１が２３ミリアンペア以上３２ミリアンペ
ア以下の領域でｐｌ、ｐ２と１１ の間にヒステリシ
スが観測される。この現象はＥｌとＥ２のレーザ光が互
いに他方に注入されて、利得の飽和が生じたことに起因
すると考えられる。そのため、ヒステリシスは注入電流
１１が、しきい値電流に比べ約２倍という高光出力の領
域で生じている。
ア以下の領域でｐｌ、ｐ２と１１ の間にヒステリシ
スが観測される。この現象はＥｌとＥ２のレーザ光が互
いに他方に注入されて、利得の飽和が生じたことに起因
すると考えられる。そのため、ヒステリシスは注入電流
１１が、しきい値電流に比べ約２倍という高光出力の領
域で生じている。
また、両者が光学的に強く結合しているため、工。
が一定であるにもかかわらず、Ｐ２にもヒステリシスが
生じているのが特徴である。ＰｌとＰ２の関係は第１３
図に示す通り光双安定性を持つ。
生じているのが特徴である。ＰｌとＰ２の関係は第１３
図に示す通り光双安定性を持つ。
第１０図は、従来の光論理回路用素子の他の一例の構成
を示す（例えば、アプライド・フィジックス・レターズ
、第４１巻、７０２頁）。これは、通常のスラブ型半導
体レーザのＰ側電極を幅１０ミクロン、長さ２０ミクロ
ン、ピッチ３０ミクロンというウィンドウ型電極に加工
したものである。
を示す（例えば、アプライド・フィジックス・レターズ
、第４１巻、７０２頁）。これは、通常のスラブ型半導
体レーザのＰ側電極を幅１０ミクロン、長さ２０ミクロ
ン、ピッチ３０ミクロンというウィンドウ型電極に加工
したものである。
この素子を２１２．１ケルビンに冷却して、電流を流す
と活性層１００４から出力される光強度は第１１図の如
くなる。電流値が１５３ミリアンペアの付近にヒステリ
シスが観測される。これは、ｐ側電極をウィンドウ型に
したため、非電流注入領域が活性層中に生じ、これが可
飽和吸収体として機能することに起因する。このように
自らが双安定性を持つこの素子は、外部から光を注入す
ることによっても双安定動作を起こすことができる。
と活性層１００４から出力される光強度は第１１図の如
くなる。電流値が１５３ミリアンペアの付近にヒステリ
シスが観測される。これは、ｐ側電極をウィンドウ型に
したため、非電流注入領域が活性層中に生じ、これが可
飽和吸収体として機能することに起因する。このように
自らが双安定性を持つこの素子は、外部から光を注入す
ることによっても双安定動作を起こすことができる。
すなわち、素子に流す電流を１５２．６ ミリアンペア
に固定し、埋込ヘテロ型半導体レーザを用いて光を注入
すると、第１２図のように光双安定動作をする。
に固定し、埋込ヘテロ型半導体レーザを用いて光を注入
すると、第１２図のように光双安定動作をする。
発明が解決しようとする問題点
ところが、第７図に示す従来例の場合、第１３図のよう
な光双安定性は得られるものの、ＰｌとＰ２は互いに影
響を及ぼし合っておシ、ＰｌでＰ２を制御するような構
成をとシにくい。また、半導体レーザの利得の飽和を利
用しているため、電流を高注入する必要があり、消費電
力の低減が難しい。
な光双安定性は得られるものの、ＰｌとＰ２は互いに影
響を及ぼし合っておシ、ＰｌでＰ２を制御するような構
成をとシにくい。また、半導体レーザの利得の飽和を利
用しているため、電流を高注入する必要があり、消費電
力の低減が難しい。
一方、第１０図に示す従来例の場合、活性層内に可飽和
吸収体を作る必要があるため、しきい値電流の上昇や、
低温下で動作させる必要がある、等の問題が生じていた
。
吸収体を作る必要があるため、しきい値電流の上昇や、
低温下で動作させる必要がある、等の問題が生じていた
。
問題点を解決するだめの手段
上記の問題を解決するために、本発明は第１の偏光状態
で発振する半導体レーザを定電流で駆動し、外部から第
２の偏光状態の入射光を前記半導体レーザに注入したと
き、第２の偏光状態の利得が第１の偏光状態の利得と同
程度になり利得の競合が生じることにより、入射光量の
変化に対して出力光が第１偏光状態と第２偏光状態とで
切りかわり、この切りかわりの遷移領域で第１と第２の
偏光状態が双安定動作をするという、いわめる偏光状態
の光双安定特性を半導体レーザに持たせ、これを構成要
素とする光論理回路を構成するものである。
で発振する半導体レーザを定電流で駆動し、外部から第
２の偏光状態の入射光を前記半導体レーザに注入したと
き、第２の偏光状態の利得が第１の偏光状態の利得と同
程度になり利得の競合が生じることにより、入射光量の
変化に対して出力光が第１偏光状態と第２偏光状態とで
切りかわり、この切りかわりの遷移領域で第１と第２の
偏光状態が双安定動作をするという、いわめる偏光状態
の光双安定特性を半導体レーザに持たせ、これを構成要
素とする光論理回路を構成するものである。
作 用
本発明は上記の構成により、電流の高注入時の利得飽和
や、活性層内の可飽和吸収体を用いず、第１と第２の偏
光状態の利得の競合を用いて、半導体レーザに光双安定
特性を持たせることが出来るので、駆動のだめの定電流
の値がしきい値電流値の約１．０６倍程度で、且つしき
い値電流値は通常の半導体レーザと同様であるため、消
費電流が従来に比べ低減でき、また２つの偏光状態間の
スイッチングを利用するので従来よりもスイッチング速
度が向上するものである。
や、活性層内の可飽和吸収体を用いず、第１と第２の偏
光状態の利得の競合を用いて、半導体レーザに光双安定
特性を持たせることが出来るので、駆動のだめの定電流
の値がしきい値電流値の約１．０６倍程度で、且つしき
い値電流値は通常の半導体レーザと同様であるため、消
費電流が従来に比べ低減でき、また２つの偏光状態間の
スイッチングを利用するので従来よりもスイッチング速
度が向上するものである。
実施例
第１図は本発明の半導体レーザ論理回路の一実施例の構
成図を示す。半導体レーザ１０１は、１．３ミクロンを
中心波長とするレーザ光を出射するインジウム・ガリウ
ム・ヒ素・リンの活性層を持つ、埋込型の半導体レーザ
である。電流源１０２からは１４．４ｍＡの定電流を半
導体レーザ１ｏ１に注入する。この電流値は半導体レー
ザ１０１の２４°Ｃにおけるしきい値電流値の１．０５
倍に相当している。光源１０３は半導体レーザ１０１と
同様の特性を持つ半導体レーザと、それからの出射光を
平行光線に変換するレンズより成る。光アイソレータ１
０４は光源１０３からの光を通過させるが、半導体レー
ザ１０１からの光は通過させない。アイソレーション比
は３０ｄＢ以上である（例えば、応用磁気研究会資料Ｍ
Ｓ１３ａ−７゜昭和６０年）。半導体レーザ１０１と光
源１０３は共に横電界モード（以下ＴＥモードと記す）
で発振をするが、光源１０３からの光は、光アイソレー
タ１０４を通過する際に、偏波面が約４６゜回転するの
で、その内の半導体レーザ１０１にとっての横磁界成分
（以下ＴＭ酸成分記す）のみが偏光子１０５を用いて取
り出され、レンズ１０８を用いて集光され、半導体レー
ザ１０１の活性層に注入される。一方、半導体レーザか
らの出力光はレンズ１０９により平行光線に変換された
あと、偏光子１０６により特定の偏波面を持つ成分だけ
が選択的に受光器１０７に受光される。受光器１０７は
平行光線を集光するためのレンズと、アバランシェ・ホ
ト・ダイオード（以下ＡＰＤと記す）と、集光された光
をＡＰＤまで導く光ファイバとより成る。
成図を示す。半導体レーザ１０１は、１．３ミクロンを
中心波長とするレーザ光を出射するインジウム・ガリウ
ム・ヒ素・リンの活性層を持つ、埋込型の半導体レーザ
である。電流源１０２からは１４．４ｍＡの定電流を半
導体レーザ１ｏ１に注入する。この電流値は半導体レー
ザ１０１の２４°Ｃにおけるしきい値電流値の１．０５
倍に相当している。光源１０３は半導体レーザ１０１と
同様の特性を持つ半導体レーザと、それからの出射光を
平行光線に変換するレンズより成る。光アイソレータ１
０４は光源１０３からの光を通過させるが、半導体レー
ザ１０１からの光は通過させない。アイソレーション比
は３０ｄＢ以上である（例えば、応用磁気研究会資料Ｍ
Ｓ１３ａ−７゜昭和６０年）。半導体レーザ１０１と光
源１０３は共に横電界モード（以下ＴＥモードと記す）
で発振をするが、光源１０３からの光は、光アイソレー
タ１０４を通過する際に、偏波面が約４６゜回転するの
で、その内の半導体レーザ１０１にとっての横磁界成分
（以下ＴＭ酸成分記す）のみが偏光子１０５を用いて取
り出され、レンズ１０８を用いて集光され、半導体レー
ザ１０１の活性層に注入される。一方、半導体レーザか
らの出力光はレンズ１０９により平行光線に変換された
あと、偏光子１０６により特定の偏波面を持つ成分だけ
が選択的に受光器１０７に受光される。受光器１０７は
平行光線を集光するためのレンズと、アバランシェ・ホ
ト・ダイオード（以下ＡＰＤと記す）と、集光された光
をＡＰＤまで導く光ファイバとより成る。
上記のような光学系において、光源１０３からの出射光
の強度を変化させると第２図ａのように、半導体レーザ
１０１の入射光量と出力量のτＭ酸成分強度の間にヒス
テリシスが得られる。この図は、偏光子１０６によりＴ
Ｍ酸成分みが受光器１０７に到達するようにしたときの
ものである。
の強度を変化させると第２図ａのように、半導体レーザ
１０１の入射光量と出力量のτＭ酸成分強度の間にヒス
テリシスが得られる。この図は、偏光子１０６によりＴ
Ｍ酸成分みが受光器１０７に到達するようにしたときの
ものである。
横電界成分（以下ＴＥ酸成分記す）のみを受光器１０７
で受光したときのヒステリシスは、第２図すのようにな
る。ａにおいて、ヒステリシスが右上りになっているの
は、光源１０３からの入射光のうち、半導体レーザ１０
１を通過してきた光が受光されているからである。これ
らの２つの図かられかるように、この双安定は、ＴＥモ
ードと耐モードの間のヒステリシスであり、発振してい
るモードが、発振していないモードの発振を抑制してい
ることにより生じる双安定であることがわかる。このよ
うなＴＥモードとＴＭモードのスイッチングは、従来例
のようにキャリアの寿命の制限を受けないと思われるの
で、スイッチング速度が向上すると考えられる。実際、
第３図に示すように立上り（第３図ａ）、立下り（第３
図ｂ）は共にＩ ｎｌｌｅｃ未満である。第４図は立上
りに要する時間（ターン・オン時間）の光入力パルス強
度依存性を示すグラフである。パルス強度が０．８４ｍ
Ｗのときのターン・オン時間は３４０ ｐｓｅｃであっ
た。また、第６図は立下りに要する時間（ターン・オフ
時間）の光入力パルス強度依存性を示すグラフである。
で受光したときのヒステリシスは、第２図すのようにな
る。ａにおいて、ヒステリシスが右上りになっているの
は、光源１０３からの入射光のうち、半導体レーザ１０
１を通過してきた光が受光されているからである。これ
らの２つの図かられかるように、この双安定は、ＴＥモ
ードと耐モードの間のヒステリシスであり、発振してい
るモードが、発振していないモードの発振を抑制してい
ることにより生じる双安定であることがわかる。このよ
うなＴＥモードとＴＭモードのスイッチングは、従来例
のようにキャリアの寿命の制限を受けないと思われるの
で、スイッチング速度が向上すると考えられる。実際、
第３図に示すように立上り（第３図ａ）、立下り（第３
図ｂ）は共にＩ ｎｌｌｅｃ未満である。第４図は立上
りに要する時間（ターン・オン時間）の光入力パルス強
度依存性を示すグラフである。パルス強度が０．８４ｍ
Ｗのときのターン・オン時間は３４０ ｐｓｅｃであっ
た。また、第６図は立下りに要する時間（ターン・オフ
時間）の光入力パルス強度依存性を示すグラフである。
同様にパルス強度が０．８４ ｍＷのときのターン・オ
フ時間は４３０ｐｓｅｃであった。ただし、第４図と第
６図の特性を測定するとき、光入力パルスは強度１．０
ｍＷの定常光に重畳した。
フ時間は４３０ｐｓｅｃであった。ただし、第４図と第
６図の特性を測定するとき、光入力パルスは強度１．０
ｍＷの定常光に重畳した。
正のパルスを重畳したときに光出力は立上り１．負のパ
ルスを重畳したときに光出力は立下がる。このような特
性を用いると、第６図に示したように、光入力に対して
光入力がＲＳフリップ・フロップ特性を示す。
ルスを重畳したときに光出力は立下がる。このような特
性を用いると、第６図に示したように、光入力に対して
光入力がＲＳフリップ・フロップ特性を示す。
なお、本実施例では、単体の半導体レーザに対して光論
理回路全構成したが、ドライプロセス等を用いたエツチ
ングミラー等を半導体レーザに形成し、同一基板上に他
の部品を形成する構成？採用してもなんら支障はない。
理回路全構成したが、ドライプロセス等を用いたエツチ
ングミラー等を半導体レーザに形成し、同一基板上に他
の部品を形成する構成？採用してもなんら支障はない。
発明の効果
本発明によれば、光入力のみで光出力の制御が可能な光
論理回路が構成される。本構成は、電流の高注入時の半
導体レーザの利得飽和を用いたものではないので、消費
電力が従来に比べ小さくて済む。さらに、活性層内に可
飽和吸収体はないので、しきい値電流は高くならずに済
む。また、信号ラインに電流が関与せず、さらにＴＥモ
ードとＴＭモードの間のスイッチングを利用するため、
動作速度が向上すると考えられる。
論理回路が構成される。本構成は、電流の高注入時の半
導体レーザの利得飽和を用いたものではないので、消費
電力が従来に比べ小さくて済む。さらに、活性層内に可
飽和吸収体はないので、しきい値電流は高くならずに済
む。また、信号ラインに電流が関与せず、さらにＴＥモ
ードとＴＭモードの間のスイッチングを利用するため、
動作速度が向上すると考えられる。
第１図は本発明の一実施例における光論理回路の構成を
示すブロック図、第２図は同党論理回路の光入力と光出
力の関係を示す特性図、第３図は同光論理回路の光出力
のオシロスコープによるスイッチングの特性図、第４図
は同光論理回路の光出力のターン・オン時間と光入力パ
ルス強度の関係を示す特性図、第６図は同党論理回路の
光出力のターン・オフ時間と光入力パルス強度の関係を
示す特性図、第６図はオシロスコープによる同光論理回
路のＲＳフリップフロップ動作を示す特性図、第７図は
第１の従来例における光論理回路の構成を示すブロック
図、第８図、第９図、第１３図は第１の従来例の動作特
性図、第１０図は第２の従来例における光論理回路の構
造図、第１１図は第２の従来例の光出力対制御電流特性
図、第１２図は第２の従来例の光双安定特性図である。 １ｏ１・・・・・・半導体レーザ、１ｏ２・・・・・・
電流源、１０３・・・・・・光源、１０４・・・・・・
光アイソレータ、１０Ｓ 、 １０６・・・・・・偏光
子、１０７・・・・・・受光器、１０８ 、１０９・・
・・・・レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌθ
ｌ・−・半導体レーデ 第２図 光入力 光八カ ：ａ ’：ａ 図 −一〜〜・−・−・・・−一・・−・−一〜−Ｖ一時間
」？訂ｅで、２片亀）・−・−・−一−＝＝−〜−−−
−−−・・−・−・・−峙閲／’１ｔｔ３ｅｄ’Ｎ翫）
礒 ０ ；ちｊ Ｅ／、ＥＺ−一一半４１俸レーヅ Ｐｔ、Ｆｚ−−〜光出力 １１、Ｉ２−一−ラ１ニ入薬ｌ−ラカ（４間擁 第４図 光入力パルスの力し鎚（惰り 第５図 ユ 光へカパルス９ガシ買つぐ色ダｆｇＬ（ｎｎＷ）第８図 う主人質−弐 Ｉｔ（仇ハジ 第９図 ｔｏｏｔ −−−Ａ ｕ −Ｚ７？、 ｔｉｌｏｏｌ−
−−ｎ−１％Ｃｒａ、ハｓＦ’ｔＡフ′°ロツ７ノ４１
００６−−− 工／ｒＬＦ基板 １ｏｏ７−−−ハｕ−Ｃｒｅ−Ｎｉ’ＬＫｔｏｅａ−Ｚ
７Ｌ狐汐１ 第１０図 第１１図 匂乞 の帆 （肋ハ） 信１２図 光入力（イｆ−免、Ｈ灸ン 第１３図 光出力 Ｆｌ
示すブロック図、第２図は同党論理回路の光入力と光出
力の関係を示す特性図、第３図は同光論理回路の光出力
のオシロスコープによるスイッチングの特性図、第４図
は同光論理回路の光出力のターン・オン時間と光入力パ
ルス強度の関係を示す特性図、第６図は同党論理回路の
光出力のターン・オフ時間と光入力パルス強度の関係を
示す特性図、第６図はオシロスコープによる同光論理回
路のＲＳフリップフロップ動作を示す特性図、第７図は
第１の従来例における光論理回路の構成を示すブロック
図、第８図、第９図、第１３図は第１の従来例の動作特
性図、第１０図は第２の従来例における光論理回路の構
造図、第１１図は第２の従来例の光出力対制御電流特性
図、第１２図は第２の従来例の光双安定特性図である。 １ｏ１・・・・・・半導体レーザ、１ｏ２・・・・・・
電流源、１０３・・・・・・光源、１０４・・・・・・
光アイソレータ、１０Ｓ 、 １０６・・・・・・偏光
子、１０７・・・・・・受光器、１０８ 、１０９・・
・・・・レンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌθ
ｌ・−・半導体レーデ 第２図 光入力 光八カ ：ａ ’：ａ 図 −一〜〜・−・−・・・−一・・−・−一〜−Ｖ一時間
」？訂ｅで、２片亀）・−・−・−一−＝＝−〜−−−
−−−・・−・−・・−峙閲／’１ｔｔ３ｅｄ’Ｎ翫）
礒 ０ ；ちｊ Ｅ／、ＥＺ−一一半４１俸レーヅ Ｐｔ、Ｆｚ−−〜光出力 １１、Ｉ２−一−ラ１ニ入薬ｌ−ラカ（４間擁 第４図 光入力パルスの力し鎚（惰り 第５図 ユ 光へカパルス９ガシ買つぐ色ダｆｇＬ（ｎｎＷ）第８図 う主人質−弐 Ｉｔ（仇ハジ 第９図 ｔｏｏｔ −−−Ａ ｕ −Ｚ７？、 ｔｉｌｏｏｌ−
−−ｎ−１％Ｃｒａ、ハｓＦ’ｔＡフ′°ロツ７ノ４１
００６−−− 工／ｒＬＦ基板 １ｏｏ７−−−ハｕ−Ｃｒｅ−Ｎｉ’ＬＫｔｏｅａ−Ｚ
７Ｌ狐汐１ 第１０図 第１１図 匂乞 の帆 （肋ハ） 信１２図 光入力（イｆ−免、Ｈ灸ン 第１３図 光出力 Ｆｌ
Claims (6)
- （１）第１の偏光状態で発振する半導体レーザに、第２
の偏光状態を持つ入射光を注入することにより生じる、
前記入射光に対する前記半導体レーザの出力光の双安定
を用いることを特徴とする半導体レーザ論理回路。 - （２）第１の偏光状態の電界成分が、第２の偏光状態の
電界成分と直交することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ論理回路。 - （３）第１の偏光状態の磁界成分が、第２の偏光状態の
磁界成分と直交することを特徴とする特許請求の範囲第
１項あるいは第２項記載の半導体レーザ論理回路。 - （４）入射光が、半導体レーザの活性層の端面から注入
されることを特徴とする特許請求の範囲第１〜第３項の
いずれかに記載の半導体レーザ論理回路。 - （５）双安定における２つの安定状態における半導体レ
ーザからの出力光が、それぞれ第１と第２の偏光状態よ
り成ることを特徴とする特許請求の範囲第１〜第４項の
いずれかに記載の半導体レーザ論理回路。 - （６）半導体レーザの導波機構が、屈折率導波型である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜第５項のいずれ
かに記載の半導体レーザ論理回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210928A JPS6366984A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ論理回路 |
| US07/309,919 US4922497A (en) | 1986-09-08 | 1989-02-07 | Optical logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210928A JPS6366984A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ論理回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366984A true JPS6366984A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16597396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61210928A Pending JPS6366984A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 半導体レ−ザ論理回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4922497A (ja) |
| JP (1) | JPS6366984A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8805620D0 (en) * | 1988-03-09 | 1988-04-07 | British Telecomm | Polarisation switching in active devices |
| GB8909362D0 (en) * | 1989-04-25 | 1989-06-14 | British Telecomm | High gain semiconductor laser amplifier package |
| WO1993012445A1 (en) * | 1991-12-13 | 1993-06-24 | Digital Optical Corporation | Optical switch |
| US9119700B2 (en) | 2004-11-30 | 2015-09-01 | Novartis Ag | Graphical user interface system and method for representing and controlling surgical parameters |
| US7945341B2 (en) * | 2004-11-30 | 2011-05-17 | Alcon, Inc. | Graphical user interface for selecting pulse parameters in a phacoemulsification surgical system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066492A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | Nec Corp | 偏光補償装置付導波型光素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3295911A (en) * | 1963-03-15 | 1967-01-03 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor light modulators |
| JPS60198887A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 光増幅器 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61210928A patent/JPS6366984A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-07 US US07/309,919 patent/US4922497A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066492A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | Nec Corp | 偏光補償装置付導波型光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4922497A (en) | 1990-05-01 |
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