JPS6323355A - 光電子集積回路 - Google Patents
光電子集積回路Info
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- JPS6323355A JPS6323355A JP61167595A JP16759586A JPS6323355A JP S6323355 A JPS6323355 A JP S6323355A JP 61167595 A JP61167595 A JP 61167595A JP 16759586 A JP16759586 A JP 16759586A JP S6323355 A JPS6323355 A JP S6323355A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光電子集積回路において、光導波路をモノリシックに作
製し、半導体レーザの出力の一部を駆動ＦＥＴのゲート
に帰還することにより、動作特性において、ヒステリシ
ス特性、双安定性をもたせる。
製し、半導体レーザの出力の一部を駆動ＦＥＴのゲート
に帰還することにより、動作特性において、ヒステリシ
ス特性、双安定性をもたせる。
本発明は光電子集積回路に係り、特に半導体レーザとそ
れを駆動するＦＥＴ回路をモノリシックに集積化した光
電子集積回路に関する。
れを駆動するＦＥＴ回路をモノリシックに集積化した光
電子集積回路に関する。
半導体レーザにヒステリシス特性、双安定性を持たせ、
論理素子として使用する試みは最近活溌に行なわれてい
る。その方法として、Ｃ３レーザ（Ｃａｐｐｌｅｄ Ｃ
ｒｅａｖｅｄ Ｃａｖｉｔｙ ）等の複合共振器タイ
プのものが主流となっている。
論理素子として使用する試みは最近活溌に行なわれてい
る。その方法として、Ｃ３レーザ（Ｃａｐｐｌｅｄ Ｃ
ｒｅａｖｅｄ Ｃａｖｉｔｙ ）等の複合共振器タイ
プのものが主流となっている。
従来、Ｃ３レーザを用い、２つの半導体レーザの光を互
いの共振器で結合させるものがある。昭和６０年春期応
用物理学予稿集ｐｐ、 １４０には、レーザを励起領域
と可飽和吸収領域に分けた構成を持つタンデム電極構造
双安定レーザダイオードが示されている。これは、構造
が簡単で小型という利点を持つが、動作原理が複雑であ
ることに伴う欠点がある。
いの共振器で結合させるものがある。昭和６０年春期応
用物理学予稿集ｐｐ、 １４０には、レーザを励起領域
と可飽和吸収領域に分けた構成を持つタンデム電極構造
双安定レーザダイオードが示されている。これは、構造
が簡単で小型という利点を持つが、動作原理が複雑であ
ることに伴う欠点がある。
また、半導体レーザとＰＩＮフォトダイオードとＦＥＴ
を組合せたものがある。これはＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
を組合せたものがある。これはＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、４５ （７） 、１０ｃｔｃｂｅｒ １９
８４ ｐｐ、７１９〜７２０が参照される。半導体レ
ーザの光を光ファイバ等の外部導波路を用いて、ＰＩＮ
フォトダイオードに入射させ、その光電流をＦＥＴで増
幅し、半導体レーザに帰還する。この利点は動作原理が
簡単（レーザ光で駆動電流を変ｉＪ！！Ｉ）なことであ
るが、欠点として結合用の光ファイバ長が短くできない
ため、スイッチング時間に制限を受けることである。
８４ ｐｐ、７１９〜７２０が参照される。半導体レ
ーザの光を光ファイバ等の外部導波路を用いて、ＰＩＮ
フォトダイオードに入射させ、その光電流をＦＥＴで増
幅し、半導体レーザに帰還する。この利点は動作原理が
簡単（レーザ光で駆動電流を変ｉＪ！！Ｉ）なことであ
るが、欠点として結合用の光ファイバ長が短くできない
ため、スイッチング時間に制限を受けることである。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記のように、従来例の前者では、複合共振器構成であ
るため、動作メカニズムが複雑であること、また、２つ
の半導体レーザの特性を合せることが困難であることが
ある。後者では、半導体し一部の出力光を光ファイバで
ＰＩＮフォトダイオードに入射させるために、装置の構
成がおおががりになること、また、光ファイバと半導体
レーザの位置合せが困難であることがある。本発明はこ
れらの欠点が無い光電子集積回路を提供しようとするも
のである。
るため、動作メカニズムが複雑であること、また、２つ
の半導体レーザの特性を合せることが困難であることが
ある。後者では、半導体し一部の出力光を光ファイバで
ＰＩＮフォトダイオードに入射させるために、装置の構
成がおおががりになること、また、光ファイバと半導体
レーザの位置合せが困難であることがある。本発明はこ
れらの欠点が無い光電子集積回路を提供しようとするも
のである。
本発明は、半導体レーザとそれを駆動するＦＥＴ回路を
モノリシックに集積した光電子集積回路において、半導
体レーザの出力光の一部を、光透過性物質で作製した先
導波路で駆動ＦＢＴに帰還させ二半導体レーザの動作特
性にヒステリシス特性、双安定性等をもたせるものであ
る。 実施例の図面で概略説明すると、本発明において
は、少なくとも片面をエツチングにより作製した半導体
レーザと、それを駆動するためのＦＥＴ回路をモノリシ
ックに集積した光電子集積回路（第１図。
モノリシックに集積した光電子集積回路において、半導
体レーザの出力光の一部を、光透過性物質で作製した先
導波路で駆動ＦＢＴに帰還させ二半導体レーザの動作特
性にヒステリシス特性、双安定性等をもたせるものであ
る。 実施例の図面で概略説明すると、本発明において
は、少なくとも片面をエツチングにより作製した半導体
レーザと、それを駆動するためのＦＥＴ回路をモノリシ
ックに集積した光電子集積回路（第１図。
第２図）において、ＳＯＧ （スピンオン・グラス）、
Ｓｉ３Ｎ４等の光透過材料で光導波路を形成しく第３図
、第５図）、差動対のＦＥＴ （Ｑ３）のゲート部へ光
を帰還するようにしている。
Ｓｉ３Ｎ４等の光透過材料で光導波路を形成しく第３図
、第５図）、差動対のＦＥＴ （Ｑ３）のゲート部へ光
を帰還するようにしている。
上記において、光導波路をモノリシックに形成し、半導
体レーザの光の一部を駆動ＦＥＴのゲートに帰還するこ
とにより、動作特性においてヒステリシス特性、双安定
性をもたせることができる。
体レーザの光の一部を駆動ＦＥＴのゲートに帰還するこ
とにより、動作特性においてヒステリシス特性、双安定
性をもたせることができる。
また、光導波路をモノリシックに形成したので、光透過
性材料のバターニングという非常に簡単な工程を付は加
えるだけでよ＜！！造が容易であり、さらに、レーザと
ＦＥＴ、光導波路の特性より、容易に回路の動作特性が
推定できる。
性材料のバターニングという非常に簡単な工程を付は加
えるだけでよ＜！！造が容易であり、さらに、レーザと
ＦＥＴ、光導波路の特性より、容易に回路の動作特性が
推定できる。
以下に図面とともに、本発明の詳細な説明する。
第１図は実施例の光電子集積回路の全体的構成を示す回
路例である。第１図において、Ｑ１〜Ｑ４はＦＥＴであ
り、ＬＤが半導体レーザであり、Ｑ２．Ｑ３で差動対を
構成し、その一方のＱ２のゲートに入力信号ＶＩＮが入
力し、他方のゲートは接地している。Ｑ４は差動対に流
す電流をそのゲートに印加する電圧ＶＢ２で決定する定
電流源のトランジスタである。そして、差動対のＱ３と
直列に半導体レーザＬＤを挿入すると共に、ＬＤに適当
なバイアス電流を流すための制御電圧ＶＢＩが印加され
るトランジスタＱ１が備えられている。
路例である。第１図において、Ｑ１〜Ｑ４はＦＥＴであ
り、ＬＤが半導体レーザであり、Ｑ２．Ｑ３で差動対を
構成し、その一方のＱ２のゲートに入力信号ＶＩＮが入
力し、他方のゲートは接地している。Ｑ４は差動対に流
す電流をそのゲートに印加する電圧ＶＢ２で決定する定
電流源のトランジスタである。そして、差動対のＱ３と
直列に半導体レーザＬＤを挿入すると共に、ＬＤに適当
なバイアス電流を流すための制御電圧ＶＢＩが印加され
るトランジスタＱ１が備えられている。
その動作を説明すにあたり、まず、Ｑ３のゲート部へ光
が当らない状態を想定すると、単なる差動増幅動作を行
ない、Ｑ２．Ｑ３が差動対を構成しており、差動入力に
応じて、Ｑ２．Ｑ３のどちらに電流が流れるかが決る。
が当らない状態を想定すると、単なる差動増幅動作を行
ない、Ｑ２．Ｑ３が差動対を構成しており、差動入力に
応じて、Ｑ２．Ｑ３のどちらに電流が流れるかが決る。
ＶＩＮが接地電位ならば、Ｑ２．Ｑ３に同じ電流が流れ
る。ＶＩＮがプラス電位になるとＱ２に余分に電流が流
れ、Ｑ３の電流はそれだけ減少する。ＶＩＮがマイナス
電位となると、Ｑ２の電流が減少し、それだけＱ３の電
流が増大する。なお、ＱｌはレーザダイオードＬＤを安
定に適当なバイアスをかけている。
る。ＶＩＮがプラス電位になるとＱ２に余分に電流が流
れ、Ｑ３の電流はそれだけ減少する。ＶＩＮがマイナス
電位となると、Ｑ２の電流が減少し、それだけＱ３の電
流が増大する。なお、ＱｌはレーザダイオードＬＤを安
定に適当なバイアスをかけている。
ここで、Ｑｌのバイアスを適当に設定すると、ＬＤはＱ
３に僅かに電流が流れるだけで、レーザのしきい値を越
えて発光が開始される。そして、後述する光ガイド手段
の導波路を介して、Ｑ３のゲートにレーザダイオードＬ
Ｄの光が入る。その光がＱ３に入力すると、正帰還がか
かり、Ｑ３の電流が急増する。このように、ＶＩＮに僅
かでもマイナス電位が入力すると、Ｑｌのバイアスを適
当にしておくと、すぐにＱ３に流れる電流でＬＤが発光
し、Ｑ３とＬＤの光結合による正帰還でＱ３の電流が急
増し、ＬＤをＯＮの状態にすることができる。その後は
光の効果は飽和していくらＶＩＮがさらにマイナス方向
にいっても反応しなくなる。
３に僅かに電流が流れるだけで、レーザのしきい値を越
えて発光が開始される。そして、後述する光ガイド手段
の導波路を介して、Ｑ３のゲートにレーザダイオードＬ
Ｄの光が入る。その光がＱ３に入力すると、正帰還がか
かり、Ｑ３の電流が急増する。このように、ＶＩＮに僅
かでもマイナス電位が入力すると、Ｑｌのバイアスを適
当にしておくと、すぐにＱ３に流れる電流でＬＤが発光
し、Ｑ３とＬＤの光結合による正帰還でＱ３の電流が急
増し、ＬＤをＯＮの状態にすることができる。その後は
光の効果は飽和していくらＶＩＮがさらにマイナス方向
にいっても反応しなくなる。
次に、ＶＩＮをプラスの方向にしてやる。この時、ＬＤ
が発光してＱ３に光によるバイアスがかかった状態なの
で、多少ＶＩＮにプラス電位がかかっても差動対はその
ままで、成程度の正のバイアスをＶＩＮに与えないと反
転せず、ヒステリシス特性を持つ。第４図に以上に説明
したヒステリシス特性を図示しである。駆動回路に信号
が入力され、ＬＤの順方向電流が増加し、ＬＤのしきい
値電流を越えると、ＬＤは発振し、光出力は急激に増加
する。この光出力の一部は、光導波路により、Ｑ３のゲ
ートに入射するように形成する。Ｑ３では、レーザ光が
吸収されることにより、ゲート電流が増加し、さらにＬ
Ｄに電流が流れる方向に正帰還が形成される。これを人
力ＶＩＮと光出力しの関係で示したのが第４図である。
が発光してＱ３に光によるバイアスがかかった状態なの
で、多少ＶＩＮにプラス電位がかかっても差動対はその
ままで、成程度の正のバイアスをＶＩＮに与えないと反
転せず、ヒステリシス特性を持つ。第４図に以上に説明
したヒステリシス特性を図示しである。駆動回路に信号
が入力され、ＬＤの順方向電流が増加し、ＬＤのしきい
値電流を越えると、ＬＤは発振し、光出力は急激に増加
する。この光出力の一部は、光導波路により、Ｑ３のゲ
ートに入射するように形成する。Ｑ３では、レーザ光が
吸収されることにより、ゲート電流が増加し、さらにＬ
Ｄに電流が流れる方向に正帰還が形成される。これを人
力ＶＩＮと光出力しの関係で示したのが第４図である。
ＶＩＮがＶＯＮを越えると、Ｌはり、からＬ ＩＩに遷
移する。ＶＩＮがＶ ｏｆｆを越えるとＬはＬＨからＬ
Ｌへ遷移する。このヒステリシスの幅ΔＶＨは、光導波
路によるレーザとＦＥＴとの結合の強さ、ＦＥＴのｇｍ
、レーザのしきい値電流Ｉ ｔｈ等によって決る。
移する。ＶＩＮがＶ ｏｆｆを越えるとＬはＬＨからＬ
Ｌへ遷移する。このヒステリシスの幅ΔＶＨは、光導波
路によるレーザとＦＥＴとの結合の強さ、ＦＥＴのｇｍ
、レーザのしきい値電流Ｉ ｔｈ等によって決る。
このヒステリシス特性を利用すれば、例えばメモリを構
成することができる。
成することができる。
本発明によれば、従来法に比較してＳＯＧ等の光透過材
料のパターニングという非常に簡単な工程を加えるだけ
でヒステリシス動作が得られる。
料のパターニングという非常に簡単な工程を加えるだけ
でヒステリシス動作が得られる。
また、モノリシック化という点でも有利である。
さら１こ、レーザとＦＥＴ、光導波路の特性により、容
易に動作特性が推定できる。
易に動作特性が推定できる。
次に、本実施例の要部断面構成を第２図および第３図の
工程図で示している。
工程図で示している。
第２図において、半導体絶縁性ＧａＡｓ基板１上に半導
体レーザＬＤ部と、ＦＥＴ回路部とを形成している。Ｌ
Ｄ部上には、次の各層が形成される。
体レーザＬＤ部と、ＦＥＴ回路部とを形成している。Ｌ
Ｄ部上には、次の各層が形成される。
ｎ −ＧａＡｓ層２．バッフ１層
ｎ −ＡＩＧａＡＳ層３．下部クラッド層活性層のＧａ
Ａｓ層４ ｐ −ＡＩＧａＡＳ層５．上部クラッド層ｐ −ＧａＡ
ｓ６ 、 コンタクト層ｐ型層６に形成された電極（
Ｔｉ／ Ｐｔ／ Ａｕ） ７基板側のｎ型電極は図示し
ない方向から取出している。
Ａｓ層４ ｐ −ＡＩＧａＡＳ層５．上部クラッド層ｐ −ＧａＡ
ｓ６ 、 コンタクト層ｐ型層６に形成された電極（
Ｔｉ／ Ｐｔ／ Ａｕ） ７基板側のｎ型電極は図示し
ない方向から取出している。
そして、基板にはエツチング溝８が形成され、ＬＤ部と
ＦＥＴ部とを分離している。エツチング溝８はｎ −Ａ
ＩＧａＡＳ層３より深く形成され、エツチング溝８の反
対側にドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳを有するＦＥＴ
Ｉ、０が形成されている。
ＦＥＴ部とを分離している。エツチング溝８はｎ −Ａ
ＩＧａＡＳ層３より深く形成され、エツチング溝８の反
対側にドレインＤ、ゲートＧ、ソースＳを有するＦＥＴ
Ｉ、０が形成されている。
光は図示矢印のようにＬＤの両方向に出るが本実施例で
は通常使用されない反対側の光をＦＥＴ回路部に導くよ
うにしており、第３図に概略を示すように光は１１と指
示するＳＯＧ （スピンオン・グラス）等でガイドする
。このＳＯＧは基板上にスピンオン法で塗布形成した後
、バターニングで形成できる。ＬＤの左の端面ばへき開
で形成し、右の端面ばエツチングで形成することが本実
施例の特徴であり、半導体レーザ部ＬＤとＦＥＴ部とは
プロセスにおいて自ずから位置を整合することができる
。エツチング溝の斜面の角度θは垂直だとその面に形成
する導波路１１を光が導波しがたく、斜め面だとうまく
導波する。
は通常使用されない反対側の光をＦＥＴ回路部に導くよ
うにしており、第３図に概略を示すように光は１１と指
示するＳＯＧ （スピンオン・グラス）等でガイドする
。このＳＯＧは基板上にスピンオン法で塗布形成した後
、バターニングで形成できる。ＬＤの左の端面ばへき開
で形成し、右の端面ばエツチングで形成することが本実
施例の特徴であり、半導体レーザ部ＬＤとＦＥＴ部とは
プロセスにおいて自ずから位置を整合することができる
。エツチング溝の斜面の角度θは垂直だとその面に形成
する導波路１１を光が導波しがたく、斜め面だとうまく
導波する。
先導波路とＦＥＴとの結合の他の例を第５図に示してい
る。図示のごとく、エツチング溝８の斜面に延びる５ｉ
０２膜１１′上にＳｉ３ Ｎ４膜１１″を形成してい
る。ＦＥＴは半導体絶縁性基板１上の非ドープのＧａＡ
ｓ層１２、ｎ −ＧａＡｓ活性層１３、ソース、ドレイ
ン電極（ＡｕＧｅ／Ａｕ） １４． Ｉ Ｓ、ゲー
ト電極のＡＡ１６を備える。
る。図示のごとく、エツチング溝８の斜面に延びる５ｉ
０２膜１１′上にＳｉ３ Ｎ４膜１１″を形成してい
る。ＦＥＴは半導体絶縁性基板１上の非ドープのＧａＡ
ｓ層１２、ｎ −ＧａＡｓ活性層１３、ソース、ドレイ
ン電極（ＡｕＧｅ／Ａｕ） １４． Ｉ Ｓ、ゲー
ト電極のＡＡ１６を備える。
屈折率は
５ｉ０２ ＝ １．４６＜ Ｓｉ ３ Ｎ４ ＝
２．０５であるから、空気と５ｉ０２に挾まれたＳｉ
３ Ｎ４は先導波路となり、光をＦＥＴのデー１一部
に導く効率が向上する。
２．０５であるから、空気と５ｉ０２に挾まれたＳｉ
３ Ｎ４は先導波路となり、光をＦＥＴのデー１一部
に導く効率が向上する。
導波路を形成するエツチング溝８の斜面のθについては
、レーザ光の偏波方向はＴＥＡ、波であり、紙面に垂直
方向である。この偏波の光は、ブリュースタ角２６°で
全反射されるので、θは２６°より大でなければならな
いので、θ−３０〜４０゛にとると良い。
、レーザ光の偏波方向はＴＥＡ、波であり、紙面に垂直
方向である。この偏波の光は、ブリュースタ角２６°で
全反射されるので、θは２６°より大でなければならな
いので、θ−３０〜４０゛にとると良い。
レーザと導波路の距離りは、レーザ光の広がりが半値全
角で３０°程度であるから、Ｌ≦５０μｍで良い。
角で３０°程度であるから、Ｌ≦５０μｍで良い。
以上のように、本発明によれば、光電子集積回路におい
て、光導波路をモノリシックに形成し、半導体レーザの
光の一部を駆動ＦＥＴのゲートに帰還するようにしたの
で、動作特性においてヒステリシス特性、双安定性をも
たせることができる。
て、光導波路をモノリシックに形成し、半導体レーザの
光の一部を駆動ＦＥＴのゲートに帰還するようにしたの
で、動作特性においてヒステリシス特性、双安定性をも
たせることができる。
また、光導波路をモノリシックに形成したので、光透過
性材料のバターニングという非常に簡単な工程を付は加
えるだけでヒステリシス特性や双安定性が得られ、製造
が容易であり、さらに、レーザとＦＢＴ、光導波路の特
性より、容易に回路の動作特性が推定できるという利点
がある。
性材料のバターニングという非常に簡単な工程を付は加
えるだけでヒステリシス特性や双安定性が得られ、製造
が容易であり、さらに、レーザとＦＢＴ、光導波路の特
性より、容易に回路の動作特性が推定できるという利点
がある。
第１図は本発明の実施例の光電子集積回路の回路図、
第２図、第３図は本発明の実施例の工程断面図、第４図
は本発明の光電子集積回路のレーザ出力のヒステリシス
特性を示す図、 第５図は本発明の実施例の他の工程断面図である。 Ｑ１〜Ｑ４・・・ＦＥＴ５ＬＤ・−半導体レーザ、ＶＩ
Ｎ・・・入力信号、１−・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・
−ｎ −ＧａＡｓ層：バッファ層、３− ｎ −ＡＩＧ
ａＡＳ層：下部クラッド層、４・・・活性層のＧａＡｓ
層、５−Ｉ）−へ１ＧａＡＳＦ３’：上部クラフト層、
５−ｐ −ＧａＡｓ ：コンタクト層、７−ｐ型層６に
形成された電極（Ｔｉ／Ｐｔ／八Ｕ）−ｖへｌ 〜Ｑ２
： ＦＥＴ 実施例の光電子集積回路の回路図 第 １ 図 実施例の工程断面図 第２図 ＬＤ部 ＦＥＴ回路部 実施例の工程断面図 第 ６ 図 レーザ出力のヒステリシス特性 第 ４ 図
は本発明の光電子集積回路のレーザ出力のヒステリシス
特性を示す図、 第５図は本発明の実施例の他の工程断面図である。 Ｑ１〜Ｑ４・・・ＦＥＴ５ＬＤ・−半導体レーザ、ＶＩ
Ｎ・・・入力信号、１−・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・
−ｎ −ＧａＡｓ層：バッファ層、３− ｎ −ＡＩＧ
ａＡＳ層：下部クラッド層、４・・・活性層のＧａＡｓ
層、５−Ｉ）−へ１ＧａＡＳＦ３’：上部クラフト層、
５−ｐ −ＧａＡｓ ：コンタクト層、７−ｐ型層６に
形成された電極（Ｔｉ／Ｐｔ／八Ｕ）−ｖへｌ 〜Ｑ２
： ＦＥＴ 実施例の光電子集積回路の回路図 第 １ 図 実施例の工程断面図 第２図 ＬＤ部 ＦＥＴ回路部 実施例の工程断面図 第 ６ 図 レーザ出力のヒステリシス特性 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一基板上に半導体レーザとその駆動ＦＥＴを含む電子
回路とを集積化してなる光電子集積回路において、 該半導体レーザの一端面がエッチング溝で形成されると
共に、該溝の他面は斜面となされ、該溝を隔てた基板上
に該駆動ＦＥＴを含む電子回路を形成し、 該一端面から出力する半導体レーザの光を導く光導波路
が該溝の斜面に沿って該駆動ＦＥＴのゲートに結合する
ように形成されてなることを特徴とする光電子集積回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167595A JPS6323355A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61167595A JPS6323355A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323355A true JPS6323355A (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=15852676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61167595A Pending JPS6323355A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 光電子集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243487A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH01244671A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| US5463649A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-31 | Sandia Corporation | Monolithically integrated solid state laser and waveguide using spin-on glass |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61167595A patent/JPS6323355A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243487A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH01244671A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| US5463649A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-31 | Sandia Corporation | Monolithically integrated solid state laser and waveguide using spin-on glass |
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