JPS60254991A - 時分割光交換機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は時分割光信号の交換制御を行なう光交換機に関
するものである。

（従来技術） 光ファイバを伝送路とする光通信システムは高速・大容
量の信号伝送が可能であり、様々の伝送方式が実用化さ
れている。特に高速性を利用したデジタル信号の時分割
伝送方式は重要な方式の１つである。現在実用化されて
いる光通信システムでは、光信号は単に光フアイバ中を
伝送されるだけで信号の交換は一旦電気信号に交換した
後に行なわれている、上記の如く、光信号を電気信号に
変換して交換する方法では、交換された信号を再び伝送
する場合には電気信号を再び光信号に変換する必要があ
るので装置が複雑になり、コストが高くなるという欠点
がある。また従来の電気信号の時分割交換機では百メガ
ビ、ト／秒以上の高速信号を交換するのは難しいという
欠点もある。

このような欠点を除くため特願昭筒５７−２１６７０８
号に示されているように双安定動作を示す半導体レーザ
を光メモリとして用いた時分割光交換機が提案されてい
る。以下この従来技術について説明す−る。　。

第１図は従来の時分割光交換機の一実施例を示す図であ
る。第１図においてそれぞれ異なる情報をのせた４つの
タイムスロットからなる第１の時分割光信号１００を入
力するための入力光導波路３１０と第２の時分割光信号
１９０を出力するための出力光導波路３８０との間に、
入力端子を入力光導波路３１０に接続され出力端子を、
双安定動作を示す半導体レーザ３４０，３５０，３６０
，３７０の入射端に導かれる光導波路３４１，３５１，
３６１，３７１にそれぞれ接続された書込み用ＩＸ４光
スイッチ３２０と、前記双安定半導体レーザの出射端に
導かれる光導波路３４２゜３５２．３６２，３７２にそ
れぞれ入力端子を接続され、出力端子を出力光導波路３
８０に接続された読出し用４Ｘ１光スイツチ３３０が設
置されている。光スィッチ３２０と３３０にはそれぞれ
光スイツチ駆動回路３２１．３３１が接続されており、
双安定半導体レーザ３４０．３５０　、３６０　、３７
０にはそれぞれバイアス電流を注入するための電流駆動
回路３４５　、３５５．３６５　、３７５が接続されて
いる。光スイツチ駆動回路３２１　、３３１と電流駆動
回路３４５，３５５，３６５，３７５は図示されていな
い中央制御装置に接続されている。上記中央制御装置は
タイミング抽出回路、メモリ回路等によって構成され、
上記光スイツチ駆動回路や電流駆動回路を制御するため
の制御信号を発生する。

このような構成により書込み用光スィッチ３２０により
光メモリである双安定半導体レーザ３４ｏ。

３５０．３６０　、３７０にビット毎に情報信号を書き
込み。

読み出し用光スィッチ３３０により信号の順序を入れ替
えて読み出すことにより時分割光交換動作が得られる。

この構成では交換すべきフレーム周期の長さを任意に設
定することが可能で、双安定半導体レーザに光のレベル
再生機能があるため、高い出力光信号レベルが容易に得
られるという利点がある。しかしながら、従来は光スィ
ッチ３２０　、３３０が非常に大型となり装置の小型化
、多チャンネル化に問題が有った。

第２図は書込み用ＩＸ４光スイッチ３２０又は読出し用
４×１光スイツチ３３０として用いることができる方向
性結合形光スイッチの例を示す０強誘電体結晶又は半導
体結晶基板２０上に形成した４個の方向性結合形光スイ
ッチ２１　、２２　、２３によっｔ構成されている。例
えばニオブ酸リチウム結晶上にチタンを拡散して光導波
路を作成し、互いに近接した光導波路上に電極を設置す
ることによって上記方向性結合形光スイッチが得られる
。光導波路冴を入力用、光導波路２５　、２６　、２７
　、２８を出力用とするとき、書込み用１×４光スイツ
チとして用いることができ、入出力を逆にしたときには
読出し用４×１光スイツチとして用いることができる。

従来はこの例に示されるように２つの光導波路間で光を
切換える方式の光スィッチが用いられていた。しかし、
このような光スィッチでは種々の物理光学効果の大きさ
があまり大きくないことを反映して非常に長い素子長が
必要となる。ここで示したニオブ酸リチウム上のチタン
拡散導波路を用いた方向性結合器型光スイッチでも駆動
電圧をｌＯＶ程度以下にするためには１つの素子長は１
ｃｒＩＬ程度にもなってしまう。光路を切換える光スィ
ッチの種類としてはこの他に交叉導波路、Ｙ分岐を用い
たものなどがあり、利用可能な物理光学効果として電気
光学効果の他に磁気光学効果、音響光学効果などが考え
られているが、いずれの場合も同様で光スイ、・チの大
部化をきたしていた。また元スイッチとしての単体の特
性を高めるためには種々の物理光学効果の大きな材料（
強誘電体、磁性体等）を用いるため光メモリである双安
定牛佛体レーザとモノリシックに集積化することは不可
能であるという欠点もあった。

（発明の目的） 本発明は上述のような従来の欠点を除去せしめて、小型
、集積化が可能な時分割光交換機を提供することにある
。

（発明の構成） 本発明によれば、１つの入力端と複数の出力端とを備え
た書込み用光スィッチと、前記出力端からの出射光が入
射するようにして各出力端にそれぞれ１つづつ対応して
設置された光メモリ素子と、前記光メモリ素子からの出
射光が入射するように各々の半導体レーザにそれぞれ１
つづつ対応する複数の入力端と１つの出力端とを備えた
続出し用光スィッチと、前記各光スィッチの光スイツチ
駆動回路と、前記光メモリ素子の駆動回路と、前記各駆
動回路のタイミングを制御する中央制御装置とから構成
される時分割光交換機に於て、前記１つの入力端と複数
の出力端とを備えた書込み用光スィッチを前記１つの光
端へ入射する光信号を前記複数の出力端の数にだけ分岐
する光分岐と、前記光分岐の各出力端に接続された光を
オン・オフする機能を有する第１の複数の光ゲート・ス
イッチにより構成し、また、前記複数の入力端と１つの
出力端とを備えた読み出し用光スィッチを前記光メモリ
素子の出力側に接続された第２の複数の光ゲート・スイ
ッチと前記第２の複数の光ゲート・スイッチの出力側ｌ
こ接続された光合流器とにより構成したことを特徴とす
る時分割光交換機が得られる。

（構成の詳細な説明） 本発明は、上述の構成をとることにより、従来技術の問
題点を解決した。

第３図は本発明に用いる書込用光スイッチの構成を示す
ものである。ここでも例として４チヤンネルの時分割多
重信号の場合について示した。１つの入力端へ入射した
光信号は光分岐１によりチャンネル数（この場合４）だ
け分岐される。光分岐１の４つの出力端には光ゲート・
スイッチ２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄが接続されている。ここで光ゲート・
スイッチの各々の開閉状態を制御することにより任意の
ビットを所望のチャンネルに出力することができ、Ｖ込
み光スィッチとしての動作が得られる。しかも、光分岐
１は単に光を分けるだけであるから光路切換型の光スィ
ッチに比べ非常に小型ζこなる。また光ゲート・スイッ
チも後述するように非常に小型（１顛以下）のものが可
能である。

更に、注入キャリアやフランツ・ケルディツシュ効果に
よる光吸収等、半導体材料特有の効果が利用できるので
光メモリとしての双安定半導体レーザとのモノリシック
集積化の可能性も高い。読み出し用光スィッチの場合も
全く同様に考えることができる。従って結果的に小型化
、集積化が可能な時分割交換機が得られることになる。

（実施例） 以下本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。ここでも光メモリ素子として双安定半導体レーザを
用いた場合につき説明するが、後述するように光メモリ
はこれに限定されるものではないことをことわっておく
。

第４図は本発明の一実施例を示す図である。それぞれ異
なる情報をのせた４つのタイムス口、トからなる第１の
時分割信号１００を入力するための入力光導波路３１０
と第２の時分割光信号１９０を出力するための出力光導
波路３８０との間に入力導波路３１０から入射する光信
号をチャンネル数分だけ分岐する光分岐１と光分岐１の
各々の出力端に接続された４つの光ゲート・スイッチ２
ａ、２ｂ、２ｃ。

２ｄと双安定半導体レーザ３４０，３５０，３６０，３
７０、光ゲート・スイッチ２ａ　、　２ｂ　、　２ｃ　
、　２ｄと双安定半導体レーザ３４０，３５０，３６０
，３７０を接続する先導波路３４１　、３５１　、３６
１　、３７１　、双安定半導体レーザの出力側に接続さ
れた光導波路３４２．３５２．３６２．３７２　、光導
波路３４２，３５２，３６２，３７２の出力側に接続さ
れた光ゲート・スイッチ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、光ゲ
ート・スイッチ３ａ、３ｂ、３Ｃ，３ｄの出力を合波す
る合流器４が設置されている。光ゲート・スイッチ２ａ
　、　２ｂ　。

２ｃ、２ｄ及び３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄにはそれぞれ光
スイツチ駆動回路３２１．３３１が接続されており、双
安定半導体レーザ３４０．３５０　、３５０　、３７０
１ｃはそれぞれバイアス屯流を注入するための電流枢動
回路３４５゜３５５．３６５，３７５が接続されている
。光スイッチ駆動回路３２１　、３３１と電流駆動回路
３４５　、３５５　、３６５　、３７５は図示されてい
ない中央制御装置に接続されている。

上記中央制御装置はタイミング抽出回路、メモリ回路等
によって構成され、上記光スイツチ駆動回路や電流駆動
回路を制御するための制御信号を発生する。この時分割
光交換機の動作を説明する前にまず本発明の主眼である
光分岐ｌ、光ゲート・スイッチ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ
、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ　。

光合流器４の具体例を説明する、 光分岐１としてはここでは光導波路３１０に用いたもの
と全く同じ光フアイバ４本を近接させて加熱しながら伸
延し触着した構造のものを用いた。

この構造により過剰損失１ｄＢ以下の光分岐が容易に得
られる。また、光導波路３１０と全く同じ光ファイバを
用いているため接続の損失も非常に小さく通常０．２ｄ
Ｂ　程度である。光合流器４としては、ここでは光分岐
１と全く同じものを逆にして用いた。

次に光ゲート・スイッチ２　ａ　、　２　ｂ　＊　２　
ｃ　、　２　ｄ　＊　３　ａ　＋ａｂ、ａｃ、ａｄにつ
いて述べる。この光ゲート・スイッチは制御信号により
オン状態とオフ状態が切換えられオン状態では光信号を
通過させ、４！Ｐ？＝＃−、パ、オフ状態では光信号を 通過させないものであればよい。このような光ゲート・
スイッチには半導体レーザをそのまま用いたもの、液晶
を用いたもの、半導体でのキャリア注入、フランツ・ケ
ルディツシュ効果による光吸収を利用したものなどがあ
る。この実施例では小型、低電圧動作、嵩消光比、応答
の高速性などを考え半導体レーザによるスイッチ（ＬＤ
８Ｗ）　を用いた。半導体レーザを用いた光スィッチに
ついては昭和５７年度電子通信学会総合全国大会講演論
文集４−６９　、８７３　ｒ半導体レーザを用いた光ス
ィッチ」に於て詳しく述べられている。このＬＤ８Ｗは
半導体レーザが電流をしきい値付近にバイアスした際に
は入射光に対し光アンプとして働き、バイアス電流を零
または逆バイアス状態にした場合には入射光が吸収され
て出力されないことを利用したもので数１００μｍ程度
の長さの素子で６０〜７０ｄＢ程度のオフ・オフ比が得
られる。動作に必要な或圧も２ｖ程度で原理的に高速性
にも優れている。更に、ＬＤ８Ｗは光メモリである双安
定半導体レーザとほぼ同様の組成１層構造を有するため
。

双安定半導体レーザとのモノリシックな集積化の可能性
も有している。従ってこのような光ゲート・スイッチを
用いることにより時分割光交換機の大幅な小型化、集積
化が可能となる。

次に第４図の時分割光交換機の他の部分の構成及び動作
について説明する。光スイツチ駆動回路３２１．３３１
は前記中央制御装置のコントロールにより光ゲート・ス
イッチ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、３ａ、３ｂ。

３ｃ、３ｄの開閉状態を制御するものでバイアス電流を
零と適当な順バイアス状態との間で切換えるものである
。従って通常の半導体レーザのパルス駆動回路と全く同
様に構成できる。

第５図（ａ）は双安定半導体レーザ３４０，３５０，３
６０゜３７０の具体例を示す断面図である。構造は通常
用いられる電流注入形の半導体レーザとほぼ同じであり
５例えば、ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓやＩ　ｎＧａＡｓＰ
／Ｉ　ｎＰを材料とするダブルへテロ接合構造のレーザ
である。但し、電極が一様ではなく、一部に電流の注入
されない部分が存在していることが通常の半導体レーザ
とは異なっている。上記電流の非注入領域は可飽和吸収
体として働くので第３図（ａ）の双安定半導体レーザで
は注入電流対光出力特性に双安定特性をもたせることが
できる。なお、電極を不均一にするかわりに１発光領域
である活性層の部分に不均一性をもたせ、一部に可飽和
吸収領域を設置することにより同様な双安定特性を持た
せることができる。これらの双安定半導体レーザでは注
入電流ｉを適当に選ぶことによって、外部からの注入光
に対する出射光の特性にも双安定特性が得られる。この
ような双安定半導体レーザの詳細は文献エレクトロニク
ス・レターズ（ＥｌｅｃｊｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ
　）第１７巻７４１ページと昭和５７年度電子通信学会
光・電波部門全国大会講演論文集（分冊２）２７２番ζ
こ述べられている。

第５図（ｂＪ　、　（Ｃ）　、　（ｄ）は前記第５図（
ａ）の双安定半導体レーザの動作を説明するための図で
ある。第５図（ｂｌは入射光量ｐｉｎ＝ｏとした時の注
入電流ｉと出射光量ＰＯｕｔの関係を示す図である。す
なわち注入電流ｉをｉ。から増加させたいときには１　
＝＝　１３で急激に出射光量Ｐｏｕｔ　が増加し、逆に
注入電流ｉをｉｔから減少させた場合には出射光量Ｐｏ
ｕｔは１　＝＝　１０　で急激に減少するようなヒステ
リシス特性を示し１＝ｉｂにおいて出射光量Ｐ０および
Ｐｌの２つめ安定点ＡおよびＢを有する。第５図ｔｃ＞
は第５図（ｂＪにおいて注入電流１＝ｉｂとした時の入
射光量Ｐｉｎと出射光量Ｐｏｕｔ　の関係を示す図であ
る。すなわち出射光量Ｐｏｕｔ　＝　Ｐ、の第１の安定
黒人にある時に入射光１ｔＰｉｎをＯから増加させた場
合は出射光量ＰｏｕｔはＰｉｎ−＝　Ｐａで急激に増加
し以降入射光量Ｐｉｎ”Ｐｔ　から減少させた場合には
出射光量Ｐｏｕ　ｔはほとんど減少せずに出射光量Ｐｏ
ｕｔ＝Ｐ１　の第２の安定点Ｂに移る。第５図（Ｃ）に
おける点Ａ、Ｂはそれぞれ第５図（ｂｌにおける点Ａ、
Ｂと同一の点を表わす。第５図（ｄ）は注入電流ｉおよ
び入射光Ｐｉｎに対する双安定半導体レーザの動作を表
にして示したものである。注入電流ｉがｉｂで入射光Ｐ
ｉｎが０である場合には双安定半導体レーザは前に書き
込まれたデータ化応じて第５図ｆｂｌにおける２つの安
定点Ａ、Ｂのいずれか一方に位置し、出射光量Ｐ０ある
いはＰｌを保守する。ｇｓ図（ｂｌにおいて双安定半導
体レーザが一方の安定点Ｂ（出射光量Ｐｔ）を保持して
いる時に注入電流ｉを一度ｉｏとし再びｉｂに戻すと出
射光量ＰｏｕｔはＢ→Ｄ　−＋　Ａの順に変化し以後他
方の安定点Ａ（出射光量Ｐｏ）　を保持する。すなわち
双安定半導体レーザはリセットされる。また第５図（Ｃ
）において双安定半導体レーザが安定点Ａ（出射光量Ｐ
ｏ）を保持している時に入射光量を一度Ｐｔとし、再び
０に戻す出射光量Ｐｏｕｔ　はＡ−＋Ｅ　−＋　Ｂの順
に変化し以後安定点Ｂ（出射光量Ｐｓ）を保持する。す
なわち双安定半導体レーザはセットされる。さらに注入
電流ｉが１０で入射光量ＰｉｎがＰｔである場合には出
射光量Ｐｏｕｔは双安定半導体レーザの特性に応じた値
Ｐ２を示すが本発明では直接この光量を使用しないので
説明を省略する。

電流駆動回路３４５，３５５，３６５，３７５は上述の
ような双安定半導体レーザを駆動するため中央制御装置
の指令により２値の電流を発生する装置であり。

その簡単な一例が第６図に示されている。

コノ電流駆動回路は、トランジスタＴｒと２つの抵抗と
から成っている。トランジスタＴｒのコレクタは抵抗Ｒ
工を介し双安定半導体レーザに接続している。エラター
とコレクタは抵抗へ　で接続されており、ベース端子が
制御信号の大刀端子となっている。

第６図においてトランジスタＴ、のベースに十分な大き
さの負電圧が印加されると、トランジスタＴｒはオフと
なるのでコレクタ側に直列に挿入された双安定半導体レ
ーザＬＤ１には電流ｉ　＝　ｉ０＝　ｖ／　（Ｒ１＋　
Ｒ２＋　ｒｉ　）が流れる。但しここでｒｌは双安定半
導本レーザＬＤ１の抵抗である。一方。

トランジスタＴｒのベース電圧が０であるとＴｒはオン
になり双安定半導体レーザＬＤ、の電流ｉはｉ　＝　１
ａ＝Ｖ／（ＲＱ＋　ｒｘ　＋　ｒｘ　）　トなる。但し
、ここでｒ２はトランジスタＴｒの抵抗であり、鳥）ｒ
２　とする。以上のように第６図の回路により外部信号
により双安定半導体レーザＬＤ、に２値の電流が供給さ
れる。

第７図は第４図に示した実施例の動作の中で特に双安定
半導体レーザ３４０の書き込み、読み出し動作を説明す
るためのタイムチャートである。第５図、第７図を参照
すれば第４図に示した先導波路３１０には時分割光信号
１００が導かれている。＠７図の光信号４００は時分割
光信号ｉｏｏの情報Ａ。

Ｂ、Ｃ，Ｄをそれぞれ１ビ、トのＮＲＺ信号とした場合
の具体例を示す、ここで信号０．１としてそれぞれ第５
図に示す光量０　、　Ｐｉを必要とする。

第４図において双安定半導体レーザ３４０　、３５０．
３６０　。

３７０にはそれぞれ電流駆動回路３４５．３５５．３６
５．３７５によって常時第５図に示す電流値ｉｂの電流
が注入されている。第６図に示した電流駆動回路を用い
る場合はこの状態ではトランジスタＴ「はオンとなって
いる。また先導波路３４１，３５１．３６１．３７１は
光ゲート・スイッチ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄによって常
時先導波路３１０から切り離されている。同様に光導波
路３８０ハ光ゲー）　・ライッｆ３ａ、３ｂ、３Ｃ。

３ｄによって常時先導波路３４２，３５２，３６２，３
７２から切り離されている。つまり、光ゲート・スイッ
チへのバイアスはすべて零となっている。

第４図において双安定半導体レーザ３４０への時分割光
信号１００の情報への書き込みは次のようにして行なわ
れる。すなわち、まず時分割光信号１００の第１のタイ
ムスロット内の第１の期間において双安定半導体レーザ
３４０への注入電流ｉを第７図４１０に示す如＜　一度
ｉ。に減じた後に再びｉｂに戻す、これは例えば第６図
のトランジスタＴｒ旦 を−２オフにして再びオンに戻すことによって達成され
る。この結果双安定半纏体レーザ３４０の出射光量Ｐｏ
ｕｔ　は第７図４４０に示すように以前に光量Ｐｌを保
持していても、前記注入電流パルス４１０の前縁４１１
においてＰ。にリセットされる。

次に時分割光信号１００の第１のタイムスロット内の前
記第１の期間に続く第２の期間において光スィッチ３２
０によって光導波路３１０を光導波路３４１に接続する
。具体的には光ゲート・スイッチ２ａのみに順バイアス
を印加する。第７図４２０は光ゲート・スイッチ２ａに
前記の接続動作を行なわせ、るためｌこ光スイツチ駆動
回路３２１から光ゲート・スイッチ２ａに供給する制御
電圧を示す、この結果、双安定半導体レーザ３４０の入
射端には第７図４３０に示すように時分割光信号４００
の第１のタイムスロットのみを制御電圧４２０によって
抽出した光信号が得られる。これによって双安定半導体
レーザ３４０　ノ出射光量４４０は、入射光量４３０が
Ｐｔである場合には、入射光パルス４３０の前縁４３１
においてＰ、にセットされ、入射光量４３０が０である
場合にはＰｏを保持する。このようにして双安定半導体
レーザ３４０には時分割光信号１００の情報Ａが書き込
まれる。同様にして光スイツチ駆動回路３２１および電
流駆動回路３５５，３６５，３７５はそれぞれ光ゲート
・スイッチ２ｂ、２ｃ、２ｄ、双安定半導体レーザ３５
０．３６０．３７０への注入電流を制御することによっ
て時分割光信号１００の情報Ｂ、Ｃ’、Ｄをそれぞれ双
安定半導体レーザ３５０　、３６０　、３７０に書き込
んで行く。この”ようにして双安定半導体レーザ３４０
＃こ書き込まれた情報人の時分割光信号１９０への読み
出しは以下のようにして行なわれる。すなわち時分割光
信号１９０の例えば第４のタイムスロ、トにおいて光ゲ
ート・スイッチ３ａによって光導波路３４２を光導波路
３８０に接続する。第７図４５０は光ゲート・スイッチ
３ａに前記の接続動作を行なわせるために光スイツチ駆
動回路３３１１こよって光スィッチ３ａに供給される制
御電圧を示す。

この結果、光導波路３８０には第７図４６０　Ｊこ示す
ように双安定半導体レーザ３４０の出射光４４０を制御
電圧４５０によって抽出した光信号が得られる。同様に
して光導波路３８０には更に時分割光信号１９０の第１
．第２．第３のタイムスロットにおいてそれぞれ双安定
半導体レーザ３７０．３６０　、３５０に保持されてい
た情報り、Ｃ，Ｂが読み出される。このようにして光導
波路３８０に得られた時分割光信号１９０においては時
分割光信号１００の情報ＡとＤおよびＢとＣの交換が行
なわれる。

以上の第４図の実施例では交換される情報のフレーム周
期の長さは書込み及び読出し用光スィッチの制御により
任意に設定でき、かつ、長尺の光ファイバを使用しない
ので装置の小形化が容易である。また、出射光レベルの
高い双安定半導体レーザを用いることにより第２の時分
割光信号１ｏ。

の光量を第１の時分割光信号１９０よりも大きくするこ
とが可能である。その上に前述したように光分岐／光ゲ
ート・スイッチ、光ゲート・スイッチ／光合流器構成を
用いることにより書込用及び読み出し用光スィッチの大
幅な小型化、集積化が計れることになる。

尚１本実施例では光メモリ素子として双安定動作を示す
半導体レーザを用いた場合について説明したが、これに
限定されるものではないことは言う迄もない。例えばバ
ルク結晶や超格子構造中の非線形性を利用したインド１
ルシツクな光双安定デ旦 バイス、出射光を一２電気信号に直し帰還させるいわゆ
るハイブリッド型の光双安定デバイスなども同様に用い
ることができる。イントリンシ、りな光双安定デバイス
は多くの場合、双安定半導体レーザと同様化合物牛導体
材料を弔いで製作されるので集積化等の利点は双安定半
導体レーザと同様に有している。また、用途によっては
光メモリ素子として光ファイバ等を利用した光遅延線メ
モリを用いることもできる。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように本発明によれば小型化かつ集
積化が可能な時分割光交換機が得られ。

将来の種々の光システムの発展に寄与するところ大であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の時分割光交換機の実施例を示す
図、第３図は本発明による書込み用光スィッチの構成を
示す図、第４図は本発明による時分割光交換機の１実施
例を示す図、第５図は本発明に用いる双安定半導体レー
ザを説明するための図、第６図は双安定半導体レーザの
電流駆動回路の１例を示す図、第７図は光交換機の動作
を説明するためのタイムチャートである。 図において、　３１０，３４１，３５１，３６１，３７
１，３４２，３５２゜３５３．３５４，３８０，２４．
２５．２６，２７．２８は光導波路、３２０は書込み用
光スィッチ、３３０は読出し用の光スィッチ、３４５，
３５５，３６５，３７５は電流駆動回路、３２１，３３
１は光スイツチ駆動回路、３４０．３５０　、３６０　
、３７０は双安定半導体レーザ、１００，１９０は光信
号、２１，２２．２３は方向性結合器型光スイッチ、１
は光分岐、２ａ。 ２ｂ、２Ｃ，２ｄ、３ａ、３ｂ、３Ｃ，３ｄ　は光ゲー
トスイッチ、４は光合流器、１００，４００，４１０，
４２０，４３０，４４０゜４５０　、４６０　、１９０
は時間信号である。 第２図 ７３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １つの入力端と複数の出力端とを備えた書込み用光スィ
   ッチと、前記出力端からの出射光が入射するようにして
   各出力端ｔこそれぞれ１つづつ対応して設置された光メ
   モリ素子と、前記光メモリ素子からの出射光が入射する
   ように各々の光メモリ素子にそれぞれ１つづつ対応する
   複数の入力端と１つの出力端とを備えた読み出し用光ス
   ィッチと、前記各光スィッチの光スイツチ駆動回路と、
   前記光メモリ素子の駆動回路と、前記各駆動回路のタイ
   ミングを制御する中央制御装置とから構成されることを
   特徴とする時分割光交換機に於て、前記１つの入力端と
   複数の出力端とを備えた書込み用光スィッチを、前記１
   つの入力端へ入射する光信号を前記複数の出力端の数に
   だけ分岐する光分岐と、前記光分岐の各出力端に接続さ
   れた光をオン。 オフする機能を有する第１の複数の光ゲート・スイ、チ
   により構成し、また前記複数の入力端と１つの出力端と
   を備えた読み出し用光スィッチを前記光メモリ素子の出
   力側に接続された第２の複数の光ゲート・スイッチと前
   記第２の複数の光ゲート・スイッチの出力側に接続され
   た光合流器とにより構成したことを特徴とする時分割光
   交換機。