JPS60228546A - 透明性の優れた帯電防止用フイルム - Google Patents
透明性の優れた帯電防止用フイルムInfo
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- JPS60228546A JPS60228546A JP59084075A JP8407584A JPS60228546A JP S60228546 A JPS60228546 A JP S60228546A JP 59084075 A JP59084075 A JP 59084075A JP 8407584 A JP8407584 A JP 8407584A JP S60228546 A JPS60228546 A JP S60228546A
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- Japan
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- film
- polymerization
- thermoplastic polymer
- aromatic
- light transmittance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産朶上の利用分野〕
本発明は、帯布，防止性にトシれ、かつ可視光に対して
透過率の高いフィルムに関する。
透過率の高いフィルムに関する。
ＩＱ， ＬＳＩ等の半導体部品は静電気により製品の特
性が変化するためこれらを収納するフィルムや容器には
帯電防止性をもつ材料を使用する必要がある。仁のよう
な帯電防止性を付与する有効な手段として高分子材に導
電性の充てん剤を混入させる方法があり、広く実用に供
されている。
性が変化するためこれらを収納するフィルムや容器には
帯電防止性をもつ材料を使用する必要がある。仁のよう
な帯電防止性を付与する有効な手段として高分子材に導
電性の充てん剤を混入させる方法があり、広く実用に供
されている。
導電性充てん剤としてはカーボンプラックや金属フレー
ク、金属繊維等が使用されてきたが、得られるフィルム
・シートは透明性が著しく劣るため、用途が制限される
場合が多かった。
ク、金属繊維等が使用されてきたが、得られるフィルム
・シートは透明性が著しく劣るため、用途が制限される
場合が多かった。
この透明性を高めた導電性フィルムとしては、フィルム
表面に半透明の金属薄膜を蒸着あるいはスパッタリング
あるいはＯＶＤ等の方法でコートする試みも行われてき
たが、フィルムとの密着性、真空装置を使用することに
よるフィルム面積の制限及びコストが高い等の欠点があ
った。
表面に半透明の金属薄膜を蒸着あるいはスパッタリング
あるいはＯＶＤ等の方法でコートする試みも行われてき
たが、フィルムとの密着性、真空装置を使用することに
よるフィルム面積の制限及びコストが高い等の欠点があ
った。
また従来の導電性充てん剤に代り、無色の金属酸化物等
の半導性材料を充てん剤として使用する試みも行われて
きたが表面抵抗を十分に低下させることが困難なこと以
外に、フィルムとしての強度、成形性にも劣るのが現状
であった。
の半導性材料を充てん剤として使用する試みも行われて
きたが表面抵抗を十分に低下させることが困難なこと以
外に、フィルムとしての強度、成形性にも劣るのが現状
であった。
本発明の目的は、高い帯電防止性と光透過性を有するフ
ィルムを提供することにある。
ィルムを提供することにある。
本発明を概説すれば本発明は透明性の優れた帯電防止用
フィルムに関する発明であって、熱可塑性高分子フィル
ム材と、該フィルム材をコードンた電極基板上での芳香
族化合物の電解酸化重合によシ製造した芳香族高分子材
とを包含することを特徴とする。
フィルムに関する発明であって、熱可塑性高分子フィル
ム材と、該フィルム材をコードンた電極基板上での芳香
族化合物の電解酸化重合によシ製造した芳香族高分子材
とを包含することを特徴とする。
しかして、電極基板上からはく離した本発明のフィルム
においては、その５００ｎｍの光透過率が、電解酸化重
合前の熱可塑性高分子フィルムの光透過率の５０％以上
であシ、かつその表面体積抵抗が１０’Ω・ｍ以下であ
るのが好適である。
においては、その５００ｎｍの光透過率が、電解酸化重
合前の熱可塑性高分子フィルムの光透過率の５０％以上
であシ、かつその表面体積抵抗が１０’Ω・ｍ以下であ
るのが好適である。
ある科の芳香族化合物は電解酸化重合によ９１合し、電
極基板上に棉電性あるいは半導性フィルムを与えること
が知られている、特にビロール、３−メチルビロール、
チオ７工ｙ等ハ１０ Ｓ ／ ｙｎ以上の高い電気伝導
度をもち、かつ大気中で比較的安定である。しかしなが
らこれらの電解酸化重合による芳香族系高分子フィルム
も青〜黒色の深い着色があり１μ慴厚以上の実用的厚さ
のフィルムは全く可視光を通過しない。
極基板上に棉電性あるいは半導性フィルムを与えること
が知られている、特にビロール、３−メチルビロール、
チオ７工ｙ等ハ１０ Ｓ ／ ｙｎ以上の高い電気伝導
度をもち、かつ大気中で比較的安定である。しかしなが
らこれらの電解酸化重合による芳香族系高分子フィルム
も青〜黒色の深い着色があり１μ慴厚以上の実用的厚さ
のフィルムは全く可視光を通過しない。
また、フィルムは不溶不融で成形性に乏しいものであっ
た。
た。
しかしながら本発明者等は電解酸化重合を行う際に電極
基板上に熱可塑性の高分子フィルムをコートしておくと
通常の電極基板上と同様に、電解酸化重合が進行して熱
可塑性高分子フィルム中を芳香族高分子材が分散される
形で形成し、熱可塑性フィルムの電気伝導度を向上でき
ることを見出した。しかも電解酸化重合する重合溶液を
高分子フィルム種に対して適切に調製することによシ、
芳香族高分子材を非常に均一に熱可塑性高分子フィルム
中に分散させることができ、重合時間の短かい間には電
気伝導度は大幅に向上するものの光透過性がほとんど低
下しないことを発見し本発明に至った。
基板上に熱可塑性の高分子フィルムをコートしておくと
通常の電極基板上と同様に、電解酸化重合が進行して熱
可塑性高分子フィルム中を芳香族高分子材が分散される
形で形成し、熱可塑性フィルムの電気伝導度を向上でき
ることを見出した。しかも電解酸化重合する重合溶液を
高分子フィルム種に対して適切に調製することによシ、
芳香族高分子材を非常に均一に熱可塑性高分子フィルム
中に分散させることができ、重合時間の短かい間には電
気伝導度は大幅に向上するものの光透過性がほとんど低
下しないことを発見し本発明に至った。
本発明に使用できる熱可塑性高分子フィルムとしてはポ
リ塩化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニル及び塩
化ビニルと他のモノマー類との共重合体がある。他の共
重合性モノマーの例としては、各種ビニルエステル類、
ビニルエーテル類、アクリル酸及びそのエステル類、メ
タクリル酸及びそのエステル類、マレイン酸及びそのエ
ステル類、フマル酸及びそのエステル類、無水マレイン
酸、スチレンを始めとする芳香族ビニル化合物、ハロゲ
ン化ビニリデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロ
ニトリル、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
リ塩化ビニル系樹脂、すなわち、ポリ塩化ビニル及び塩
化ビニルと他のモノマー類との共重合体がある。他の共
重合性モノマーの例としては、各種ビニルエステル類、
ビニルエーテル類、アクリル酸及びそのエステル類、メ
タクリル酸及びそのエステル類、マレイン酸及びそのエ
ステル類、フマル酸及びそのエステル類、無水マレイン
酸、スチレンを始めとする芳香族ビニル化合物、ハロゲ
ン化ビニリデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロ
ニトリル、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
また、ポリ塩化ビニリデン及び塩化ビニリデンと上記モ
ノマー類（但し塩化ビニリデンは除すビニルカルバゾー
ル及びビニルカルバゾールと上記モノマー類（但しビニ
ルカルバゾールは除く）との共重合体、ポリエチレン及
びエチレンと上記モノマー類（但しエチレンは除く）と
の共重合体、ポリフッ化ビニリデン及びフッ化ビニリデ
ンと上記モノマー類（但しフッ化ビニリデンは除く）と
の共重合体等、広範囲な熱可塑性高分子樹脂も使用する
ことができる。
ノマー類（但し塩化ビニリデンは除すビニルカルバゾー
ル及びビニルカルバゾールと上記モノマー類（但しビニ
ルカルバゾールは除く）との共重合体、ポリエチレン及
びエチレンと上記モノマー類（但しエチレンは除く）と
の共重合体、ポリフッ化ビニリデン及びフッ化ビニリデ
ンと上記モノマー類（但しフッ化ビニリデンは除く）と
の共重合体等、広範囲な熱可塑性高分子樹脂も使用する
ことができる。
更に以上の樹脂に可塑剤、熱安定剤、滑剤、紫外線吸収
剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィルムも使用で
きる。
剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフィルムも使用で
きる。
また、電解酸化重合できる芳香族化合物としてハ、ビロ
ール、３−メチルビロール、Ｎ−メチルビロール、チオ
フェン、フラン、フェノール、チオフェノール、セレノ
フェン、テルロフェン、ビフェニル、アズレン、ｐ−タ
ーフェニル、０−ターフェニル、ｐ−クォータフェニル
、２−ヒドロキシビフェニル、ジフェニルスルフィド、
２−（α−チェニル）チオフェン、２−（α−チェニル
）フラン、２−（２−ピロリル）ピロール、２−（２−
ピロリル）チオフェン、２−フェニルチオフェン、α−
チェニルフェニルエーテル、β−フリル−α−チェニル
セレニド、２−（２−ピロリル）セレノフェン、２−（
２−セレニエニル）テルロフェン、Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、Ｎ−エチニルカルバゾール、メチルアズレン、ピ
レン等の芳香族化合物が使用できる。また、芳香族化合
物ではないが各種置換ブタジェン化合物も使用できる。
ール、３−メチルビロール、Ｎ−メチルビロール、チオ
フェン、フラン、フェノール、チオフェノール、セレノ
フェン、テルロフェン、ビフェニル、アズレン、ｐ−タ
ーフェニル、０−ターフェニル、ｐ−クォータフェニル
、２−ヒドロキシビフェニル、ジフェニルスルフィド、
２−（α−チェニル）チオフェン、２−（α−チェニル
）フラン、２−（２−ピロリル）ピロール、２−（２−
ピロリル）チオフェン、２−フェニルチオフェン、α−
チェニルフェニルエーテル、β−フリル−α−チェニル
セレニド、２−（２−ピロリル）セレノフェン、２−（
２−セレニエニル）テルロフェン、Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、Ｎ−エチニルカルバゾール、メチルアズレン、ピ
レン等の芳香族化合物が使用できる。また、芳香族化合
物ではないが各種置換ブタジェン化合物も使用できる。
次に、電４Ｉｃ＋重合時の電解質としては有機第４Ｍ７
ンモニウム焦、無様塩、プロトン酸及びエステル等線々
の化合物が使用できる。溶剤としてはアセトニ） ＩＪ
ル系のものを通常使用するが、芳香族化合物の電解１１
合が可能で、適当な電解質を溶解させるものであれば選
択できる。
ンモニウム焦、無様塩、プロトン酸及びエステル等線々
の化合物が使用できる。溶剤としてはアセトニ） ＩＪ
ル系のものを通常使用するが、芳香族化合物の電解１１
合が可能で、適当な電解質を溶解させるものであれば選
択できる。
更に得、解酸化重合用の基板としては、金、白金、パラ
ジウム告の貴金があるいは酸化スズ、酸化インジウム咎
の４１．電性金属ドパ化物、あるいはこれらを適当な基
板上にメッキ、蒸着、スバ、ツタリングのいずれかの方
法で堆積したものが使用でき、また、これらをドラム状
の形状にすることにより連続的に製造することも可能で
ある。
ジウム告の貴金があるいは酸化スズ、酸化インジウム咎
の４１．電性金属ドパ化物、あるいはこれらを適当な基
板上にメッキ、蒸着、スバ、ツタリングのいずれかの方
法で堆積したものが使用でき、また、これらをドラム状
の形状にすることにより連続的に製造することも可能で
ある。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、第１図はポリビニルカルバゾールフィルムの５０
０ｎｍ波長における光透過率とピロールの電Ｍ酸化重合
時間との関係を示したグラフ、第２図はポリビニルカル
バゾールフィルムの表面体積抵抗とピロールの重合時間
との関係を示したグラフそして第３図はポリビニルカル
バゾールフィルムにピロールを重合させたフィルムの５
ＱＯｎｍ波長における比透過率と表面体積抵抗との関係
を示したグラフである。
０ｎｍ波長における光透過率とピロールの電Ｍ酸化重合
時間との関係を示したグラフ、第２図はポリビニルカル
バゾールフィルムの表面体積抵抗とピロールの重合時間
との関係を示したグラフそして第３図はポリビニルカル
バゾールフィルムにピロールを重合させたフィルムの５
ＱＯｎｍ波長における比透過率と表面体積抵抗との関係
を示したグラフである。
実施例１
ガラス板上に約１０ＯＡ厚のクロム、その上に金を約５
０ＯＡ蒸着した基板上にポリビニルカルバゾール（分子
量５６万）のテトラヒドロフラン溶液から、キャスト法
により５μｍの厚さのポリビニルカルバゾールフィルム
を作製した。
０ＯＡ蒸着した基板上にポリビニルカルバゾール（分子
量５６万）のテトラヒドロフラン溶液から、キャスト法
により５μｍの厚さのポリビニルカルバゾールフィルム
を作製した。
このフィルム付基板をビロール２壬ル／１１テトラエチ
ルアンモニウムテトラフルオロポレート１モル／ｌを含
むアセトニトリル溶液に、対向電極として使用する白金
メッキしたチタ：／ラッシュと共に浸漬し、’ Ａ Ｏ
ｖで一定時間ピロールの電Ｍ酸化重合を行った。ｉ今後
のフィルムは洗浄し、日本分光社製ダブ尤ビーム分光光
度計ＵＶＩＤＥＯ−５０５型を用いてフィルムの可視光
吸収スペクトルを測定した。この後、フィルムを基板か
らは＜ Ｆ＋ｉ＆ して４端子法でフィルムの表面体積
抵抗を測定した。第１図に重合時間（分）（横軸）と比
誘３ハ率（５００ｎｍの可視光透過ホと重合前のポリビ
ニルカルバゾールフィルムの透過率との比〕（％）（縦
軸）との関係をグラフで示した。市、解重合前のフィル
ムは、光をほとんど１００％透過するのに対して、重合
時間１０分以内では７０％以上の可視光が透過する。
ルアンモニウムテトラフルオロポレート１モル／ｌを含
むアセトニトリル溶液に、対向電極として使用する白金
メッキしたチタ：／ラッシュと共に浸漬し、’ Ａ Ｏ
ｖで一定時間ピロールの電Ｍ酸化重合を行った。ｉ今後
のフィルムは洗浄し、日本分光社製ダブ尤ビーム分光光
度計ＵＶＩＤＥＯ−５０５型を用いてフィルムの可視光
吸収スペクトルを測定した。この後、フィルムを基板か
らは＜ Ｆ＋ｉ＆ して４端子法でフィルムの表面体積
抵抗を測定した。第１図に重合時間（分）（横軸）と比
誘３ハ率（５００ｎｍの可視光透過ホと重合前のポリビ
ニルカルバゾールフィルムの透過率との比〕（％）（縦
軸）との関係をグラフで示した。市、解重合前のフィル
ムは、光をほとんど１００％透過するのに対して、重合
時間１０分以内では７０％以上の可視光が透過する。
特に重合時間２分以内では９０％の可視光が透過する。
他方、第２図に重合時間（分）（横軸）と表面体積抵抗
（Ω・ｔＭ）（縦軸）との関係をグラフで示した。重合
時間３分でフィルムの表面体積抵抗は約８桁減少し、１
０Ω・ｍ程度の導電性を余した。この関係を更に明らか
にするため、表面体積抵抗（Ω・ｃｔｎ）（横軸）と光
透過率（％）（縦軸）との関係をグラフで第３図に示し
だ。レイルムの光透過率５０％以上で電気伝琳度は１
’ＯＥｌ ／ ６ｙ（までの高導電性が得られた。
（Ω・ｔＭ）（縦軸）との関係をグラフで示した。重合
時間３分でフィルムの表面体積抵抗は約８桁減少し、１
０Ω・ｍ程度の導電性を余した。この関係を更に明らか
にするため、表面体積抵抗（Ω・ｃｔｎ）（横軸）と光
透過率（％）（縦軸）との関係をグラフで第３図に示し
だ。レイルムの光透過率５０％以上で電気伝琳度は１
’ＯＥｌ ／ ６ｙ（までの高導電性が得られた。
これらのフィルムで物体を包装したところ、室内光下で
十分に内部の物体を目視により、確認できた。また、フ
ィルムの帯電防止性をＪ工ＳＬ １０９ ’４のＡ法に
よって、帯電圧半減期を測定した結果、半減期け０，１
秒以下であった。
十分に内部の物体を目視により、確認できた。また、フ
ィルムの帯電防止性をＪ工ＳＬ １０９ ’４のＡ法に
よって、帯電圧半減期を測定した結果、半減期け０，１
秒以下であった。
実施例２
塩化ビニリデン−塩化ビニル（７０：３０）共重合体（
分子量６．２万）のテトラヒドロフラン溶ｉを、ガラス
板上に約１００ｘ厚のクロム、その上に白金を約５００
χ蒸着した基板上にキヤストし、厚さ４．５μｍのフィ
ルムを形成Ｌ ｆ。
分子量６．２万）のテトラヒドロフラン溶ｉを、ガラス
板上に約１００ｘ厚のクロム、その上に白金を約５００
χ蒸着した基板上にキヤストし、厚さ４．５μｍのフィ
ルムを形成Ｌ ｆ。
コノフィルム付基＆をチオンエフ２モル／１１テトラエ
チルアンモニウムバークロレートα６モル／１を加えた
アセトニトリル−メチルエテルケトン（２：１）溶液に
、対向′Ｎ、ｉとして用いる白金メッキしたチタンメツ
シュと共に浸漬し、３．５ｖの雷、圧で２．５．２０及
び３０分間電解酸化重合を行った。重合後、フィルムを
洗浄し、実施例１と同様に光透堝率と表面体積抵抗の測
定を行った結果を表１に示した。
チルアンモニウムバークロレートα６モル／１を加えた
アセトニトリル−メチルエテルケトン（２：１）溶液に
、対向′Ｎ、ｉとして用いる白金メッキしたチタンメツ
シュと共に浸漬し、３．５ｖの雷、圧で２．５．２０及
び３０分間電解酸化重合を行った。重合後、フィルムを
洗浄し、実施例１と同様に光透堝率と表面体積抵抗の測
定を行った結果を表１に示した。
表 １
重合時間１０分以内では７０％の可視光透過率を有し、
表面体積抵抗を８０・傭まで下げることができた。
表面体積抵抗を８０・傭まで下げることができた。
このフィルムで物体を包装したところ室内光下で十分に
目視により内部を確恥できた。フィルム帯電、防止能を
実施例１と同様に測定したところ半減期は０．１秒以下
であった。
目視により内部を確恥できた。フィルム帯電、防止能を
実施例１と同様に測定したところ半減期は０．１秒以下
であった。
実施例３
ポリ塩化ビニル（分子景７万）１００重量部に対して、
可塑剤ジーｎ−ブチルフタレート１５重量部、防曇剤と
してポリエチレングリコールモノステアレート２重量部
を加え、カレンダー蒸着した基板上に形成した。このフ
ィルム付基板を対向電極として用いる白金メッキチタン
メツシュと共に、ビロール２モル／／、テトラブチルア
ンモニウムバークロレート１モル／ｌを含むアセトニト
リル−テトラヒドロ７ラン（２：１）溶液に浸漬しＸ５
Ｖで８分間ピロールの電解酸化重合を行った。その後フ
ィルムを洗浄し、光透過率を測定後、フィルムを基板か
らはく離して４端子法でフィルムの表面体積抵抗を測定
した。
可塑剤ジーｎ−ブチルフタレート１５重量部、防曇剤と
してポリエチレングリコールモノステアレート２重量部
を加え、カレンダー蒸着した基板上に形成した。このフ
ィルム付基板を対向電極として用いる白金メッキチタン
メツシュと共に、ビロール２モル／／、テトラブチルア
ンモニウムバークロレート１モル／ｌを含むアセトニト
リル−テトラヒドロ７ラン（２：１）溶液に浸漬しＸ５
Ｖで８分間ピロールの電解酸化重合を行った。その後フ
ィルムを洗浄し、光透過率を測定後、フィルムを基板か
らはく離して４端子法でフィルムの表面体積抵抗を測定
した。
その結果５００ｎｍの光透過率７２％、表面体積抵抗４
Ｘ１０１Ω・ｍが得られた。またこのフィルムも０．１
秒以下の帯電圧半減期を示し、包装用として使用しても
十分に内部が目視できた。
Ｘ１０１Ω・ｍが得られた。またこのフィルムも０．１
秒以下の帯電圧半減期を示し、包装用として使用しても
十分に内部が目視できた。
実施例４
エチレン−酢酸ビニル（８２：１８）共重合体１００重
景重景ジブチルフタレー）１２重ｌｊｔ部を加えたクロ
ロベンゼン溶液を、５０℃に加温した恒温槽中で、ガラ
ス板上に約１０ＯＡ厚のクロム、その上に白金を約５０
０Ａ蒸着した基板上にキャストし、厚さ４．５μ慴のフ
ィルムを得り。このフィルム付基板をテトラエテルアン
モニウムパークロレー） （０，８モル／／）、チオフ
ェン（２モル／／）を加えたアセトニトリル−ジメチル
スルホキシド（３：１）溶液に浸漬し、該基板を正極に
、白金メツシュを負極に用いて１２分間、ＸＳＶでビロ
ールの電解酸化重合を行った。その後実施例５と同様に
光透過率、表面体積抵抗、帯電圧半減期の測定を行った
結果、７５％の光透過率で３５０・百の表面体積抵抗０
１秒以下の帯電圧半減期が得られた。
景重景ジブチルフタレー）１２重ｌｊｔ部を加えたクロ
ロベンゼン溶液を、５０℃に加温した恒温槽中で、ガラ
ス板上に約１０ＯＡ厚のクロム、その上に白金を約５０
０Ａ蒸着した基板上にキャストし、厚さ４．５μ慴のフ
ィルムを得り。このフィルム付基板をテトラエテルアン
モニウムパークロレー） （０，８モル／／）、チオフ
ェン（２モル／／）を加えたアセトニトリル−ジメチル
スルホキシド（３：１）溶液に浸漬し、該基板を正極に
、白金メツシュを負極に用いて１２分間、ＸＳＶでビロ
ールの電解酸化重合を行った。その後実施例５と同様に
光透過率、表面体積抵抗、帯電圧半減期の測定を行った
結果、７５％の光透過率で３５０・百の表面体積抵抗０
１秒以下の帯電圧半減期が得られた。
包装用としても十分に内部を目視できた。
以上説明したように、熱可塑性高分子フィルムと、この
高分子フィルムをコートした電極基板上で芳香族化合物
を電解酸化重合することにより製造した芳香族高分子材
とを包含する本発明のフィルムを用いると、高い透明性
と、低い表面体積抵抗が実現できるため、透明性の高い
帯電防止用フィルムとして使用できる利点がある。
高分子フィルムをコートした電極基板上で芳香族化合物
を電解酸化重合することにより製造した芳香族高分子材
とを包含する本発明のフィルムを用いると、高い透明性
と、低い表面体積抵抗が実現できるため、透明性の高い
帯電防止用フィルムとして使用できる利点がある。
第１図はポリビニルカルバゾールフィルムの５００ｎｍ
波長における光透過率とピロールの電解酸化重合時間と
の関係を示したグラフ、第２図はポリビニルカルバゾー
ルフィルムの表面体積抵抗とピロールの重合時間との関
係を示したグラフそして第５図はポリビニルカルバゾー
ル；７（ルＡＩＣピ０−ルを重合させたフィルムの５０
０ｎｍ波長における比透過率と表面体積抵抗との関係を
示したグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 中 本 先 回 井 上 昭 同ゞ 吉 嶺 桂 第１図 重合時開（分） 第２図 第３図 表面体積↑６抗Ｃｎ−ｃｒｎ）
波長における光透過率とピロールの電解酸化重合時間と
の関係を示したグラフ、第２図はポリビニルカルバゾー
ルフィルムの表面体積抵抗とピロールの重合時間との関
係を示したグラフそして第５図はポリビニルカルバゾー
ル；７（ルＡＩＣピ０−ルを重合させたフィルムの５０
０ｎｍ波長における比透過率と表面体積抵抗との関係を
示したグラフである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 中 本 先 回 井 上 昭 同ゞ 吉 嶺 桂 第１図 重合時開（分） 第２図 第３図 表面体積↑６抗Ｃｎ−ｃｒｎ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 熱可塑性高分子フィルム材と、該フィルム材をコ
ートした囲枠基板上での芳香族化合物の電解酸化重合に
／より製造した芳香族高分子材とを包含することを特徴
とする透明性の優れた帯電防止用フィルム。 ２、 該’Ｅｔ、ｗｉ、基板上から（叶＜際したフィル
ムにおいて、その５００ｎｍの光透過率が、電解酸化重
合前の熱可塑性高分子フィルムの光透過率の５０％以上
であり、かつその表面体積抵抗が１０８０・（１）以下
である特許請求の範囲項に記載の透明性の８５−れた帯
電防止用フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084075A JPS60228546A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 透明性の優れた帯電防止用フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084075A JPS60228546A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 透明性の優れた帯電防止用フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228546A true JPS60228546A (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=13820360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084075A Pending JPS60228546A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 透明性の優れた帯電防止用フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250694A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 日本電信電話株式会社 | 構築物を利用した電磁遮蔽工法 |
| JPS6411126A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Idemitsu Kosan Co | Production of electroconductive high polymer film |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918726A (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-31 | バスフ アクチエンゲゼルシヤフト | ピロールの不溶解性導電共重合体及びその製法 |
| JPS60105532A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | 日本電信電話株式会社 | 導電性高分子フイルム及びその製造方法 |
| JPS60148011A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-05 | 日東電工株式会社 | 導電性多孔質膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59084075A patent/JPS60228546A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918726A (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-31 | バスフ アクチエンゲゼルシヤフト | ピロールの不溶解性導電共重合体及びその製法 |
| JPS60105532A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | 日本電信電話株式会社 | 導電性高分子フイルム及びその製造方法 |
| JPS60148011A (ja) * | 1984-01-11 | 1985-08-05 | 日東電工株式会社 | 導電性多孔質膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250694A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | 日本電信電話株式会社 | 構築物を利用した電磁遮蔽工法 |
| JPS6411126A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Idemitsu Kosan Co | Production of electroconductive high polymer film |
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