JPS60224136A - 光学記録材料および記録方法 - Google Patents
光学記録材料および記録方法Info
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- JPS60224136A JPS60224136A JP59081310A JP8131084A JPS60224136A JP S60224136 A JPS60224136 A JP S60224136A JP 59081310 A JP59081310 A JP 59081310A JP 8131084 A JP8131084 A JP 8131084A JP S60224136 A JPS60224136 A JP S60224136A
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- JP
- Japan
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- substrate
- recording
- impurity
- optical recording
- conductive polymer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、記録・記憶分野に利用される光学記録材料及
び記録方法に関する。
び記録方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、ＡｏＭｉｌｃｈ ｅｔ ａｌ、、 Ｊ、ＩＣｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍ。
ｃｔｒｏｃｈｅｍ。
Ｓｏｃ 、、１２７．８８４（１９８０）やり、Ｊ、Ｇ
ｒａｖｅａｔｅｉｊｎ ｅｔａｊ、ＳＰＩＩｍ 、４２
０，１８６（１９８３）などに、基体上にテルル薄膜や
スクアリリウム染料薄膜をとシつけだ光学記録材料が提
供され、レーザビームを用いた高密度記録が試みられて
いる。ところがこれらの材料またはこれを用いた記録は
、必ずしも満足すべき環境安定性をもたない。また、均
質な膜形成の困難に基づく記録特性の低下も問題とされ
る。
ｒａｖｅａｔｅｉｊｎ ｅｔａｊ、ＳＰＩＩｍ 、４２
０，１８６（１９８３）などに、基体上にテルル薄膜や
スクアリリウム染料薄膜をとシつけだ光学記録材料が提
供され、レーザビームを用いた高密度記録が試みられて
いる。ところがこれらの材料またはこれを用いた記録は
、必ずしも満足すべき環境安定性をもたない。また、均
質な膜形成の困難に基づく記録特性の低下も問題とされ
る。
これらの欠点を改善するために、たとえば高分子物質な
どとの複合化が提唱されているが、記録に直接関与しな
い要素の混在や記録原理の複雑化などのだめに、記録に
要するエネルギの増大や応答速度の低下などの好ましく
ない現象が引き起こされる。
どとの複合化が提唱されているが、記録に直接関与しな
い要素の混在や記録原理の複雑化などのだめに、記録に
要するエネルギの増大や応答速度の低下などの好ましく
ない現象が引き起こされる。
発明の目的
本発明は、記録要素に不純物を含む導電性高分子薄膜を
用いて記録特性や環境安定性にすぐれた光学記録材料と
それを用いた記録方法を与えることを目的とする。
用いて記録特性や環境安定性にすぐれた光学記録材料と
それを用いた記録方法を与えることを目的とする。
発明の構成
本発明の光学記録材料は、基体上に不純物を′含む導電
性高分子薄膜を積層したことを特徴とする。
性高分子薄膜を積層したことを特徴とする。
また、本発明の記録方法は、基体上に積層した、不純物
を含む導電性高分子薄膜を選択的に加熱することを特徴
とする。
を含む導電性高分子薄膜を選択的に加熱することを特徴
とする。
実施例の説明
以下に実施例によって本発明をさらに詳しく説明する。
第１図は本発明の光学記録材料の一例の縦断面図であわ
、基体１とそれに積層された導電性高分子薄膜２とから
構成され、不純物３が導電性高分子薄膜２に含まれる。
、基体１とそれに積層された導電性高分子薄膜２とから
構成され、不純物３が導電性高分子薄膜２に含まれる。
第２図にこの光学記録材料を用いた記録原理を図示する
。
。
１）レーザビーム４の光エネルギが導電性高分子薄膜２
に照射、吸収され、この部分２′が局所的に加熱される
。
に照射、吸収され、この部分２′が局所的に加熱される
。
ｉｉ） ｉ）で得られたエネルギの一部が不純物３の運
動エネルギに変換されて、不純物が外部または周囲に移
動する。
動エネルギに変換されて、不純物が外部または周囲に移
動する。
ｉｉｉ ） この結果、レーザビーム４が照射された導
電性高分子薄膜の部分２′の不純物３の分布密度は周囲
の部分に比べて相対的に低下する。
電性高分子薄膜の部分２′の不純物３の分布密度は周囲
の部分に比べて相対的に低下する。
上記の過程によって生じた不純物３の分布密度のちがい
は、光学的に検知可能なので、ヒートモードによって記
録できることがわかる。一般に導電性高分子薄膜２を構
成する導電性高分子は、不純物３の存在の有無によって
導電率をはじめとする種々の物性が劇的に変化すること
が知られている。
は、光学的に検知可能なので、ヒートモードによって記
録できることがわかる。一般に導電性高分子薄膜２を構
成する導電性高分子は、不純物３の存在の有無によって
導電率をはじめとする種々の物性が劇的に変化すること
が知られている。
本発明はこれらのうち、光反射率や光吸収係数などの光
学的性質の変化を利用する。
学的性質の変化を利用する。
ここで、導電性高分子とは、ポリアセチレンやポリチェ
ニレンなどのπ共役系をもつ高分子化合物を意味する。
ニレンなどのπ共役系をもつ高分子化合物を意味する。
ポリフェニレンオキシドやポリビニレンスルフィトナト
、π共役系カニ−チル、スルフィド、セレニドまたはテ
ルリド結合を介して結合されて成る高分子化合物もこれ
に含まれる。
、π共役系カニ−チル、スルフィド、セレニドまたはテ
ルリド結合を介して結合されて成る高分子化合物もこれ
に含まれる。
また、不純物３は一般に原子または低分子の化合物また
はそれらのイオンであシ、記録の過程は単にこれらの不
純物３の移動を伴うのみなので、低いエネルギで大きな
応答速度をもつ記録が実現し得る。また導電性高分子薄
膜２は高分子化合物の一般的な特徴であるすぐれた均質
性や環境安定性をもつので、良好な記録を安定に保持し
得る。
はそれらのイオンであシ、記録の過程は単にこれらの不
純物３の移動を伴うのみなので、低いエネルギで大きな
応答速度をもつ記録が実現し得る。また導電性高分子薄
膜２は高分子化合物の一般的な特徴であるすぐれた均質
性や環境安定性をもつので、良好な記録を安定に保持し
得る。
基体１を適当に選択して、本発明の光学記録材料に種々
の効果を付与し得る。すなわち、第３図に示すように基
体としてアルミニウム、クロム。
の効果を付与し得る。すなわち、第３図に示すように基
体としてアルミニウム、クロム。
パラジウム、金などの光反射性の材料を用いれば、これ
らの材料からの反射光で信号を検知し得る。
らの材料からの反射光で信号を検知し得る。
第３図は光反射性の基体５が支持体６に支持されている
場合を示す。
場合を示す。
第４図に導電性高分子薄膜２の材料としてポリチェニレ
ンを用いた場合の記録部（レーザビームの照射部）２′
の検出原理を示す。不純物として過塩素酸イオン７が含
まれているものとする。記録部２′は、レーザビームで
照射された部分であり、過塩素酸イオン７の分布密度は
周囲に比べて相対的に低い。第５図に示すように不純物
を含まないポリチェニレン（Ｐｒｏ）の吸光度は、６０
０ｎｍよりも長波長の光に対しては過塩素酸イオン７を
含むポリチェニレｙ（ＰＴ−ＣｌＯ２）よりも小さく
、６００ｎｍよシも短波長の光に対しては大きい。この
ために、６００ｎｍよシも長波長の光８は記録部２′を
透過して基体５に反射され、検知部で検知される。これ
に対し、記録部２′以外の部分からの反射光の強度は小
さい。６００ｎｍよりも短波長の光に対してはこの関係
は逆転する。とぐにレーザビームとしてＨｅ−Ｈｅレー
ザ、Ａｒレーザ、半導体レーザなど６００ｎｍよシも長
波長のレーザが近年、有効に利用されており、高い反射
率を与えることで記録部２′を検知し得る。なお、検知
に用いるレーザビームのエネルギは、記録に用いられる
エネルギよシも通常かなシ小さい。
ンを用いた場合の記録部（レーザビームの照射部）２′
の検出原理を示す。不純物として過塩素酸イオン７が含
まれているものとする。記録部２′は、レーザビームで
照射された部分であり、過塩素酸イオン７の分布密度は
周囲に比べて相対的に低い。第５図に示すように不純物
を含まないポリチェニレン（Ｐｒｏ）の吸光度は、６０
０ｎｍよりも長波長の光に対しては過塩素酸イオン７を
含むポリチェニレｙ（ＰＴ−ＣｌＯ２）よりも小さく
、６００ｎｍよシも短波長の光に対しては大きい。この
ために、６００ｎｍよシも長波長の光８は記録部２′を
透過して基体５に反射され、検知部で検知される。これ
に対し、記録部２′以外の部分からの反射光の強度は小
さい。６００ｎｍよりも短波長の光に対してはこの関係
は逆転する。とぐにレーザビームとしてＨｅ−Ｈｅレー
ザ、Ａｒレーザ、半導体レーザなど６００ｎｍよシも長
波長のレーザが近年、有効に利用されており、高い反射
率を与えることで記録部２′を検知し得る。なお、検知
に用いるレーザビームのエネルギは、記録に用いられる
エネルギよシも通常かなシ小さい。
また、基体１としてガラス、ポリメタクリル酸メチル、
ポリカーボネート、ポリスチレンなどの光透過性の材料
を用いれば、第６図に示すように光透過性の材料よシ成
る基体９を透過する光１゜で導電性高分子薄膜２におけ
る記録部２′を検知し得る。
ポリカーボネート、ポリスチレンなどの光透過性の材料
を用いれば、第６図に示すように光透過性の材料よシ成
る基体９を透過する光１゜で導電性高分子薄膜２におけ
る記録部２′を検知し得る。
さらに、基体として金属や酸化インジウム−スズなどの
導電性材料を用いた場合は、基体の導電性を利用した特
有な効果が得られる。すなわち、チオフェン、３−メチ
ルチオフェン、フラン、ビロール、インドールなどの複
素環式化合物やベンゼン、アズレンなどの芳香族炭化水
素は導電性基体を陽極とする電解酸化で容易に導電性基
体上に均質な導電性高分子薄膜を与える。なかでも複素
環式化合物から得られたポリチェニレン、ポリピロール
などの複素環式化合物重合体はすぐれた環境安定性や、
第５図に示される不純物の有無によるスペクトルの顕著
な相違に基づく良好な記録のコントラスト等によって優
位づけられる。なお、導電性基体が光反射性または光透
過性の材料から成る場合は、これらに応じてそれぞれの
効果が利用し得る。また、導電性基体はさらに支持体に
支持されていてもよい。
導電性材料を用いた場合は、基体の導電性を利用した特
有な効果が得られる。すなわち、チオフェン、３−メチ
ルチオフェン、フラン、ビロール、インドールなどの複
素環式化合物やベンゼン、アズレンなどの芳香族炭化水
素は導電性基体を陽極とする電解酸化で容易に導電性基
体上に均質な導電性高分子薄膜を与える。なかでも複素
環式化合物から得られたポリチェニレン、ポリピロール
などの複素環式化合物重合体はすぐれた環境安定性や、
第５図に示される不純物の有無によるスペクトルの顕著
な相違に基づく良好な記録のコントラスト等によって優
位づけられる。なお、導電性基体が光反射性または光透
過性の材料から成る場合は、これらに応じてそれぞれの
効果が利用し得る。また、導電性基体はさらに支持体に
支持されていてもよい。
導電性高分子としては複素環式化合物重合体、芳香族炭
化水素重合体などの他にポリアセチレン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキシド等の重合体が用
い得る。また不純物としては、ヨウ素などのハロゲン、
過塩素酸イオン、硫酸イオン、リンフッ化イオン、ホウ
フッ化イオン、アンモニウムイオン、テトラシアノエチ
レン、三酸化イオウ、クロルスルホン酸、塩化鉄、五フ
ッ化ヒ素などの低分子化合物やイオンが用い得る。
化水素重合体などの他にポリアセチレン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンオキシド等の重合体が用
い得る。また不純物としては、ヨウ素などのハロゲン、
過塩素酸イオン、硫酸イオン、リンフッ化イオン、ホウ
フッ化イオン、アンモニウムイオン、テトラシアノエチ
レン、三酸化イオウ、クロルスルホン酸、塩化鉄、五フ
ッ化ヒ素などの低分子化合物やイオンが用い得る。
なお、第７図に示すように、たとえばポリフェニレンス
ルフィドフィルム１１のｆｉ面層１１’ヲ五フツ化ヒ素
１２などでドープしたものも本発明の範囲に含まれる。
ルフィドフィルム１１のｆｉ面層１１’ヲ五フツ化ヒ素
１２などでドープしたものも本発明の範囲に含まれる。
この場合、ポリフェニレンスルフィドフィルム１１０表
面層１１′が不純物を含む導電性高分子薄膜２であシ、
不純物３を含まない透明まだは半透明部分１３が基体１
とみなし得る。
面層１１′が不純物を含む導電性高分子薄膜２であシ、
不純物３を含まない透明まだは半透明部分１３が基体１
とみなし得る。
また、第８図のように導電性高分子薄膜２の表層部２″
における不純物３の分布密度のちがいに基づくレーザビ
ーム４０反射率の差を利用した記録も可能である。
における不純物３の分布密度のちがいに基づくレーザビ
ーム４０反射率の差を利用した記録も可能である。
さらに、不純物を含む導電性高分子薄膜を選択的に加熱
する手段はレーザビームによる方法に限定されず、これ
以外にサーマルヘッドなども有効に利用し得る。
する手段はレーザビームによる方法に限定されず、これ
以外にサーマルヘッドなども有効に利用し得る。
以下に実施例で本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１
テトラブトキシチタン０．１Ｍ、）リエチルアルミニウ
ム０．４Ｍのトルエン溶液をドライアイスメタノールで
冷却し、真空に保たれたガラス容器中に水平に置かれた
ガラス基板上に流下した。この後、ガラス容器中にアセ
チレンガスを導入し、厚さ約６０００人のポリアセチレ
ン薄膜を得だ。これを他のガラス容器に移し、クロル硫
酸で気相ドープした。これに５１５ｎｍの波長をもつＡ
ｒレーザをポリアセチレン膜側から照射してガラス基板
を透過する光の透過率を検知した。５０．５００ｍ ’
Ｊ／ａｒｔの記録エネルギで透過率は初期の４０係から
それぞれ３５チ、２０％に変化した。ここで、記録およ
び検知のためのレーザの仕事率はそれぞれ１０および１
ｍＷである。
ム０．４Ｍのトルエン溶液をドライアイスメタノールで
冷却し、真空に保たれたガラス容器中に水平に置かれた
ガラス基板上に流下した。この後、ガラス容器中にアセ
チレンガスを導入し、厚さ約６０００人のポリアセチレ
ン薄膜を得だ。これを他のガラス容器に移し、クロル硫
酸で気相ドープした。これに５１５ｎｍの波長をもつＡ
ｒレーザをポリアセチレン膜側から照射してガラス基板
を透過する光の透過率を検知した。５０．５００ｍ ’
Ｊ／ａｒｔの記録エネルギで透過率は初期の４０係から
それぞれ３５チ、２０％に変化した。ここで、記録およ
び検知のためのレーザの仕事率はそれぞれ１０および１
ｍＷである。
実施例２
金を蒸着したガラス電極を陽極として次表にあげられた
溶液中で１ ｍＡ／ｃｙ、３０秒の通電でチオフェン、
３−メチルチオフェンおよヒヒロールを電解重合し、金
電極上に約６０００人厚のそれぞれポリチェニレン、ポ
リ（３−メチルチェニレン）およびポリピロール薄膜を
得た。ここで電解重合の際に表の支持電解質のアニオン
部分が不純物として導電性高分子薄膜中にとりこまれる
。
溶液中で１ ｍＡ／ｃｙ、３０秒の通電でチオフェン、
３−メチルチオフェンおよヒヒロールを電解重合し、金
電極上に約６０００人厚のそれぞれポリチェニレン、ポ
リ（３−メチルチェニレン）およびポリピロール薄膜を
得た。ここで電解重合の際に表の支持電解質のアニオン
部分が不純物として導電性高分子薄膜中にとりこまれる
。
電解質溶液の組成
これに８３０ｎｍの波長をもつ半導体レーザを導電性高
分子薄膜側から照射したのち金蒸着膜で反射される光の
反射率を検知した。Ｉ Ｊ ／ｃｔ以下の記録エネルギ
に対する反射率の変化を第９図に示す。ここで、記録お
よび検知のためのレーザの仕事率はそれぞれ５および０
．５ ｍＷである。
分子薄膜側から照射したのち金蒸着膜で反射される光の
反射率を検知した。Ｉ Ｊ ／ｃｔ以下の記録エネルギ
に対する反射率の変化を第９図に示す。ここで、記録お
よび検知のためのレーザの仕事率はそれぞれ５および０
．５ ｍＷである。
発明の効果
以上のように、本発明は記録特性や環境安定性にすぐれ
た光学記録材料を与える。
た光学記録材料を与える。
第１図、第３図及び第７図は本発明の実施例における光
学記録材料の縦断面図、第２図、第４図。 第６図及び第８図はこれを用いた記録の原理を示す図、
第５図は゛不純物の有無に伴うポリチェニレンの吸光ス
ペクトル図、第９図は本発明の実施例における光学記録
材料を用いた記録における記録エネルギに対する反射率
の変化を示すグラフである。 １・・・・・・基体、２・・−・・・導電性高分子薄膜
、２′・・・・・・導電性高分子薄膜における記録部、
３・・・・・・不純物、５・・・・・・光反射性基体、
７・・・・・・過塩素酸イオン、９・・・・・・光透過
性基体、１１・・・・・・ポリフェニレンスルフィドフ
ィルム、１２・・・・・・五フッ化ヒ素。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 ら液長（ｎ町 第６図 カフ図
学記録材料の縦断面図、第２図、第４図。 第６図及び第８図はこれを用いた記録の原理を示す図、
第５図は゛不純物の有無に伴うポリチェニレンの吸光ス
ペクトル図、第９図は本発明の実施例における光学記録
材料を用いた記録における記録エネルギに対する反射率
の変化を示すグラフである。 １・・・・・・基体、２・・−・・・導電性高分子薄膜
、２′・・・・・・導電性高分子薄膜における記録部、
３・・・・・・不純物、５・・・・・・光反射性基体、
７・・・・・・過塩素酸イオン、９・・・・・・光透過
性基体、１１・・・・・・ポリフェニレンスルフィドフ
ィルム、１２・・・・・・五フッ化ヒ素。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 第５図 ら液長（ｎ町 第６図 カフ図
Claims (6)
- （１）基体上に不純物を含む導電性高分子薄膜を積層し
たことを特徴とする光学記録材料。 - （２）基体が光反射性の材料からなる特許請求の範囲第
１項記載の光学記録材料。 - （３）基体が光透過性の材料からなる特許請求の範囲第
１項記載の光学記録材料。 - （４）基体が導電性の材料からなる特許請求の範囲第１
〜３項のいずれかに記載の光学記録材料。 - （５）導電性高分子が複素環式化合物重合体を特徴とす
る特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の光学記
録材料。 - （６）基体上に積層した、不純物を含む導電性高分子薄
膜を選択的に加熱することを特徴とする記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081310A JPS60224136A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光学記録材料および記録方法 |
| US06/726,387 US4735879A (en) | 1984-04-23 | 1985-04-23 | Recording media and recording methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081310A JPS60224136A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光学記録材料および記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224136A true JPS60224136A (ja) | 1985-11-08 |
| JPH047719B2 JPH047719B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=13742823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081310A Granted JPS60224136A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 光学記録材料および記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4735879A (ja) |
| JP (1) | JPS60224136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282932A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-08 | 吉野 勝美 | 誘電性高分子膜の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US4873178A (en) * | 1984-12-18 | 1989-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method for conducting recording on said medium |
| US4836106A (en) * | 1987-10-30 | 1989-06-06 | International Business Machines Corporation | Direct offset master by resistive thermal printing |
| US5039583A (en) * | 1989-02-02 | 1991-08-13 | Ohio State University Research Foundation | Erasable optical information storage system |
| US6746770B1 (en) * | 1989-05-26 | 2004-06-08 | Internatonal Business Machines Corporation | Electrically conductive and abrasion/scratch resistant polymeric materials, method of fabrication thereof and uses thereof |
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| ATE209366T1 (de) * | 1996-03-15 | 2001-12-15 | Ecole Polytech | Elektrochrome oder photoelektrochrome vorrichtung |
| JP2006031889A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体、情報記録装置および情報記録方法 |
| EP2067074B1 (en) * | 2006-09-05 | 2011-06-08 | Fujifilm Hunt Chemicals U.S.A., Inc. | Composition for forming a laser-markable coating and a laser-markable material containing organic absorption enhancement additives |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4396704A (en) * | 1981-04-22 | 1983-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Solid state devices produced by organometallic plasma developed resists |
| US4565770A (en) * | 1984-11-13 | 1986-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for dot etching acid soluble photopolymerizable elements utilizing chemically soluble pigments |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59081310A patent/JPS60224136A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-23 US US06/726,387 patent/US4735879A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPS62282932A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-08 | 吉野 勝美 | 誘電性高分子膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4735879A (en) | 1988-04-05 |
| JPH047719B2 (ja) | 1992-02-12 |
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