JPS61202887A

JPS61202887A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JPS61202887A
Application number: JP60043126A
Authority: JP
Inventors: Osamu Hotta; 収堀田; Sanemori Soga; 眞守曽我; Wataru Shimoma; 下間　亘
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-03-05
Filing date: 1985-03-05
Publication date: 1986-09-08
Also published as: JPH024437B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、記録・記憶分野に利用される光学記録媒体に
関する。

従来の技術近年、Ａ、　Ｍｉｌｃｈ　ａｔ　ａｌ、、　Ｊ、　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏａｈｅｍ。

Ｓｏｃ、、　１２７．８８４（１９８０）やＤ＠　Ｉ　
＊　Ｇｒａｖｅｓｔｅｉｊｎｅｔ　ａｌ、、５ＰＩＥ、
４２０，１８６（１９８３）　　などに開示されている
ように基体上にテルル薄膜やスクリアリウム染料薄膜を
・とりつけた光学記録媒体が提供され、レーザビームを
用いた高密度記録が試みられている。

発明が解決しようとする問題点これらの従来の記録材料またはこれを用いた記録は、次
のような問題点をもつ。

（１）環境安定性の不十分さく噂　均質な薄膜形成の困難に基づく記録特性の低下（３）記録の消去の困難さこれらの欠点を改善するために、たとえば高分子物質と
の複合化などが提唱されているが、記録に直接関与しな
い要素の混在や記録原理の複雑化などのために、記録に
要するエネルギーの増大や応答速度の低下などの好まし
くない現象が引き起こされる。

本発明は、これらの問題点を解決し、環境安定性や記録
特性にすぐれ、とくに記録の消去が容易な光学記録媒体
を提供することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段本発明の光学記録媒体は、基体と、この基体上に積層さ
れた、アニオン（または、カチオン）ドーパントを含む
導電性高分子層と、電子供与体（ドーパントがカチオン
の場合は、電子受容体）層とを備えたことを特徴とする
。

作　　用以上の構成をもつ光学記録材料の導電性高分子層にレー
ザビームを照射すると、導電性高分子層に含まれるアニ
オン（または、カチオン）ドープ（ントが電子供与体（
または、電子受容体）層に移行する。これは、主にレー
ザビームでの加熱によるドーパントの運動エネルギの増
大に帰せられる。

このようなドーパントの移行によって導電性高分子層と
電子供与体（または、電子受容体）層の光学特性、すな
わち透過率または、反射率が変化し、この部分を記録部
として検知し得る。さらに、記録時と異る条件のレーザ
ビームで加熱するとドーパントは、導電性高分子層に再
び移行して記録が消去される。記録の消去は、レーザビ
ームによる加熱の条件や導電性高分子層および電子供与
体（または、電子受容体）層を構成する材料にもよって
異る。

このような、ドーパントの移動による記録は、低いエネ
ルギーで大きな応答速度を得ることができる。また、導
電性高分子層は、高分子化合物の一般的特徴により均質
で環境安定性に優れ、記録を安定に保持し得る。

実施例第１図および第２図は、それぞれ本発明の光学記録材料
の一実施例の断面図およびレーザビームを用いた記録の
ようすを示した図である。基体２の上に、ドーパント１
を含む導電性高分子層３が形成されている。さらにその
上には電子供与体層５が設けられている。この実施例で
は、ドーパント１としてアニオンを用いた場合を示した
が、ドーパント１がカチオンの場合は、電子供与体層６
に代えて、電子受容体層を設ける。

以下、ドーパント１がアニオンである場合について述べ
る。第２図に示すように基体２の上に積層された導電性
高分子層３にレーザビーム４を照射すると、照射部３′
は加熱され、ここに含まれるアニオンドーパント１は、
これによって運動エネルギーを得て電子供与体層６にお
ける照射部３′に対向する部分６′に移行する。ここで
、たとえば導電性高分子層３および電子供与体層５を構
成する物質がそれぞれ、アニオンドーパント１を失なう
（脱ドープされる）ことによってまたはアニオンドーパ
ント１を得る（ドープされる）ことによって透明化する
ような性質をもつ場合は、第３図のように積層状態にあ
る導電性高分子層３および電子供与体層６からなる複合
化された層６のし−ザピームに対する透過率は上昇し、
透過光７によって照射部３′および５′を記録部として
検知し得る。

アニオンドーパント１は、一般に原子または低分子の化
合物またはそれらのイオンであり、記録の過程は、単に
これらのアニオンドーパント１の移動を伴なうのみなの
で、低いエネルギーで大きな応答速度をもつ記録が実現
し得る。また、導電性高分子層３は、高分子化合物の一
般的な特徴であるすぐれた均質性や環境安定性をもつの
で、良好な記録を安定に保持し得る。

ここで、アニオンドーパント１が電子供与体層５におい
て不可逆的な変成を受ける場合と変成を受けず、単に電
子供与体層６の中に固定されるのみである場合とに区別
して本発明をさらに詳述する０（→　ドーパントが変成を受ける場合第４図に記録過程における電子状態の変化を示す。価電
子帯（ＶＢ）と伝導体（ＣＢ）のレベルを第４図におい
て横線で示す。また、導電性高分子層３を構成する導電
性高分子をＰｃ、電子供与体層６を構成する電子供与体
をＤで表わす。レーザビーム４の照射によって、アニオ
ンドーパント１は、導電性高分子層３から電子供与体層
６へ移動し、これにともなって第４図に示すように空孔
ｈｖが導電性高分子ＰＣから電子供与体Ｄ、さらにアニ
オンドーパント１へ移動する。この結果、部分的に正電
荷を帯びた導電性高分子の分子鎖ＰＣ＋は中性化してＰ
。。となり、アニオンドーパント１は、分解して光学記
録材料の系外に放出される（たとえば、Ｓ０４′−イオ
ンの場合は、ＳＯ２と０２ガスになる）。

このように空孔ｈｖの移動が円滑に肇こって導電性高分
子ＰＣは、容易に脱ドープされるので、記録に要するエ
ネルギーは小さい。すなわち、記録に要するエネルギー
ＢＤは、電子供与体りのない場合のＢＡに比べて小さい
ことがわかる。

（ｂ）　　ドーパントが変成を受けない場合電子供与体
層６を構成する物質がルイス塩基の場合は、アニオンド
ーパント１と安定な錯体を形成するために、アニオンド
ルパント１は、変成を受けない。この場合は、再度のレ
ーザビーム４の照射でアニオンドーパント１は、再び導
電性高分子層３に戻るので、記録の消去が可能になる。

とくに、導電性高分子層３と電子供与体層６を薄膜化し
た場合には、レスポンスの向上などのすぐれた効果が実
現し得る。ここで、薄膜とは１０−１０５　人の厚みの
層のことを指し、とくに１０２−１．０　　人のものが
とくに有効に用いられる。以下に、導電性高分子層３と
電子供与体層６を薄膜化した場合について説明する。

ここで、導電性高分子薄膜３を構成する導電性高分子Ｐ
ｃと電子供与体薄膜６を構成する電子供与体りとのイオ
ン化ポテンシャルの大小関係は、本発明の光学記録材料
を有効に利用する場合において重要な要素となる。第６
図に導電性高分子Ｐｃおよび電子供与体りの電子のエネ
ルギ一単位を示す。両者のイオン化ポテンシャルの差は
、価電子帯のエネルギー準位ＥＰｃとＥＤとの差で表わ
され、この差と温度に応じて空孔ｈｖは、導電性高分子
Ｐｃと電子供与体りとの価電子帯に分配される。記録過
程と記録の消去の過程においてレーザビーム４のエネル
ギを変えると、これに対応して生じる熱量が変化し、複
合化された薄膜６のレーザビーム４の照射時における温
度も変化する。

したがって、空孔ｈｖ１すなわちアニオンドーパント１
の導電性高分子Ｐａと電子供与体りとにおける分配のよ
うすは異なシ、複合化された薄膜６０２つの異なった光
学的性質を決定する。

すなわち、レーザビーム４の照射によって到達する温度
をＴ、導電性高分子Ｐａおよび電子供与体りにおける空
孔ｈｖすなわち、アニオンドーパント１の濃度をそれぞ
れ、ＣＰＣおよびＣＤとすると、に応じて空孔ｈｖおよびアニオンドーパント１が分配さ
れる。よって、記録と記録の消去過程において到達する
温度をそれぞれＴＲお゛よびＴＥとすると、記録とその
消去後のアニオンドーパント１の導電性高分子薄膜３に
おける濃度は、それぞれ、ＣＰｃ　（”Ｒ）、ＣＰｃ（
”Ｅ）となシ、ＣＤ（ＴＥ）に従って、あらかじめ電子
供与体薄膜６にもアニオンドーパント１を含有させてお
くと、アニオンドーパント１を導電性高分子薄膜３と電
子供与体薄膜６との間で完全に可逆的に移行できる。

なお、室温またはそれに準じる通常の条件下で本発明の
光学記録材料を保存する場合は、エネル薪バリアＢＰｃ
またはＢＤの存在のために、記録とその消去部は、はぼ
完全に固定され、アニオンドーパント１の相互の移行は
、無視し得る。

また、第５図から、記録過程において電子供与体りの電
子状態は変化を受けるが、アニオンドーパント１は変化
しないことがわかる。一般に、電子供与体りのイオン化
ポテンシャルは、アニオンドーパント１のイオン化ポテ
ンシャルよリモカなり小さいので、記録に要するエネル
ギーは低減し得る。。

さらに、電子供与体薄膜６が導電性高分子から成る場合
は、導電性高分子薄膜３との間でアニオンドーパント１
をすみやかに移行させ得るので、利用価値が高い。

この効果を第６図を用いて説明する。第６図は、導電性
高分子薄膜３にレーザビーム４を照射し、アニオンドー
パント１が導電性高分子薄膜３を構成する導電性高分子
Ｐｃから電子供与体薄膜５を構成する導電性高分子Ｐｄ
へ移行する様子を模式的に表わす。これにともなって矢
印の方向に、空孔ｈｖは、導電性高分子ＰｃおよびＰｄ
の分子鎖（図中折れ線で示す）Ｋ沿って円滑に移動し、
記録の過程が完了する。第６図に示すように、アニオン
ドーパント１と空孔ｈｖとは、必ずしも導電性高分子Ｐ
ｃの分子鎖から隣接するＰｄの分子鎖へ移動するだけで
はない。すなわち、導電性高分子薄膜３と電子供与体薄
膜５とからなる境界面８から隔てられた一対の分子鎖の
間をアニオンドーパント１と空孔ｈｖとはすみやかに移
動し得る。

これによってたとえば、記録におけるレスポンスの向上
などの効果が生まれる。導電性高分子層３および電子供
与体層５を薄膜化した場合は、アニオンドーパント１の
移動距離をきわめて小さくし得るので、とくに有利であ
る。

さらに、基体２の選択も重要な問題である。すなわち、
基体２を構成する物質のイオン化ポテンシャルが導電性
高分子薄膜３および電子供与体薄膜６を構成する物質よ
りも大きいときは、レーザビーム４の照射によっても、
アニオンドーパント１が基体２に移行しないので、多数
回の記録および消去の繰り返しが実現し得る。

以下に、導電性高分子薄膜３および電子供与体薄膜５と
がそれぞれ、ポリアセチレンおよびポリチェニレンから
成る場合を例にとって実際の記録過程を説明する。

第１図における導電性高分子層３および電子供与体層５
として、それぞれ１０００人厚のポリアセチレンおよび
１０００人厚０ボリチェニレンからなる薄膜を用い、ド
ーパント１としてＣ１ｏ４−イオンを用いる。この光学
記録材料の初期の透過率を、波長６４７　ｎ　ｍ、、０
．５ｍＷのアルゴンレーザビームで測定し、４０％の値
を得た。このエネルギーのレーザビームによる加熱は、
ポリアセチレンの脱ドープに実質的に寄与しない。次い
で６ｍＷ、１μｍｉのアルゴンレーザビームを１００ｎ
ｓ照射し、再びはじめのレーザビームで透過率を測定し
て１０％の値を得た。さらに、この後、１　ｍＷ、１μ
ｍ径の同波長のアルゴンレーザを１００ｎｓ照射して再
度透過率を測定し、３５％の値を得た。初期の透過率（
４（１）よりも低い最終状態の透過率（３５％）は、い
ったんポリチェニレンにドープされたＣｌＯ４″′イオ
ンの一部が、記録の消去過程で完全にポリアセチレンに
戻シきらず、そのまま、ポリチェニレン中に残存したこ
とに゛よるものと考えられる。

しかし、第７図に示すように、ＣｌＯ４″″イオン１ａ
をド−プしたポリアセチレン薄膜３ａ上に設ける電子供
与体層として、第１回目の記録よりも前にＣｌＯ４−イ
オン１ａをわずかにドープしたボリチェニレン薄膜５ａ
を用いると、初期、第１回目の記録後および記録の消去
後の透過率としてそれぞれ、３５．１０および３５％が
得られ、ドーパントの完全な可逆的移行が実現できた。

なお、本実施例においては、記録過程におけるポリアセ
チレン（ＰＡ）の脱ドーピングとポリチェニレン（ＰＴ
）のドーピングに従って双方の薄膜の透過率は、ともに
減少するので、高いＳ／Ｎ比を得ることが可能になる。

ポリアセチレンとポリチェニレンのドーピングと脱ドー
ピング状態における吸光スペクトルのちがいを第８図に
示す。

以下のような構成をもつ光学記録材料も、本発明のうち
に包含される。

に）第９図に示すように、導電性高分子層３と電子供与
体層６とが２つの基体２と９とではさまれるもの。

（１１）第１０図に示すように、電子供与体層を兼ねる
基体２′上に導電性高分子層３を設けたもの（または、
基体が導電性高分子層を兼ねても良い。）。

（ｉｉｉ）　　第１１図に示すように、導電性高分子ｒ
Ｗｉ３と電子供与体層６との位置関係が第１図と逆のも
の。

翰　第１２図に示すように、導電性高分子層３と電子供
与体層５との間にバリア層１ｏが介在したもの。

とくに、怜の構造を得るためには、導電性高分子層３ま
たは、電子供与体層５の表面に容易に酸化物層などのバ
リア層１ｏを形成し得る。これは、記録またはその消去
過程以外の状態でアニオンドーパント１の相互の移動を
防ぎ、環境安定性に寄与するだけでなく、導電性高分子
＃３と電子供与体層６とが同一物質から成る場合におい
てすら、本発明の光学記録材料を有用なものにする。

以上、ドーパント１がアニオンである場合について述べ
た。ドーパント１がカチオンである場合は、以上の実施
例の記述において、電子供与体、ルイス塩基、空孔、イ
オン化ポテンシャルおよびアニオンドーパントの各語句
をそれぞれ、電子受容体、ルイス酸、電子、電子親和力
およびカチオンドーパントに置き換え、さらに「・・・
・・・よりも大きいイオン化ポテンシャル」という表現
を「・・・・・−よりも小さい電子親和力」という表現
に置き換えればよい。

以下に本発明において用い得る化合物や物質の種類を列
挙する。導電高分子としては、ポリアセチレン、ポリチ
ェニレンやポリピロールなどのπ共役系高分子化合物や
、ポリフェニレンスルフィト、ホリスェニレンオキシド
、ポリビニレンスフイド、ポリフェニレンセレニドなど
π共役系がエーテル、スルフィド、セレニドまたはテル
リド結合を介して結合されて成る高分子化合物、および
側鎖にカルバゾール環などのπ共役系を含むポリビニル
カルバゾールなどを用いることができる。

これらの導電性高分子は、ドーパントの存在の有無によ
って導電・光学的性質をはじめとする種々の物理的性質
が劇的に変化することが知られている０電子供与体としては、アルコール、アミン、ポリビニル
アルコール、ポリウレタン、ポリアミドな、どかあシ、
とくにルイス塩基として以下のようなものが挙げられる
：ピラジン、プテリジン、プリン、キノリン、マクリジ
ン、１，１０−７エナントロリン、フェノチアジン、テ
トラチオテトラセン、テトラチオフルバレン。電子受容
体としては、カルボン酸、ポリアクリル酸などがあり、
とくにルイス酸としてＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメ
タン）、ＴＣＮＮＱ（テトラシアノナフトキノジメタン
）、ＴＣＮＡＱ（テトラシアノアントラキノジメタン）
およびその誘導体、テトラシアノエチレン、Ｐ−クロラ
ニル、トリニトロベンゼン、２，４．７−）リニトロフ
ルオレノン、１゜３．６．８−テトラシアノピレンなト
カする。

さらに基体を構成する物質または化合物として、次のよ
うなものが挙げられる：金１．白金、パラジウムなどの
金属、酸化亜鉛、酸化チタイ酸化インジウム、酸化スズ
、酸化ケイ素などを主体とする酸化物、ボリン・フ化ビ
ニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、などのフッ素
系ポリマ、ポリ（Ｐ−キシリレン）、ポリエチレンなど
の炭化水素系ポリマ、シリコン樹脂。

ここで、金や白金などの金属を基体２の材料として用い
ると、第１３図に示すように、反射光１１を記録信号と
して検知し得る。また、基体２が透明な場合、第１図と
は逆方向からレーザビーム４を照射しても記録の過程は
、本質的には変わらない。これを第１４図に示す。さら
に、第１５図に示すように、たとえば、基体２がガラス
などの支持体１２と金々どの金属蒸着薄膜１３とから成
る場合もある。

以下に、さらに具体的な実施例を挙げる。

実施例１金を蒸着したガラス電極を陽極として第１表に挙げられ
た電解液中で１　ｍ　Ａ／ｃａ　、２０秒の通電でチオ
フェン、３−メチルチオフェンおよびピロールを電解重
合し、金電極上に約１６ｏＯ人厚のそれぞれポリチェニ
レン、ポリ（３−メチルチェニレン）およびポリピロー
ルからなる導電性高分子薄膜を得た。ここで、電解重合
の際に第１表の支持電解質のアニオン部分が不純物とし
て導電性高分子薄膜中にとりこまれる。

第　１　表　　　電解質溶液の組成これに、電子供与体として、各々１　μｍ厚のポリビニ
ルアルコール薄膜をスピンナコートでとりつけ、さらに
この上に光硬化樹脂でアクリル板をとりつけた。

これに８３０ｎｍの波長をもつ半導体レーザをアクリル
板側から照射したのち、金蒸着膜で反射される光の反射
率を検知した。記録エネルギーに対する反射率の変化を
第１６図に示す。ここで、記録および検知のためのレー
ザの仕事率は、それぞれ５および０．５ｍＷである。

実施例２テトラブトキシチタン０．１Ｍ、トリエチルアルミニウ
ム０．４Ｍのトルエン溶液をドライアイスメタノールで
冷却し、真空に保たれたガラス容器中に水平に置かれた
ＩＴＯガラス基板上に流下した。

この後、ガラス容器中にアセチレンガスを導入し、厚さ
１０００人のポリアセチレン薄膜を得た。これを他のガ
ラス容器に移し、過塩素酸でドープした。

一方、Ｔ、　Ｙａｍａｍｏｔｏ　ａｔ　ａＪ、　Ｔ、　
Ｐｏｌｙｍ。

Ｓａｔ、、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｌｅｔｔ、　Ｅｄ、　１８
．９（１９８０）−に従って調製したポリチェニレンを
クロロホルムで還流した溶液をスピンコードし、ポリア
セチレン薄膜の上に厚さ１０００人のポリチェニレン薄
膜を得た。

このようにポリアセチレン薄膜とポリチェニレン薄膜を
積層したＩＴＯガラス基板を０．０１　Ｍ過塩素酸水溶
液に浸漬し１０μＡ／ｃｔＡ　　の陽極電流密度で１分
間電解ドープした。

これを十分に水洗し、Ｐ−キシレンダイマを気相でエピ
タキシャル重合して０．１１１１１１１のポ！Ｊ（Ｐ−
キシリレン）シートをとりつけ、光学記録材料とした。

これに６４７ｎｍの波長をも−）０．６　ｍＷ　、　１
μｍｈｏアルゴンｖ−ｆヲホ！Ｊ　（Ｐ−キシリレン）
側から１０　ｍｓ照射してＩＴＯガラス基板を透過する
光の透過率として３６チの値を得た。次いで５ｍＷ、１
μｍ径の同じレーザビームを１００ｎｓ同じ個所に照射
して再度透過率を測定し、１０％を得た（記録過程）。

さらに、この後、１　ｍＷ。

１μｍ径の同波長のアルゴンレーザを１００ｎｓ同じ個
所に照射して透過率を測定し、はじめと同じ値、３６％
を得た（消去過程）。この記録−消去の過程が１０回以
上、可逆的に達成されることを確認した。

なお、記録前の状態で、ポリアセチレンおよびポリチェ
ニレンの炭素原子１ケあたりに含まれるＣｌＯ４−イオ
ンの数はそれぞれ、およそｏ−１ケおよび００１ケであ
った。

実施例３１１１ＩＩ１１厚のポリヘキサンアミド上に実施例２で
得たポリチェニレンをスピンコードシ、厚さ２０ｏ０人
のポリチェニレン薄膜を積層し、気相でヨウ素ドーグし
て光学記録材料とした。これを用いて実施例１と同様に
して記録して記録前後の透過率を測定し、５０　ｍ　Ｔ
　／ｃｒ／ｌの記録エネルギーに対応するレーザビーム
照射で透過率が３０から４０％に変化することを確認し
た。

実施例４実施例１と同様に金蒸着電極上で電解重合して電極上に
ポリチェニレン、ポリ（３−メチルチェニレン）および
ポリピロール薄膜をとりつけた。

これらを酸素ガス中で５０’Ｃ，約２時間アニールして
表面に酸化層を設けた後さらに（Ｂｕ）、ＪＴ’Ｔ３Ｆ
４−の存在下でチオフェンを電解重合し、メタノール洗
浄でＢＦ４−イオンを脱ドープして実施例２と同様にポ
リ（Ｐ−キシリレン）シートを積層した。

その構造は第１７図に示されるとおシである。ガラス支
持体１２上に金属蒸着膜１３を設けた基体２上に、導電
性高分子層３が設けられ、その表面の酸化層がバリア層
１０を構成する。更にその上に電子供与体層５．基体９
が順次積層されている。

これらを用いて実施例１と同様に記録し、１００ｍ　Ｉ
　／７の記録エネルギーに対応するレーザビーム照射の
前後における反射率を測定した。結果を第２表に示す。

第　２　表　レーザビーム照射による反射率の変化＊第
１回目に電解重合したときのものレーザビーム照射による反射率の低下は、積層された２
つの導電性高分子薄膜に対するアニオンドーパントの分
布のようすの違いに帰し得る。第１７．１８図にそれぞ
れ記録前後の導電性高分子薄膜３〔本実施例の場合は、
はじめの電解重合で形成されたポリチェニレン、ポリ（
３−メチルチェニレン）または、ポリピロール薄膜〕と
電子供与体薄膜６〔本実施例では、２回目の電解を合で
形成されたポリチェニレン薄膜〕との間に分配されたア
ニオンドーパント１〔本実施例では、ＳＯ２イオ／、Ｃ
ｌＯ４−イオンまたは、ＰＦ６−イオン〕の分布の違い
を示す。

また、第１９図は、アニオンドーパント１の含有量と８
３０ｎｍの波長におけるポリチェニレン薄膜の吸収係数
の関係を表わすグラフである。両者の関係は、第１９図
のように一般に非線型であり、この場合は、アニオンド
ーパント１の含有量の増大に対して吸収係数は、飽和す
る傾向にある。

導電性高分子薄膜３と電子供与体薄膜６とがともにポリ
チェニレンからなり、記録前のアニオンド、＜ント１の
含有量を２Ｃとし、記録後のそれを導電性高分子薄膜３
、電子供与体薄膜５ともにＣとすると、複合化された薄
膜６の記録部（レーザビームの照射部）３′および５′
の吸収度は記録前より大きくなることがわかる。

次いで、これらの光学記録材料を４０°Ｃ１相対湿度９
０％の環境で保存し、記録部と未記録との反射率は、と
もに１００日間の保存の後も変化しないことを確認した
。

発明の効果以上のように、本発明は、記録特性や環境安定性にすぐ
れ、とりわけ記録部の消去可能な光学記録材料を与える
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光学記録媒体の断面
図、第２図及び第３図は、同媒体を用いた光学記録の原
理を示す断面図、第４図および第５図は、導電性高分子
、電子供与体およびアニオンドーパントの電子状態とこ
れらの間を空孔が移動するようすを示した図、第６図は
２種類の導電性高分子の間をドーパントと空孔とが移動
するようすを示したモデル図、第７図は本発明の他の実
施例における光学記録媒体の断面図、第８図はドーパン
トの有無に伴なうポリアセチレンとポリチェニレンの吸
光スペクトルのグラフ、第９図〜第１６図は本発明の更
に他の実施例を示す断面図、第１６図は本発明の実施例
における光学記録材料を用いた記録における反射率−記
録エネルギーの関係を示すグラフ、第１７図および第１
８図は本発明の更に他の実施例における記録の様子を示
す断面図、第１９図はアニオンドーパントの含有量とポ
リチェニレン薄膜の吸収係数との関係を表わすグラフで
ある。１・・・・・・ドーパント、２・・・・・・基体、３・
・・・・・導電性高分子層、６・・・・・・電子供与体
層。代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 λ ２名体第２図第３図第４図Ｃ第５図Ｐ。Ｂ第６図第７図？第８図ｕｔｙ　　ｓｏｏ　　６ｏｏ　　’ｙｏｏ　　θθｏ　
　ｔＨ液玉（αへ）第９図第１０図？第１１図第１２図第１３図２３′ 第１４図５′ 第１５図第１６図記１東エネルギニ（’／ｃｙｒｃ２ジ第１７図ｑ１２力゛クス支才）企ト耶１８図ｓ”！３・　　　ｌ？第１９図０　　　０．１　　　０．２　　　０．３　　　０．４
　　０．Ｓアニオンドーパント含消量（七７Ｖテエ二レンジ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体と、その基体に積層された、アニオン（また
は、カチオン）ドーパントを含む導電性高分子層と、電
子供与体（または、電子受容体）層とを備えたことを特
徴とする光学記録媒体。
（２）基体が単一の連続体から成る特許請求の範囲第１
項記載の光学記録媒体。
（３）アニオン（または、カチオン）ドーパントを含む
導電性高分子層が基体に接触した特許請求の範囲第２項
記載の光学記録媒体。
（４）電子供与体（または、電子受容体）層が基体に接
触した特許請求の範囲第２項記載の光学記録媒体。
（５）基体が１対の連続体から成り、アニオン（または
、カチオン）ドーパントを含む導電性高分子層と電子供
与体（または、電子受容体）層が前記一対の基体の間に
積層された特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒体。
（６）導電性高分子層または、電子供与体（または、電
子受容体）層が基体を兼ねる特許請求の範囲第１項記載
の光学記録媒体。
（７）導電性高分子層または、電子供与体（または、電
子受容体）層が薄膜である特許請求の範囲第１項記載の
光学記録媒体。
（８）電子供与体（または、電子受容体）層がアニオン
（または、カチオン）ドーパントを含む特許請求の範囲
第１項記載の光学記録媒体。
（９）導電性高分子層に含まれるドーパントがアニオン
（または、カチオン）であるとき、基体を構成する物質
のイオン化ポテンシャル（または、電子親和力）が導電
性高分子および電子供与体（または、電子受容体）のイ
オン化ポテンシャル（または、電子親和力）よりも大き
い（または、小さい）特許請求の範囲第１項記載の光学
記録媒体。
（１０）電子供与体（または、電子受容体）層が導電性
高分子から成る特許請求の範囲第１項記載の光学記録媒
体。