JPH0363520B2 - - Google Patents
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- JPH0363520B2 JPH0363520B2 JP57216221A JP21622182A JPH0363520B2 JP H0363520 B2 JPH0363520 B2 JP H0363520B2 JP 57216221 A JP57216221 A JP 57216221A JP 21622182 A JP21622182 A JP 21622182A JP H0363520 B2 JPH0363520 B2 JP H0363520B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、例えば光デイスク記録・再生装置
に使用する記録担体、特にレーザ光を用いた熱加
工によつて情報を書きこむ光学式情報記録担体に
関するものである。
に使用する記録担体、特にレーザ光を用いた熱加
工によつて情報を書きこむ光学式情報記録担体に
関するものである。
従来、光デイスク装置で使用される円板状記録
担体（以下デイスクと略称する）としては、再生
専用のビデオデイスクやPCMオーデイオデイス
ク用に大量複製するために使われる原盤としての
デイスクと、記録機能を備えた装置で使用される
ガラス又はプラスチツク基板表面に記録媒体を、
被着させたデイスクとがある。この発明の対象と
しているデイスクは、記録機能を備えた装置で使
用されるデイスクである。第１図は従来のデイス
クへの情報の書き込みを示す断面図であり、図に
おいて１はデイスク、２は基板、３は光吸収層、
４はレーザ光、５は対物レンズである。図に示さ
れるように、このデイスク１は、代表的には厚さ
約１mmの例えばガラス又はプラスチツクから成る
基板２の表面に、例えばテルルなどの金属蒸着膜
を形成し、光吸収層３としたものである。
担体（以下デイスクと略称する）としては、再生
専用のビデオデイスクやPCMオーデイオデイス
ク用に大量複製するために使われる原盤としての
デイスクと、記録機能を備えた装置で使用される
ガラス又はプラスチツク基板表面に記録媒体を、
被着させたデイスクとがある。この発明の対象と
しているデイスクは、記録機能を備えた装置で使
用されるデイスクである。第１図は従来のデイス
クへの情報の書き込みを示す断面図であり、図に
おいて１はデイスク、２は基板、３は光吸収層、
４はレーザ光、５は対物レンズである。図に示さ
れるように、このデイスク１は、代表的には厚さ
約１mmの例えばガラス又はプラスチツクから成る
基板２の表面に、例えばテルルなどの金属蒸着膜
を形成し、光吸収層３としたものである。
光デイスク記録・再生装置は、レーザ光を用い
て情報を記録・再生する装置であるが、記録機能
を備えた装置においては、デイスク１を回転させ
ながらレーザ光４を光吸収層である金属蒸着膜３
の面に対物レンズ５で集光し、レーザ光を書き込
むべき情報で変調することによつて金属蒸着膜３
に熱的加工により穴をあける形で情報が書き込ま
れる。このようにレーザ光による熱加工で書き込
む方式の光吸収層は、写真の乳剤のような感光材
料と異なり、明るい部屋で取り扱うことができ、
また情報記録後の現像などの処理が不要で、書き
込も後即時再生できるという利点をもつている。
このような光吸収層としては、テルル等の金属蒸
着膜がＳ／Ｎ比が良く、ドロツプアウトと称する
情報の欠落が、少ないなどの好ましい特性が得ら
れる。
て情報を記録・再生する装置であるが、記録機能
を備えた装置においては、デイスク１を回転させ
ながらレーザ光４を光吸収層である金属蒸着膜３
の面に対物レンズ５で集光し、レーザ光を書き込
むべき情報で変調することによつて金属蒸着膜３
に熱的加工により穴をあける形で情報が書き込ま
れる。このようにレーザ光による熱加工で書き込
む方式の光吸収層は、写真の乳剤のような感光材
料と異なり、明るい部屋で取り扱うことができ、
また情報記録後の現像などの処理が不要で、書き
込も後即時再生できるという利点をもつている。
このような光吸収層としては、テルル等の金属蒸
着膜がＳ／Ｎ比が良く、ドロツプアウトと称する
情報の欠落が、少ないなどの好ましい特性が得ら
れる。
特に、半導体レーザ等の低いパワーのレーザで
記録を行うには、例えばテルル等の低融点の金属
がよく用いられる。
記録を行うには、例えばテルル等の低融点の金属
がよく用いられる。
しかし従来のテルル等の低融点金属を蒸着して
光吸収層として用いるデイスクではテルル等の金
属が酸化されやすく、酸化の進行に伴ない光の反
射率の減少等が生じ、徐々に記録感度が悪くなる
という問題があつた。また、光吸収層として有機
色素（例えばスクワリリウム色素、シニアン色素
等）を用いたものもあるが熱的および保存安定性
が悪く実用化には到つていない。
光吸収層として用いるデイスクではテルル等の金
属が酸化されやすく、酸化の進行に伴ない光の反
射率の減少等が生じ、徐々に記録感度が悪くなる
という問題があつた。また、光吸収層として有機
色素（例えばスクワリリウム色素、シニアン色素
等）を用いたものもあるが熱的および保存安定性
が悪く実用化には到つていない。
この発明は、従来のデイスクが有する上記欠点
を除去するためになされたもので、基板上に、電
子受容体又は電子供与体がドープされているπ−
共役系高分子膜を有する光吸収層を設けることに
より、熱安定性に優れ、記録感度の劣化がほとん
ど無く保存安定性にも優れ、かつ少ないレーザー
パワーで書き込みが可能な光学式情報記録担体を
得ることを目的とするものである。
を除去するためになされたもので、基板上に、電
子受容体又は電子供与体がドープされているπ−
共役系高分子膜を有する光吸収層を設けることに
より、熱安定性に優れ、記録感度の劣化がほとん
ど無く保存安定性にも優れ、かつ少ないレーザー
パワーで書き込みが可能な光学式情報記録担体を
得ることを目的とするものである。
第２図はこの発明の一実施例を示すデイスクの
光吸収層への情報の書き込みを示す断面図であ
り、１〜５は上記従来図と同一又は相当するもの
であり、光吸収層３は、基板２の上に蒸着、スパ
ツタリング、めつき、又はスプレー等の方法で形
成された金属膜６と、金属膜６の表面に形成され
たπ−共役系高分子膜７から成つている。
光吸収層への情報の書き込みを示す断面図であ
り、１〜５は上記従来図と同一又は相当するもの
であり、光吸収層３は、基板２の上に蒸着、スパ
ツタリング、めつき、又はスプレー等の方法で形
成された金属膜６と、金属膜６の表面に形成され
たπ−共役系高分子膜７から成つている。
この発明のπ−共役系高分子としては、例えば
ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチエニレ
ン、ポリアニリン、ポリパラフエニレン、ポリオ
ルトフエニレン、ポリメタフエニレン、ポリフエ
ニレンスルフイド、及びポリフエニレンオキシド
など高分子鎖の骨格が、π−共役多重結合からな
る高分子が用いられる。これらはこれ自身では絶
縁体であるが電子受容体（例えば臭素、ヨウ素、
ヨウ化臭素、五フツ化ヒ素、五フツ化アンチモ
ン、及び過塩素酸等）又は電子供与体（例えば
Na、Ｋ、Li、及びアミン等）をドープすること
によつて電導性が発現され、同時に可視領域から
近赤外領域に到る領域でより大きな吸光係数を有
するようになる。この領域における大きな吸光係
数のためにこの領域の光を発振するレーザ光で上
記のような高分子膜に対物レンズ５で集光し熱加
工によつて穴をあける形で情報を書き込むことが
できる。
ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチエニレ
ン、ポリアニリン、ポリパラフエニレン、ポリオ
ルトフエニレン、ポリメタフエニレン、ポリフエ
ニレンスルフイド、及びポリフエニレンオキシド
など高分子鎖の骨格が、π−共役多重結合からな
る高分子が用いられる。これらはこれ自身では絶
縁体であるが電子受容体（例えば臭素、ヨウ素、
ヨウ化臭素、五フツ化ヒ素、五フツ化アンチモ
ン、及び過塩素酸等）又は電子供与体（例えば
Na、Ｋ、Li、及びアミン等）をドープすること
によつて電導性が発現され、同時に可視領域から
近赤外領域に到る領域でより大きな吸光係数を有
するようになる。この領域における大きな吸光係
数のためにこの領域の光を発振するレーザ光で上
記のような高分子膜に対物レンズ５で集光し熱加
工によつて穴をあける形で情報を書き込むことが
できる。
π−共役系高分子膜の膜厚は特に限定されない
が書き込み時間及び熱加工によつて生じるピツト
性からみて、実用上300〜5000Å程度が好ましい。
π−共役系高分子膜を金属膜６の上に設ける方法
としては、金属膜６上で直接重合させるか、又は
重合体の溶液をスピナーやデイツプ等の方法でπ
−共役系高分子膜を均一に作成した後、上記電子
受容体又は電子供与体をドープして得られる。
が書き込み時間及び熱加工によつて生じるピツト
性からみて、実用上300〜5000Å程度が好ましい。
π−共役系高分子膜を金属膜６の上に設ける方法
としては、金属膜６上で直接重合させるか、又は
重合体の溶液をスピナーやデイツプ等の方法でπ
−共役系高分子膜を均一に作成した後、上記電子
受容体又は電子供与体をドープして得られる。
π−共役系高分子膜の中でも、特に電解重合に
よつて合成できる膜、すなわち、ピロールとＮ−
置換ピロールの共重合体やピロールのホモポリマ
ー、Ｎ−置換ピロールのホモポリマー、ポリチエ
ニレン及びポリアニリン等は、例えば第２図では
金属膜６を電極とし陽極酸化によつてポリマーを
作成するが、重合時にドーピングがなされかつ膜
厚も通電電荷量によつて容易に制御できる利点を
有している。このように電解重合法は工程の簡略
化や膜厚制御に優れている。
よつて合成できる膜、すなわち、ピロールとＮ−
置換ピロールの共重合体やピロールのホモポリマ
ー、Ｎ−置換ピロールのホモポリマー、ポリチエ
ニレン及びポリアニリン等は、例えば第２図では
金属膜６を電極とし陽極酸化によつてポリマーを
作成するが、重合時にドーピングがなされかつ膜
厚も通電電荷量によつて容易に制御できる利点を
有している。このように電解重合法は工程の簡略
化や膜厚制御に優れている。
さらに金属膜は、レーザの熱加工によつて書き
込まれた情報を読み出す際に、反射光を読み出す
場合には反射層としての役割を有するため、例え
ば金、クロム、パラジウム、ニツケル、白金、又
はアルミニウム等の反射率の良いものが用いら
れ、また透化光を読み出す場合には透過性の良い
例えばネサ、酸化イソジウム、イソジウム・錫酸
化物（ITO）等の透明導電体を用いることができ
るが、勿論、２種以上の金属膜を重ねて用いても
良い。
込まれた情報を読み出す際に、反射光を読み出す
場合には反射層としての役割を有するため、例え
ば金、クロム、パラジウム、ニツケル、白金、又
はアルミニウム等の反射率の良いものが用いら
れ、また透化光を読み出す場合には透過性の良い
例えばネサ、酸化イソジウム、イソジウム・錫酸
化物（ITO）等の透明導電体を用いることができ
るが、勿論、２種以上の金属膜を重ねて用いても
良い。
第３図はこの発明による他の実施例で、レーザ
の熱加工によつて書き込まれた情報を、透過光の
変化によつて読み出すことを示す断面図であり、
図において１〜７は上記従来図と同一又は相当す
るものであり、この場合、金属膜６は例えばネ
サ、酸化インジウム、インジウム、及び錫酸化物
（ITO）等の透明導電体、７はレーザ光を集光し
て熱加工されたπ−共役系高分子膜、８は信号読
み出し用のレーザ光である。しかし、上記のよう
に、情報の読み出しを透過光の変化により行なう
場合は、基板２上に直接π−共役系高分子膜を蒸
着等に方法により設け、金属膜を省いても良い。
一方前述したように、π−共役系高分子膜を電解
重合法により合成するには、この場合も金属膜が
必要であるのは言うまでもない。また、電解重合
法による陽極酸化によつてπ−共役系導電性高分
子膜を直接金属膜に合成する場合は陽極酸化を受
けにくい材料、すなわち、金、クロム、パラジウ
ム、ニツケル、白金、ネサ、酸化インジウム、イ
ソジウム・錫酸化物（ITO）が用いられる。勿
論、この場合においても二つ以上の金属膜を重ね
て用いても良い。
の熱加工によつて書き込まれた情報を、透過光の
変化によつて読み出すことを示す断面図であり、
図において１〜７は上記従来図と同一又は相当す
るものであり、この場合、金属膜６は例えばネ
サ、酸化インジウム、インジウム、及び錫酸化物
（ITO）等の透明導電体、７はレーザ光を集光し
て熱加工されたπ−共役系高分子膜、８は信号読
み出し用のレーザ光である。しかし、上記のよう
に、情報の読み出しを透過光の変化により行なう
場合は、基板２上に直接π−共役系高分子膜を蒸
着等に方法により設け、金属膜を省いても良い。
一方前述したように、π−共役系高分子膜を電解
重合法により合成するには、この場合も金属膜が
必要であるのは言うまでもない。また、電解重合
法による陽極酸化によつてπ−共役系導電性高分
子膜を直接金属膜に合成する場合は陽極酸化を受
けにくい材料、すなわち、金、クロム、パラジウ
ム、ニツケル、白金、ネサ、酸化インジウム、イ
ソジウム・錫酸化物（ITO）が用いられる。勿
論、この場合においても二つ以上の金属膜を重ね
て用いても良い。
以上のようにして作られたπ−共役系高分子膜
を保護する目的で書き込み及び読み出し用レーザ
ー波長域で透明な保護膜を適宜、π−共役系高分
子膜上に設けることが、光吸収層の安定性を増大
させる。ここで一般的に保護膜としては、SiO2、
アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、トリ酢酸セルロース等が考えられるが、勿
論これらに限定されるものではない。
を保護する目的で書き込み及び読み出し用レーザ
ー波長域で透明な保護膜を適宜、π−共役系高分
子膜上に設けることが、光吸収層の安定性を増大
させる。ここで一般的に保護膜としては、SiO2、
アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、トリ酢酸セルロース等が考えられるが、勿
論これらに限定されるものではない。
以下実施例を示すことによりこの発明を詳細に
説明するが、これによりこの発明を限定するもの
ではない。
説明するが、これによりこの発明を限定するもの
ではない。
実施例 １
3.5×2.5cmのガラス基板上に、真空蒸着にて
500ÅのCr層（２×２cm）を設け、この上に特公
昭48−32581の方法によつて、アセチレン高重合
体を3000Åの厚さで合成した。このアセチレン高
重合体を不活性気体中で170℃で加熱処理を行な
つた後、ヨウ素蒸気に暴露させヨウ素のドーピン
グを行ない光吸収層を作製した。この試料にアル
ゴンレーザー（10mw，0.1μSecパルス幅）を集
光して書き込みを行なつた結果、孔径0.7μmの孔
をあけることができ、下地のCr層が露出した。
この孔の上を半導体レーザー光を走査し、孔から
の反射光の変化を測定した。
500ÅのCr層（２×２cm）を設け、この上に特公
昭48−32581の方法によつて、アセチレン高重合
体を3000Åの厚さで合成した。このアセチレン高
重合体を不活性気体中で170℃で加熱処理を行な
つた後、ヨウ素蒸気に暴露させヨウ素のドーピン
グを行ない光吸収層を作製した。この試料にアル
ゴンレーザー（10mw，0.1μSecパルス幅）を集
光して書き込みを行なつた結果、孔径0.7μmの孔
をあけることができ、下地のCr層が露出した。
この孔の上を半導体レーザー光を走査し、孔から
の反射光の変化を測定した。
Cr層からの反射率をR1、上記作成した高分子
膜の反射率をR2とし、次の式でコントラスト比
をを定義する。
膜の反射率をR2とし、次の式でコントラスト比
をを定義する。
コントラスト比＝R1−R2／R1＋R2
本試料系においてはコントラスト比は0.5であ
り満足すべき結果が得られた。
り満足すべき結果が得られた。
実施例 ２
３×７cmのガラス基板上に真空蒸着にて、1000
ÅのCr層（2.5×７cm）を設け、電解重合の陽極
（作用電極）として用いた（有効作用電極面積は
2.5×３cm2）。100mlのアセトニトリルにピロール
（0.07g）とＮ−メチルピロール（0.35g）及びテ
トラエチルアンモニウムパークロレート（0.7g）
を溶解させた液を反応溶液として使用した。対極
として白金を、参照電極としてSCE（飽和カロメ
ロ電極）を用い、SCEに対し、0.85Vの定電位電
解で窒素ガス中でピロールとＮ−メチルピロール
の共重合体を得た。膜厚は約1200Åであつた。同
様の方法で膜厚5μmの試料を作製し、熱天秤にて
重量減少−温度曲線を測定すると約200℃から重
量減少が観られ、耐熱性としては約200℃までは
保護され、熱安定性に優れている。
ÅのCr層（2.5×７cm）を設け、電解重合の陽極
（作用電極）として用いた（有効作用電極面積は
2.5×３cm2）。100mlのアセトニトリルにピロール
（0.07g）とＮ−メチルピロール（0.35g）及びテ
トラエチルアンモニウムパークロレート（0.7g）
を溶解させた液を反応溶液として使用した。対極
として白金を、参照電極としてSCE（飽和カロメ
ロ電極）を用い、SCEに対し、0.85Vの定電位電
解で窒素ガス中でピロールとＮ−メチルピロール
の共重合体を得た。膜厚は約1200Åであつた。同
様の方法で膜厚5μmの試料を作製し、熱天秤にて
重量減少−温度曲線を測定すると約200℃から重
量減少が観られ、耐熱性としては約200℃までは
保護され、熱安定性に優れている。
膜厚1200Åの試料の半導体レーザー（5mW，
0.2μsecパルス）を膜上に集光してピツト孔径
0.7μmの孔をあけることができ、下地のCr層が露
出した。実施例１と同様にしてコントラスト比を
測定した結果0.6であり、満足すべき結果が得ら
れた。
0.2μsecパルス）を膜上に集光してピツト孔径
0.7μmの孔をあけることができ、下地のCr層が露
出した。実施例１と同様にしてコントラスト比を
測定した結果0.6であり、満足すべき結果が得ら
れた。
実施例 ３
３×７cmのガラス基板上にネサ電極（2.5×１
cm、50Ω／口）を設け電解重合の陽極（作用電
極）として用いた（有効電極面積は2.5×３cm2）。
チオフエン（0.4g）とテトラメチルアンモニウム
パラトルエンスルホン酸（0.7g）をアセトニトリ
ル（100ml）に溶かし、これを反応溶液として使
用した。対極として白金を、参照電極としてSCE
を用い、SCEに対して1.2Vの定電位で窒素雰囲
気下で重合を行ないネサ電極上にポリチエニレン
（膜厚約1700Å）を得た。
cm、50Ω／口）を設け電解重合の陽極（作用電
極）として用いた（有効電極面積は2.5×３cm2）。
チオフエン（0.4g）とテトラメチルアンモニウム
パラトルエンスルホン酸（0.7g）をアセトニトリ
ル（100ml）に溶かし、これを反応溶液として使
用した。対極として白金を、参照電極としてSCE
を用い、SCEに対して1.2Vの定電位で窒素雰囲
気下で重合を行ないネサ電極上にポリチエニレン
（膜厚約1700Å）を得た。
PMMA（12g）をアセトン（20g）及びトルエ
ン（20g）の混合溶媒に溶かし、この溶液を上記
作成したポリチエニレン上にスピナーで塗布し、
膜厚3μmの保護膜を設けた。
ン（20g）の混合溶媒に溶かし、この溶液を上記
作成したポリチエニレン上にスピナーで塗布し、
膜厚3μmの保護膜を設けた。
上記試料にアルゴンレーザー（7mW、0.2μsec
パルス）を集光してピツト孔径0.7μmの孔をあけ
ることができた。この孔の上をアルゴンレーザを
走査し透過光の変化を測定した。その結果、透過
率の比（開孔部／高分子被着部）は７であり満足
すべき結果が得られた。
パルス）を集光してピツト孔径0.7μmの孔をあけ
ることができた。この孔の上をアルゴンレーザを
走査し透過光の変化を測定した。その結果、透過
率の比（開孔部／高分子被着部）は７であり満足
すべき結果が得られた。
この発明は以上説明したとおり、基板上に、電
子受容体又は電子供与体がドープされているπ−
共役系高分子膜を有する光吸収層を設けたので、
熱安定性に優れ、記録感度の劣化がほとんど無く
保存安定性にも優れ、かつ少ないレーザーパワー
で書き込みが可能な光学式情報記録担体を得るこ
とができる。
子受容体又は電子供与体がドープされているπ−
共役系高分子膜を有する光吸収層を設けたので、
熱安定性に優れ、記録感度の劣化がほとんど無く
保存安定性にも優れ、かつ少ないレーザーパワー
で書き込みが可能な光学式情報記録担体を得るこ
とができる。
第１図は従来のデイスクへの情報の書き込みを
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例を示す
デイスクへの情報の書き込みを示す断面図、第３
図はこの発明の他の実施例を示すデイスクに書き
込まれた情報の透過光変化による読み出しを示す
断面図である。 図において、１はデイスク、２は基板、３は光
吸収層、４はレーザ光、５は対物レンズ、６は金
属膜、７はπ−共役系高分子膜、８は信号読み出
し用レーザ光である。なお、各図中同一符号は同
一又は相当物を示すものとする。
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例を示す
デイスクへの情報の書き込みを示す断面図、第３
図はこの発明の他の実施例を示すデイスクに書き
込まれた情報の透過光変化による読み出しを示す
断面図である。 図において、１はデイスク、２は基板、３は光
吸収層、４はレーザ光、５は対物レンズ、６は金
属膜、７はπ−共役系高分子膜、８は信号読み出
し用レーザ光である。なお、各図中同一符号は同
一又は相当物を示すものとする。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板、及びこの基板上に設けた電子受容体又
は電子供与体がドープされているπ−共役系高分
子膜を有する光吸収層を備えた光学式情報記録担
体。 ２ 光吸収層は、π−共役系高分子膜、及びこれ
と基板との間に設けた光反射用の金属層を含む特
許請求の範囲第１項記載の光学式情報記録担体。 ３ π−共役系高分子膜は、ビロールとＮ−置換
ピロールの共重合体、ピロールのホモポリマー、
Ｎ−置換ピロールのホモポリマー、ポリチエニレ
ン、及びポリアニリンの内の少なくとも一種であ
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光学式
情報記録担体。 ４ π−共役系高分子膜は、可視領域から近赤外
領域の光を吸収する特許請求の範囲第１項ないし
第８項のいずれかに記載の光学式情報記録担体。 ５ 光吸収層はπ−共役高分子、及びこの表面に
設けた保護膜を含む特許請求の範囲第１項ないし
第４項のいずれかに記載の光学式情報記録担体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216221A JPS59193555A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 光学式情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57216221A JPS59193555A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 光学式情報記録担体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193555A JPS59193555A (ja) | 1984-11-02 |
| JPH0363520B2 true JPH0363520B2 (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=16685170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57216221A Granted JPS59193555A (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 光学式情報記録担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193555A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4873178A (en) * | 1984-12-18 | 1989-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and method for conducting recording on said medium |
| JPS6249331A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-04 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子 |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP57216221A patent/JPS59193555A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59193555A (ja) | 1984-11-02 |
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