JPS60221766A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS60221766A JPS60221766A JP7669184A JP7669184A JPS60221766A JP S60221766 A JPS60221766 A JP S60221766A JP 7669184 A JP7669184 A JP 7669184A JP 7669184 A JP7669184 A JP 7669184A JP S60221766 A JPS60221766 A JP S60221766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- monomer
- org
- plasma
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真に用いられる感光体の保護膜に係り、
とくに電子写真に用いられるアモルファスシリコン感光
体の保護膜に関するものである。
とくに電子写真に用いられるアモルファスシリコン感光
体の保護膜に関するものである。
周知のように、電子写真は複写機などに広く普及してい
るが、従来この電子写真に用いられている光導電性を有
する感光体の材料としては、一般にはセレン（Ｓ＠ ）
、硫化カドミウム（ａａｓ ） 、酸化亜鉛（２ｎ０
）あるいは有機光導電性材料などであった。しかし最
近になって、アモルファスシリコン薄Ｍ（以下、ａ−８
ｉｉと略す）が電子写真用感光体として要求される緒特
性、即ち、光感度特性、温度特性、機械的強度、寿命な
どを充分に満足しうる優れた性質を有していることが見
出されたため鋭意研究開発が進められ、現在では電子写
真に用いられるａ−８ｉ悪感光の性能及び製作技術は基
本的な研究段階から実用化の段階に入ってきている。
るが、従来この電子写真に用いられている光導電性を有
する感光体の材料としては、一般にはセレン（Ｓ＠ ）
、硫化カドミウム（ａａｓ ） 、酸化亜鉛（２ｎ０
）あるいは有機光導電性材料などであった。しかし最
近になって、アモルファスシリコン薄Ｍ（以下、ａ−８
ｉｉと略す）が電子写真用感光体として要求される緒特
性、即ち、光感度特性、温度特性、機械的強度、寿命な
どを充分に満足しうる優れた性質を有していることが見
出されたため鋭意研究開発が進められ、現在では電子写
真に用いられるａ−８ｉ悪感光の性能及び製作技術は基
本的な研究段階から実用化の段階に入ってきている。
このａ−８ｉ悪感光の製作法は、基本的には半導体素子
製作の方法と同様な方法がとられている。
製作の方法と同様な方法がとられている。
即ち、通常プラズマＯＶ Ｄ （Ｏｈｅｍｉｏａｌ Ｖ
ａｐｏ’ｒＤｅｐｏｓ１ｔ１ｏｎ ）法と呼ばれる方法
であり、それは真空状態にしうる適当な容器内にａ−８
１膜を形成するた′・めの基板を設置し、■、ガスなど
で希釈されたＳｉＨ，やＳｉＦ、などのガス（不純物を
添加する必要のある時には同時にＢ！Ｈ６、ｐＨ，ガス
などを導入する）を導入し、これを外部からの直流電力
或いは高周波電力を用いてグロー放電分解させ反応生成
物としてのａ−Ｓｉ膜を基板上Ｇこ堆積させるものであ
る。このプラズマＯＶＤ法を用いてａ−８ｉ悪感光を製
作する方法については、特開昭５７−３７３５２号や特
開昭５７−７８５４６号公報などに、製造装＠Ｇこつい
ては特願昭５８−４０６３５号や特願昭５８−４０６３
６号明細書などで提案されている。その場合、アルミニ
ウムなどの導電性支持体、例えばアルミニウムの中空円
筒を基板としてａ−８１感光層を約１０〜１００μｍ程
度の厚みで堆積させるわけであるが、場合により同じく
プラズマＯＶＤ法でａ−３ｉ座感光上にさらに約１〜２
０μｍ程度の厚みをもつアモルファス窒化シリコン（ａ
−Ｓｉ、Ｎ、 ）や酸化シリコン（ｓｌｏｗ）などの
絶縁層をａ−８ｉ悪感光の保護層として設けることも例
えば特開昭５８−１５２２５５号公報などで提案されて
いる。
ａｐｏ’ｒＤｅｐｏｓ１ｔ１ｏｎ ）法と呼ばれる方法
であり、それは真空状態にしうる適当な容器内にａ−８
１膜を形成するた′・めの基板を設置し、■、ガスなど
で希釈されたＳｉＨ，やＳｉＦ、などのガス（不純物を
添加する必要のある時には同時にＢ！Ｈ６、ｐＨ，ガス
などを導入する）を導入し、これを外部からの直流電力
或いは高周波電力を用いてグロー放電分解させ反応生成
物としてのａ−Ｓｉ膜を基板上Ｇこ堆積させるものであ
る。このプラズマＯＶＤ法を用いてａ−８ｉ悪感光を製
作する方法については、特開昭５７−３７３５２号や特
開昭５７−７８５４６号公報などに、製造装＠Ｇこつい
ては特願昭５８−４０６３５号や特願昭５８−４０６３
６号明細書などで提案されている。その場合、アルミニ
ウムなどの導電性支持体、例えばアルミニウムの中空円
筒を基板としてａ−８１感光層を約１０〜１００μｍ程
度の厚みで堆積させるわけであるが、場合により同じく
プラズマＯＶＤ法でａ−３ｉ座感光上にさらに約１〜２
０μｍ程度の厚みをもつアモルファス窒化シリコン（ａ
−Ｓｉ、Ｎ、 ）や酸化シリコン（ｓｌｏｗ）などの
絶縁層をａ−８ｉ悪感光の保護層として設けることも例
えば特開昭５８−１５２２５５号公報などで提案されて
いる。
上記のａ−３ｉ悪感光の一部の断面構造を第１図に示す
。基板としての導電性支持ｉ４１上にａ−３ｉ層２が形
成されており、場合によりその上に保護層としてのＳｉ
ｎ、や５ｉ６Ｎ、などの絶縁層６が形成されている。こ
のａ−８ｉ層からなる感光体或いは８１０２層やＳ、１
．Ｎ、層などの保護層を有するａ−８ｉ悪感光を電子写
真用感光体として用い実際に複写機を試作して画像を複
写させた場合、先に挙げた明細書にも述べている如く、
優れた画質のものが得られることが判ったのであるが、
長期間の繰り返し耐久実験を行なったところ画質が低下
し、ボケやコントラストが低下する場合があるという欠
点の存在が判明した。その原因を調査した結果、ａ−８
ｉ層も５１０２やＳｉ、Ｎ、などの保護層のいずれも、
物理的に親水性（撥油性）であるためによることが判っ
た。これらの層が親水性（撥油性）を有するために画質
が低下する理由としては次のようなことが挙げられる。
。基板としての導電性支持ｉ４１上にａ−３ｉ層２が形
成されており、場合によりその上に保護層としてのＳｉ
ｎ、や５ｉ６Ｎ、などの絶縁層６が形成されている。こ
のａ−８ｉ層からなる感光体或いは８１０２層やＳ、１
．Ｎ、層などの保護層を有するａ−８ｉ悪感光を電子写
真用感光体として用い実際に複写機を試作して画像を複
写させた場合、先に挙げた明細書にも述べている如く、
優れた画質のものが得られることが判ったのであるが、
長期間の繰り返し耐久実験を行なったところ画質が低下
し、ボケやコントラストが低下する場合があるという欠
点の存在が判明した。その原因を調査した結果、ａ−８
ｉ層も５１０２やＳｉ、Ｎ、などの保護層のいずれも、
物理的に親水性（撥油性）であるためによることが判っ
た。これらの層が親水性（撥油性）を有するために画質
が低下する理由としては次のようなことが挙げられる。
すなわち、感光体表面が親水性であるため、１つには空
気中の水分を吸着しやすく、従って同時に塵や種々の不
純物が吸゛着しやすく感光体の光感度特性が低下するこ
とが大きな原因である。また、電子写真における現像方
式では感光体表面がコ四す放電にさらされるのであるが
、このコ四す放電によって各種のイオンやオゾンなどの
活性種が発生し空気中の不純物などと複雑な化合物が形
成される。それらの複雑な化合物とは窒素化合物、カル
ボキシル基、アルデヒド基などを含む化合物などであり
、それらの殆どは親水性であるため親水性を有する感光
体表面に物理的或いは化学的吸着を起すため感光体表面
の物理的・電気的性質を劣化低下させる。この表面特性
の劣化も画質を低下させる大きな原因の１つである。更
に電子写真に用いられる現像材料としては、−成分系と
二成分系とがあるが、静電トナーとしては基本的にはポ
リスチレン、エポキシ、その他の種々の樹脂にカーボン
粉末を加えたものである。この現像材料は従来の親水性
の感光体表面となじみにくく摩擦係数も大きいため、感
光体から感光紙へ像を転写しにくいことも画質を低下さ
せる原因の１つになっていた。
気中の水分を吸着しやすく、従って同時に塵や種々の不
純物が吸゛着しやすく感光体の光感度特性が低下するこ
とが大きな原因である。また、電子写真における現像方
式では感光体表面がコ四す放電にさらされるのであるが
、このコ四す放電によって各種のイオンやオゾンなどの
活性種が発生し空気中の不純物などと複雑な化合物が形
成される。それらの複雑な化合物とは窒素化合物、カル
ボキシル基、アルデヒド基などを含む化合物などであり
、それらの殆どは親水性であるため親水性を有する感光
体表面に物理的或いは化学的吸着を起すため感光体表面
の物理的・電気的性質を劣化低下させる。この表面特性
の劣化も画質を低下させる大きな原因の１つである。更
に電子写真に用いられる現像材料としては、−成分系と
二成分系とがあるが、静電トナーとしては基本的にはポ
リスチレン、エポキシ、その他の種々の樹脂にカーボン
粉末を加えたものである。この現像材料は従来の親水性
の感光体表面となじみにくく摩擦係数も大きいため、感
光体から感光紙へ像を転写しにくいことも画質を低下さ
せる原因の１つになっていた。
上述したように、従来のａ−８ｉ悪感光を用いた時の画
質低下の最大原因はその感光体表面が親水性（撥油性）
にあることが判ったのである。
質低下の最大原因はその感光体表面が親水性（撥油性）
にあることが判ったのである。
本発明は叙上の欠点を除去し画像の質の低下を招くこと
なく、耐久性よく優れた特性を維持できるａ−８ｉ悪感
光を提供することにある。すなわち、本発明の・、電子
写真用感光体は、親油性（撥水性）の重合膜をプラズマ
ＯＶＤにより感光体表面に形成することを特徴とする。
なく、耐久性よく優れた特性を維持できるａ−８ｉ悪感
光を提供することにある。すなわち、本発明の・、電子
写真用感光体は、親油性（撥水性）の重合膜をプラズマ
ＯＶＤにより感光体表面に形成することを特徴とする。
以下、本発明の実施例を第２図を参照しつつ詳細に説明
する。
する。
第２図（ａ）および（ｂ）は重合膜を形成した本発明に
よる感光体を示すものであり、第２図（ＩＬ）はａ−Ｓ
ｉ感光層２上へ直接本発明によるプラズマ重合膜４を形
成した実施例、同図（ｂ）はａ−５ｉ悪感光２上にＳｉ
ＯまたはＳｉ、Ｎ４などの絶縁保護層３を形成し、その
上にプラズマ重合膜４を形成した場合の実施例である。
よる感光体を示すものであり、第２図（ＩＬ）はａ−Ｓ
ｉ感光層２上へ直接本発明によるプラズマ重合膜４を形
成した実施例、同図（ｂ）はａ−５ｉ悪感光２上にＳｉ
ＯまたはＳｉ、Ｎ４などの絶縁保護層３を形成し、その
上にプラズマ重合膜４を形成した場合の実施例である。
重合膜４として、単に親油性（撥水性）の膜で感光体表
面を被覆すれば良いのであれば、例えばシリコン系高分
子材料をスプレーなどの方法で塗・布乾燥させればよい
。しかしながら、このような方法で形成した親油性（撥
水性）の膜は電子写真用のａ−Ｓｉ感光体の保護膜とし
ては全く耐久性がなく、シかも膜の均一性の問題などが
多いことが実験により見出された。種々実験の結果、有
機物を含むカスを用いａ−３ｉ膜を形成する方法と基本
的には同じプラズマＯＶＤ法によ・フて親油性のプラズ
マ重合膜を形成するのが最も良し１こと力量判明した。
面を被覆すれば良いのであれば、例えばシリコン系高分
子材料をスプレーなどの方法で塗・布乾燥させればよい
。しかしながら、このような方法で形成した親油性（撥
水性）の膜は電子写真用のａ−Ｓｉ感光体の保護膜とし
ては全く耐久性がなく、シかも膜の均一性の問題などが
多いことが実験により見出された。種々実験の結果、有
機物を含むカスを用いａ−３ｉ膜を形成する方法と基本
的には同じプラズマＯＶＤ法によ・フて親油性のプラズ
マ重合膜を形成するのが最も良し１こと力量判明した。
このプラズマ重合、膜の形成法とは次のようなものであ
る。ａ −Ｓｉ膜が形成された基板を真空装置内に装填
し、そこにＨ２ガスなどで希釈された有機モノマー（単
社体）を含むガスを導入し、高周波などの電力によって
この有機モノマーをり°ロー放電（プラズマ）によって
分解させて重合膜を形成するのである。
る。ａ −Ｓｉ膜が形成された基板を真空装置内に装填
し、そこにＨ２ガスなどで希釈された有機モノマー（単
社体）を含むガスを導入し、高周波などの電力によって
この有機モノマーをり°ロー放電（プラズマ）によって
分解させて重合膜を形成するのである。
親油性（撥水性）のプラズマ重合膜を形成するのに用い
る有機モノマーとしては夫きく分をするとシリコン系及
びフルオロカーボン系がある。シリコン系モノマーとし
ては、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラ
ザン、ビニルシト９メトキシシラン、テトラメチルシラ
ンなど力（あり、これらの誘導体でも良い。また、フル
オロカーボン系モノマーとしては、四弗化炭素、ジフル
オロエチレン、ヘキサフルオロエタン、フルオルメタン
、トリフルオロエタンなどがあり、これらの誘導体でも
良い。
る有機モノマーとしては夫きく分をするとシリコン系及
びフルオロカーボン系がある。シリコン系モノマーとし
ては、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラ
ザン、ビニルシト９メトキシシラン、テトラメチルシラ
ンなど力（あり、これらの誘導体でも良い。また、フル
オロカーボン系モノマーとしては、四弗化炭素、ジフル
オロエチレン、ヘキサフルオロエタン、フルオルメタン
、トリフルオロエタンなどがあり、これらの誘導体でも
良い。
本発明により形成される有機プラズマ重合膜は、実験に
よれば１００＾・以上の膜厚で完全に均一な膜となり、
また親油性（撥水性）の特性も１００λ以上であれば充
分に効果を発揮することが判った。従って、ａ−８ｉ悪
感光の機能性から考えると、重合膜の膜厚は１００１以
上必要であり、好ましくは１０μｍ以下である。
よれば１００＾・以上の膜厚で完全に均一な膜となり、
また親油性（撥水性）の特性も１００λ以上であれば充
分に効果を発揮することが判った。従って、ａ−８ｉ悪
感光の機能性から考えると、重合膜の膜厚は１００１以
上必要であり、好ましくは１０μｍ以下である。
上記のようにして形成されたプラズマ重合膜は通常の有
機重合膜とは物理的性質が全く異なり、その構造も緻密
な高分子などが複雑に鎖交した分子構造であり非常に硬
い。そして耐熱性も高＜３００℃以上あり耐薬品性も極
めて浸れているといった感光体の保護膜としても非常に
好都合なのである。
機重合膜とは物理的性質が全く異なり、その構造も緻密
な高分子などが複雑に鎖交した分子構造であり非常に硬
い。そして耐熱性も高＜３００℃以上あり耐薬品性も極
めて浸れているといった感光体の保護膜としても非常に
好都合なのである。
以上説明したように、本発明の電子写真用感光体の表面
に親油性のプラズマ重合膜を形成することによって湿気
に対して強く、同時に空気中の水分の吸着及びこの水分
に混在する塵や不純物の付着が少なくなるので、これら
が原因となる画質低下も生ぜず良質画像が長期間に亘っ
て保持できる。
に親油性のプラズマ重合膜を形成することによって湿気
に対して強く、同時に空気中の水分の吸着及びこの水分
に混在する塵や不純物の付着が少なくなるので、これら
が原因となる画質低下も生ぜず良質画像が長期間に亘っ
て保持できる。
また、電子写真用感光体は、通常の現像方式ではコロナ
放電にさらされるが、この放電によって生じる種々の親
水性の化合物の感光本表面への吸着も親油性プラズマ重
合膜により防止できる。よって感光体の劣化及びそれに
伴なう画質低下も生じない。また、このプラズマ重合膜
は前述した静電トナーともなじみが良く、摩擦係数も小
さく感光紙もすべり易いので良質画像が長期間保持され
ることかできる。
放電にさらされるが、この放電によって生じる種々の親
水性の化合物の感光本表面への吸着も親油性プラズマ重
合膜により防止できる。よって感光体の劣化及びそれに
伴なう画質低下も生じない。また、このプラズマ重合膜
は前述した静電トナーともなじみが良く、摩擦係数も小
さく感光紙もすべり易いので良質画像が長期間保持され
ることかできる。
さらに、プラズマ重合膜を上述した４機モノマーを用い
て形成すれば、基板温度が１００℃以下といった低温で
形成可能であり、しかもａ−Ｅｉｉ膜或いは絶縁膜形成
法と同じプラズマＯＶＤ法で形成でさる。従って、真空
装置内でガスの種類を切り換えるだＤｊで、ａ−８ｉ膜
、Ｓ１Ｏ，（或いは５５Ｎ４）膜、プラズマ重合膜を連
続的に成膜できるため、製造工程が極めて簡単化でき、
しかも感光層表面を大気にさらすこともないのでその特
質にも悪影響を及ぼすことなく製造することがでとるの
である。
て形成すれば、基板温度が１００℃以下といった低温で
形成可能であり、しかもａ−Ｅｉｉ膜或いは絶縁膜形成
法と同じプラズマＯＶＤ法で形成でさる。従って、真空
装置内でガスの種類を切り換えるだＤｊで、ａ−８ｉ膜
、Ｓ１Ｏ，（或いは５５Ｎ４）膜、プラズマ重合膜を連
続的に成膜できるため、製造工程が極めて簡単化でき、
しかも感光層表面を大気にさらすこともないのでその特
質にも悪影響を及ぼすことなく製造することがでとるの
である。
本発明をａ−Ｓｉ感光膜を用いた電子写真用感光体を実
施例として説明してきたが、セレンなどを用いた従来の
電子写真用感光体に対しても同様の効果を発揮しうるこ
とはいうまでもない。
施例として説明してきたが、セレンなどを用いた従来の
電子写真用感光体に対しても同様の効果を発揮しうるこ
とはいうまでもない。
第１図は従来の電子写真用ａ−６ｉ感光体の断面図。
第２図は有機プラズマ重合膜を表面に有する本発明に係
るａ＝Ｓｉ感光体の断面図であり、（ａ）及び（ｂ）は
それぞれ絶縁層を有しない場合とこれを有する場合の実
施例を示す。 １・・・導電性支持体： ２・・・ａ−３ｉ悪感光；６
・・・絶縁層； ４・・・プラズマ重合膜。 特許出願人 ： スタンレー電気株式会社代理人：弁理
士海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 憾１１Σ 第２１ 手続補正書（自発） 昭和６０年５月２日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 特願昭５９−７６６９１号２、発明の
名称 電子写真用感光体 ４、復 代 理 人 〒１０５東京都港メ新橋５の１９
５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙添付の通り訂正する。 （２） 明細書第６頁４〜５行目、同頁１６行目。 同頁２０行目、第７真１５行目、第８頁８行目の「親油
性（撥水性）」を夫々「撥水性ｊに訂正する。 （３） 明細書筒６頁５行目の「プラズマＣＶＤ」を「
プラズマ重合法ｊに訂正する。 （４） 明細書筒７頁５行目及び第９頁１７行目の「プ
ラズマＣＶＤ法」を夫々「プラズマ重合法ｊに訂正する
。 （５）明細書７頁５行目、第８頁２０行目、第９頁８行
目の「親油性」を夫々「（Ω水性１に訂正する。 （６） 明細書筒７頁１０行目のｒＨ２ガス」を’ Ａ
ｒ ＋ Ｎｗ ＋ Ｏｚ ＋ ＨｚガスＪに訂正する。 特許請求の範囲 （１） 有機モノマーを用いプラズマ重合法によって得
られたｍの重合膜が表面に形成されていることを特徴と
する電子写真用感光体。 （２） 前記有機モノマーがシリコン系有機モノマーで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
写真用感光体。 （３） 前記有機モノマーがフルオロカーボン系有機モ
ノマーであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真用感光体。
るａ＝Ｓｉ感光体の断面図であり、（ａ）及び（ｂ）は
それぞれ絶縁層を有しない場合とこれを有する場合の実
施例を示す。 １・・・導電性支持体： ２・・・ａ−３ｉ悪感光；６
・・・絶縁層； ４・・・プラズマ重合膜。 特許出願人 ： スタンレー電気株式会社代理人：弁理
士海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 憾１１Σ 第２１ 手続補正書（自発） 昭和６０年５月２日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 特願昭５９−７６６９１号２、発明の
名称 電子写真用感光体 ４、復 代 理 人 〒１０５東京都港メ新橋５の１９
５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙添付の通り訂正する。 （２） 明細書第６頁４〜５行目、同頁１６行目。 同頁２０行目、第７真１５行目、第８頁８行目の「親油
性（撥水性）」を夫々「撥水性ｊに訂正する。 （３） 明細書筒６頁５行目の「プラズマＣＶＤ」を「
プラズマ重合法ｊに訂正する。 （４） 明細書筒７頁５行目及び第９頁１７行目の「プ
ラズマＣＶＤ法」を夫々「プラズマ重合法ｊに訂正する
。 （５）明細書７頁５行目、第８頁２０行目、第９頁８行
目の「親油性」を夫々「（Ω水性１に訂正する。 （６） 明細書筒７頁１０行目のｒＨ２ガス」を’ Ａ
ｒ ＋ Ｎｗ ＋ Ｏｚ ＋ ＨｚガスＪに訂正する。 特許請求の範囲 （１） 有機モノマーを用いプラズマ重合法によって得
られたｍの重合膜が表面に形成されていることを特徴と
する電子写真用感光体。 （２） 前記有機モノマーがシリコン系有機モノマーで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
写真用感光体。 （３） 前記有機モノマーがフルオロカーボン系有機モ
ノマーであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真用感光体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 有機モノマーを用いプラズマＯ’ＶＤによって
得られた親油性の重合膜が表面に形成されていることを
特徴とする電子写真用感光体。 ＋２１ 前記有機モノマーがシリコン系有機モノマーで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
写真用感光体。 （３） Ｆ［有機モノマーがフルオロカーボン系有機モ
ノマーであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7669184A JPS60221766A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7669184A JPS60221766A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221766A true JPS60221766A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13612490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7669184A Pending JPS60221766A (ja) | 1984-04-18 | 1984-04-18 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221766A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266567A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Minolta Camera Co Ltd | 保護膜成造方法 |
| JPS638748A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-14 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 多層型無定形ケイ素像形成部材 |
| JPS63305365A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01191857A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068337A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 | ||
| JPS51120731A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-22 | Toshiba Corp | Electronic photographing sensitive material |
| JPS53120527A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-21 | Toshiba Corp | Forming method of positive type radiation sensitive material layer |
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS543534A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Canon Inc | Image bearing material |
| JPS54143645A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58182641A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用光導電体 |
| JPS59214859A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-18 JP JP7669184A patent/JPS60221766A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5068337A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 | ||
| JPS51120731A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-22 | Toshiba Corp | Electronic photographing sensitive material |
| JPS53120527A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-21 | Toshiba Corp | Forming method of positive type radiation sensitive material layer |
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS543534A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Canon Inc | Image bearing material |
| JPS54143645A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5860747A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS5888753A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS58182641A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用光導電体 |
| JPS59214859A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266567A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Minolta Camera Co Ltd | 保護膜成造方法 |
| JPS638748A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-14 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | 多層型無定形ケイ素像形成部材 |
| JPS63305365A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01191857A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-01 | Stanley Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0812434B2 (ja) | 湿気非感受性感光性像形成部材 | |
| JPS6061761A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59223439A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59223444A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60221766A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US5268247A (en) | Electrophotographic copying machine and electrophotographic member therefor and method of forming an electrophotographic member | |
| JPS59184360A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH07120953A (ja) | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成方法 | |
| JP2508654B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS63132251A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| JP4593797B2 (ja) | 感光体の製法 | |
| JP2000330315A (ja) | 正帯電型電子写真感光体及びその製造方法 | |
| JP4160687B2 (ja) | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 | |
| JP4313476B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS63305365A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS63191152A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真法 | |
| JPS62204266A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| US6300028B1 (en) | Environmentally stable amorphous silicon photoreceptor and method for making same | |
| JPH0371146A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH021302B2 (ja) | ||
| JPS62175776A (ja) | 電子写真方法 | |
| JP2001066815A (ja) | 感光体およびその製法ならびにこの感光体を搭載した画像形成装置 | |
| JP2599642C (ja) | ||
| JPS60112047A (ja) | 光導電部材 |