JPS60219778A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS60219778A JPS60219778A JP59075942A JP7594284A JPS60219778A JP S60219778 A JPS60219778 A JP S60219778A JP 59075942 A JP59075942 A JP 59075942A JP 7594284 A JP7594284 A JP 7594284A JP S60219778 A JPS60219778 A JP S60219778A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- amplifier
- low
- impedance
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はリモートコン）ａ−ル等で用いられる半導体受
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
（従来技術）
現在、民生機器などで多量に使用されている光を通信媒
体として用いたリモートコントロール装置は第１図に示
すように、受光素子としてビンホトダイオード１を用い
、受信用プリアンプ２、受信機もしくはコントローラ３
は各々別のプロ、りに分かれ、それぞれは別々の部品で
構成されているのが通常である。ところで、受光用ビン
ホトダイオード１の出力を次段の受信用プリアンプ２に
接続する場合、受信用プリアンプ２が高入力インピーダ
ンス（１００に〜程度）でないと出力レベルの低下をお
こすなどの不具合がア夛、ビンホトダイオード１は高出
力インピーダンスのプリアンプ２等にしか接続できない
と言う制約があった。
体として用いたリモートコントロール装置は第１図に示
すように、受光素子としてビンホトダイオード１を用い
、受信用プリアンプ２、受信機もしくはコントローラ３
は各々別のプロ、りに分かれ、それぞれは別々の部品で
構成されているのが通常である。ところで、受光用ビン
ホトダイオード１の出力を次段の受信用プリアンプ２に
接続する場合、受信用プリアンプ２が高入力インピーダ
ンス（１００に〜程度）でないと出力レベルの低下をお
こすなどの不具合がア夛、ビンホトダイオード１は高出
力インピーダンスのプリアンプ２等にしか接続できない
と言う制約があった。
（発明の目的）
本発明の目的は、受光用ホトダイオード、特にビンホト
ダイオードの出力側に接続されるプリアンプや、受信機
、コントローラ岬に制約を与えないようなビンホトダイ
オード等の半導体受光装置を提供することＫある。
ダイオードの出力側に接続されるプリアンプや、受信機
、コントローラ岬に制約を与えないようなビンホトダイ
オード等の半導体受光装置を提供することＫある。
（発明の構成）
本発明によれば、ホトダイオードとこのホトダイオード
の出力を増幅する低出力インピーダンスの増幅器とを単
一の半導体チップ上に形成した半導体受光装置を得る。
の出力を増幅する低出力インピーダンスの増幅器とを単
一の半導体チップ上に形成した半導体受光装置を得る。
（実施例）
次Ｋ、本発明を図面を参照してよシ詳細に説明する。
第２図に本発明の一実施例を示−す。ピンホトダイオー
ドＩＫバ、ファアンブ４を附加し、これらを単一の半導
体チ、ブに形成している。このバッファアンプ４は出力
インピーダンスを低く設定している。例えばエミッター
フロア出力などＫすれば、低出力インピーダンスとなる
ばかりか、バ。
ドＩＫバ、ファアンブ４を附加し、これらを単一の半導
体チ、ブに形成している。このバッファアンプ４は出力
インピーダンスを低く設定している。例えばエミッター
フロア出力などＫすれば、低出力インピーダンスとなる
ばかりか、バ。
ファアンブ４に増幅度をもたせることができ、この場合
には第１図に示した受信用プリアンプ２の省略などもで
きる。また、出力インピーダンスが低いので、バッファ
アンプ４の出力を受けるプリアンプ２ｔｌｌの入力イン
ピーダンスは高いものに限られることがなく、応用範囲
が広がることは明白である。
には第１図に示した受信用プリアンプ２の省略などもで
きる。また、出力インピーダンスが低いので、バッファ
アンプ４の出力を受けるプリアンプ２ｔｌｌの入力イン
ピーダンスは高いものに限られることがなく、応用範囲
が広がることは明白である。
ビンホトダイオード１にバッファアンプ４を附加する方
法としては色々な方法が考えられるが、これらを単一の
半導体チップに形成することは現在の半導体技術力から
して容易に達成でき、使用する場合にも単体のビンホト
ダイオードと同様に扱えるので便利である。
法としては色々な方法が考えられるが、これらを単一の
半導体チップに形成することは現在の半導体技術力から
して容易に達成でき、使用する場合にも単体のビンホト
ダイオードと同様に扱えるので便利である。
又、本考案の半導体受光装置はビンホトダイオードの出
力にデジタル信号の判別できる回路などを接続する場合
にも有効である。
力にデジタル信号の判別できる回路などを接続する場合
にも有効である。
第１図はリモコン受信部の従来タイプのブロック図であ
り、第２図は本発明の一実施例の回路を示す回路図であ
る。１・・・・・・受信用ビンホトダイオード、２・・
・・・・受信用プリアンプ、３・・・・・・受信機（コ
ントローラ）、４・・・・・・バッファアンプ。
り、第２図は本発明の一実施例の回路を示す回路図であ
る。１・・・・・・受信用ビンホトダイオード、２・・
・・・・受信用プリアンプ、３・・・・・・受信機（コ
ントローラ）、４・・・・・・バッファアンプ。
Claims (1)
- ホトダイオードと、該ホトダイオードの出力を受ける増
幅器とを同一半導体チップ上に一体化せしめたことを特
徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075942A JPS60219778A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59075942A JPS60219778A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219778A true JPS60219778A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13590787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59075942A Pending JPS60219778A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219778A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239028A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 色温度検出装置 |
| EP0421404A2 (en) * | 1989-10-05 | 1991-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US5164800A (en) * | 1990-08-30 | 1992-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP59075942A patent/JPS60219778A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239028A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 色温度検出装置 |
| EP0421404A2 (en) * | 1989-10-05 | 1991-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US5164800A (en) * | 1990-08-30 | 1992-11-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
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