JPS60201228A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPS60201228A JPS60201228A JP5877084A JP5877084A JPS60201228A JP S60201228 A JPS60201228 A JP S60201228A JP 5877084 A JP5877084 A JP 5877084A JP 5877084 A JP5877084 A JP 5877084A JP S60201228 A JPS60201228 A JP S60201228A
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- JP
- Japan
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- pressure receiving
- pressure
- receiving diaphragm
- diaphragm
- semiconductor substrate
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の属する技術分野〉
本発明は、半導体のピエゾ抵抗効果を利用し九圧力セン
サに関するものである。
サに関するものである。
ンサは、例えばシリコンからなる単結晶半導体基板に工
、チングで受圧ダイヤフラムを形成し、かつ受圧ダイヤ
フラム上に拡散技術等によりゲージ抵抗を設け、受圧ダ
イヤフラムの両面Ｋかかる圧力差に基づく応力をゲージ
抵抗に作用させ、ゲージ抵抗の抵抗値の変化から圧力差
を検出するものである。通常は、受圧ダイヤフラム上に
２個もしくは４個のゲージ抵抗を設け、ハーフブリッジ
あるいはフルブリッジを構成し、ダイヤフラムにかかる
圧力差を表わす信号を得ている。ところで、この種の圧
力センサにおいては、ゲージ抵抗の温度依存性が大きい
ため、周囲温度の変化による影響を受け、出力が変動す
る欠点がある。
、チングで受圧ダイヤフラムを形成し、かつ受圧ダイヤ
フラム上に拡散技術等によりゲージ抵抗を設け、受圧ダ
イヤフラムの両面Ｋかかる圧力差に基づく応力をゲージ
抵抗に作用させ、ゲージ抵抗の抵抗値の変化から圧力差
を検出するものである。通常は、受圧ダイヤフラム上に
２個もしくは４個のゲージ抵抗を設け、ハーフブリッジ
あるいはフルブリッジを構成し、ダイヤフラムにかかる
圧力差を表わす信号を得ている。ところで、この種の圧
力センサにおいては、ゲージ抵抗の温度依存性が大きい
ため、周囲温度の変化による影響を受け、出力が変動す
る欠点がある。
よって一般には、サーミスタ、ポジスタ、トランジスタ
等の感温素子を用い、温度変化に応じてブリッジの電源
電圧を制御することによって、出力変動の補償を行って
いる。この方法で精度よく補償を行うには、ゲージ抵抗
の温度特性と補償用抵抗の温度特性および補償用感温素
子の温度特性をいちいち測定して行わなければならない
等、圧力センサの全組立工数の半分近くを占めている。
等の感温素子を用い、温度変化に応じてブリッジの電源
電圧を制御することによって、出力変動の補償を行って
いる。この方法で精度よく補償を行うには、ゲージ抵抗
の温度特性と補償用抵抗の温度特性および補償用感温素
子の温度特性をいちいち測定して行わなければならない
等、圧力センサの全組立工数の半分近くを占めている。
〈発明の目的〉
本発明は、周囲温度の変化による影響を有効に補償でき
る構造の圧力センサを実現するＫある。
る構造の圧力センサを実現するＫある。
〈発明の構成〉
本発明は、単結晶半導体基板に受圧ダイヤスラムととも
に、その中心に棒状の突起体を形成し、この突起体によ
シ受圧ダイヤフラムにあらかじめ一定変位を与えて単結
晶半導体基板を基台に固定するとともに１受圧ダイヤフ
ラムに少なくとも２個のゲージ抵抗を設け、かつ単結晶
半導体基板の固定部にもゲージ抵抗を設けて、これらゲ
ージ抵抗の抵抗値に基づいて受圧ダイヤフラムに作用す
る被測定圧を算出することを特徴とするものである。
に、その中心に棒状の突起体を形成し、この突起体によ
シ受圧ダイヤフラムにあらかじめ一定変位を与えて単結
晶半導体基板を基台に固定するとともに１受圧ダイヤフ
ラムに少なくとも２個のゲージ抵抗を設け、かつ単結晶
半導体基板の固定部にもゲージ抵抗を設けて、これらゲ
ージ抵抗の抵抗値に基づいて受圧ダイヤフラムに作用す
る被測定圧を算出することを特徴とするものである。
〈実施例〉
第１図は本発明圧力センナの一実施例を示す斜視図、第
２図社その断面図である。両図において、１０は面方位
が（１００）のシリコン等の単結晶半導体基板、１１は
基板１０に等方性エツチングで形成された円形の受圧ダ
イヤフラム、１２は受圧ダイヤフラム１１の中心に形成
された棒状の突起体、１３は基板１０の固定部である。
２図社その断面図である。両図において、１０は面方位
が（１００）のシリコン等の単結晶半導体基板、１１は
基板１０に等方性エツチングで形成された円形の受圧ダ
イヤフラム、１２は受圧ダイヤフラム１１の中心に形成
された棒状の突起体、１３は基板１０の固定部である。
そして第６図に示すように突起体１２と固定部１５との
間にはわずかな初期段差δ（例えばａｏｏｏＸ）が設け
られている。２１．２２゜２３は各々拡散抵抗等のゲー
ジ抵抗で、２１．２２は受圧ダイヤフラム１１の表面に
その長手方向（電流方向）が直交し、かつ近接して形成
されてお９．２５は固定部１３の表面に形成されている
。３０はシリコンあるいはガラス等の基台で、単結晶半
導体基板１０の固定部１３の裏面および突起体１２の先
端が陽極接合あるいは低融点ガラス接合などにより固定
されている。この基板１０と基台３０の接合により、初
期段差に基づく突起体１２の作用で、受圧ダイヤフラム
１１の中心部に一足変位δがあらかじめ与えられる。こ
れにより受圧ダイヤフラム１１の中心に与えられる力Ｆ
は、受圧ダイヤフラム１１の直径２ａと、突起体１２の
直径２ｂとが、２ｂ（２ａの関係にあるので次式で表わ
される。
間にはわずかな初期段差δ（例えばａｏｏｏＸ）が設け
られている。２１．２２゜２３は各々拡散抵抗等のゲー
ジ抵抗で、２１．２２は受圧ダイヤフラム１１の表面に
その長手方向（電流方向）が直交し、かつ近接して形成
されてお９．２５は固定部１３の表面に形成されている
。３０はシリコンあるいはガラス等の基台で、単結晶半
導体基板１０の固定部１３の裏面および突起体１２の先
端が陽極接合あるいは低融点ガラス接合などにより固定
されている。この基板１０と基台３０の接合により、初
期段差に基づく突起体１２の作用で、受圧ダイヤフラム
１１の中心部に一足変位δがあらかじめ与えられる。こ
れにより受圧ダイヤフラム１１の中心に与えられる力Ｆ
は、受圧ダイヤフラム１１の直径２ａと、突起体１２の
直径２ｂとが、２ｂ（２ａの関係にあるので次式で表わ
される。
ここで、シ：ボアソン比
Ｅ：ヤング率
ｈ：受圧ダイヤフラム１１の厚さ
そして、受圧ダイヤフラム１１の面上には、この方ＦＫ
対応した半径方向応力σｒＲと円周方向応力σθ□が発
生している。この応力σｒＲ＋σθ、の温度係数は、主
にヤング率Ｅの温度係数で決まり、基板１０がシリコン
の場合その、値は約４３ Ｘ １０−６／ ℃と充分に
小さく、σｒＲ＋ σθＲは周囲温度の変化の影響を受
けない基準応力として用いることができる。
対応した半径方向応力σｒＲと円周方向応力σθ□が発
生している。この応力σｒＲ＋σθ、の温度係数は、主
にヤング率Ｅの温度係数で決まり、基板１０がシリコン
の場合その、値は約４３ Ｘ １０−６／ ℃と充分に
小さく、σｒＲ＋ σθＲは周囲温度の変化の影響を受
けない基準応力として用いることができる。
なお突起体１２の先端は基台３ｏに接合しなくてもよい
Ｏ また基台３０には受圧ダイヤフラム１１の裏面に基準圧
Ｐ。（例えば大気圧）を与えるための開口３１が設けら
れている。これにょシ受圧ダイヤフラム１１は、その表
面に加わる被測定圧ＰＭ（基準圧Ｐ。がらの差）に感応
する。そして受圧ダイヤフラム１１の面上忙は、この被
測定圧２ＭＩＣ対応した半径方向応力σｒＭと円周方向
応力σ６Ｍが作用する。また基板１０の固定部１３の面
上には、一定変位δによるカＦや被測定圧ＰＭＫｊる応
力が作用しない。
Ｏ また基台３０には受圧ダイヤフラム１１の裏面に基準圧
Ｐ。（例えば大気圧）を与えるための開口３１が設けら
れている。これにょシ受圧ダイヤフラム１１は、その表
面に加わる被測定圧ＰＭ（基準圧Ｐ。がらの差）に感応
する。そして受圧ダイヤフラム１１の面上忙は、この被
測定圧２ＭＩＣ対応した半径方向応力σｒＭと円周方向
応力σ６Ｍが作用する。また基板１０の固定部１３の面
上には、一定変位δによるカＦや被測定圧ＰＭＫｊる応
力が作用しない。
このように構成した本発明圧力センサにおいて、ます受
圧ダイヤフラム１１に設けたゲージ抵抗２１゜２２には
、一定変位δに基づくσｒＲ’ σθ８と被測定圧ＰＭ
に基づく応力σｒＭ’ σθヤが作用する。ゲージ抵抗
係数をπ□。、π、。、ピエゾ抵抗ａ、ｄ準温度ｔ。か
らの温度変化をｔ、受圧ダイヤフラム１１の構造やゲー
ジ抵抗２１．２２の配置等で決まる定数をに１．、 ｋ
２． ｋｓ、 ｋ４とすると、それぞれ次式で表わされ
る。
圧ダイヤフラム１１に設けたゲージ抵抗２１゜２２には
、一定変位δに基づくσｒＲ’ σθ８と被測定圧ＰＭ
に基づく応力σｒＭ’ σθヤが作用する。ゲージ抵抗
係数をπ□。、π、。、ピエゾ抵抗ａ、ｄ準温度ｔ。か
らの温度変化をｔ、受圧ダイヤフラム１１の構造やゲー
ジ抵抗２１．２２の配置等で決まる定数をに１．、 ｋ
２． ｋｓ、 ｋ４とすると、それぞれ次式で表わされ
る。
”Ｍ１＝”０（１＋αｔ）（１＋（ｋ１ＰＭ＋に、Ｆ）
（１＋βｔ）） （２）ＲＭ２＝Ｒｏ（１＋αｔ） （
１＋（ｋ２ＰＭ−ｔ−に４Ｆ） （１＋βｔ）） （３
）ここで％ ｋＩＰＭ：’ｔＯ’ｒＭ ” ”ｔＯ’θ
Ｍｋ ２ＰＭ ” ＩＣｔｏ（２０Ｍ ” ”ｔｏ’ｒ
Ｍｋ３ｒ＝πｔｏσｒＲ＋πｔＯσθＢ ｋ４Ｆ ＝πｔｏσθＲ＋πｔｏσｒＲ一方固定部１３
に設けたゲージ抵抗２ｓには、一定変位δに基づく応力
および被測定圧へに基づく応力が作用しないので、その
抵抗値Ｒ２は次式で与えられる。
（１＋βｔ）） （２）ＲＭ２＝Ｒｏ（１＋αｔ） （
１＋（ｋ２ＰＭ−ｔ−に４Ｆ） （１＋βｔ）） （３
）ここで％ ｋＩＰＭ：’ｔＯ’ｒＭ ” ”ｔＯ’θ
Ｍｋ ２ＰＭ ” ＩＣｔｏ（２０Ｍ ” ”ｔｏ’ｒ
Ｍｋ３ｒ＝πｔｏσｒＲ＋πｔＯσθＢ ｋ４Ｆ ＝πｔｏσθＲ＋πｔｏσｒＲ一方固定部１３
に設けたゲージ抵抗２ｓには、一定変位δに基づく応力
および被測定圧へに基づく応力が作用しないので、その
抵抗値Ｒ２は次式で与えられる。
Ｒ２＝” Ｒｏ （’＋αｔ ） 、（４）よってゲー
ジ抵抗２１．２２．２５の抵抗値ＲＭ、。
ジ抵抗２１．２２．２５の抵抗値ＲＭ、。
１Ｒ２、ｎｚＫ基づいて次式の演算を行えば、となシ、
温度係数αとβの項を有効に除去できる。
温度係数αとβの項を有効に除去できる。
すなわち、周囲温度の変化による影響を受けることなく
、高精度に被測定圧〜章表わす信号を得ることができる
。しかも恒温槽の使用によるゲージ抵抗の温度特性の測
定が不要となシ、単に基準応力のチェ、りのみでよいた
め、圧力センサの組立工数の削減もできる。
、高精度に被測定圧〜章表わす信号を得ることができる
。しかも恒温槽の使用によるゲージ抵抗の温度特性の測
定が不要となシ、単に基準応力のチェ、りのみでよいた
め、圧力センサの組立工数の削減もできる。
また、単結晶半導体基板１０と基台３０との接合で生ず
る残留応力などの外乱力については、通常基板１０の厚
さや接合幅を大きくしてその影響を小さくしている。さ
もに外乱力による応力がゲージ抵抗２１．２２． ２３
に作用しても、この外乱力による応その影響は（５）式
の演算を行うことによって打ち消すことができる。
る残留応力などの外乱力については、通常基板１０の厚
さや接合幅を大きくしてその影響を小さくしている。さ
もに外乱力による応力がゲージ抵抗２１．２２． ２３
に作用しても、この外乱力による応その影響は（５）式
の演算を行うことによって打ち消すことができる。
第４図は本発明圧力センサに用いる信号処理回路の一例
を示す接続図である。第４図の信号処理回路４０におい
て、４１ 、 ４１ｂ、４１ｅは各々センサアンプで、
センナアンプ４１ の帰還回路にゲージ抵抗２１が、セ
ンサアンプ４１．の帰還回路にゲージで、その出力ＥＣ
が抵抗値の等しい抵抗４３．、 ４３ｂ。
を示す接続図である。第４図の信号処理回路４０におい
て、４１ 、 ４１ｂ、４１ｅは各々センサアンプで、
センナアンプ４１ の帰還回路にゲージ抵抗２１が、セ
ンサアンプ４１．の帰還回路にゲージで、その出力ＥＣ
が抵抗値の等しい抵抗４３．、 ４３ｂ。
４３ をそれぞれ介してセンサアンプ４１ 、 ４１．
。
。
４１゜の入力に加えられている。４４． 、 ４４．は
各々減算回路で、４４．はセンサアンプ４１．の出力”
Ｍｌとセンサアンプ４１゜の出力Ｅｚの差（ＦＸＭｌ
””Ｚ）を、４４、酸センサアンプ４１．の出力ＥＭ２
とセンサアンプ４１ｃの出力Ｅ２の差（”Ｒ２−ＥＺ）
をそれぞれ演算する。４５． 、 ４５． 、 ４５ｃ
、４５．は各々係数回路で、４５、は減算回路４４．の
出力（８Ｒ２−Ｅｚ） Ｋ係数Ｋ。
各々減算回路で、４４．はセンサアンプ４１．の出力”
Ｍｌとセンサアンプ４１゜の出力Ｅｚの差（ＦＸＭｌ
””Ｚ）を、４４、酸センサアンプ４１．の出力ＥＭ２
とセンサアンプ４１ｃの出力Ｅ２の差（”Ｒ２−ＥＺ）
をそれぞれ演算する。４５． 、 ４５． 、 ４５ｃ
、４５．は各々係数回路で、４５、は減算回路４４．の
出力（８Ｒ２−Ｅｚ） Ｋ係数Ｋ。
を乗じ、４５．は減算回路４４１の出力（ｚ、 −１２
）に係数に２を乗じ、４５ｃは減算回路４４．の出力（
８Ｒ２−Ｅｚ）Ｋ係数に３を乗じ、４５．杜減算回路４
４１の出力（”Ｍｌ −ＥＺ）に係数に４を乗する。４
６． 、 ４６．は各各派算回路で、４６．は係数回路
４５．の出力に１（８Ｒ２−Ｒ２）と係数回路４５．の
出力に２（Ｂ、、 −Ｒ２）との差を演算して、誤差増
幅器４２０入力端子（−）に加える。
）に係数に２を乗じ、４５ｃは減算回路４４．の出力（
８Ｒ２−Ｅｚ）Ｋ係数に３を乗じ、４５．杜減算回路４
４１の出力（”Ｍｌ −ＥＺ）に係数に４を乗する。４
６． 、 ４６．は各各派算回路で、４６．は係数回路
４５．の出力に１（８Ｒ２−Ｒ２）と係数回路４５．の
出力に２（Ｂ、、 −Ｒ２）との差を演算して、誤差増
幅器４２０入力端子（−）に加える。
減算回路４６．は係数回路４５．の出力に４（へ１””
Ｚ）と係数回路４５ｅの出力に３ （８Ｒ２”’ ＥＺ
）との差を演算して、出力端子ＯＵＴに出力電圧Ｅ０と
して与える。
Ｚ）と係数回路４５ｅの出力に３ （８Ｒ２”’ ＥＺ
）との差を演算して、出力端子ＯＵＴに出力電圧Ｅ０と
して与える。
４７は基準電圧源で、一定電圧ＥＲを誤差増幅器４２０
入力端子←）Ｋ与える。
入力端子←）Ｋ与える。
このような構成の信号処理回路においては、抵抗４３＆
、４５ｂ、４３ｃの抵抗値を等しく選び、その値をＲｅ
とすると各センサアンプ４１．． ４１ｂ、４１゜の出
力”Ｍｌ ’ ”Ｒ２−”Ｚはそれぞれ次式で与えられ
（Ｋ、−２−ＫＩＥＺ −Ｒ２”Ｍｌ ” Ｒ２”Ｚ
）が基準電圧Ｈｎと等しくなるように１センサアンプ４
１ 、 ４１．．４１゜の入力電圧ＥＣを制御するので
、次式の関数が成立する。
、４５ｂ、４３ｃの抵抗値を等しく選び、その値をＲｅ
とすると各センサアンプ４１．． ４１ｂ、４１゜の出
力”Ｍｌ ’ ”Ｒ２−”Ｚはそれぞれ次式で与えられ
（Ｋ、−２−ＫＩＥＺ −Ｒ２”Ｍｌ ” Ｒ２”Ｚ
）が基準電圧Ｈｎと等しくなるように１センサアンプ４
１ 、 ４１．．４１゜の入力電圧ＥＣを制御するので
、次式の関数が成立する。
よって、減算回路４６ｂの出力端に得られる出力電圧Ｅ
０は、Ｋ、＝＝に１． Ｒ２−に２． ＫＳ＝に、、
Ｋ４＝に４に選ぶと、 となり、（５）式の演算を実行でき、周囲温度の変化の
影響を受けることなく、被測定圧ＰＭを表わす信号電圧
Ｅ０を得ることができる。なお信号処理回路としては、
各ゲージ抵抗２１．２２．２５に一定電流を流し、各ゲ
ージ抵抗の電圧降下をそれぞれ検出して、Ａ／Ｄ変換後
マイクロコンピュータで（６）弐に相当するディジタル
演算を行う等積々の構成のものを用いることができる。
０は、Ｋ、＝＝に１． Ｒ２−に２． ＫＳ＝に、、
Ｋ４＝に４に選ぶと、 となり、（５）式の演算を実行でき、周囲温度の変化の
影響を受けることなく、被測定圧ＰＭを表わす信号電圧
Ｅ０を得ることができる。なお信号処理回路としては、
各ゲージ抵抗２１．２２．２５に一定電流を流し、各ゲ
ージ抵抗の電圧降下をそれぞれ検出して、Ａ／Ｄ変換後
マイクロコンピュータで（６）弐に相当するディジタル
演算を行う等積々の構成のものを用いることができる。
さらに信号処理回路４０を単結晶半導体基板１０上に形
成すれば、８／Ｎ向上。
成すれば、８／Ｎ向上。
小形化を図ることができる。
なお上述では、単結晶半導体基板１０に等方性工、チン
グで円形の受圧ダイヤフラム１１を形成する場合を例示
したが、異方性エツチングにより矩形の受圧ダイヤフラ
ムを形成してもよい。この場合１アンダーカ、ト１を生
かして、棒状突起体１２の先端に第５図に示すように８
１０□の板１２ａを形成すると、突起体１２が曲がるこ
となく基台５０Ｖｃ接触できる。またゲージ抵抗２１．
２２として第６図に示すように一体的に形成したものを
用いればより特性を揃えることができ、補償精度を上は
得る。さらにゲージ抵抗２１と２２を被測定圧へに基づ
く応力が線動的に変化する受圧ダイヤフラム上の２点に
別別に設ける場合には、必らずしも直交させる必要はな
い。
グで円形の受圧ダイヤフラム１１を形成する場合を例示
したが、異方性エツチングにより矩形の受圧ダイヤフラ
ムを形成してもよい。この場合１アンダーカ、ト１を生
かして、棒状突起体１２の先端に第５図に示すように８
１０□の板１２ａを形成すると、突起体１２が曲がるこ
となく基台５０Ｖｃ接触できる。またゲージ抵抗２１．
２２として第６図に示すように一体的に形成したものを
用いればより特性を揃えることができ、補償精度を上は
得る。さらにゲージ抵抗２１と２２を被測定圧へに基づ
く応力が線動的に変化する受圧ダイヤフラム上の２点に
別別に設ける場合には、必らずしも直交させる必要はな
い。
〈発明の効果〉
本発明において社、周囲温度による影響を有効に除去で
きる圧力センナが得られる。
きる圧力センナが得られる。
第１図は本発明圧力センサの一実施例を示す斜視図、第
２図はその断面図、第３図は本発明圧力センサの要部の
断面図、第４図は本発明圧力センサに用いる信号処理回
路の一実施例を示す接続図、第５図は本発明圧力センサ
の他の実施例を示す断面図、第６図は本発明圧力センサ
に用いるゲージ抵抗の一例を示す平面図である。 １０・・・単結晶半導体基板、１１・・・受圧ダイヤフ
ラム、１２・・°突起体、１３・・・固定部、２１．２
２．２５・・・ゲージ抵抗、３０・・・基台、４０・・
・信号処理回路。
２図はその断面図、第３図は本発明圧力センサの要部の
断面図、第４図は本発明圧力センサに用いる信号処理回
路の一実施例を示す接続図、第５図は本発明圧力センサ
の他の実施例を示す断面図、第６図は本発明圧力センサ
に用いるゲージ抵抗の一例を示す平面図である。 １０・・・単結晶半導体基板、１１・・・受圧ダイヤフ
ラム、１２・・°突起体、１３・・・固定部、２１．２
２．２５・・・ゲージ抵抗、３０・・・基台、４０・・
・信号処理回路。
Claims (1)
- 単結晶半導体基板に受圧ダイヤフラムとともに、その中
心に棒状の突起体を形成し、この突起体により前記受圧
ダイヤフラムの中心にあらかじめ一定の変位を与えて前
記単結晶半導体基板を基台に固定するとともに１前記受
圧ダイヤフラムに少なくとも２個のゲージ抵抗を形成し
、かつ前記単結晶半導体基板の固定部にもゲージ抵抗を
形成して、これらゲージ抵抗の抵抗値に基づいて前記受
圧ダイヤフラムに作用する被測定圧を算出することを特
徴とする圧力センナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5877084A JPS60201228A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5877084A JPS60201228A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201228A true JPS60201228A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0542609B2 JPH0542609B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=13093779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5877084A Granted JPS60201228A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201228A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145327A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | Pressure transducer |
| JPS5737235A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-01 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor pressure-sensitive device |
| JPS5782730A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure sensor |
| JPS5826237A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5877084A patent/JPS60201228A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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| JPS5782730A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure sensor |
| JPS5826237A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542609B2 (ja) | 1993-06-29 |
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