JPS6019665B2 - 半導体装置用フレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用フレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS6019665B2 JPS6019665B2 JP13407879A JP13407879A JPS6019665B2 JP S6019665 B2 JPS6019665 B2 JP S6019665B2 JP 13407879 A JP13407879 A JP 13407879A JP 13407879 A JP13407879 A JP 13407879A JP S6019665 B2 JPS6019665 B2 JP S6019665B2
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- JP
- Japan
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- frame
- plating
- mask
- stripping
- semiconductor devices
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- Expired
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
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- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体フレームスポットメッキにおいてマス
クメッキしたものをスポットメッキ後剥離するのに剥離
液に圧力をかけノズルよりマスクメッキの付いたフレー
ムへ吹き付け高速剥離を行う半導体フレームの製造方法
に関するものである。
クメッキしたものをスポットメッキ後剥離するのに剥離
液に圧力をかけノズルよりマスクメッキの付いたフレー
ムへ吹き付け高速剥離を行う半導体フレームの製造方法
に関するものである。
この種のスポットメッキでは従来剥離液に浸潰し剥離す
る方法が用いられているが、剥離速度が遅い又自動化が
困難等の欠点があった。
る方法が用いられているが、剥離速度が遅い又自動化が
困難等の欠点があった。
そのためこの発明はその欠点を解決すべく開発したもの
である。すなわち、従来のこの種のマスクメッキ剥離法
状態を第１図に示してある。
である。すなわち、従来のこの種のマスクメッキ剥離法
状態を第１図に示してある。
第１図において、１はフレーム、２はマスクメッキ、３
はスポットメッキ、４は剥離層、５は剥離液である。フ
レーム１にマスクメッキ２およびスポットメッキ３をし
たものを剥離液５へ２〜３分間浸潰しマスクメッキ２の
剥離を行う訳である。この方法で剥離を行う場合フレー
ム１を剥離用捨臭へヒツカケる等し作業を行うため治具
付時間も長くかかっていた。この発明は従来におけるこ
のような欠点を解消するため剥離液に圧力をかけノズル
より吹き付剥離スピードを上げ又治具掛けについてはロ
ーラにて送る方式とした。以下この発明による半導体フ
レームマスクメッキ剥離法の一実施例につき第２図およ
び第３図を参照して詳細に説明する。第２図において、
１はフレーム、２はマスクメッキ、３はスポットメッキ
、４は剥離液槽、５は剥離液、６はフレーム送りローラ
、７は剥離液吹き付け用ノズル、８はポンプである。フ
レーム１へマスクメッキ２およびスポットメッキ３をし
たものをフレーム送りローラ６の上へのせ第２図の矢印
し方向へフレーム１をローラで送りながら剥離液５をポ
ンプ８で圧力をかけてノズル７より上、下から剥離液を
吹き付けることにより第３図に示すよようにフレーム１
とスポットメッキ３のみになるようフレーム表面のマス
クメッキ２を剥離する。なお、剥離液の圧力は、０．５
〜５ｋｇ／の程度でよい。以上詳述したように、この発
明による方法を導入した場合は剥離時間も２０〜３頂砂
間と短縮出来又フレームも送りローラへのせるだけのた
め俗臭を必要とせず水洗、剥離、乾燥の工程を自動化出
来こちらも時間短縮となった。
はスポットメッキ、４は剥離層、５は剥離液である。フ
レーム１にマスクメッキ２およびスポットメッキ３をし
たものを剥離液５へ２〜３分間浸潰しマスクメッキ２の
剥離を行う訳である。この方法で剥離を行う場合フレー
ム１を剥離用捨臭へヒツカケる等し作業を行うため治具
付時間も長くかかっていた。この発明は従来におけるこ
のような欠点を解消するため剥離液に圧力をかけノズル
より吹き付剥離スピードを上げ又治具掛けについてはロ
ーラにて送る方式とした。以下この発明による半導体フ
レームマスクメッキ剥離法の一実施例につき第２図およ
び第３図を参照して詳細に説明する。第２図において、
１はフレーム、２はマスクメッキ、３はスポットメッキ
、４は剥離液槽、５は剥離液、６はフレーム送りローラ
、７は剥離液吹き付け用ノズル、８はポンプである。フ
レーム１へマスクメッキ２およびスポットメッキ３をし
たものをフレーム送りローラ６の上へのせ第２図の矢印
し方向へフレーム１をローラで送りながら剥離液５をポ
ンプ８で圧力をかけてノズル７より上、下から剥離液を
吹き付けることにより第３図に示すよようにフレーム１
とスポットメッキ３のみになるようフレーム表面のマス
クメッキ２を剥離する。なお、剥離液の圧力は、０．５
〜５ｋｇ／の程度でよい。以上詳述したように、この発
明による方法を導入した場合は剥離時間も２０〜３頂砂
間と短縮出来又フレームも送りローラへのせるだけのた
め俗臭を必要とせず水洗、剥離、乾燥の工程を自動化出
来こちらも時間短縮となった。
第１図は従来のマスクメッキ剥離方法を示す図、第２図
はこの発明に係るマスクメッキ剥離方法を示す図、第３
図はマスクメッキ剥離を完了したフレームを示す図であ
る。 １・・・・・・半導体装置用フレーム、２・・・・・・
マスクメッキ、３・・・・・・スポットメッキ、４・・
・・・・剥離液を入れる糟、５・・・・・・剥離液、６
・・…・フレーム送りローラ、７…・・・剥離液吹付け
ノズル、８・・・・・・剥離液へ圧力をかけるポンプ。 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。第１図 第２図 第３図
はこの発明に係るマスクメッキ剥離方法を示す図、第３
図はマスクメッキ剥離を完了したフレームを示す図であ
る。 １・・・・・・半導体装置用フレーム、２・・・・・・
マスクメッキ、３・・・・・・スポットメッキ、４・・
・・・・剥離液を入れる糟、５・・・・・・剥離液、６
・・…・フレーム送りローラ、７…・・・剥離液吹付け
ノズル、８・・・・・・剥離液へ圧力をかけるポンプ。 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 半導体装置用フレームのスポツトメツキ製造方法に
おいて、フレームにマスクメツキをした後、このマスク
メツキを剥離する場合にノズルを用い、剥離液に圧力を
かけ吹き付けることによりマスクメツキを剥離すること
を特徴とする半導体装置用フレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13407879A JPS6019665B2 (ja) | 1979-10-16 | 1979-10-16 | 半導体装置用フレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13407879A JPS6019665B2 (ja) | 1979-10-16 | 1979-10-16 | 半導体装置用フレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5658252A JPS5658252A (en) | 1981-05-21 |
| JPS6019665B2 true JPS6019665B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=15119875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13407879A Expired JPS6019665B2 (ja) | 1979-10-16 | 1979-10-16 | 半導体装置用フレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019665B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITVI20110122A1 (it) | 2011-05-13 | 2012-11-14 | St Microelectronics Srl | Metodo e apparato per la fabbricazione di lead frames |
-
1979
- 1979-10-16 JP JP13407879A patent/JPS6019665B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5658252A (en) | 1981-05-21 |
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