JPS60194802A - 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ - Google Patents
集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タInfo
- Publication number
- JPS60194802A JPS60194802A JP5046284A JP5046284A JPS60194802A JP S60194802 A JPS60194802 A JP S60194802A JP 5046284 A JP5046284 A JP 5046284A JP 5046284 A JP5046284 A JP 5046284A JP S60194802 A JPS60194802 A JP S60194802A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- capacitor
- isolator
- lumped constant
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集中定数型のサーキユレータおよびアイソレ
ータの改良に関するものである。
ータの改良に関するものである。
従来の集中定数型アイソレータの中心導体周辺の構造を
第１図に示す。フェライトコア５及びシールド板６内に
、互いに電気的絶縁状態で中心導体４ａ、 ４ｂ、４ｃ
が配列されている。この中心導体には、それぞれ非可逆
性インダクタとの並列共振用コンデンサ５ａ、６ｂ、
５ｃ及び直列共振用として誘導性リアクタンス素子１ａ
、１ｂ’、１ｃとコンデンサ２ａ、２ｂ、２ｃさらには
、ダミー付加抵抗７が半田付あるいは溶接により接続さ
れている。
第１図に示す。フェライトコア５及びシールド板６内に
、互いに電気的絶縁状態で中心導体４ａ、 ４ｂ、４ｃ
が配列されている。この中心導体には、それぞれ非可逆
性インダクタとの並列共振用コンデンサ５ａ、６ｂ、
５ｃ及び直列共振用として誘導性リアクタンス素子１ａ
、１ｂ’、１ｃとコンデンサ２ａ、２ｂ、２ｃさらには
、ダミー付加抵抗７が半田付あるいは溶接により接続さ
れている。
また、この従来例の等価回路を第２図に示す。
上記した様に、従来の集中定数型アイソレータは、コン
デンサ゛の点数が多く、組立製作時に、多大の工数を要
し、各コンデンサを高精度に取付けることが難しく、更
に、調整には、熟練及び工数が必要であった。この欠点
は、従来の集中定数型サーキユレータについても同様で
あった。
デンサ゛の点数が多く、組立製作時に、多大の工数を要
し、各コンデンサを高精度に取付けることが難しく、更
に、調整には、熟練及び工数が必要であった。この欠点
は、従来の集中定数型サーキユレータについても同様で
あった。
本発明は、上記の欠点を解消し、組立製作及び調整を簡
素化したサーキュレータおよびアイソレータを得ること
を目的とするものである。
素化したサーキュレータおよびアイソレータを得ること
を目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成する為に、共振用コンデン
サを、セラミック基板の両面に電極を形成することによ
り、構成させるものである。例えば、Ｍを主成分とした
セラミック基板にＡｔあるいはＡｐ−Ｐｄを電極として
塗布あるいは印刷により形成し、非可逆性インダクタと
の並列共振用のコンデンサを一つの基板で構成し、また
、同様に他の一つの基板に直列素子の誘導性リアクタン
ス素子との直列共振用のコンデンサを構成させるもので
ある。
サを、セラミック基板の両面に電極を形成することによ
り、構成させるものである。例えば、Ｍを主成分とした
セラミック基板にＡｔあるいはＡｐ−Ｐｄを電極として
塗布あるいは印刷により形成し、非可逆性インダクタと
の並列共振用のコンデンサを一つの基板で構成し、また
、同様に他の一つの基板に直列素子の誘導性リアクタン
ス素子との直列共振用のコンデンサを構成させるもので
ある。
以下、実施例により詳細に説明する。
第６図は、杢発明に係る一実施例に関し、（イ）は、非
可逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを構成する
セラミック基板の平面図であり、（ロ）は、その下面図
であり、（ハ）は、誘導性リアクタンス素子との直列共
振用コンデンサを構成するセラミック基板の平面図であ
り、（ニ）は、その下面図である。
可逆性インダクタとの並列共振用コンデンサを構成する
セラミック基板の平面図であり、（ロ）は、その下面図
であり、（ハ）は、誘導性リアクタンス素子との直列共
振用コンデンサを構成するセラミック基板の平面図であ
り、（ニ）は、その下面図である。
図に示す様に、並列共振用セラミック基板９の両面には
、Ａ？、又は％−Ｐｄ を電極として印刷しである。そ
して、１ｉＥｉ１０ａと１０ｄとの間で第１図に示した
コンデンサ５ａを構成し、同様に電極１０ｂと１０ｄと
の間で第１図に示したコンデンサ５ｂ、及び電極１０ｃ
と１０ｄとの間で第１図に示したコンデンサ５Ｃを構成
するものである。また、酸化ルテニウムによりダミー負
荷抵抗７を構成し、このダミー負荷抵抗７は、スルーホ
ール１４により電極１０ｄに接続されている。また、電
極１５ａ、ｊ５ｂ、１５ｃ、１５ｄは、端子固定用であ
る。また、この並列共振用セラミック基板９の中央には
、配列された中心導体を保持するフェライトコアな覆う
、シールド板が挿入可能な孔１１ａが設けである。
、Ａ？、又は％−Ｐｄ を電極として印刷しである。そ
して、１ｉＥｉ１０ａと１０ｄとの間で第１図に示した
コンデンサ５ａを構成し、同様に電極１０ｂと１０ｄと
の間で第１図に示したコンデンサ５ｂ、及び電極１０ｃ
と１０ｄとの間で第１図に示したコンデンサ５Ｃを構成
するものである。また、酸化ルテニウムによりダミー負
荷抵抗７を構成し、このダミー負荷抵抗７は、スルーホ
ール１４により電極１０ｄに接続されている。また、電
極１５ａ、ｊ５ｂ、１５ｃ、１５ｄは、端子固定用であ
る。また、この並列共振用セラミック基板９の中央には
、配列された中心導体を保持するフェライトコアな覆う
、シールド板が挿入可能な孔１１ａが設けである。
また、直列共振用セラミック基板１５も同様ｆｃ。
両面に電極が印刷されている。そして、電極１０ｅと１
０ｈとの間で第１図に示したコンデンサ２ａ、電極１０
ｆと１０ｊとの間でコンデンサ２ｂ、電極１０ｙと１０
１との間でコンデンサ２Ｃを構成するものである。
０ｈとの間で第１図に示したコンデンサ２ａ、電極１０
ｆと１０ｊとの間でコンデンサ２ｂ、電極１０ｙと１０
１との間でコンデンサ２Ｃを構成するものである。
そして、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄは、端子取付
用の孔であり、中央には、配列された中心導体を保持す
るフェライトコアな覆うシールド板が挿入可能な孔１１
ｂが設けである。
用の孔であり、中央には、配列された中心導体を保持す
るフェライトコアな覆うシールド板が挿入可能な孔１１
ｂが設けである。
この第５図で示した並列共振用セラミック基板９及び直
列共振用セラミック基板１５を使用した本発明に係る一
実施例の集中定数型広帯域アイソレータのケース内の分
解斜視図を第４図に示す。また、第４図に示した本発明
に係る一実施例のＡ−Ａ断面図を第５図に示す。
列共振用セラミック基板１５を使用した本発明に係る一
実施例の集中定数型広帯域アイソレータのケース内の分
解斜視図を第４図に示す。また、第４図に示した本発明
に係る一実施例のＡ−Ａ断面図を第５図に示す。
こ、の実施例は、電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配
列された中心導体４ａ、４ｂ、４ｃの上下にフェライト
コア５を装荷し、更にその周囲をシールド板６で覆い、
これが並列共振用セラミツ り基板の孔１１ａに挿入さ
れている。この際、中心導体の非接地側片を電極１０ａ
、１０ｂ、１０ｃ 面上に位置させである。
列された中心導体４ａ、４ｂ、４ｃの上下にフェライト
コア５を装荷し、更にその周囲をシールド板６で覆い、
これが並列共振用セラミツ り基板の孔１１ａに挿入さ
れている。この際、中心導体の非接地側片を電極１０ａ
、１０ｂ、１０ｃ 面上に位置させである。
また、直列共振用セラミック基板１５は、端子取付用の
孔１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄに端子ａａ、ｓｂ、
ａｃ、ａｔｉを堆り付け、更ＣＣ電極１０ｅ、１０ｆ、
１０ｇと端子８ａ’、８ｂ、８ｃとの間に誘導性リアク
タンス１８ａ、１８ｂ、１８ｃを接続する。そして、こ
の両セラミック基板９，１５を重ね、各部の接続には、
クリーム状あるいはペースト状半田（融点１００〜２０
０℃）を用い、加熱処理を施す。また、ケース１７と電
極１０ｄとの接続、及びケース１７とシールド板６との
接続も同様に行う。また、シールド板６の上部には、永
久磁石１６を配置されている。
孔１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄに端子ａａ、ｓｂ、
ａｃ、ａｔｉを堆り付け、更ＣＣ電極１０ｅ、１０ｆ、
１０ｇと端子８ａ’、８ｂ、８ｃとの間に誘導性リアク
タンス１８ａ、１８ｂ、１８ｃを接続する。そして、こ
の両セラミック基板９，１５を重ね、各部の接続には、
クリーム状あるいはペースト状半田（融点１００〜２０
０℃）を用い、加熱処理を施す。また、ケース１７と電
極１０ｄとの接続、及びケース１７とシールド板６との
接続も同様に行う。また、シールド板６の上部には、永
久磁石１６を配置されている。
上記の様な構造のアイソレータ又はサーキユレータにお
いて、中心周数、帯域幅は、各セラミック基板に印刷す
る電極の形９面積の設定の仕方により調整することがで
きる。また、各方向の必要減衰量は、広帯域化の効果と
合せ、一定の直流磁界のもとで、誘導性リアクタンスの
インピーダンスを加減し、容易に満足できる。
いて、中心周数、帯域幅は、各セラミック基板に印刷す
る電極の形９面積の設定の仕方により調整することがで
きる。また、各方向の必要減衰量は、広帯域化の効果と
合せ、一定の直流磁界のもとで、誘導性リアクタンスの
インピーダンスを加減し、容易に満足できる。
なお、本発明は、集中定数型広帯域アイソレータを例に
説明したが、集中定数型広帯域サーキーレータについて
も同様の効果を得るものであり、また集中定数型狭帯域
アイソレータ及びサーキユレータにおいても同様の効果
を得ることができる。
説明したが、集中定数型広帯域サーキーレータについて
も同様の効果を得るものであり、また集中定数型狭帯域
アイソレータ及びサーキユレータにおいても同様の効果
を得ることができる。
以上詳記した如く、本発明によるアイソレータ及びサー
キーレータは、従来中心導体に数多く接続されていたコ
ンデンサをすべてセラミック基板で構成することにより
１、組立製作の工数及び組立精度の大幅な改善を得るこ
とができ、また、このことにより、調整も一定の直流磁
界のもとで誘導性リアクタンス素子のインピーダンスの
みを加減することによって満足でき、コスト低減、生産
性の向上に極めて有効なものである。
キーレータは、従来中心導体に数多く接続されていたコ
ンデンサをすべてセラミック基板で構成することにより
１、組立製作の工数及び組立精度の大幅な改善を得るこ
とができ、また、このことにより、調整も一定の直流磁
界のもとで誘導性リアクタンス素子のインピーダンスの
みを加減することによって満足でき、コスト低減、生産
性の向上に極めて有効なものである。
第１図は、従来の集中定数型アイソレータの構造図であ
り、第２図は、第１図の等価回路であり、第５図は、本
発明に係る一実施例の並列共振用セラミック基板の平面
図（イ）及び下面図（＋＝）と、直列共振用セラミック
基板の平面図（ハ）及び下面図（ニ）であり、第４図は
、本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域アイツレ−
２夕のケース内の分解斜視図であり、第５図は、第４図
のアイソレータ組立製作後のＡ−Ａ断面図である。 １ａ、１ｂ、１ｃ、１８ａ、１８ｂ、１８Ｃ・＝誘導性
リアクタンス２ａ、２ｂ、２ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃ ・
−・コンデンサ、４ａ、４ｂ、４ｃｍ・・中心導体、５
・・・フェライトコア、６・・・シールド板、７・・・
ダミー負荷抵抗、ｓａ、ａｂ、ｓｃ、ｓｄ・・・端子、
９・・・並列共振用セラミック基板、ＩＤａ、１０ｂ、
ＩＤｃ、１０ｄ。 １０ｅ、１０ｆ、１０ｆ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１
５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ ・・・電極、１１ａ、
１１ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄ、、、孔、１
５ ・・・直列共振用セラミック基板、１４・・・スル
ーホール、１６・・・永久磁石、１７・・・ケース。 第３ｍ 第４乙 ／Ｒｅ 第 ５口 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 昭和５９年 特許願第 ５０４６２号 発明の名称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都薪著筐υ’ｔ＜Ｎ″１″−２５−１名
称 ：ｔｌ呆フェライト株式会社 管財人 簀粕 姑４ 管財人 笑１４ 論抛 に埋入 居 所 東京都葡稿ＭＶ欠対〒−２５−１補正の内容 別紙のとおり 補正の内容 １．明細書の特許請求の範囲を次の通り補正する。 「中央部に電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列され
た中心導体を有し、該中心導体の上下にはフェライトコ
ア及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコ
ア及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極
が形成されコンデンサを構成す配ラミック基板を複数具
備することを特徴とする集中定数型サーキュレータおよ
びアイソレータ。」 以上
り、第２図は、第１図の等価回路であり、第５図は、本
発明に係る一実施例の並列共振用セラミック基板の平面
図（イ）及び下面図（＋＝）と、直列共振用セラミック
基板の平面図（ハ）及び下面図（ニ）であり、第４図は
、本発明に係る一実施例の集中定数型広帯域アイツレ−
２夕のケース内の分解斜視図であり、第５図は、第４図
のアイソレータ組立製作後のＡ−Ａ断面図である。 １ａ、１ｂ、１ｃ、１８ａ、１８ｂ、１８Ｃ・＝誘導性
リアクタンス２ａ、２ｂ、２ｃ、５ａ、５ｂ、５ｃ ・
−・コンデンサ、４ａ、４ｂ、４ｃｍ・・中心導体、５
・・・フェライトコア、６・・・シールド板、７・・・
ダミー負荷抵抗、ｓａ、ａｂ、ｓｃ、ｓｄ・・・端子、
９・・・並列共振用セラミック基板、ＩＤａ、１０ｂ、
ＩＤｃ、１０ｄ。 １０ｅ、１０ｆ、１０ｆ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ、１
５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ ・・・電極、１１ａ、
１１ｂ、１２ａ、１２ｂ、１２Ｃ，１２ｄ、、、孔、１
５ ・・・直列共振用セラミック基板、１４・・・スル
ーホール、１６・・・永久磁石、１７・・・ケース。 第３ｍ 第４乙 ／Ｒｅ 第 ５口 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 昭和５９年 特許願第 ５０４６２号 発明の名称 集中定数型サーキュレータおよびアイソレータ補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都薪著筐υ’ｔ＜Ｎ″１″−２５−１名
称 ：ｔｌ呆フェライト株式会社 管財人 簀粕 姑４ 管財人 笑１４ 論抛 に埋入 居 所 東京都葡稿ＭＶ欠対〒−２５−１補正の内容 別紙のとおり 補正の内容 １．明細書の特許請求の範囲を次の通り補正する。 「中央部に電気的絶縁状態で１２０度の間隔で配列され
た中心導体を有し、該中心導体の上下にはフェライトコ
ア及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコ
ア及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極
が形成されコンデンサを構成す配ラミック基板を複数具
備することを特徴とする集中定数型サーキュレータおよ
びアイソレータ。」 以上
Claims (1)
- 中央部に電気的絶縁状態で１２゛０度の間隔で配列され
た中心導体を有し、該中心導体の上下には７エライトコ
ア及びシールド板が装荷されている集中定数型サーキュ
レータおよびアイソレータにおいて、前記フェライトコ
ア及びシールド板を挿入する孔を有し、かつ両面に電極
が形成されコンデンサを構成する→セラミック基板を複
数具備することを特徴とする集中定数型サーキュレータ
およびアイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046284A JPS60194802A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046284A JPS60194802A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194802A true JPS60194802A (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=12859537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046284A Pending JPS60194802A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0381412A2 (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-08 | Hitachi Ferrite Ltd. | Lumped constant non-reciprocal circuit element |
| JPH0613203U (ja) * | 1992-01-17 | 1994-02-18 | 日立フェライト株式会社 | 集中定数型アイソレータおよびサーキュレータ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
| JPS5950461A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5046284A patent/JPS60194802A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950461A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−電子複写装置 |
| JPS5950463A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真複写機 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0381412A2 (en) * | 1989-02-01 | 1990-08-08 | Hitachi Ferrite Ltd. | Lumped constant non-reciprocal circuit element |
| JPH0613203U (ja) * | 1992-01-17 | 1994-02-18 | 日立フェライト株式会社 | 集中定数型アイソレータおよびサーキュレータ |
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