JPS60194068A - シ−ルド型放電電極 - Google Patents
シ−ルド型放電電極Info
- Publication number
- JPS60194068A JPS60194068A JP4722284A JP4722284A JPS60194068A JP S60194068 A JPS60194068 A JP S60194068A JP 4722284 A JP4722284 A JP 4722284A JP 4722284 A JP4722284 A JP 4722284A JP S60194068 A JPS60194068 A JP S60194068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- electrode
- discharge electrode
- discharge
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシールドを備えた放電電極に関する。
従来スパッタリング等の処理を行なう場合、真空室内に
例えば高周波電源に接続でれた放電電極が設けられるが
、該放電電極にはその周囲と放電することを阻止するア
ースシールドが設けられ、該電極の前面だけで放電する
ように構成するを一般とする。このアースシールドは第
１図示のように放電電極ａとの間にギャップｂ６存在さ
せて設けられるか、或は第２図示のように該ギヤツブｂ
内に絶縁材Ｃを充填して取付けられるものであり、前者
の場合放電を発生し難くするためギャップｂを小嘔くす
るとストレーキャパシタンスが増加してセルフバイアス
電圧の低下と無効高周波電流の増大とを生ずる不都合を
来たす。また後者の場合、充填した絶縁材Ｏがガスを放
出するので真空室内の雰囲気が悪化し、耐熱性やスロー
リークの問題が生じて好ましくない。
例えば高周波電源に接続でれた放電電極が設けられるが
、該放電電極にはその周囲と放電することを阻止するア
ースシールドが設けられ、該電極の前面だけで放電する
ように構成するを一般とする。このアースシールドは第
１図示のように放電電極ａとの間にギャップｂ６存在さ
せて設けられるか、或は第２図示のように該ギヤツブｂ
内に絶縁材Ｃを充填して取付けられるものであり、前者
の場合放電を発生し難くするためギャップｂを小嘔くす
るとストレーキャパシタンスが増加してセルフバイアス
電圧の低下と無効高周波電流の増大とを生ずる不都合を
来たす。また後者の場合、充填した絶縁材Ｏがガスを放
出するので真空室内の雰囲気が悪化し、耐熱性やスロー
リークの問題が生じて好ましくない。
本発明はかかる不都合等を解決することをその目的とす
るもので、真空室内に設けた放電電極の周囲に、該周囲
への放ｉｔ阻止するアースシールドｔ−施す式のものに
於て、該放電電極とアースシールドの間にさらに電気的
にフローティングなシールドを介在させることを特徴と
する。
るもので、真空室内に設けた放電電極の周囲に、該周囲
への放ｉｔ阻止するアースシールドｔ−施す式のものに
於て、該放電電極とアースシールドの間にさらに電気的
にフローティングなシールドを介在させることを特徴と
する。
本発明の実施例を図面第３図につき説明するに、（ＩＪ
は真空室、（２）は該真空室Ｉｌｌ内に設けた放電電極
、（３）は該電極（２）の周囲に施されたアースシール
ドを示し、該電極（２Ｊに高周波電源（４）が接続され
ると共に該電極（２］の前面にサブストレート（５１や
ターゲットが取付けられる。該電極（２）の前方には高
周波電源（４）から通電によシ放電が生じ、エツチング
の場合その放電領域内で生成されたイオン、励起原子が
サブストレート（５）へその表面物質を削るべく入射す
る。
は真空室、（２）は該真空室Ｉｌｌ内に設けた放電電極
、（３）は該電極（２）の周囲に施されたアースシール
ドを示し、該電極（２Ｊに高周波電源（４）が接続され
ると共に該電極（２］の前面にサブストレート（５１や
ターゲットが取付けられる。該電極（２）の前方には高
周波電源（４）から通電によシ放電が生じ、エツチング
の場合その放電領域内で生成されたイオン、励起原子が
サブストレート（５）へその表面物質を削るべく入射す
る。
（６）は該電極（２）とアースシールド（３）の間に電
気的に７四−ティグした状態で介在させたシールドで、
これを介在させることによシキャパシタンスが直列にな
るので総合キャパシタンスは減少し、電極（２）とアー
スシールド（３１間に印加される電圧が分圧され、これ
に伴ない各シールド間の電圧が小さくなりシールド間で
の放電を極力小さくすることが出来る。
気的に７四−ティグした状態で介在させたシールドで、
これを介在させることによシキャパシタンスが直列にな
るので総合キャパシタンスは減少し、電極（２）とアー
スシールド（３１間に印加される電圧が分圧され、これ
に伴ない各シールド間の電圧が小さくなりシールド間で
の放電を極力小さくすることが出来る。
フローティングのシールド（６）は必要に応じて複数枚
設けるようにしてもよい。
設けるようにしてもよい。
その作動を説明するに高周波電源（４）から電極（２）
に通電されるとその前方に放電が生じ、サブストレート
（５）にエツチング等の処理が施されるが該電極（２）
のアースシールド１３１とのＭＫ７０−テイングのシー
ルド（６）が介在されているので、該電極（２）がもつ
総合キャパシタンスが小さくなシ、とれよシイオンを加
速するセルフバイアス電圧を大きくし得、サブストレー
ト（５）を高速で処理出来、各シールド間の電圧が小さ
く従ってシールド間での放電が小さくなり電力ロスが防
止される。
に通電されるとその前方に放電が生じ、サブストレート
（５）にエツチング等の処理が施されるが該電極（２）
のアースシールド１３１とのＭＫ７０−テイングのシー
ルド（６）が介在されているので、該電極（２）がもつ
総合キャパシタンスが小さくなシ、とれよシイオンを加
速するセルフバイアス電圧を大きくし得、サブストレー
ト（５）を高速で処理出来、各シールド間の電圧が小さ
く従ってシールド間での放電が小さくなり電力ロスが防
止される。
このように本発明によるときは、放電電極とアースシー
ルドとの間に電気的にフローティングされたシールドを
介在させたので、セルフバイアス電圧の低下と電力ロス
が防げ、サブストレートの高速処理が行なえ、真空室内
へのガス放出も少なく耐熱性も向上する等の効果がある
。
ルドとの間に電気的にフローティングされたシールドを
介在させたので、セルフバイアス電圧の低下と電力ロス
が防げ、サブストレートの高速処理が行なえ、真空室内
へのガス放出も少なく耐熱性も向上する等の効果がある
。
第１図及び第２図は従来例の説明線図、第５図は本発明
の実施例の裁断側面図である。 （１１・・・真 空 呈 ＋２１・・・放電電極（３）
・・・アースシールド （６１・・・シー ル ド外２
名
の実施例の裁断側面図である。 （１１・・・真 空 呈 ＋２１・・・放電電極（３）
・・・アースシールド （６１・・・シー ル ド外２
名
Claims (1)
- 真空室内に設けた放電電極の周囲に、該周囲への放電を
阻止するアースシールドを施を式のものに於て、該放電
電極とアースシールドの間にさらに電気的にフ四−テイ
ンクなシールドを介在させることを特徴とするシールド
型放電電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4722284A JPS60194068A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | シ−ルド型放電電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4722284A JPS60194068A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | シ−ルド型放電電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194068A true JPS60194068A (ja) | 1985-10-02 |
Family
ID=12769156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4722284A Pending JPS60194068A (ja) | 1984-03-14 | 1984-03-14 | シ−ルド型放電電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277341A2 (de) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Anordnung zur Anwendung eines Lichtbogens |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149735A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma treating device |
-
1984
- 1984-03-14 JP JP4722284A patent/JPS60194068A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149735A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma treating device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0277341A2 (de) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Anordnung zur Anwendung eines Lichtbogens |
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