SU522674A1 - Индукционный ускоритель электронов - Google Patents

Индукционный ускоритель электронов

Info

Publication number
SU522674A1
SU522674A1 SU7502091376A SU2091376A SU522674A1 SU 522674 A1 SU522674 A1 SU 522674A1 SU 7502091376 A SU7502091376 A SU 7502091376A SU 2091376 A SU2091376 A SU 2091376A SU 522674 A1 SU522674 A1 SU 522674A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
screen
current
electrons
accelerator
section
Prior art date
Application number
SU7502091376A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Н. Диденко
В.А. Тузов
Ю.П. Усов
Э.Г. Фурман
Ю.Г. Юшков
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Политехническом Институте Имени С.М.Кирова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Политехническом Институте Имени С.М.Кирова filed Critical Научно-Исследовательский Институт Ядерной Физики, Электроники И Автоматики При Томском Политехническом Институте Имени С.М.Кирова
Priority to SU7502091376A priority Critical patent/SU522674A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU522674A1 publication Critical patent/SU522674A1/ru

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Description

рейсе при более Енакссм давлении остаточно го газа ( рт. ст)г а искусственное поддержание та&а зеркальнс го изо ражени  в желобе позвол ет лнквидирсдаать затухание наведенного пучком электронов тсжа из-за конечной прсюодимости материала желоба, На фиг. 1, 2 и 3 схематично показан предлагаемый индукциешный ускоритель и системы питани  желоба; на фиг, 4 и 5 - эпюры тсжов в схеме. Ускоритель содержит обечайку 1 вакуум ной камеры, отражающий экран 2, электро ды 3 высокочастотного разр да, вакуумноплотные выводы 4, 5 и 6, 7 соответствен но отражающего экрана и высокочастотной мощности, инжекционный патрубок 8, сильноточный инжектор электронов, катушку 1О импульсного магнитного пол , буферные индуктивнос-ш 11, генераторы 12 и 13, соответственно импульса тока и вьюокочас тотной мощности. На фиг. 4 и 5 показаны ©пюры токов в схеме: 14 - циркулирующий ток электронов в камере (например дл  участка аб, фиг. 1 15 - зеркальное отображение тока в отражающем экране (на участке аб; фиг, 1), 1G и 17 - ток генератора 12 импульсов тока в отражающем экране, 18 - сечение инжектируемого пучка электронов, 19 распределение плотности тока по сечению сражающего экрана 2 в виде желоба с меньшим сечением в плотаости симметрии от генератора импульсе. . В обечайке 1 вакуумной камеры помеще отражающий экран 2, вьшолненньш в виде желоба с меньшим сечением в плоскости симметрии. Желоб имеет разрьш; концы желоба через выводы 4 и 5 и буферные индуктивности 11 подключены к генератору 12 импульсов тока. Желоб имеет одну точку заземлени  в районе инжекционного пат- рубка 8, который непосредственно соединен с анодом сильноточного инжектора,Симметрич но относительно желоба с двух сторон располож ны разомкнутые электроды 3,которые электри чески изолированы от металлических поверхностей , ускорител . Каждый электрод через проходные вьшоды 6 и 7 подключен к генератору высокочастотной мощности 13. Симметрично относительно медианной поверхности ускорител  расположены ступени ускор ющих катушек 10 магнитной системы. Ускоритель работает следующим образом . . В исходном состо нии все элементы ускорител  обесточены. В вакуумной камере созда){о требуемое давление пор дка 10 мм рт. ст. В интервале времени fc - t{3 (см. фиг. 4) от генератора 13 на электрода 3 подаетс  ВЧ-мощность. В течеш е этого времени происходит ионизаци  остаточного газа в камере и создание в области А, прилегающей к желобу 2 плазмы требуемой концентрации (пор дка 10 10 исмсж/см). Примерно такой же концентрацией электронов по объему обладает рел тивистский злектронньй пучок, инжектируемый сильноточным инжектором. В это же врем  iji происходит инжекци  электронов в камеру. Образование положительно зар женной плазмы происходит иэ-за различной подвижносттн электронов и ионов газа. За счет большей подвижности электроны быстрее удалшотс  из межэлектродной области и оседают на преход щих поверхнеют х желоба и электродов . В момент fc. или позднее происходит отключение ВЧ-мсщнехзти, но из-за конечного времени рекомбинации иешизированнелго газа в течение нескеитьких сот микросекунд в области, прилегшощей к желобу, остаетс  положительно зар женна  плазма, требуемую степень ионизации которой в дальнейшем пучок создает сам за счет соударений с молекулами газа. При этом происходит компенсаци  зар да инжектируемых электронов ионами плазмы и создаютхз  услови  дл  .фокусировки сильноточного электронного пуч-, ка. При прохожде1ши пучка электронов вблизи провод щей поверхне)сти (желоба) в ней наводитс  зеркальное отображение циркулирующего тока, но другого направлени . Если проводимость желоба, бесконечно больша , то величина наведенного тока равна току пучка и врем  циркул ции пучка электронов в желобе зависит только от условий фокусировки и времени жизни пучка в остаточном газе. Така  ситуаци  показана на фиг. 4 (крива  14 - циркулирующий ток пучка, крива  15 - ток зеркального изображени  в желобе). Однако при этсм желоб должен быть замкнутым, что делает невозможным последующее ускорение пучка электроноБ переменным во времени магнитным полем из-за демпфировани  переменного потока короткозамкнутым витком. В течение времени tjj-fc пучок электронов совершает первый оборот, в течение времени 3. второй и г. д. ИзгогоБлениб; сверхпровод щей поверхности, работающей при рассмотренных выше услови х, в насто щее врем  технологически не представл етс  возможным. Если отражающий экран выполнен из материала конечной проводимости и с относительной магнит5{ой проницаемостью, близкой к единице, то начинает сказьшатьс  скинэффект и диффузи  электромагнитаого пол 
в материале экрана. При этом существенную роль играет чистота обработки рабочей поверхности желоба, поскольку глубина проникновени  пол  (с1(ин-эффект) и область, в которой наводитс  тик зеркальиого изображени , составлшот дес тки микрон. В случае замкнутого желоба и прекращени  инжекции и установлени  круглого тока зеркального изображени  наступает квазистацисмарный режим. Ток зеркального изображени  за счет падени  напр жени  на материале желоба начинает затухать с посто нной времени С, величина которой дл  меди составл ет дес тки микросекунд, при этсм также происходит диффузи  пол  пучка в металл, и пучок за счет центробежной силы ложитс  на желоб и прекращает свое существование. Дл  компенсации затухани  величина гока зер-, кального изображени  в предлагаемом
устройстве генератором 12 импульсов тока в желобе создаетс  дешолнительный ток крива  16 (см. фиг. 4), врем  нарастани  которого соответствует вре1у1ени затухани  тока зеркального изображени , а величина тока генератора равна или больше тока зеркального изображени  в случае толстостенного отражающего экрана. Возможно предварительное наведение тока в желобе от генератора 12; при этом ток зеркального изображени  в желобе будет суммой посто нного |ТОка генератора и наведенного тока зеркального изображени  (крива  17). В этом случае за счет вьшолнени  отражающей поверхности в виде желоба переменного сечени  возможно создание дополнительных боковых фокусирующих сил путем выбора соответствующего профил  распределени  плотности гок по сечению желоба (крива  19, фиг. 5 Выполнение желоба с разрывом и подклю1ение его к генератору 12 тока через индуктивности 11 позвол ет практически кскпючигь демп4ированиежелобом переменного магнитного пол  при ускорении и схсатии электронного кольца.
Применение предварительной ионийаиии остаточного газа низкого давлени , создание плазмы в районе прохождени  пучка позвол ет ксыпенсирсеать расталкивающее действие кулоновских сил и тем самым формир(вать электронные кольца на равновеснсж радиусе магнитной системы больщой плотности с циркулирующими т(жами дес тков килоампер . Это делает предлагаемый индукционный ускоритель электронов наиболее эффективным дл  коллективного метода ускорени , создани  бесстеночных ловушек при исследовании гор чей плазмы и т.д.

Claims (2)

  1. Формула изобретен и  
    1,Индукционньй усксфитель электронов, Ьодержащий инжектор, вакуумную камеру, отражающий экран, заземленный в одной точке , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  циркулирующего тсжа электронов и времени жизни, экран вьшолнен симметрично разомкнутым относительно поперечного разреза, кажда  из половин экрана через клемму и индуктивность подключена к выходу генератора импульсов тока, а симметрично относительно экрана размещены два разомкнутых электрода, каждый из которых подключены через клемму к выходу высокочастотного генератора.
  2. 2.Ускоритель по п. 1, отличающийс  тем, что экран выполнен в виде желоба с меньшим сечением в плоскости симметрии.
    Фие. 1
    12
    -uiz 1
    13
    Фие.2
    Фиг.З
SU7502091376A 1975-01-03 1975-01-03 Индукционный ускоритель электронов SU522674A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502091376A SU522674A1 (ru) 1975-01-03 1975-01-03 Индукционный ускоритель электронов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7502091376A SU522674A1 (ru) 1975-01-03 1975-01-03 Индукционный ускоритель электронов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU522674A1 true SU522674A1 (ru) 1978-06-25

Family

ID=20605824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7502091376A SU522674A1 (ru) 1975-01-03 1975-01-03 Индукционный ускоритель электронов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU522674A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5525805A (en) Pulsed ion beam source
CA2373763C (en) Isochronous cyclotron and method of extraction of charged particles from such cyclotron
US5302881A (en) High energy cathode device with elongated operating cycle time
US4587430A (en) Ion implantation source and device
SU682150A3 (ru) Ионный двигатель
KR20090071610A (ko) 의료 치료를 위한 콤팩트 가속기
US4122347A (en) Ion source
KR19980070441A (ko) 펄스로 된 애노드를 갖는 플라즈마 담금 주입
US3524101A (en) Triggering device for spark-gap
Gushenets et al. Electrostatic plasma lens focusing of an intense electron beam in an electron source with a vacuum arc plasma cathode
US7071631B2 (en) Electromagnetic pulse device
US4859909A (en) Process and apparatus for igniting an ultra-high frequency ion source
SU522674A1 (ru) Индукционный ускоритель электронов
RU187270U1 (ru) Импульсный генератор нейтронов
RU2135991C1 (ru) Способ осуществления электрического пробоя газового диэлектрика в резконеоднородном поле
JPH07335163A (ja) イオンビーム発生方法およびその装置
US3510713A (en) Method of and appparatus for producing a highly concentrated beam of electrons
Oreshko Directed drift fluxes and electric domains in plasma
RU2100916C1 (ru) Ускоритель плазмы
US3610989A (en) Production and utilization of high-density plasma
JPS60133646A (ja) マイクロ波イオン源
JP2713692B2 (ja) イオン打込み装置
US4329586A (en) Electron energy recovery system for negative ion sources
US3295012A (en) Triggering device for spark-gap and load focusing means
Rousskikh et al. Effect of preionization on the implosion dynamics of single and double argon gas puffs