JPS60191447A

JPS60191447A - 光学式デイスク

Info

Publication number: JPS60191447A
Application number: JP59047799A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Takanaga; 高永　哲也; Masashi Nakamura; 正志中村; Shinobu Ikeno; 池野　忍
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1984-03-12
Filing date: 1984-03-12
Publication date: 1985-09-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕この発明は、レーザー光の反射または透過により記録さ
れた信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディスクに
関する。

〔背景技術〕

現在一般に用いられている光学式ディスクは、メチルメ
タクリレートを主成分としているため、特に、多湿環境
に置かれた際に反りやネジレが発生しやすい。反りやネ
ジレの発生は、記録情報の適確な再生に大きな障害とな
る。そこで、吸水性を改良して反りやネジレの発生を少
なくするため、スチレンをメチルメタクリレートと共重
合させることが行われる。しかし、スチレンを多く共重
合させると、今度は、複屈折が大きくなってくるという
問題が新たに生じてくる。

〔発明の目的〕

この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
多湿環境下でも反りやネジレの発生が少なく、しかも、
複屈折性や透明性にも優れた光学式ディスクを提供する
ことを目的としている。

〔発明の開示〕

前記のような目的を達成するため、発明者らは、まず、
フルオロ（メタ）アクリレートを必須原材料として重合
させた重合体を基材として用いることに着目した。フル
オロ（メタ）アクリレートを必須原材料とした理由は、
光線透過率が高く、複屈折が小さいというポリ（メタ）
アクリル酸エステルの長所を生かすようにして、その欠
点である吸水性および耐熱性が劣ることを、フッ素置換
による溌水性の向上と、分子間結合力の強化とにより改
善することができるからである。一般に、ポリ（メタ）
アクリル酸エステルは、フッ素置換することによりガラ
ス転移温度が数十度も高くなって耐熱性が向肥し、吸水
率も大巾に低下する。発明者らは、さらに、研究を重ね
た結果、光学式ディスクに用いるのに適した種類のフル
オロ（メタ）アクリレートを見出し、ここにこの発明を
完成した。

したがって、この発明は、下記の構造式であられされる
フルオロアルキル（メタ）アクリレートを必須原材料と
して重合させた重合体を基材とする光学式ディスクをそ
の要旨としている。

１ＲｔＣＣＨ２’）ｙ−０−Ｃ−Ｃ＝ＣＨ２Ｚ　；　ＣＨ
３またばＨｙ；０〜４Ｒｆ；フルオロアルキル基で炭素数カ１〜２０のもの以下に、この発１３ｊ４を詳しく説明する。

ここで、必須原材料として用いられる前記式のフルオロ
アルキル（メタ）アクリレートは、ＺがＣＨ３となって
いるのが好ましい。すなわち、フルオロアルキルメタク
リレートの方がフルオロアルキルアクリレートよりも好
ましい。２がＣＨ３となっている方がガラス転移温度（
Ｔｇ　）が高く、耐熱性の優れた重合体が得られるから
である。ところで、カラス転移点は、エステルのアルコ
ール成分Ｒｔ　（ＣＨ２）ｙ−の分岐（指環も含む）が
多い程、また炭素数が少ない程高くなる。他方、吸水率
は、ｙを小さくし、Ｒ，の炭素数全多くして重合体中の
フッ素含量を高くすると低くなる。そこで、ガラス転移
点および吸水率の両方を満足させるには、ｙは０〜４の
範囲において、小さい方が好ましく、ＲｔＩｄｎ−アル
キル、脂環式アルキル等でもよいが、分岐アルキルとな
っているのが好１しく、炭素数は１〜２０の範囲内にお
いて多い方が好ましい。

さらに、完全置換されてパーフルオロアルキル基となっ
ているのが好ましい。Ｒｒ（Ｃｆｈ）ｙ−としてみると
、炭素数が：）〜８で分岐しているのが好ましい。たと
えば、下記の式であられされるもの等が好ましい例とし
てあげられる。

フルオロアルキル（メタ）アクリレート単独で重合させ
てなるポリフルオロアルキル（メタ）了クリレート（ホ
モポリマー）を基材として用いてもよいが、この発明の
目的を阻害しない範囲において、１種以上の他の単量体
との共重合体を基材として用いてもよい。この場合、フ
ルオロアルキル（メタ）アクリレートの使用割合はでき
るだけ多いのがよい。他の単量体としては、たとえば、
（メタ）アクリル酸エステル、その他のビニル系単量体
が好ましく用いられる。（メタ）アクリル酸エステルと
しては、分岐（メタ）アクリル酸エステルを用いるのが
好ましい。他のビニル系単量体トシてハ、ビニルトルエ
ン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、　ｉ　−
フチルステレン、ｐ−ノナルスナレン等が用いられるが
、熱分解温度の萬いｐ−メチルスチレンを用いるのが好
ましい。

フルオロアルキル（メタ）アクリレート、（メタ）アク
リル酸エステルおよび必要に応じて両者以外のビニル系
ｔｕ社体を共重合させる場合は、フルオロアルギル（ツ
タ）アクリレート８０〜２０Ｍ量部、（メタ）アクリル
酸エヌテル１０〜５０重量部９両者以外のビニル系単量
体を０〜４０重量部の割合で合計１００重は部の単量体
を共重合させるようにするのが好ましい。

重合体は、例えば塊状重合去、懸濁車合法、溶液重合法
、乳化重合法等の公知の重合体製造法のいずれの方法に
よって製造されてもよい。

基材の成分として、スタンパ−との離型性を改良する目
的で、例えばシリコン、ワックス、脂肪酸、脂肪酸エス
テル、脂肪酸金属塩、脂肪族アルコール等の助剤や、帯
電防止の目的で、例えば高級アルコールのヌルフオン酸
塩、第＋級アンモニウム塩等の助剤をこの発明の目的の
達成を阻害しない範囲で、上記の重合体に併用してもよ
い。

この発明の光学式ディヌクを製造するにあたっては、た
とえばつぎのようにして行う。まず、重合体を射出成型
または直圧成型等の方法によって、ヌタンバーをセット
した金型により記録信号となるピットを転写しディスク
基材を成形する。成形はできるだけ残留応力が小さくな
るような条件で行う必要がある。つぎに、複製ディスク
の場合には一般的には、ビット転写面に金楓の真空蒸着
、スパッタリングあるいはイオンブレーティング等の方
法によって反射層を形成し、さらに必要に応じて反射層
の保護コーティングを行って製造することができる。ま
た、メモリーディヌクの場合には上記と同様にしてトラ
ッキング信号となるビットを転写した後、さらにビット
面に、例えば非晶質レアーメタルやレーザーによって熱
的に分解し得る化合物のユーザーでの書き込み可能な記
録層全蒸着または塗布し、さらに必要に応じ上記のよう
な反射層や保護コーティングの形成を行ってメモリー用
光学式ディスクを製造することができる。

前記のようにして得られるこの発明の光学式ディスクは
、フルオロアルキル（メタ）アクリレートを必須原材料
とする重合体が基材として用いられているので、メチル
メタクリレートを主原材料とするポリメチルメタクリレ
ート（ＰΔ（ＭＡ）等の重合体が基材として用いられて
いるものに比べ、吸水率が小さくなる。普通、０．２０
４程度以下となる。

そのため、多湿による反りゃネジレの発生が非常に少な
い。そのうえ、光学的に均質で複屈折性に優れ、透明性
にも優れている。また、この発明で用いられる重合体は
、普通、ガラス転移温度が７０℃程度以上となるので、
熱による反りゃネジレ等の変形も生じにぐいものになる
。

つぎに、実施例について説明する。

（実施例１）ＩＥのセバラプルフラヌコに、下記の原材料全仕込んだ
。ただし、部は重量部をあられすものとする。

１０　）（フルオロアルキルツタクリレート）１　ｉ蒸留水（ヒ
ドロキシエチルセルロースを０．５重量係含有）３　部
過酸化ベンゾイル　０．０１５部ｎ−ラウリルメルカプタン　０．００５ｉ撹拌速度２０
０ｒｐｍ、浴温８０℃で、３〜４時間重合反応させた。

重合終了後、重合体を７０メツシユのステンレスふるい
でふるいにかけ、熱水で洗浄した。つぎに、減圧乾燥器
内に重合体を移し、８０℃、ｌｍｍＨｇの条件で２４時
間乾燥して、ポリマーピーズを得た。

このポリマービーズを用いてディスク基材を成形した。

つぎに、ディスク基材に反射層を形成し、反射１−の保
護コーティングを行って光学式ディヌ　□りをつくった
。

（実施例２，３）フルオロアルキルツタクリレートトシて、下記の式であ
られされるものをそれぞれ使用するよう（１０）にしたほかは、実施例１と同じようにして、ポリマービ
ーズをつくり、光学式ディスクをつくった。

（実施例４）フルオロアルキルメタクリレートとして、ツタクリル酸
エステルとして、ＭＭＡ（メチルメタクリレート）　４０部ビニルモノマ
ーとして、ｐ−メナルスナレン　２０部をそれぞれ用いて、実施例１と同じ反応条件で重合反応
を行ってポリマービーズをつくり、さらに光学式ディス
クをつくった。

（実施例５）Ｈ３Ｏ１ＩＩＣＨｚ＝Ｃ−Ｃ−０−ＣＨｚ−（ＣＦｚ）３−ＣＦ３Ｉ
　１５部ＭＭＡ（メチルメタクリレート）　３５部ｐ−
メチルスナレン　１５部上記の原材料を用いて、実施例１と同じ反応条件で重合
反応を行ってポリマービーズをつくり、さらに光学式デ
ィヌクをつくった。

実施例１〜５で得られた重合体につき、ガラス転移温度
および吸水率を測定し、ディスク基材につき複屈折の有
無を調べ、光学式ディスクにつき、多湿環境下における
反り、ネジレの発生の難易を調べた。ただし、ガラス転
移温度は、粘弾性ヌペクトロノーターを用いて温度分散
測定ケ行ない、動的損失（振動数１０Ｈ，）がピークを
示す時の温度を取った。吸水率は、ＪＩＳ　Ｋ６９１ｉ
に従い、２３士２℃の蒸留水に２４時間浸漬した後の値
を取った。複屈折の有無は、光学式ディヌクの製造過程
において反射層形成前に東京光学機械株式会社製ノの５
ｔｒａｉｎ　Ｖｉｅｗｅｒを用い、着色度合（干渉しま
）を観察することによって判定した。反り、ネジレの発
生の難易は、４５℃、相対湿度９５優の環境下に光学式
７デイスク（反射層及び保護コートを施したもの）を放
置した後の反り、ネジレの発生の有無を調べることによ
り判定した。結果を第１表に示す。

第　１　表第１表より、実施例１〜５の光学式ディスクは、使用し
た重合体のガラス転移温度が高いので、熱による反りや
ネジレ等の変形を生じにくく、吸水率が小さいので、多
湿環境下において反りゃネジレが発生せず、複屈折も起
こさないことがわかる。

〔発明の効果〕

この発明にかかる光学式ディスクは、前記一般式であら
れされる構造のフルオロアルキル（メタ）アクリレート
を必須原材料として重合させた重合体を基材とするので
、多湿環境ドでも反りゃネジレの発生が少なく、しかも
、複屈折性や透明性にも優れている。

代理人　弁理士　松　本　武　彦零［糸六ネ甫正書（自発）昭和５９年　６月　４日２、発明の名称光学式ディスク３、補正をする者事件との関係　特許出願人柱　所　大阪府門真市大字門真１０４８番地名　称（５
８３）松下電工株式会社代表者　代表輔役　小　林　郁４、代理人６、補正の対象明細書７、補正の内容（１）明細書の特許請求の範囲面の全文を別紙のとおり
に訂正する。

（２）〔補正後の特許請求の範囲〕２、特許請求の範囲（１）下記の構造式であられされるフルオロアルキル（
メタ）アクリレートを必須原材料として重合させた重合
体を基材とする光学式ディスク。

Ｚ　；　ＣＨ３またはＨｙ；０〜４Ｒｆ、フルオロアルキル基で炭素数が１〜２０のもの（２）重合体が、フルオロアルキル（メタ）アクリレー
ト８０〜２０重量部、　（メタ）アクリル酸エステル１
０〜５０重量部２両者以外のビニル系単量体０〜４０重
量部の割合でそれぞれ含む合計１００重量部の単量体が
共重合してなる共重合体である特許請求の範囲第１項記
載の光学式ディスク。

〔３）　メタクリル酸エステルがメチルメタクリレート
、ビニル系単量体がアルキル置換スチレンである特許請
求の範囲第２項記載の光学式ディスク（４）重合体が、
ガラス転移温度７０℃以上、吸水率０．２０％以下であ
る特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれかに記
載の光学式ディスク。

９１

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　下記の構造式であられされるフルオロアルキル
（メタ）アクリレートを必須原材料として重合させた重
合体を基材とする光学式ディスク。Ｚ；ＣＨ３またはＨｙ；０〜４Ｒｆ；フルオロアルキル基で炭素数が１〜２０のもの
（２）重合体が、フルオロアルキル（メタ）アクＩＪＬ
／−ト８０〜２０重ｆ部、（メタ）アクリル酸エステル
１０〜５０重量部９両者以外のビニル系単量体０〜４０
重量部の割合でそれぞれ含む合計１００７ｉｊｄ部の単
量体が共重合してなる共重合体である特許請求の範囲第
１項記載の光学式ディスク。
（３）メタクリル酸エステルがメチルメタクリレート、
ヒニル系単を体がアルキル置換スチレンである特許請求
の範囲第２項記載の光学式ディスク（４）重合体が、ガ
ラス転移温度７０℃以上２．吸水率０．２０’　％以上
である特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか
に記載の光学式ディスク。