JPS6019081B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS6019081B2 JPS6019081B2 JP57135931A JP13593182A JPS6019081B2 JP S6019081 B2 JPS6019081 B2 JP S6019081B2 JP 57135931 A JP57135931 A JP 57135931A JP 13593182 A JP13593182 A JP 13593182A JP S6019081 B2 JPS6019081 B2 JP S6019081B2
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- H01G4/002—Details
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率磁器組成物、特に、低温競鯖が可能な
高誘電率磁器組成物に関する。
高誘電率磁器組成物に関する。
従来「高謙雷率磁器コンデンサや積層磁器コンデンサの
誘電体材料としては、誘電率が６０００〜１００００の
チタン酸バリウム系磁器組成物が使用されているが、こ
れらは焼成温度がＢＯ０〜１４００ｑｏと非常に高いた
め焼成時多大のェネルギを必要とし、しかも積層磁器コ
ソデンサの誘電体材料として使用する場合には、同時焼
成される内部電極材料として高融点、高温還元型の貴・
金属、例えばＰｄ、Ｐｔ等を使用しなければならないた
め、安価で４・型大容量の磁器コンデンサを製造するこ
とは困難であった。
誘電体材料としては、誘電率が６０００〜１００００の
チタン酸バリウム系磁器組成物が使用されているが、こ
れらは焼成温度がＢＯ０〜１４００ｑｏと非常に高いた
め焼成時多大のェネルギを必要とし、しかも積層磁器コ
ソデンサの誘電体材料として使用する場合には、同時焼
成される内部電極材料として高融点、高温還元型の貴・
金属、例えばＰｄ、Ｐｔ等を使用しなければならないた
め、安価で４・型大容量の磁器コンデンサを製造するこ
とは困難であった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、誘
電率が６０００以上で低温焼成可能な高誘電率磁器組成
物を提供することを目的とし、その要旨は、一般式：（
斑，−ｘＭｅｘ）（Ｔｉ，‐ｙＭｅ′ｙ）０３（式中、
ＭｅはＣａおよび／またはＳｒ、Ｍｅ′はＺｒおよび／
またはＳｎを示し、ｘ、ｙはＭｅ、Ｍｅ′の各モル分率
を表わし、０．０６Ｓｘミ０．１４、０．０６≦ｙ≦０
．１４を満足する。
電率が６０００以上で低温焼成可能な高誘電率磁器組成
物を提供することを目的とし、その要旨は、一般式：（
斑，−ｘＭｅｘ）（Ｔｉ，‐ｙＭｅ′ｙ）０３（式中、
ＭｅはＣａおよび／またはＳｒ、Ｍｅ′はＺｒおよび／
またはＳｎを示し、ｘ、ｙはＭｅ、Ｍｅ′の各モル分率
を表わし、０．０６Ｓｘミ０．１４、０．０６≦ｙ≦０
．１４を満足する。
）で表わされる酸化物を主成分とする高誘電率磁器組成
物にある。好ましい実施態様においては、前記主成分１
００重量部に対し、ＰｂＴｉ０３６５〜９０モル％、Ｐ
はＣｅ３０，．１〜１０モル％、およびＢｊ２Ｔｉ２０
７１〜３モル％からなる添加物が副成分として５〜１５
重量％添加される。
物にある。好ましい実施態様においては、前記主成分１
００重量部に対し、ＰｂＴｉ０３６５〜９０モル％、Ｐ
はＣｅ３０，．１〜１０モル％、およびＢｊ２Ｔｉ２０
７１〜３モル％からなる添加物が副成分として５〜１５
重量％添加される。
前記組成物において、ＭｅおよびＭｅ′のモル分率ｘ、
ｙをそれぞれ前記範囲としたのは、ｘが０．０６未満で
は謙電率が低下して高誘電率の磁器が得られず、０．１
４を超えると競縞が困難となって繊密な磁器が得られな
いからである。
ｙをそれぞれ前記範囲としたのは、ｘが０．０６未満で
は謙電率が低下して高誘電率の磁器が得られず、０．１
４を超えると競縞が困難となって繊密な磁器が得られな
いからである。
また、ｙが０．０６未満では誘電率が低下して高誘電率
の磁器が得られず、０．１４を超えると競綾が困難とな
って繊密な磁器が得られないからである。熟成分の含有
量を主成分に対し５〜１５重量％としたのは、５重量％
禾満では嫌結性が改善されず、１５重量％を超えると誘
電率が低下するからである。
の磁器が得られず、０．１４を超えると競綾が困難とな
って繊密な磁器が得られないからである。熟成分の含有
量を主成分に対し５〜１５重量％としたのは、５重量％
禾満では嫌結性が改善されず、１５重量％を超えると誘
電率が低下するからである。
また、添加物中ＰｂＴｉ０３を前記範囲としたのは、Ｐ
ＤＴｉ０３が９０モル％を超えると誘電率が低下すると
共に、誘電正援が大きくなり、６５モル％未満では焼給
性および誘電率が低下するからである。Ｐｂ５Ｑ３０，
．を前記範囲に限定したのは、これが１モル％未満では
誘電率が低下すると共に暁結温度が高くなり、１０モル
％を超えると誘電率が低下するからである。また、Ｂｉ
２Ｔｉ２０７を１〜３０モル％としたのは、１モル％未
満では誘電率が低下すると共に、譲露正酸が大きくなっ
て実用的でなくなり、３０モル％を超えると暁綾温度が
高くなるからである。前記組成の本発明に係る商議電率
磁器組成物は、誘電率が６０００〜１００００と高く、
誘電損失が少なく、かつ焼結温度が１０５０〜１１５０
ｑｏと従来のものに比べて著しく低いので、焼成コスト
を低減することができ、また、積層磁器コンデンサを製
造する場合の内部電極材料として比較的安価な材料、例
えば、Ａタ合金などを使用でき、磁器コンデンサの製造
コストを下げることができるなど優れた利点を有する。
ＤＴｉ０３が９０モル％を超えると誘電率が低下すると
共に、誘電正援が大きくなり、６５モル％未満では焼給
性および誘電率が低下するからである。Ｐｂ５Ｑ３０，
．を前記範囲に限定したのは、これが１モル％未満では
誘電率が低下すると共に暁結温度が高くなり、１０モル
％を超えると誘電率が低下するからである。また、Ｂｉ
２Ｔｉ２０７を１〜３０モル％としたのは、１モル％未
満では誘電率が低下すると共に、譲露正酸が大きくなっ
て実用的でなくなり、３０モル％を超えると暁綾温度が
高くなるからである。前記組成の本発明に係る商議電率
磁器組成物は、誘電率が６０００〜１００００と高く、
誘電損失が少なく、かつ焼結温度が１０５０〜１１５０
ｑｏと従来のものに比べて著しく低いので、焼成コスト
を低減することができ、また、積層磁器コンデンサを製
造する場合の内部電極材料として比較的安価な材料、例
えば、Ａタ合金などを使用でき、磁器コンデンサの製造
コストを下げることができるなど優れた利点を有する。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
原料としてＢａＣＱ、ＣａＣＱ、ＳｒＣ０３、Ｔｉ０２
、Ｚｒ０２、ＳｎＱ、Ｂｉ２０８、Ｐｂ３０４、蛇０２
を用い、これらを第１表に示す組成比になるように秤量
し、ボールミルにて１曲時間湿式混合した後、組成比に
ずれを生じないように乾燥させる。
、Ｚｒ０２、ＳｎＱ、Ｂｉ２０８、Ｐｂ３０４、蛇０２
を用い、これらを第１表に示す組成比になるように秤量
し、ボールミルにて１曲時間湿式混合した後、組成比に
ずれを生じないように乾燥させる。
得られた混合物を１０００ｏｏで２時間仮焼し「粉砕後
、ポリビニルアルコール５重量％と共にボールミルにて
混合して造粒し、次いで乾式プレスにて２０００ｋ９／
仇の圧力下、直径１２肌、厚さ１側の円板に成形した。
成形した円板を第１表に示す温度で２時間焼成し、得ら
れた各磁器円板の両表面にＡタベーストを塗布し、９５
０『Ｃで暁付けて電極を形成して試料とした。各試料に
ついて、ＩＫＨｚ、２５℃での誘電率および誘電正接（
ねｎ６）を測定した。
、ポリビニルアルコール５重量％と共にボールミルにて
混合して造粒し、次いで乾式プレスにて２０００ｋ９／
仇の圧力下、直径１２肌、厚さ１側の円板に成形した。
成形した円板を第１表に示す温度で２時間焼成し、得ら
れた各磁器円板の両表面にＡタベーストを塗布し、９５
０『Ｃで暁付けて電極を形成して試料とした。各試料に
ついて、ＩＫＨｚ、２５℃での誘電率および誘電正接（
ねｎ６）を測定した。
その結果を第１表に合わせて示す。表中※を付した試料
は本発明の範囲外の組成物である。第１表 第１表の結果から明らかなように、本発明の磁器組成物
は、従来のものと同等の高誘電率および低損失の特性を
有し、しかも、添加物を含有するものは１０５０〜１１
５０℃と従来のものに比べて著しく低い温度で暁結させ
ることができる。
は本発明の範囲外の組成物である。第１表 第１表の結果から明らかなように、本発明の磁器組成物
は、従来のものと同等の高誘電率および低損失の特性を
有し、しかも、添加物を含有するものは１０５０〜１１
５０℃と従来のものに比べて著しく低い温度で暁結させ
ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式：（Ｂａ＿１＿−＿ｘＭｅ＿ｘ）（Ｔｉ＿１＿−
＿ｙＭｅ′＿ｙ）Ｏ＿３（式中、ＭｅはＣａおよび／ま
たはＳｒ、Ｍｅ′はＺｒおよび／またはＳｎを示し、ｘ
、ｙはＭｅ、Ｍｅ′の各モル分率を表わし、０．０６≦
ｘ≦０．１４、０．０６≦ｙ≦０．１４を満足する。 ）で表わされる酸化物を主成分とする高誘電率磁器組成
物。２ ＰｂＴｉＯ＿３６５〜９０モル％、Ｐｂ＿５Ｇ
ｅ＿３Ｏ＿１＿１１〜１０モル％およびＢｉ＿２Ｔｉ＿
２Ｏ＿７１〜３０モル％からなる副成分を前記主成分１
００重量部に対し５〜１５重量部含有してなる特許請求
の範囲第１項記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135931A JPS6019081B2 (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 高誘電率磁器組成物 |
| GB08320683A GB2125028B (en) | 1982-08-04 | 1983-08-01 | High permittivity ceramic compositions |
| DE19833327768 DE3327768A1 (de) | 1982-08-04 | 1983-08-02 | Keramische zusammensetzungen mit hoher dielektrizitaetskonstante |
| US06/519,908 US4477581A (en) | 1982-08-04 | 1983-08-03 | High permittivity ceramic compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57135931A JPS6019081B2 (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925104A JPS5925104A (ja) | 1984-02-09 |
| JPS6019081B2 true JPS6019081B2 (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=15163188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135931A Expired JPS6019081B2 (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4477581A (ja) |
| JP (1) | JPS6019081B2 (ja) |
| DE (1) | DE3327768A1 (ja) |
| GB (1) | GB2125028B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638788U (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-21 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60264359A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | 住友特殊金属株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器 |
| JPS61111957A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-30 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体の製造方法 |
| FR2599359B1 (fr) * | 1986-05-27 | 1988-07-29 | Europ Composants Electron | Compositions ceramiques a haute permittivite |
| JP2872513B2 (ja) * | 1992-12-29 | 1999-03-17 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| US5361187A (en) * | 1993-03-11 | 1994-11-01 | Ferro Corporation | Ceramic dielectric compositions and capacitors produced therefrom |
| TWI223817B (en) * | 2002-11-08 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss |
| KR100997379B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2010-11-30 | 한국과학기술연구원 | 선형적 유전특성을 나타내는 유전체 박막 조성물 |
| CN110078495B (zh) * | 2019-04-25 | 2022-05-10 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 介电常数可调的宽温域介质陶瓷材料 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4386985A (en) * | 1980-06-30 | 1983-06-07 | North American Philips Corporation | Method of making ceramic dielectric for base metal electrode capacitors |
| US4379854A (en) * | 1981-02-06 | 1983-04-12 | Erie Technological Products, Inc. | Low temperature firing (1800°-2100° F.) of barium titanate with flux (lead titanate-bismuth titanate-zinc oxide and boron oxide) |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57135931A patent/JPS6019081B2/ja not_active Expired
-
1983
- 1983-08-01 GB GB08320683A patent/GB2125028B/en not_active Expired
- 1983-08-02 DE DE19833327768 patent/DE3327768A1/de active Granted
- 1983-08-03 US US06/519,908 patent/US4477581A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638788U (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3327768A1 (de) | 1984-02-09 |
| DE3327768C2 (ja) | 1988-12-22 |
| GB2125028B (en) | 1985-11-27 |
| US4477581A (en) | 1984-10-16 |
| GB2125028A (en) | 1984-02-29 |
| GB8320683D0 (en) | 1983-09-01 |
| JPS5925104A (ja) | 1984-02-09 |
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