JPS60190557A - コ−テイング材およびその製法 - Google Patents
コ−テイング材およびその製法Info
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- JPS60190557A JPS60190557A JP59046397A JP4639784A JPS60190557A JP S60190557 A JPS60190557 A JP S60190557A JP 59046397 A JP59046397 A JP 59046397A JP 4639784 A JP4639784 A JP 4639784A JP S60190557 A JPS60190557 A JP S60190557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating material
- film
- resistance
- amorphous carbon
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、硬度が高く耐酸化性、耐熱性であシながら一
方では熱伝導の良いという性質を兼ね備えたアモルファ
スカーボン含有のコーテイング材およびその製法に関す
るものである。
方では熱伝導の良いという性質を兼ね備えたアモルファ
スカーボン含有のコーテイング材およびその製法に関す
るものである。
プラスチックや通常の金属は、その表面に疵がつきやす
くその結果頭初光沢を有していたものであっても徐々に
これを失ない美観をそこねることは既忙知られている。
くその結果頭初光沢を有していたものであっても徐々に
これを失ない美観をそこねることは既忙知られている。
その原因は、これらプラスチックや金属が比較的やわら
かいことから摩擦に対して抵抗力がないことに起因する
。このような不都合を解消するために採られる一手段と
してこのようなやわらかい表…■を有する物質の表面に
硬い薄膜をコーティングして耐久性のある光沢面とした
）、また工業的には切削治具、バイト等の表面に超硬質
膜をつけ長時間使用に耐えられるようにしており、現在
でもさらに優れたものを得るために炭化けい素や窒化＃
１う素を表面にコーティングしたバイトなどの研究が進
められているが未だ完全なものに至っていない。
かいことから摩擦に対して抵抗力がないことに起因する
。このような不都合を解消するために採られる一手段と
してこのようなやわらかい表…■を有する物質の表面に
硬い薄膜をコーティングして耐久性のある光沢面とした
）、また工業的には切削治具、バイト等の表面に超硬質
膜をつけ長時間使用に耐えられるようにしており、現在
でもさらに優れたものを得るために炭化けい素や窒化＃
１う素を表面にコーティングしたバイトなどの研究が進
められているが未だ完全なものに至っていない。
また、熱や酸素などに接触することＫよシ分解したシあ
るいは反応を起して特性が変化する物質や例えば電子機
器のデバイス（Ｑａ Ａ８半導体、ｚｎｓ ＥＬデバイ
ス、ｆ（ｇ Ｃｄ Ｔｅ赤外線センサー素子など）に設
けた表面酸化防止膜は、長期間に亘る安定性妃重要な段
別を果すが、比較的低温で表面コーティングを行うこと
が可能でしかも従来のように長期間安定に機能する方法
ないしコーティング拐は未だ見出されていない。
るいは反応を起して特性が変化する物質や例えば電子機
器のデバイス（Ｑａ Ａ８半導体、ｚｎｓ ＥＬデバイ
ス、ｆ（ｇ Ｃｄ Ｔｅ赤外線センサー素子など）に設
けた表面酸化防止膜は、長期間に亘る安定性妃重要な段
別を果すが、比較的低温で表面コーティングを行うこと
が可能でしかも従来のように長期間安定に機能する方法
ないしコーティング拐は未だ見出されていない。
また、水素を多量に含んでいるアモルファスＳｌ（以下
ａ−ｓｔ：ｎと表示する）あるいけ水素、フッ素を多量
に含んでいるアモルファスｓｉ（以下ａ−８ｔ：Ｈ３Ｐ
と表示する）などの太陽電池についてみると、このもの
は本質的に効率が低いので面積を広くするなどの方法を
採ることにより低効率をカバーしているが、太陽電池中
に充分に光をとり込む必要から表面コーテイング膜につ
いては更に効率の良い材料の開発が望まれている。
ａ−ｓｔ：ｎと表示する）あるいけ水素、フッ素を多量
に含んでいるアモルファスｓｉ（以下ａ−８ｔ：Ｈ３Ｐ
と表示する）などの太陽電池についてみると、このもの
は本質的に効率が低いので面積を広くするなどの方法を
採ることにより低効率をカバーしているが、太陽電池中
に充分に光をとり込む必要から表面コーテイング膜につ
いては更に効率の良い材料の開発が望まれている。
さらに、回転体のｊｌｌｉｌ受やベアリング、歯車など
摩耗の激しい部分に対する耐久性付与の観点からみた。
摩耗の激しい部分に対する耐久性付与の観点からみた。
Ｉ−夾現今実施されている１摩粍性のコーティングでは
不充分であり更に櫨久性のあるものが望まれている。
不充分であり更に櫨久性のあるものが望まれている。
再び半導体関係についてみると、従来のＳｉ系半導体は
、禁制体幅が１．２１ｅＶと狭く高温領域で使用できな
いという制約があり、よシ司使温朋領域の広いものが望
まれている。
、禁制体幅が１．２１ｅＶと狭く高温領域で使用できな
いという制約があり、よシ司使温朋領域の広いものが望
まれている。
本発明は、以上述べたような各用途に対応することがで
き、しかも硬度が高く耐酸化性、耐熱性、耐摩耗性を有
しかつ熱伝導も良いという数種の特性を兼ね備えたコー
テイング材およびその製法を提供しようとするものであ
る。
き、しかも硬度が高く耐酸化性、耐熱性、耐摩耗性を有
しかつ熱伝導も良いという数種の特性を兼ね備えたコー
テイング材およびその製法を提供しようとするものであ
る。
発明者らは、上述の目的を達成するために種々検討を加
えガス圧０．１〜５ Ｔｏｒｒ の雰囲気中グラファイ
トターゲットを使用して常温〜１００℃でスパッタを行
いＨ／Ｃ（あるいはＨ＋Ｆ７ｃ ）をその原子比で０．
５〜０．９の割合で存在させたことを特徴とするアモル
ファスカーボン含有のコーテイング材と常温〜１００℃
の真空室内に処理対象基板を設置しガス圧０，１〜５
Ｔｏｒｒ の条件下でグラファイトターゲットを使用し
てスパッタを行いＶ。
えガス圧０．１〜５ Ｔｏｒｒ の雰囲気中グラファイ
トターゲットを使用して常温〜１００℃でスパッタを行
いＨ／Ｃ（あるいはＨ＋Ｆ７ｃ ）をその原子比で０．
５〜０．９の割合で存在させたことを特徴とするアモル
ファスカーボン含有のコーテイング材と常温〜１００℃
の真空室内に処理対象基板を設置しガス圧０，１〜５
Ｔｏｒｒ の条件下でグラファイトターゲットを使用し
てスパッタを行いＶ。
（あるいはＨ＋Ｆ／ｃ）をその原子比で０．５〜０．９
の割合で存在させたアモルファスカーボン膜、トスるこ
とを特徴とするコーテイング材の製法に到達したのであ
る。
の割合で存在させたアモルファスカーボン膜、トスるこ
とを特徴とするコーテイング材の製法に到達したのであ
る。
本発明によって得たコーテイング材は、後述の実施例が
示す如く極めて高い硬度と耐熱性を有し、また赤外線透
過率が高く、さらに耐薬品性、耐湿性、耐スクラッチ性
に優れているものである。
示す如く極めて高い硬度と耐熱性を有し、また赤外線透
過率が高く、さらに耐薬品性、耐湿性、耐スクラッチ性
に優れているものである。
以下、実施例をもって本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例１
卯、１図に顧、念的な断面図を示したグレーナマグネト
ロンスパソタ装置の真空室１内に７５１φのグラファイ
トターゲット２を設け、対向電極との距離を４５−とし
ここに基板材’１３として有機物フィルム、Ｓ ｉｌ
ガラス、ＡｂＯｓ、Ｔｉ０１をとシつけた。真空室１は
先ず図示していない排気装置によりＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで排気管５を通して真空圧したのち、９９，
９９９％のＨ２を雰囲気ガス導入管４を辿じて導入し、
室内の圧力を０．０５ Ｔｏｒｒに保った。
ロンスパソタ装置の真空室１内に７５１φのグラファイ
トターゲット２を設け、対向電極との距離を４５−とし
ここに基板材’１３として有機物フィルム、Ｓ ｉｌ
ガラス、ＡｂＯｓ、Ｔｉ０１をとシつけた。真空室１は
先ず図示していない排気装置によりＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで排気管５を通して真空圧したのち、９９，
９９９％のＨ２を雰囲気ガス導入管４を辿じて導入し、
室内の圧力を０．０５ Ｔｏｒｒに保った。
次イテ陽極電圧２．３ｋＶで１３．５６ ＭＨｚの高周
波電力を電源６から供給しく陽極電流０．５ Ａ ）
２時間スパッタを行った。
波電力を電源６から供給しく陽極電流０．５ Ａ ）
２時間スパッタを行った。
スパッタ期間中基板温度は１００℃を超えないよう水冷
により制御した。スノくツタ終了後、基板上には厚さが
約１μｍの淡黄色透明膜カニ得られたが、分解能６０Ｘ
の走査電子顕微鏡による枦（察の結果表面はまったく平
滑である５とｔ＆認められた。
により制御した。スノくツタ終了後、基板上には厚さが
約１μｍの淡黄色透明膜カニ得られたが、分解能６０Ｘ
の走査電子顕微鏡による枦（察の結果表面はまったく平
滑である５とｔ＆認められた。
このものを元素分析に供したところ、炭素、水素及び窒
素を含み、／Ｃ原子比は０．９０であった。
素を含み、／Ｃ原子比は０．９０であった。
透過電子顕微鏡観察、電子線回折Ｘ線回折により、この
膜は明確な構造をもたずアモルファス膜であることが判
った。
膜は明確な構造をもたずアモルファス膜であることが判
った。
ＩＲ吸収スペクトルの結果から、この膜はＣ−Ｈに起因
する吸収のみが観察されＣ，＝Ｃ，ＣミＣベンゼン猿な
どに起因するスペクトルは存在しなかった。可視光吸収
スペクトルから計算した光学的バンドギャップｕ 、２
−５ ｅｙであった。またこの膜の１Ｆ気抵抗率は、ｌ
Ｘ１０”Ω１と絶縁体に近＜ＥＳＲによるスピン密度は
５ ｘ １０” １／α３であり、マイクロビッカース
硬度計による硬度は２０００ ｌ（Ｒ／ ｒｎｓ２であ
った。
する吸収のみが観察されＣ，＝Ｃ，ＣミＣベンゼン猿な
どに起因するスペクトルは存在しなかった。可視光吸収
スペクトルから計算した光学的バンドギャップｕ 、２
−５ ｅｙであった。またこの膜の１Ｆ気抵抗率は、ｌ
Ｘ１０”Ω１と絶縁体に近＜ＥＳＲによるスピン密度は
５ ｘ １０” １／α３であり、マイクロビッカース
硬度計による硬度は２０００ ｌ（Ｒ／ ｒｎｓ２であ
った。
スパッタ時の温度を上げると膜の比抵抗は低下する傾向
がＭ（められ、またターゲットはグラファイトに限らず
純度のよい炭素質の物質なら同様の結果が得られること
も認められた。
がＭ（められ、またターゲットはグラファイトに限らず
純度のよい炭素質の物質なら同様の結果が得られること
も認められた。
実皓例２６
水素ガスを導入して圧力を０．２ ’ｐｏｒｒに保ち、
＠！ｆｉ、電流を０．５５ Ａ、＆ したほがは実施例
１を繰返した。
＠！ｆｉ、電流を０．５５ Ａ、＆ したほがは実施例
１を繰返した。
基板上には、２μｍの淡黄色透明膜が得られていたが、
実施例１と同様に平滑な膜であることが確認できた。ま
たＣ、 Ｈ，Ｎを含み、シ。原子比は０．８２であシ、
アモルファス膜であると（！：、Ｃ，、−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，
ベンゼン環の存在は認められなかった。
実施例１と同様に平滑な膜であることが確認できた。ま
たＣ、 Ｈ，Ｎを含み、シ。原子比は０．８２であシ、
アモルファス膜であると（！：、Ｃ，、−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，
ベンゼン環の存在は認められなかった。
また電気抵抗率Ｆｉ１×１ｏｌＯΩ（１）で、ＥＳＨに
よるスピン密度はＩ Ｘ １０１８１／α３、硬度は１
７００に、ｑ７酊２であった。
よるスピン密度はＩ Ｘ １０１８１／α３、硬度は１
７００に、ｑ７酊２であった。
ツ！施例６ ′
水素ガスを導入して圧力ｋ Ｏ，５Ｔｏｒｒに保ち、陽
極■ｊ、流を０，６Ａとしたｔデかは実施例１を繰返し
た。
極■ｊ、流を０，６Ａとしたｔデかは実施例１を繰返し
た。
基板上には、４μｍの表面平滑の淡黄色透明膜が生成し
ていた。／Ｃ原子比は０．７５、アモルファス膜である
こと、Ｃ−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，ベンゼン環は存在しないことは
前の例と同じであった。
ていた。／Ｃ原子比は０．７５、アモルファス膜である
こと、Ｃ−Ｃ，Ｃ＝Ｃ，ベンゼン環は存在しないことは
前の例と同じであった。
また光学的ギャップは２．９ｅＶ、膜の電気抵抗率は７
Ｘ１０”Ωα、スピン密度は７ ｘ １０ Ｉ７′／′
ｃＲｓ硬度け１６００緊がであった。
Ｘ１０”Ωα、スピン密度は７ ｘ １０ Ｉ７′／′
ｃＲｓ硬度け１６００緊がであった。
実施例４〜７
表示の変動因子に対してそれぞれ対応する物性を有する
アモルファスｓをｍｉ。
アモルファスｓをｍｉ。
実施例８
グラファイトターゲット表面のン２の面積のテフロンシ
ートを貼シっけたターゲットを用い、Ｈ２ガス圧０．５
Ｔｏｒｒ 、陽極電圧２．ＯｋＶを用いたほかは実施
例１を繰返した。
ートを貼シっけたターゲットを用い、Ｈ２ガス圧０．５
Ｔｏｒｒ 、陽極電圧２．ＯｋＶを用いたほかは実施
例１を繰返した。
生成膜、の厚さ２ ｔｔｍ 、 Ｈ＋Ｆ／ＣＩＪａ子比
０．８ Ｔ ＩＲ吸収スペクトルではＣ−Ｈ，Ｃ−Ｆに
起因する吸収スペクトルではＣ−Ｈ，ｃ−Ｆに起因する
吸収のみ観察された。
０．８ Ｔ ＩＲ吸収スペクトルではＣ−Ｈ，Ｃ−Ｆに
起因する吸収スペクトルではＣ−Ｈ，ｃ−Ｆに起因する
吸収のみ観察された。
光学的バンドギャップは２．８ ｅＶ 、 電気抵抗率
ｕ７Ｘ１０１１Ωαで、４００℃の空気中でもこの特性
の低下は起らなかった。
ｕ７Ｘ１０１１Ωαで、４００℃の空気中でもこの特性
の低下は起らなかった。
実施例９
９９、９９９ ％の水素ガスおよび９９．９９９ ％の
フッ素ガスを用いて真空室のガス圧を０．５ Ｔｏｒｒ
に保ち、陽極電圧２．０ｋＶを使用したｐよかは実施例
１を繰返した。
フッ素ガスを用いて真空室のガス圧を０．５ Ｔｏｒｒ
に保ち、陽極電圧２．０ｋＶを使用したｐよかは実施例
１を繰返した。
生成膜厚は４μｍ、Ｈ＋Ｆ、−６原子比は０．８であり
、ＩＲ吸収スペクトルではＣ−Ｈ，Ｃ−Ｆに起因する吸
収のみ観察され、ｃ＝ｃ、ｃ＝ｃ、ベンゼン環などに起
因するスペクトルは存在しなかった。
、ＩＲ吸収スペクトルではＣ−Ｈ，Ｃ−Ｆに起因する吸
収のみ観察され、ｃ＝ｃ、ｃ＝ｃ、ベンゼン環などに起
因するスペクトルは存在しなかった。
このものの光学的バンドギャップは３．１ｅＶであシ、
電気抵抗率は１Ｘ１０１’Ωぼ、ＥＳＲによる／（ヒン
密度ｕ Ｉ Ｘ １０ ” ’／にＨｓテ、４００℃の
空ｆｉ中でもこの特性には変化は起らなかった。
電気抵抗率は１Ｘ１０１’Ωぼ、ＥＳＲによる／（ヒン
密度ｕ Ｉ Ｘ １０ ” ’／にＨｓテ、４００℃の
空ｆｉ中でもこの特性には変化は起らなかった。
実施例１０
高周波電力に代えて、４００Ｖの直流電圧を印加したＩ
まかは実施例１ｆ繰返した。
まかは実施例１ｆ繰返した。
、Ｘ板上には１μｍの表面平滑な淡黄色透明膜が形成し
、このもののＨｌｏＪｊＪ、子比ｔま０．９で、透過電
子拍ｊ微鏡による観察と電子線回折、Ｘ線回析によって
この膜は微小部分にダイヤモンド構造ｒもつアモルファ
ス膜であることが判った。ＩＲ吸収スペクトルによυこ
の膜には、Ｃ−Ｈに起因する吸収のみ観察され、Ｃ＝Ｃ
，（、＝Ｃあるいはベンゼン環などに起因するスペクト
ルは存在しなかった。
、このもののＨｌｏＪｊＪ、子比ｔま０．９で、透過電
子拍ｊ微鏡による観察と電子線回折、Ｘ線回析によって
この膜は微小部分にダイヤモンド構造ｒもつアモルファ
ス膜であることが判った。ＩＲ吸収スペクトルによυこ
の膜には、Ｃ−Ｈに起因する吸収のみ観察され、Ｃ＝Ｃ
，（、＝Ｃあるいはベンゼン環などに起因するスペクト
ルは存在しなかった。
ｏＪ視光吸収スペクトルによシ計算された光学的バンド
ギャップは３．ＯｅＶ、電気抵抗率はＩ Ｘ１０”Ω１
で硬度は４０００ ｋｇ／１ｐｎａ”であった。
ギャップは３．ＯｅＶ、電気抵抗率はＩ Ｘ１０”Ω１
で硬度は４０００ ｋｇ／１ｐｎａ”であった。
またターゲットは、グラファイトに限らず純度のよい炭
素質物質なら同様の結果が得られること、基板温度を高
くすると比抵抗が低下する傾向があることを確認し７ｂ
０ 実痛例１１〜１５ 表示の変動因子に対して、それぞれ対応する物性を有す
るアモルファス膜を得た。
素質物質なら同様の結果が得られること、基板温度を高
くすると比抵抗が低下する傾向があることを確認し７ｂ
０ 実痛例１１〜１５ 表示の変動因子に対して、それぞれ対応する物性を有す
るアモルファス膜を得た。
実施例１６ （比較例）
実施例１〜９および１０〜１５において、水素ガスの代
シにアルゴンガスを用いたところ、得られたアモルファ
ス膜の電気抵抗率１．８ ｘ １０−”〜り、２ｘ１０
−” Ω１のグラファイト状族ができた。
シにアルゴンガスを用いたところ、得られたアモルファ
ス膜の電気抵抗率１．８ ｘ １０−”〜り、２ｘ１０
−” Ω１のグラファイト状族ができた。
実施例１７
実施例１〜９および１０〜１５で得た試料の各々の膜ニ
レーザビーム（エレクトロンビームＶ＝２ｋＷｔ レー
ザＨｅ −Ｎｅレーザ、出力４Ｗ）を照射したところ照
射部分のみ電気抵抗率が１．８〜２．２Ｘ １０−’
Ω１となった。なお、レーザビームの代シに電子線全照
射したときも同様の傾向となった。
レーザビーム（エレクトロンビームＶ＝２ｋＷｔ レー
ザＨｅ −Ｎｅレーザ、出力４Ｗ）を照射したところ照
射部分のみ電気抵抗率が１．８〜２．２Ｘ １０−’
Ω１となった。なお、レーザビームの代シに電子線全照
射したときも同様の傾向となった。
実施例１８
実施例１〜１５において、ターゲットとしてグラファイ
トにホウ素をドーピングしたものを使用したところ、膜
中にホウ素が検出され、また膜の特性としてフォトルミ
ネッセンス、７オトコンダクテイビテイの挙動が新たに
観測された。
トにホウ素をドーピングしたものを使用したところ、膜
中にホウ素が検出され、また膜の特性としてフォトルミ
ネッセンス、７オトコンダクテイビテイの挙動が新たに
観測された。
この傾向は、グラファイトにリンをドーピングしたもの
をターゲットとして使用したとき、また水素ガスに窒素
、リン、ホウ素を含むガスを混合してスパッタした場合
にも回様な挙動が観察された。
をターゲットとして使用したとき、また水素ガスに窒素
、リン、ホウ素を含むガスを混合してスパッタした場合
にも回様な挙動が観察された。
実施例１９
実施例１． ４．８． １０． １３および１５によっ
て得たアモルファス膜について耐薬品性１耐熱性で耐湿
性々ＩＲ透過率τ 耐スクラッチ硬゛についてテストを
行ったがいずれも変化は認められなかった。
て得たアモルファス膜について耐薬品性１耐熱性で耐湿
性々ＩＲ透過率τ 耐スクラッチ硬゛についてテストを
行ったがいずれも変化は認められなかった。
＊耐薬品性試験：■２０％フッ酸水溶液中に１週間浸漬
、■濃硝酸中に１週間浸漬、後金属顕微鏡観察で何ら変
化認めず、また重匍゛の変化も認められなかった。
、■濃硝酸中に１週間浸漬、後金属顕微鏡観察で何ら変
化認めず、また重匍゛の変化も認められなかった。
＊耐熱性試験：４００℃、１時間真空中とアルゴンガス
中でアニールしたが、光学的バンドギャップには変化が
認められなかった。
中でアニールしたが、光学的バンドギャップには変化が
認められなかった。
＊耐湿性試験：常温で２４時間水中浸漬を行った後顕微
鏡による表面観察、光学的バンドギャップは変化がなか
つだ。
鏡による表面観察、光学的バンドギャップは変化がなか
つだ。
＊工Ｒ領域透光性：λ＝２．５〜２５μｍで９０チ以上
の光線透過が確認された。（但し一〇Ｈ基に基づく吸収
は除く）。
の光線透過が確認された。（但し一〇Ｈ基に基づく吸収
は除く）。
＊スクラッチ性：膜をガラス片でひつかいた後、顕微鏡
観察を行ったがキズは認められなかった。
観察を行ったがキズは認められなかった。
■ 本発明によって得たコーテイング材は、ビッカース
硬度が最大で４０００ ｋｇ／ｗａ２ とダイヤモンド
に次ぐ硬さを示し従ってこれを金属またはプラスチック
上にコーティングすることによシキズのつかない永久的
な光沢面を保持できるばかシではなく使用状態が極めて
苛酷なバイト等に応用することができる。
硬度が最大で４０００ ｋｇ／ｗａ２ とダイヤモンド
に次ぐ硬さを示し従ってこれを金属またはプラスチック
上にコーティングすることによシキズのつかない永久的
な光沢面を保持できるばかシではなく使用状態が極めて
苛酷なバイト等に応用することができる。
■ また実施例が示すように電気抵抗が１０４Ω傭台と
いう絶縁物に近いもので非常に均一（密）でかつ耐薬品
、耐湿、耐熱などの＃環境性の良いものであシながら常
温で製造できるので例えばＧ４Ａ３半導体、Ｈｇ Ｃｄ
Ｔｅ素子あるいは熱や酸素に弱い物質へのコーティング
として最適なものである。
いう絶縁物に近いもので非常に均一（密）でかつ耐薬品
、耐湿、耐熱などの＃環境性の良いものであシながら常
温で製造できるので例えばＧ４Ａ３半導体、Ｈｇ Ｃｄ
Ｔｅ素子あるいは熱や酸素に弱い物質へのコーティング
として最適なものである。
■ さらに赤外域で透明で赤外線透過率が良く屈折率が
１．８〜２．０近辺の値を示し、Ｓｉの屈折率（ｔｔ＝
３．５）の平方根にはソ等しい値であることから太陽電
池表面の反射防止膜として最適なものである。
１．８〜２．０近辺の値を示し、Ｓｉの屈折率（ｔｔ＝
３．５）の平方根にはソ等しい値であることから太陽電
池表面の反射防止膜として最適なものである。
■ そのり、か、どのような形状の物質に対しても均一
にコーティングすることが可能なことから軸受や一般機
械要素の摺動部などに施して耐麟耗性を期待することも
可能である。
にコーティングすることが可能なことから軸受や一般機
械要素の摺動部などに施して耐麟耗性を期待することも
可能である。
■ また例えばａ−Ｃ：Ｈ＃Ｆ’型の太陽１？Ｉ池とす
ることによシ、そのものの耐熱性が向上して使用環境が
高温となっても絶縁性、硬度、光透過性は劣化すること
がない。
ることによシ、そのものの耐熱性が向上して使用環境が
高温となっても絶縁性、硬度、光透過性は劣化すること
がない。
■ なお、製造の場面についてみると、スパッタリング
の場面で雰囲気ガスの種類を調節することによシ導電性
膜、絶縁性膜を交互に＆層することも可能で薄膜コンデ
ンサーとすることもできる。
の場面で雰囲気ガスの種類を調節することによシ導電性
膜、絶縁性膜を交互に＆層することも可能で薄膜コンデ
ンサーとすることもできる。
■ またこのような調節技術を活用して導電性心を作る
とき、適当なマスクを利用すれば任意に１１１；気回路
を作ることができまた交互に多層化すれば多層薄膜回路
ができ、さらにこのときレーザビームまたは電子線の照
射を行って絶縁転部分子等箱膜化することも可能で幅広
い応用動作が期待できる。
とき、適当なマスクを利用すれば任意に１１１；気回路
を作ることができまた交互に多層化すれば多層薄膜回路
ができ、さらにこのときレーザビームまたは電子線の照
射を行って絶縁転部分子等箱膜化することも可能で幅広
い応用動作が期待できる。
■ さらに、ドーピングされたターゲットあるいは雰囲
気ガスの調節、変更を行うことによシ価電子帯、伝導帯
間バンドギャップの広い半導体でなおかつ表面硬度の高
いデバイスを製造することができる。
気ガスの調節、変更を行うことによシ価電子帯、伝導帯
間バンドギャップの広い半導体でなおかつ表面硬度の高
いデバイスを製造することができる。
第１図は、プレーナマグネトロンスパッタ装尚。
の概略断面図を示したものである。
１・・・真空室、２・・・ターゲット、３・・・基板、
４・・・雰囲気ガス導入管、５・・・排気管、６・・・
電源。 代理人弁理土木村三朗 第 １ 図 １、事件の表示 特願昭５９−４６５９７号 ２、発明の名称 コーテイング材およびその製法 な、蕗 （６１０）株式会社 明 電 舎４、代理人 ７、補正の内容 （１）明細書第１２頁、表の次に「実施例１５は、基板
に１００ｖの直流ノζイアス電圧をかけて行り九。」を
挿入する。 以上
４・・・雰囲気ガス導入管、５・・・排気管、６・・・
電源。 代理人弁理土木村三朗 第 １ 図 １、事件の表示 特願昭５９−４６５９７号 ２、発明の名称 コーテイング材およびその製法 な、蕗 （６１０）株式会社 明 電 舎４、代理人 ７、補正の内容 （１）明細書第１２頁、表の次に「実施例１５は、基板
に１００ｖの直流ノζイアス電圧をかけて行り九。」を
挿入する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１＋ ガス圧０．１〜５ Ｔｏｒｒ の雰囲気中グラ
ファイトターゲットを使用して常温〜１００℃でスパッ
タを行い／Ｃ（あるいはＨ＋Ｆ／ｃ）をその原■（ 子比で０．５〜０．９の割合で存在させたことを特徴と
するアモルファスカーボン含有のコーテイング材。 （２）常温〜１００℃の真空室内に処理対象基板を設値
しガス圧０．１〜５ Ｔｏｒｒ の条件下でグラファイ
トターゲットを使用してスパッタを行いｆ（Ｈ＋Ｆ ／Ｃ（あるいは ／ Ｃ）をその原子比で０．５〜０．
９の割合で存在させたアモルファスカーボン膜とするこ
とを特徴とするコーテイング材の製法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046397A JPS60190557A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | コ−テイング材およびその製法 |
| CA000476208A CA1232228A (en) | 1984-03-13 | 1985-03-11 | Coating film and method and apparatus for producing the same |
| US06/711,018 US4597844A (en) | 1984-03-06 | 1985-03-12 | Coating film and method and apparatus for producing the same |
| DE8585301709T DE3586465T2 (de) | 1984-03-13 | 1985-03-13 | Ueberzugsfilm, verfahren und vorrichtung zur herstellung dieses filmes. |
| EP85301709A EP0155178B1 (en) | 1984-03-13 | 1985-03-13 | A coating film and method and apparatus for producing the same |
| CA000537450A CA1243275A (en) | 1984-03-13 | 1987-05-19 | Apparatus for coating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046397A JPS60190557A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | コ−テイング材およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60190557A true JPS60190557A (ja) | 1985-09-28 |
Family
ID=12746012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59046397A Pending JPS60190557A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-13 | コ−テイング材およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60190557A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62265113A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-18 | Yasunobu Akimoto | 硬質カ−ボン薄板の製造法 |
| JPS62289097A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ用振動板 |
| JPS62289096A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピ−カ用振動板 |
| JPS63126234A (ja) * | 1986-05-08 | 1988-05-30 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 発光材料の製造方法 |
| JPH0268599U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-24 | ||
| JPH0268597U (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-24 | ||
| JPH0569164U (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | シチズン時計株式会社 | 硬質カーボン膜被覆織機部品 |
| JP2006111964A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-04-27 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833256A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-02-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58182059A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-24 | コミサリア タ レネルジー アトミック | 光熱変換用被覆 |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59046397A patent/JPS60190557A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182059A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-24 | コミサリア タ レネルジー アトミック | 光熱変換用被覆 |
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| JP2006111964A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-04-27 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 |
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