JP2006111964A - 所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 - Google Patents
所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006111964A JP2006111964A JP2005235978A JP2005235978A JP2006111964A JP 2006111964 A JP2006111964 A JP 2006111964A JP 2005235978 A JP2005235978 A JP 2005235978A JP 2005235978 A JP2005235978 A JP 2005235978A JP 2006111964 A JP2006111964 A JP 2006111964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- coating
- layer
- predetermined resistivity
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 121
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 24
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 18
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=C(Cl)C=C(Cl)C=2)=C1 RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供するための方法および装置の提供。
【解決手段】コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、チャンバー内でプラズマを生成する工程、およびプラズマのイオンを基体上に堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成する工程を含む。コーティングは、ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時に停止する。所定の抵抗率は105−109Ωcm、好ましくは106Ωcmである。基体は方法の間、所定の抵抗率に達するのを補助するためバイアスがかけることができる。コーティングは、基体への、もしくは基体からの静電放電の危険を低減もしくは防止するために使用することができる。また基体とさらなるコーティングとの接着を改善するためのシード層として使用することができる。さらに所定の抵抗率を有するコーティングが記載される。
【選択図】 図1
【解決手段】コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、チャンバー内でプラズマを生成する工程、およびプラズマのイオンを基体上に堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成する工程を含む。コーティングは、ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時に停止する。所定の抵抗率は105−109Ωcm、好ましくは106Ωcmである。基体は方法の間、所定の抵抗率に達するのを補助するためバイアスがかけることができる。コーティングは、基体への、もしくは基体からの静電放電の危険を低減もしくは防止するために使用することができる。また基体とさらなるコーティングとの接着を改善するためのシード層として使用することができる。さらに所定の抵抗率を有するコーティングが記載される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、あらかじめ決定された抵抗率を有する基体コーティングを提供する方法に関し、特には基体表面上の帯電防止の放電および/またはシード層コーティングの提供のための方法および装置に関する。熟練した当業者によって理解されるように、本発明はそのような用途に制限されない。
望まれない静電放電(electrostatic discharge:ESD)は敏感な電子部品および関連するコンポーネントを破損する場合がある。ESDは、人体、エレクトロニクス製造装置、およびエレクトロニクス設備の一般的な使用により生ずる場合がある。破損されることがあるコンポーネントの例としては、記憶メディアおよび記憶メディア製造装置、それらの読み取り装置、指紋センサーまたはタッチセンサーまたは電気的に露出した能動回路を有する同様のセンサー、集積回路(IC)パッケージおよびそれらのコンポーネントなどがあげられるが、これらに限定されるものではない。静電気がそれらの一般的な人体の動きによって生成される場合、ESD源の例は電子部品をアセンブルするスタッフである。その後、この静電気は、彼らが扱っているコンポーネントへ、彼らの指を介して放出され、コンポーネントを破損することがある。別の例において、静電気は蓄積し、リーダアームヘッドとハードディスクドライブのディスクの間に放出することがある。
いくつかの方法がエレクトロニクス製造中のESDを低減するか防ぐために使用される。例えば、製造スタッフは、彼らの体から静電気を安全に取り出すために、アースされたリストバンドを着用していることがある。さらに、アースされた静電防止マットが、敏感なアセンブリ区域の入口で提供されることがある。その結果、アセンブリ区域に入る場合、スタッフはアースされたマットへ静電気を放出する。
ESD予防の別の例は、感受性のコンポーネント、または感受性のコンポーネントについて使用する装置の、低い抵抗率特性を有するコーティングでコーティングすることを含む。そのようなコーティングは、典型的には「ウエット」で塗布され、たとえば、コンポーネント上に液体エマルションをスプレーし、それを乾燥させることを含む。ウエット塗布コーティングに伴う問題としては、コーティングされるコンポーネントとの不良な接着および均一なコーティングを塗布することの困難性があげられる。抵抗率特性が少なくとも一部コーティングの厚さに関連するので、不均一なコートは、望ましくない変化する抵抗率を有するコーティングに帰着する。さらに、ウエット塗布されたコーティングは、比較的厚く塗布された場合にのみ、信頼性があり、一定である。しかしながら、厚いコーティングは精密工学において望ましくない。なぜなら、それらはコーティングされた製品の外寸法を望ましくなく変化させる場合があるからである。
先行技術の問題の少なくとも1つを克服するか改善することは、本発明の好ましい実施態様の少なくとも1つの目的である。
発明の第1の態様によれば、以下の工程を含む、所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供する方法が提供される:
真空チャンバー内にコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内で炭素プラズマを形成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
真空チャンバー内にコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内で炭素プラズマを形成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、テトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
ta−Cコーティングはそれらの硬さ、摩耗およびひっかきに対する抵抗性のために使用され、それらの特性は本発明の使用の結果として存在する。しかしながら、本発明の新規かつ進歩性のある方法の使用によって、コーティングされた基体において比較的正確な抵抗特性を達成することが可能であり、これは基体コーティングとしてのta−Cの使用を増大させるか、又は少なくとも促進する。潜在的な使用の例は、以下により詳細に説明される。
好ましくは、所定の抵抗率は絶縁体とコンダクタの間の範囲の105−109Ωcmにわたる。さらに好ましくは、所定の抵抗率は、2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmである。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmである。ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有したら、コーティング工程が止められる。好ましくは、堆積工程の間に、好ましくは−100Vから−3000V、より好ましくは−500Vから−1500Vで、基体にバイアスをかけることにより、抵抗率が制御される。好ましくは、コーティングは50−80nm、より好ましくは20−50nmの厚さを有する。基体にバイアスをかける工程は、所定の抵抗率を達成する精度を改善する。
好ましくは、堆積時間は50秒から300秒である。所定の抵抗率に影響を与えるパラメータとしては、コーティングの厚さ、コーティングの間に基体に加えられるバイアスの量、堆積プロセスの間にチャンバーの中に存在するガスの種類と体積、および堆積工程の期間の1つ以上があげられる。停止工程は所定の経過時間により決定することができ、またはコーティングの抵抗率を測定するフィードバック検出装置を使用して、所定の抵抗率が達成された時に、停止工程が行われるようにできる。
好ましくは、堆積工程はチャンバーと連結された装置により行うことができ、該装置は炭素ターゲット、およびターゲットへの電力供給のための電源を含む。異なる実施態様では、第2の堆積工程をチャンバーと連結された第2の装置により行うことができ、該第2の装置は金属ターゲット、および金属ターゲットへの電力供給のための電源を含み、ta−C基体コーティングは金属ターゲットからのプラズマによって提供される金属を含む。
好ましくは、チャンバーは堆積工程に先立って減圧にされる。また、チャンバーが減圧にされた後、堆積工程の前に、基体は真空チャンバーの中で洗浄される。さらに好ましくは、チャンバーは堆積工程に先立って減圧にされる。また、基体は、プラズマへの暴露の後、およびチャンバーを再加圧する工程の前に、真空チャンバーの中で洗浄される。
好ましくは、堆積装置はフィルタードカソーディックバキュウムアーク(FCVA)装置である。
好ましくは、本方法では、堆積工程の間に真空チャンバー内へガスを導入し、基体上のコーティングがガスとta−Cの化合物であるようにする。好ましくは、ガスは窒素またはアルゴンのうちの1つである。あるいは、ガスはアンモニア、酸素、メタンあるいはエテン(エチレン)を含むことができ、又はそれらの内の1つであることができる。堆積中のチャンバーの圧力は好ましくは0.05mTorrから1.0mTorr、より好ましくは0.2mTorrから0.8mTorrである。
好ましくは、基体は以下のコンポーネントの内の1つ、またはそれらの部分である:指紋センサー;露出した能動回路を有する電子パッケージ;タッチスクリーンパネル;記憶メディア;ディジタルメモリーリーダーコンポーネント(たとえば、ハードディスクドライブのサスペンジョンアーム上のフレキシブル回路);集積回路(IC)パッケージ、あるいはそのコンポーネント;ICウエハトレイおよびホルダー;有機発光ダイオードの層;あるいはフラッシュメモリー装置(たとえば、セキュアデジタルカードあるいはコンパクトフラッシュカード)あるいは関連するリーダ。
本発明の別の態様によれば、基体上にta−Cのコーティングを提供するための装置が提供され、該装置は以下を含む:
コーティングされる基体をハウジングするための真空チャンバー;
チャンバー内で炭素プラズマを生成するための手段;
そして、プラズマ生成手段を作動させ、その後ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時にプラズマ生成手段を停止させるための制御手段。
コーティングされる基体をハウジングするための真空チャンバー;
チャンバー内で炭素プラズマを生成するための手段;
そして、プラズマ生成手段を作動させ、その後ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時にプラズマ生成手段を停止させるための制御手段。
好ましくは、所定の抵抗率は105−109Ωcmである。さらに好ましくは、所定の抵抗率は、2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmである。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmである。さらに好ましくは、制御手段はコーティングが5−80nmの厚さになった時、より好ましくはコーティングが20−50nmの厚さになった時、停止するように構成される。あるいは、制御手段はフィードバックメカニズムが、所定の抵抗率が得られたことを示した時に、プラズマ生成手段を停止するように構成される。
好ましくは、装置は、さらにプラズマ生成手段を始動する時に、基体にバイアスをかけるための基体にバイアスをかける手段を含む。好ましくは、基体にバイアスをかける手段は、−100Vから−3000V、およびより好ましくは−500Vから−1500Vで基体にバイアスをかけるように構成される。好ましくは、プラズマ生成手段はフィルタードカソーディックバキュウムアーク装置である。発明の別の態様によれば、105から109Ωcmの所定の抵抗率を有するta−cコーティングを含む基体が提供される。さらに好ましくは、所定の抵抗率は、2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmである。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmである。好ましくは、基体は、106Ωcmの抵抗率を有するta−Cコーティングを含む。
発明の別の態様によれば、基体のためのta−Cコーティングが提供され、このコーティングは105−109Ωcmの所定の抵抗率を有する。さらに好ましくは、所定の抵抗率は、2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmである。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmである。
好ましくは、上記の2つの態様のコーティングは上記に記述された態様の方法によって提供される。
理解されるように、用語「ta−Cコーティング」は明細書の全体にわたって、テトラヘドラルアモルファス炭素コーティングを意味し、これは炭素の他の同素体、または他の元素または化合物を含んでいてもよい。他の要素あるいは化合物は、堆積工程の間にチャンバーの中に存在するガスに起因する化合物を包含することができる。別法として、上に記述されるように第2のターゲットが使用される場合、ta−Cコーティングは第2のターゲットからの要素あるいは化合物も含むことができる。ta−Cコーティングの炭素含量は典型的には、30mol%よりも多い。
本発明の別の態様によれば、積み重ねる順で、以下の複数の積み重ねられた層を含む有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイが提供される:
第1の透明なポリマー層;
所定の抵抗率を有するta−Cシード層;
透明電極フィルム層;
OLED層;
1つ以上の金属の層;および
第2のポリマー層。
第1の透明なポリマー層;
所定の抵抗率を有するta−Cシード層;
透明電極フィルム層;
OLED層;
1つ以上の金属の層;および
第2のポリマー層。
本発明のOLEDは、有利には、ガラスに基づいたOLEDに比較して柔軟であり、ta−C層の使用は、ポリマー層と電極フィルム層の間の接着を改善する。さらに有利には、ta−C層は、ポリマー層を通って金属の層への空気または水の浸透を防ぎ、したがってそれらの酸化を防ぐ。
好ましくは、ta−C層は上記の態様の方法によって提供される。好ましくは、ta−C層は10−50オングストロームの厚さである。さらに、ta−C層の抵抗率は好ましくは105−109Ωcmである。
好ましくは、ポリマー層はポリカーボネートである。透明電極フィルム層はITOまたはZnOのうちの1つである。また、1つ以上の金属の層はCaとAlを包含する。さらに好ましくは、OLEDディスプレイは、1つ以上の金属の層の上に第2のta−C層を含み、第2のta−C層は20−500オングストロームである。発明の別の態様によれば、基体への、または基体から静電放電の危険を減らすか、またはそれを防ぐために、基体上にコーティングを提供する方法を提供する。該方法は以下の工程を含む:
真空チャンバー内にコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内に炭素プラズマを生成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、所定の抵抗率を有するテトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
真空チャンバー内にコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内に炭素プラズマを生成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、所定の抵抗率を有するテトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
好ましくは、所定の抵抗率が105−109Ωcm、より好ましくは106Ωcmになった時に、堆積工程が停止される。さらに好ましくは、所定の抵抗率は、2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmである。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmである。
発明の別の態様によれば、基体上にコーティングを提供し、基体上のさらなるコーティングの接着を改良する方法が提供される。該方法は以下の工程を含む:
真空チャンバーにコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内で炭素プラズマを生成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、所定の抵抗率を有するテトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
真空チャンバーにコーティングされる基体を提供すること;
チャンバー内で炭素プラズマを生成すること;および
基体上にプラズマのイオンを堆積させ、所定の抵抗率を有するテトラヘドラルアモルファス炭素(ta−C)基体コーティングを形成すること。
好ましくは、所定の抵抗率が105−109Ωcmになった時に、堆積工程が停止される。さらに好ましくは、所定の抵抗率が2×105から107Ωcm、または4×105から5×106Ωcmになった時に、堆積工程が停止される。より好ましくは、所定の抵抗率は約106Ωcmになった時に、堆積工程が停止される。1つの実施態様では、基体はポリマーである。また、さらなるコーティングは金属または金属化合物である。好ましくは、基体はポリカーボネートであり、および/または金属化合物はITOまたはZnOである。あるいは、基体は金属または金属化合物である。また、さらなるコーティングはポリマーである。
本発明の好ましい実施例が以下において、例示の目的のためにのみ記載される。添付図面は:
図1および2は、本発明の基体コーティングを提供するための装置の実施態様を例証する図である;
図3から4Bは、本発明の実施態様のいくつかの用途を例証する;そして
図5および6は、本発明の実施態様を組込むOLEDの各部の関連を示す概要図および拡大された部分図である。
図1および2は、本発明の基体コーティングを提供するための装置の実施態様を例証する図である;
図3から4Bは、本発明の実施態様のいくつかの用途を例証する;そして
図5および6は、本発明の実施態様を組込むOLEDの各部の関連を示す概要図および拡大された部分図である。
図1を参照すると、本発明の好ましい実施態様は所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供する方法である。本発明の方法から形成されたコーティングは、ta−C、あるいは上記のta−C化合物であり、厚さは約30nmである。コーティングの所定の抵抗率はほぼ106Ωcmである。
本発明の有するコーティングは、一般に帯電防止放電(ASD)コーティングとして記載される用途、および隣接する層の間の接着性の改善のためのシード層として記載される用途において使用することができる。コーティングの特性は、さらにバリヤー層としての2次的使用を提供することを可能にする。コーティングのASD、シードおよびバリア層としての使用の例は、以下により詳細に説明される。
所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供する本発明の好ましい方法は、FCVA装置12の形態の、チャンバー内のプラズマ生成手段と連結された、コーティングチャンバー11の形態の真空チャンバーを含む装置10の中で行われる。FCVA装置12はグラファイトターゲット、ターゲットへの電供給のための電源および公知の配置でのアノードを含む。FCVAがどのようにしてプラズマを提供するかの例は、出願人の国際特許出願WO−A−96/26531に記載されている。好ましい実施態様はFCVA装置を備えた使用のために調整されるが、異なる実施態様では、チャンバー11内に全体あるいは部分的に存在する公知の装置のような、他のタイプの物理的な蒸着装置によってプラズマが提供さてもよいことが理解されるだろう。しかしながら、FCVA装置のフィルタリング能力を使用して、マクロ粒子状物質が基体表面をコーティングすることを防ぐために使用することは好ましい。
真空チャンバーは、さらに、コーティングチャンバー11と連結した、コーティング前に基体表面を洗浄するためにクリーニングチャンバー14を含む。これはクリーニングチャンバー14内のイオンビーム源16の使用によって達成される。フィードおよびコレクションサブチャンバー18および20も、それぞれクリーニングチャンバー14および真空チャンバー11と連結して提供される。
チャンバー11、14、およびサブチャンバー18、20は、その中を基体が通れるサイズの狭い開口22を介して、互いに連結されている。
チャンバー11、14、およびサブチャンバー18、20は、その中を基体が通れるサイズの狭い開口22を介して、互いに連結されている。
好ましい方法の工程が、図1および2を参照して記載される。ここで同じ数字は同じ部分を示す。図1では、基体24aはフレキシブル基板のような柔軟な材料であり、ロールの形で供給されて、図2では基体24bは集積回路(IC)パッケージのような個別のユニットである。図1および2では、方法は連続的であり、基体24a、24bは、狭い開口22を通って、フィードサブチャンバー20からチャンバー14および11を通って、およびコレクションサブチャンバー20へ移動される。本方法においては、基体24a、bはフィードサブチャンバー18でシステム10内に提供されるか、または入れられ、チャンバー11、14、およびサブチャンバー18、20は、約1マイクロトルの圧力に減圧される。その後、アルゴンが真空チャンバー11に導入され、約300マイクロトルの圧力にされる。基体24a/bは、開口22を通ってクリーニングチャンバー14中へ移動される。イオンビーム源16を始動し、基体24a、bがコーティングチャンバー11内に移動する前に、基体24a、bの表面を清浄化する。その後、FCVA 12を始動し、グラファイトターゲットのプラズマを提供し、炭素イオンがta−Cとして基体表面をコーティングするようにする。基体表面のコーティングのための時間は約50〜300秒の間にコントロールされる。更に、コーティングプロセス中に、基体に−800Vのバイアスがかけられる。発明者は、基体にバイアスをかけることによって、既知の方法より高い精度でコーティングの所望の抵抗率を達成することができることを見いだした。一旦、コーティングが所望の厚さに適用されたならば、基体24a、bは、コーティングチャンバー11からコレクションサブチャンバー20に移動される。一旦所定の量の基体ロール24aあるいは所定の数の基体ユニット24bがコーティングされたならば、イオンビーム源16およびFCVAを停止し、空気をチャンバー11、14、およびサブチャンバー18、20内へ導入する。チャンバー11、14、およびサブチャンバー18、20の内部の圧力が大気圧に達したら、コーティングされた基体24a/bがコレクションサブチャンバー20から回収される。
図1に示された実施態様では、基体24aは駆動ローラ26によってチャンバーおよびサブチャンバーを通って移動される。一方、図2に示された実施態様では、基体部分24bは公知の方法によりカーまたはコンベア(図示せず)の上に乗って、チャンバーおよびサブチャンバーを通って移動される。別の異なる配置では、第2のFCVA源(図示せず)はコーティングチャンバー11と連結し、金属イオンを有するプラズマを提供し、ta−C/金属の組成を有するコーティングを提供する。
本発明者は、好ましい方法により得られる基体コーティングは驚くべきことに均一な特性を有し、これは上記の先行技術に関連して議論された、「ウエット」塗布されたASDコーティングと比較して、改良された帯電防止放電(ASD)コーティングを提供することを見いだした。好ましい方法によって提供される基体コーティングのテストにより、コーティングの厚さの均一性が+/−5%であり、1つのバッチから次のバッチまでの抵抗率の再現性が+/−10%であり、抵抗率は106Ωcm+/−5%でコントロールすることができることが示された。このレベルの許容差は、公知の「ウエット」塗布を使用しては不可能である。他の標準テストの結果は、1000Vでコーティングのトリボチャージが1V未満であり、帯電圧減衰は、1000Vで10%カットオフが0.4秒であることを示した。更に、完全性試験は、コーティングが超音波浴中で、30分後に依然として完全であることを示した。対照的に、薄い「ウエット」塗布コーティングは、超音波浴中で約1分後に完全性を失った。これは比較的厚く塗布されない場合の不良な接着による。さらに、好ましい実施態様のコーティングは1GPa未満の比較的低いストレスと、2.5g/cm3よりも大きい比較的高い密度、約50GPaの比較的高い硬さを有している。コーティングが、比較的低温(つまりほぼ室温)で適用されるので、コーティングプロセスは高い温度で損傷に弱い基体に影響を与えない。
コーティングが106Ωcmよりも大きいか、または小さい抵抗率を持つことが望まれる場合、コーティング厚、コーティングプロセスの間に存在するガス、基体にかけるバイアスの大きさ、あるいはコーティングプロセスの時間の1つまたは複数が、コーティングプロセスの間に変更される。異なる実施態様では、コーティングプロセス中にフィードバック検出装置が提供され、コーティングの抵抗率を測定し、フィードバック検出装置により測定された抵抗率が所定の抵抗率に達した時にコーティングプロセスを停止することができる。
図3は、ASDコーティングとして使用された発明の実施例を示す。約106Ωcmの表面抵抗率を有するta−Cコーティング32が、本発明の好ましい方法によって公知の指紋センサー30上に提供される。指紋センサー30は、基本的に、その表面に能動回路34を持っている集積回路パッケージであり、ユーザの指の接触を検知し、その指紋について指をスキャンする。完全性のために、指紋センサー30の他のコンポーネントとしては、能動回路34と電気的な連絡を有する能動コンポーネント35、PCB 36、アース面38、スルーホール40、ボンドパッド44間のワイヤボンド42、ワイヤボンド42の上のエポキシモールド46があげられる。公知の指紋センサーのタッチ表面は通常Si3N4、SiONあるいはSiO2であり、典型的には106Ωcmよりも大きい抵抗率を有する。したがって、実際には、能動回路34に触れる場合、ユーザはしばしば彼らの指先から静電気を放出する。ユーザからのESDが十分に大きな場合、能動回路および/またはそれに接続している電装品は修理不能に破損される場合がある。本発明のコーティング32をセンサーの表面に適用することによって、ESDの危険は低減されるかまたは防止され、またユーザの指の接触を、コーティング32を通して能動回路34へ登録するに十分な導電率を有している。
上記の例から理解されるように、新規な基体コーティングはESDから、タッチ感受性ディスプレーパネルを始めとする露出した能動回路の他のタイプを保護するために使用することができる。
図4Aおよび4Bは、公知のリソグラフィープロセスにおいて本発明の原理を使用して、ワイヤーボンディングの前に能動回路48をコーティングする方法を例示する。この例において、ボンディングパッド50はta−Cコーティング52によりカバーされることはできない。あるいは、ワイヤーボンディングは達成されない。したがって、フォトレジスト要素54は、基体コーティング52を適用する前にボンディングパッド50の上に配置される。図4Aは、塗布されたta−Cコーティング52、およびコーティング52とボンディングパッド50の間のフォトレジスト要素54を有する能動回路48を例示する。一旦、ta−C基体コーティング52が塗布され、NaOH溶液がボンディングパッド50からフォトレジスト54およびその上の基体コーティング部分56をストリップするために使用される。図4Bの中で例示されるように、これは、基体コーティング52によってコーティングされるが、露出されたボンディングパッド50を有する能動回路48に帰着する。
異なる配置では、本発明の原理は既知の金属マスキング技術において使用することができる。能動回路の所定の部分(たとえば、ワイヤボンディングパッド)を覆うために所定の形状の金属マスクが提供され、ta−Cコーティングプロセスの間に覆われていない部分が露出されることを可能にする。コーティングの後、マスクは除去され、コーティングされていない露出部分が現れる。
図5および6は、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイに関する本発明の異なる使用を例示する。ここでは、コーティングの抵抗率特性は、コーティングのシード層としての使用を許容し、非常に異なる抵抗特性を有する2つの層の間の接着の改良を提供する。公知のOLEDは、第1のガラス層、第1のガラス層の上に配置される透明電極フィルム(たとえば、ITO、ZnO)、有機OLEDポリマー、CaおよびAl、および第2のガラス層を記載した順で含む、複数の隣接した層を含む。ガラスは脆いので、現在の研究はポリカーボネートのような柔軟で透明なポリマーでのガラス層を置換することを研究している。しかしながら、ガラス層の上に電極フィルムを堆積させる時の温度は比較的高いが、ポリカーボネートに悪影響を及ぼさないように、ポリカーボネート層の上に置く場合、その温度はより低くなければならない。より低い温度でポリカーボネートへ電極フィルムをボンディングすることは、ポリカーボネートの高い抵抗により有効でないことを示された。ガラスの抵抗はおよそ20Ωで、ポリカーボネートの抵抗がほぼ10kΩであり、抵抗率は1010Ωcmより大きく、ポリカーボネートの抵抗はガラスよりの抵抗より数桁大きい。
さらに、ポリカーボネートは空気および水に対して浸透性である。ポリカーボネートの浸透性は、ポリカーボネートのOLED構造の耐用期間が1日未満であることを意味する。これはポリカーボネートおよび他の層を通過する空気および/または水によるCa層の酸化のためである。
図5および6の中で例示された実施態様では、上記の方法を使用して第1のta−C層58が、ポリカーボネート層60と透明電極層62の間に提供される。ta−C層58の厚さは30−50オングストロームである。また、堆積パラメータ(バイアシングなど)は、ポリカーボネート層の上に、106から109Ωcmの抵抗率を有するシード層コーティングを提供するようにコントロールされる。これは、ポリカーボネート層60の抵抗率を106から109Ωcmの間に低減して、透明電極層62との接着を改善する効果がある。従来のように、他の層は有機OLEDポリマー層64およびCaとAl 66である。この実施態様では、第2のポリカーボネート層68の形態の第2のポリマー層が、さらにCaおよびAl層66の上に提供される。
第1のta−C層58は、ポリカーボネート層60を通ってCa層への浸透性をおよそ100倍低減するというさらなる利点を有する。図5に示すように、外側のポリカーボネート層60、68の浸透性をさらに低減するために、第2および第3のta−C層70、72を第1のポリカーボネート層60の外側、および第2のポリカーボネート層68の外側に提供することも好ましい。第2および第3のta−C層70、72は第1のta−C層58より厚くすることができ、20−2000オングストロームの範囲で提供される。ta−C層58、70、72の各々は、好ましい方法によって提供される。追加のta−C層70、72は、約50オングストロームの厚さで塗布された時にH2Oの浸透を約30gm−2日−1から10gm−2日−1未満に低減することができ、また約2000オングストロームの厚さで塗布された時に約0.6gm−2日−1未満に低減することができる。単一のポリカーボネート層とそれに塗布された単一のta−C層の代わりに、薄いポリカーボネート/ta−C基体が交互に積層された多層のものを使用することにより、浸透をさらに数桁低減することができる。
上記のOLEDの例から明白なように、本発明には、室温及び同様な温度においてプラスチックまたはポリマー上に金属を堆積させる場合に、金属とポリマー層の間の接着を改善するシード層としての、多くの潜在的な用途が存在する。例えば、DVDとCDは、表面のほぼポリマーの層と、そのすぐ下の反射Al層を有する。ポリマー上に堆積されたAlの接着を改善するために、Al層とポリマーの間に、本発明に従ってta−C層が提供されることができる。同様に、タッチスクリーンパネルは、表面のほぼポリマーの層と、その上の透明電極層を含む。接着を改善するために電極層とポリマーの間に、本発明にしたがってta−C層を提供することができる。
さらに熟練した当業者に理解されるように、本発明はさらに他の用途に適用されることができる。例えば、ハードディスクドライブ装置のリーダアームおよびヘッドは、ESDからハードディスクのリーダアーム/ヘッドを守るために、図2に記載したようにしてコーティングすることができる。さらに、シリコンウエハの生産および輸送の中で使用されるトレイとホルダーは、本発明の好ましい方法によってコーティングされ、106から108Ωcmの抵抗率のコーティングを提供することができる。これは、トレイおよびホルダーとシリコンウエハの間のESDの危険を低減するために現在使用されている、炭素フィレットの必要をなくす。炭素フィレットの必要をなくすことは、ウエハ上へのフィレットからの炭素汚染の危険を減らすことというさらなる長所を持つ。
発明はその好ましい実施態様に関して記述されているが、使用された言葉は制限的に使用されたものではなく、特許請求の範囲に使用された本発明の技術的範囲を離れることなく変更を行うことができる。
本発明を要約すれば、本発明の方法および装置は、所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供する。本発明の方法は、コーティングされる基体を真空チャンバー中に提供し、チャンバー内にプラズマを生成し、プラズマのイオンを基体上に堆積させ、ta−C基体コーティングを形成する工程を含む。ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有すると、コーティング工程が停止される。所定の抵抗率は、105−1010Ωcmであり、好ましくは約106Ωcmである。所定の抵抗率に達することを援助するため、方法の間、基体にバイアスがかけられる場合がある。コーティングは基体への、または基体からの静電放電の危険を減らすため、または防止するために使用されることがある。または、コーティングは基体とさらなるコーティングの間の接着を改善するためにシード層を提供するために使用されることがある。さらに、所定の抵抗率を有するコーティングが記述される。
Claims (44)
- 所定の抵抗率を有する基体コーティングを提供する方法であって、
コーティングされる基体を真空チャンバー内に提供する工程、
チャンバー内で炭素プラズマを生成する工程、
プラズマのイオンを基体上に堆積させ、ta−C基体コーティングを形成する工程、および
ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時にコーティング工程を停止する工程、
を含む方法。 - 所定の抵抗率が105−109Ωcmである、請求項1記載の方法。
- 所定の抵抗率が約106Ωcmである、請求項1または2記載の方法。
- コーティングの厚さが5−80nmである、請求項1から3のいずれか1項記載の方法。
- コーティングの厚さが20−50nmである、請求項1から4のいずれか1項記載の方法。
- 堆積工程の間、基体にバイアスがかけられる、請求項1から5のいずれか1項記載の方法。
- −100Vから−3000Vの範囲で基体にバイアスがかけられる、請求項6項記載の方法。
- −500Vから−1500Vの範囲で基体にバイアスがかけられる、請求項6項記載の方法。
- プラズマ生成工程が開始してから50から300秒経過後に、停止工程が起こる、請求項1から8のいずれか1項記載の方法。
- 堆積工程がチャンバーと連結された装置により行われ、該装置が炭素ターゲットと、ターゲットに電力を供給するための電源を含む、請求項1から9のいずれか1項記載の方法。
- 堆積工程がチャンバーと連結された第2の装置によっても行われ、該第2の装置が金属ターゲットと、金属ターゲットに電力を供給するための電源を含み、ta−C基体コーティングが金属ターゲットからのプラズマにより提供された金属を含む、請求項10記載の方法。
- チャンバーが堆積工程の前に減圧にされ、チャンバーが減圧にされた後で、堆積工程の前に、基体が真空チャンバー内で清浄化される、請求項1から11のいずれか1項記載の方法。
- チャンバーが堆積工程の前に減圧にされ、プラズマに暴露された後で、チャンバーを再加圧する工程の前に、基体が真空チャンバー内で清浄化される、請求項10から12のいずれか1項記載の方法。
- 装置が、フィルタードカソーディックバキュウムアーク装置である、請求項10から13のいずれか1項記載の方法。
- 真空チャンバー内へガスを導入し、基体上にガスとta−Cの化合物であるコーティングを形成することを含む、請求項10から14のいずれか1項記載の方法。
- ガスが、窒素、アルゴン、アンモニア、酸素、メタンおよびエテン(エチレン)の1つである、請求項15記載の方法。
- 基体が、指紋センサー;露出した能動回路を有する電子パッケージ;記憶メディア;ディジタルメモリーリーダーコンポーネント;集積回路パッケージ;有機発光ダイオードの層;の1つまたはその部分またはそのコンポーネントである、請求項1から16のいずれか1項記載の方法。
- 105−109Ωcmの所定の抵抗率を有するta−Cコーティングを含む基体。
- 106Ωcmの所定の抵抗率を有するta−Cコーティングを含む、請求項18記載の基体。
- 105−109Ωcmの所定の抵抗率を有する、基体用のta−Cコーティング。
- 106Ωcmの所定の抵抗率を有する、請求項20記載のta−Cコーティング。
- コーティングが請求項1から17のいずれか1項記載の方法により提供される、請求項18もしくは19記載の基体、または請求項20もしくは21記載のコーティング。
- 基体上にta−Cコーティングを提供する装置であって、
コーティングされる基体をハウジングする真空チャンバー;
チャンバー内に炭素プラズマを生成する手段;並びに
炭素プラズマの生成手段を作動させ、ta−C基体コーティングが所定の抵抗率を有した時にプラズマ生成手段を停止するための、制御手段;
を含む装置。 - 所定の抵抗率が105−109Ωcmである、請求項23記載の装置。
- 所定の抵抗率が約106Ωcmである、請求項23または24記載の装置。
- 制御手段が、コーティングが5−80nmの厚さになった時にプラズマ生成手段を停止するように構成される、請求項23から25のいずれか1項記載の装置。
- 制御手段が、コーティングが20−50nmの厚さになった時にプラズマ生成手段を停止するように構成される、請求項23から26のいずれか1項記載の装置。
- プラズマ生成手段が作動する時に基体にバイアスをかけるための、基体バイアシング手段を含む、請求項23から27のいずれか1項記載の装置。
- 基体バイアシング手段が、−100Vから−3000Vまでの範囲で基体にバイアスをかけるように構成された、請求項28記載の装置。
- 基体バイアシング手段が、−500Vから−1500Vまでの範囲で基体にバイアスをかけるように構成された、請求項28記載の装置。
- プラズマ生成手段がフィルタードカソーディックバキュウムアーク装置である、請求項23から30のいずれか1項記載の装置。
- 積み重ねる順で、以下の複数の積み重ねられた層を含む有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイ:
第1の透明なポリマー層;
所定の抵抗率を有するta−Cシード層;
透明電極フィルム層;
有機層;
1つ以上の金属層;および
第2のポリマー層。 - 所定の抵抗率が105−109Ωcmである、請求項32記載のOLEDディスプレイ。
- ta−C層が10−50オングストロームの厚さである、請求項32または33記載のOLEDディスプレイ。
- 第1のポリマー層がポリカーボネートである、請求項32から34のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 透明電極フィルム層が、ITOまたはZnOの1つである、請求項32から35のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 1つ以上の金属層がCaおよびAlを含む、請求項32から36のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 第1のポリマー層の、第1のta−C層に隣接する側の反対側の上に、第2のta−C層を含む、請求項32から37のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 第2のポリマー層の、1つ以上の金属層に隣接する側の反対側の上に、第3のta−C層を含む、請求項32から38のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 第2のta−C層が20−500オングストロームである、請求項38記載のOLEDディスプレイ。
- ta−C層が請求項1から17のいずれか1項記載の方法により提供される、請求項32から40のいずれか1項記載のOLEDディスプレイ。
- 実質的に明細書および添付図面に記載された基体コーティングを提供する方法。
- 実質的に明細書および添付図面に記載された、ta−Cコーティング。
- 実質的に明細書および添付図面の5および6に記載されたOLED。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0419177A GB2417490A (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Tetrahedral amorphous carbon coating with pre-determined resistivity |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006111964A true JP2006111964A (ja) | 2006-04-27 |
Family
ID=33104751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005235978A Pending JP2006111964A (ja) | 2004-08-27 | 2005-08-16 | 所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060043882A1 (ja) |
JP (1) | JP2006111964A (ja) |
CN (1) | CN1741204A (ja) |
GB (1) | GB2417490A (ja) |
SG (2) | SG120252A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1942710B1 (en) * | 2007-01-04 | 2011-05-11 | Oticon A/S | Method of generating an electrical component of an electrical circuitry on a substrate |
US8079245B1 (en) | 2007-01-19 | 2011-12-20 | EnerTrac, Inc. | Fuel oil and propane monitoring, delivery and sale system and method |
US9069418B2 (en) * | 2008-06-06 | 2015-06-30 | Apple Inc. | High resistivity metal fan out |
JP2011527834A (ja) * | 2008-07-08 | 2011-11-04 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 炭素系抵抗率スイッチング材料およびその形成方法 |
US8470646B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-06-25 | Sandisk 3D Llc | Modulation of resistivity in carbon-based read-writeable materials |
DE102009002320B4 (de) * | 2009-04-09 | 2013-11-07 | Hochschule für angewandte Wissenschaft und Kunst Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen | Verfahren zur Reduzierung des elektrischen Kontaktwiderstands einer Oberfläche eines metallischen Körpers und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102013216282B4 (de) * | 2013-08-16 | 2020-10-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrisches Bauteil mit einer elektrisch zu kontaktierenden Stelle sowie Verfahren zur Vorbereitung eines elektrischen Bauteils für einen Lötprozess und Verwendung einer entsprechenden Matrix |
US10830813B1 (en) * | 2019-05-09 | 2020-11-10 | Igt | Electrostatic discharge verification during biometric scan for terminal login |
CN111005000B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-12-28 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种低应力四面体非晶碳复合膜及其制备方法 |
WO2024094870A1 (en) * | 2022-11-03 | 2024-05-10 | Nanofilm Technologies International Limited | Sealed electrical devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60190557A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | コ−テイング材およびその製法 |
JPH03274269A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド状薄膜の合成方法及びダイヤモンド状薄膜 |
JP2000512053A (ja) * | 1996-05-31 | 2000-09-12 | アカシック メモリーズ コーポレイション | 高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する記録媒体およびその製造方法 |
US6423193B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-07-23 | Case Western Reserve University | Nitrogen doped carbon electrodes |
JP2003532251A (ja) * | 2000-05-02 | 2003-10-28 | アイタック株式会社 | ダイヤモンド状炭素薄膜コーティング方法、それによって製造される製品、および磁気記録媒体感応素子へのその応用 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1232228A (en) * | 1984-03-13 | 1988-02-02 | Tatsuro Miyasato | Coating film and method and apparatus for producing the same |
US5786068A (en) * | 1991-05-03 | 1998-07-28 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Electrically tunable coatings |
GB9224697D0 (en) * | 1992-11-25 | 1993-01-13 | Amaratunga Gehan A J | Doping of highly tetrahedral diamond-like amorphous carbon |
US5858477A (en) * | 1996-12-10 | 1999-01-12 | Akashic Memories Corporation | Method for producing recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon |
AUPO613797A0 (en) * | 1997-04-09 | 1997-05-08 | University Of Sydney, The | Digital information storage |
-
2004
- 2004-08-27 GB GB0419177A patent/GB2417490A/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-08-05 SG SG200504991A patent/SG120252A1/en unknown
- 2005-08-05 SG SG200800758-5A patent/SG139761A1/en unknown
- 2005-08-10 US US11/200,908 patent/US20060043882A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-16 JP JP2005235978A patent/JP2006111964A/ja active Pending
- 2005-08-23 CN CNA2005100932755A patent/CN1741204A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60190557A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | コ−テイング材およびその製法 |
JPH03274269A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド状薄膜の合成方法及びダイヤモンド状薄膜 |
JP2000512053A (ja) * | 1996-05-31 | 2000-09-12 | アカシック メモリーズ コーポレイション | 高度な四面体のアモルファス炭素の保護オーバーコートを有する記録媒体およびその製造方法 |
US6423193B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-07-23 | Case Western Reserve University | Nitrogen doped carbon electrodes |
JP2003532251A (ja) * | 2000-05-02 | 2003-10-28 | アイタック株式会社 | ダイヤモンド状炭素薄膜コーティング方法、それによって製造される製品、および磁気記録媒体感応素子へのその応用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1741204A (zh) | 2006-03-01 |
SG120252A1 (en) | 2006-03-28 |
GB2417490A (en) | 2006-03-01 |
GB0419177D0 (en) | 2004-09-29 |
US20060043882A1 (en) | 2006-03-02 |
SG139761A1 (en) | 2008-02-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006111964A (ja) | 所定の抵抗を有する基体コーティングを提供するための方法および装置、並びにそれらの使用 | |
US7976633B2 (en) | Device and method of forming film | |
US7547564B2 (en) | Method of manufacturing device having flexible substrate and device having flexible substrate manufactured using the same | |
WO2020036693A1 (en) | Multi-layer wet-dry hardcoats for flexible cover lens | |
EP1127381A1 (en) | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays | |
JP2007516347A (ja) | 原子層蒸着によって製造されたプラスチック基板用のバリアフィルム | |
JP6638401B2 (ja) | ガスバリアフィルム積層体およびその製造方法 | |
US9516759B2 (en) | Multilayer structure, fingerprint identification device and manufacturing method thereof | |
US20160265111A1 (en) | Laminate and gas barrier film | |
US20030203219A1 (en) | Plastic article with a film sputter deposited thereon | |
WO2017221681A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JPH08288190A (ja) | 物品取扱部材およびその製造方法および収納容器ならびに物品取扱装置 | |
US20220293884A1 (en) | Encapsulated Electronic Device with Improved Protective Barrier Layer and Method of Manufacture Thereof | |
TW201220420A (en) | Apparatus for fabricating a flat panel dipslay device and method thereof | |
WO2020162237A1 (ja) | 導電フィルム、導電フィルム巻回体およびその製造方法、ならびに温度センサフィルム | |
JP2004339581A (ja) | 薄膜形成装置 | |
CN114953744B (zh) | 喷墨头及其制造方法 | |
CN111834554A (zh) | 用于电子设备中玻璃结构的疏油涂层 | |
US8318265B2 (en) | Plasma mediated processing of non-conductive substrates | |
TW201719362A (zh) | 導電性基板 | |
JP6874775B2 (ja) | 電子デバイス | |
JPS62222518A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
CN111065515B (zh) | 阻气性膜、水蒸气阻隔性评价试验片及阻气性膜的水蒸气阻隔性评价方法 | |
KR101105226B1 (ko) | 투습 방지막을 갖는 디스플레이용 연성기판 및 그의 제조 방법 | |
WO2023192104A1 (en) | Methods of forming cover lens structures for display devices, and related apparatus and devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110822 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120202 |