JPS601904A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS601904A JPS601904A JP10877183A JP10877183A JPS601904A JP S601904 A JPS601904 A JP S601904A JP 10877183 A JP10877183 A JP 10877183A JP 10877183 A JP10877183 A JP 10877183A JP S601904 A JPS601904 A JP S601904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- switching diode
- diode
- capacitance
- tuning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は−ヘテロダイン方式を使用したシステムにおけ
る広帯域の局部発振回路として、テレビジョンチューナ
ー回路ＳＨＦ用ダウンコンバーター回路に用いることの
できる発振回路に関するものである。
る広帯域の局部発振回路として、テレビジョンチューナ
ー回路ＳＨＦ用ダウンコンバーター回路に用いることの
できる発振回路に関するものである。
従来例の構成とその問題点
分布定数回路における線路インピーダンスＺｉｎは、特
性インピーダンスをＺｏ、線路の終端インピーダンスを
ＺＲ，線路長をｌとすれば （１）式においてＺＲ−〇としたときにＺｉｎ＝ ｊＺ
ｏ ｔａｎββ ・・・・・・・・・・・・・・（３）
となり、これをＺＯで規格した特許は、第１図のまで容
量性、・・・−・・・・、のような変化をするＯを接続
して共振回路を構成することができる。
性インピーダンスをＺｏ、線路の終端インピーダンスを
ＺＲ，線路長をｌとすれば （１）式においてＺＲ−〇としたときにＺｉｎ＝ ｊＺ
ｏ ｔａｎββ ・・・・・・・・・・・・・・（３）
となり、これをＺＯで規格した特許は、第１図のまで容
量性、・・・−・・・・、のような変化をするＯを接続
して共振回路を構成することができる。
従来、この共振回路を増幅器に接続して反射型の発振器
を構成したものがある。これは、第２図に示すように、
第１の外部直流電圧により容量を可変できる同調ダイオ
ード（以下バラクタ−ダイオードと略す）Ｄｌと、この
同調ダイオードの他端に接続され第２の外部直流電圧に
より導通、非導通を切り換えることのできるスイッチダ
イオードＤ２と、このスイッチダイオードＤ２に並列に
接続された容量Ｃｆｏの合成容量によって共振容量を構
成した発振回路である。図中、ブロック人は共振部、ブ
ロックＢは増幅部である。まだ−Ｌ１は共振線路を示す
。Ｃｆ 、０２は結合用の大容量である。
を構成したものがある。これは、第２図に示すように、
第１の外部直流電圧により容量を可変できる同調ダイオ
ード（以下バラクタ−ダイオードと略す）Ｄｌと、この
同調ダイオードの他端に接続され第２の外部直流電圧に
より導通、非導通を切り換えることのできるスイッチダ
イオードＤ２と、このスイッチダイオードＤ２に並列に
接続された容量Ｃｆｏの合成容量によって共振容量を構
成した発振回路である。図中、ブロック人は共振部、ブ
ロックＢは増幅部である。まだ−Ｌ１は共振線路を示す
。Ｃｆ 、０２は結合用の大容量である。
共振は、線路Ｌ１と、バラクタ−ダイオードＤ１の容量
（ｎ＋＋と回路の浮遊容量Ｃｆ及びスイッチングダイオ
ードＤ２の容量ＣＤ２ 、スイッチングダイオードＤ２
に並列に接続された容量Ｃ４ｎの合成容量からなる回路
で構成される。この合成容量をｃｏとすれば、共振点に
おいて、 ＝Ｚｏｔａｎβｌ ・川・・・・・・・・・（４）ωＯ
ＣＯ の関係があり、第２図の回路はこのＣ０で発振する○共
振部ブロックＡは増幅器ブロックＢと結合容量Ｃ１で接
続され、高抵抗Ｒ１を通して同調電圧ＢＴが加えられて
いる。結合容量Ｃ１と高抵抗Ｒ１の交点には、バラクタ
−ダイオードＤ１０カソードが接続され、バラクタ−ダ
イオードＤ１のアノードには共振線路Ｌ１が接続され一
共振線路Ｌ１の一部は高抵抗Ｒ２を通して接地される。
（ｎ＋＋と回路の浮遊容量Ｃｆ及びスイッチングダイオ
ードＤ２の容量ＣＤ２ 、スイッチングダイオードＤ２
に並列に接続された容量Ｃ４ｎの合成容量からなる回路
で構成される。この合成容量をｃｏとすれば、共振点に
おいて、 ＝Ｚｏｔａｎβｌ ・川・・・・・・・・・（４）ωＯ
ＣＯ の関係があり、第２図の回路はこのＣ０で発振する○共
振部ブロックＡは増幅器ブロックＢと結合容量Ｃ１で接
続され、高抵抗Ｒ１を通して同調電圧ＢＴが加えられて
いる。結合容量Ｃ１と高抵抗Ｒ１の交点には、バラクタ
−ダイオードＤ１０カソードが接続され、バラクタ−ダ
イオードＤ１のアノードには共振線路Ｌ１が接続され一
共振線路Ｌ１の一部は高抵抗Ｒ２を通して接地される。
共振線路Ｌ１は結合容量Ｃ２を通してスイッチングダイ
オードＤ２に接続される。結合容量Ｃ２とスイッチング
ダイオードＤ２の交点は浮遊容量あるいは特定の容量Ｃ
ｆｏにより接地される。まだ結合容量Ｃ２とスイッチン
グダイオードＤ２の交点には高抵抗Ｒ３を通してスイッ
チ電圧Ｂｓが与えられる。
オードＤ２に接続される。結合容量Ｃ２とスイッチング
ダイオードＤ２の交点は浮遊容量あるいは特定の容量Ｃ
ｆｏにより接地される。まだ結合容量Ｃ２とスイッチン
グダイオードＤ２の交点には高抵抗Ｒ３を通してスイッ
チ電圧Ｂｓが与えられる。
本共振部Ａにおいて〜スイッチングダイオードＤ２が導
通しだときには、共振回路は結合容量Ｃ２を通して直接
接地された形となり、容量Ｃｆｎの影響はほとんどない
。故に、共振容量はバラクタ−ダイオードＤ１の同調容
量ＣＤ１と結合容量Ｇ＋ 、Ｃ；２と増幅器ブロックＢ
を含めた浮遊容量Ｏｆとの和になるが、結合容量Ｃ＋
、Ｃ２は同調容量ＣＤ１に対して大きな値を用いるだめ
実質上の合成容量ＣＯはＧｏ ＝ Ｃｎ＋ −１−Ｃｆ
・用用旧旧・・（５）となる。
通しだときには、共振回路は結合容量Ｃ２を通して直接
接地された形となり、容量Ｃｆｎの影響はほとんどない
。故に、共振容量はバラクタ−ダイオードＤ１の同調容
量ＣＤ１と結合容量Ｇ＋ 、Ｃ；２と増幅器ブロックＢ
を含めた浮遊容量Ｏｆとの和になるが、結合容量Ｃ＋
、Ｃ２は同調容量ＣＤ１に対して大きな値を用いるだめ
実質上の合成容量ＣＯはＧｏ ＝ Ｃｎ＋ −１−Ｃｆ
・用用旧旧・・（５）となる。
ところで、スイッチングダイオードＤ２が非導通になる
と、スイッチングダイオードＤ２は容量Ｃｆｎを通して
接地されるが、容量Ｃｆｏは結合容量Ｃ＋。
と、スイッチングダイオードＤ２は容量Ｃｆｎを通して
接地されるが、容量Ｃｆｏは結合容量Ｃ＋。
Ｃ２に対して極めて小さいだめ無視できず、ここでＣｆ
ｎ ＝ １ＰＦ 、 Ｃｆ ＝ ０．５ ＰＦＣＤｌ−
０，７ＰＦ〜６ＰＦにすれば、（５）式の合成容量Ｇｏ
（７）可変範囲は、１．２ ＰＦ 〜６．５ ＰＦとな
り、共振線路Ｌ１をインピーダンス５０Ω、線路長１４
．２ｍｍとすると周波数可変範囲は９００ＭＨ２〜１７
５０ＭＨ２となる。
ｎ ＝ １ＰＦ 、 Ｃｆ ＝ ０．５ ＰＦＣＤｌ−
０，７ＰＦ〜６ＰＦにすれば、（５）式の合成容量Ｇｏ
（７）可変範囲は、１．２ ＰＦ 〜６．５ ＰＦとな
り、共振線路Ｌ１をインピーダンス５０Ω、線路長１４
．２ｍｍとすると周波数可変範囲は９００ＭＨ２〜１７
５０ＭＨ２となる。
（６）式の場合は合成容量Ｇｏの変化は。、９１ＰＦ〜
１．３５ＰＦになり、１７００ＭＨ２〜１９００ＭＨ２
＋７）周波数可変範囲を得ることができる。
１．３５ＰＦになり、１７００ＭＨ２〜１９００ＭＨ２
＋７）周波数可変範囲を得ることができる。
従って、第２図のスイッチ電圧Ｂｓによりスイッチング
ダイオードＤ２を導通、非導通することによって、９０
０ＭＨ２〜１９００ＭＨ２までの周波数可変範囲を得よ
うとするものであるが、Ｂｓ端子に加える正負の切換え
電圧が必要であるという不便があるＯ 発明の目的 本発明は、かかる従来の欠点を解消するもので、単一電
源で使用でき、しかも同調電圧と連動して切り換えるこ
とかで雀る発振回路を提供するものである。
ダイオードＤ２を導通、非導通することによって、９０
０ＭＨ２〜１９００ＭＨ２までの周波数可変範囲を得よ
うとするものであるが、Ｂｓ端子に加える正負の切換え
電圧が必要であるという不便があるＯ 発明の目的 本発明は、かかる従来の欠点を解消するもので、単一電
源で使用でき、しかも同調電圧と連動して切り換えるこ
とかで雀る発振回路を提供するものである。
発明の構成
本発明においては、第１の外部直流電位により容量を可
変できる同調ダイオードと、共振線路と、基準電圧とな
る第２の外部直流電圧がアノードに加えられるスイッチ
ングダイオードを直列に接続して、増幅回路を構成する
トランジスタのベースあるいはコレクタに接続し、この
スイッチングダイオードに並列に容量を接続するととも
に、上記の同調ダイオードに加えている第１の外部直流
電圧をスイッチングダイオードのカソードに加え、同調
ダイオード、共振線路、スイッチングダイオードからな
る直列回路の一端を交流的に接地することにより、スイ
ッチングダイオードの切り換工を同調ダイオードに加え
ている第１の外部直流電圧と連動して行うようにしだも
のであり、切り換えを必要であった正負の２電源を単一
電源で行なえるものである。
変できる同調ダイオードと、共振線路と、基準電圧とな
る第２の外部直流電圧がアノードに加えられるスイッチ
ングダイオードを直列に接続して、増幅回路を構成する
トランジスタのベースあるいはコレクタに接続し、この
スイッチングダイオードに並列に容量を接続するととも
に、上記の同調ダイオードに加えている第１の外部直流
電圧をスイッチングダイオードのカソードに加え、同調
ダイオード、共振線路、スイッチングダイオードからな
る直列回路の一端を交流的に接地することにより、スイ
ッチングダイオードの切り換工を同調ダイオードに加え
ている第１の外部直流電圧と連動して行うようにしだも
のであり、切り換えを必要であった正負の２電源を単一
電源で行なえるものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例の発振回路について第２．３図
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第３図はその発振回路の構成を示すものであり、第３図
において、ブロックＣは共振部、プロ・ツクＤは増幅部
である。共振部ブロックＣは増幅器ブロックＤと結合容
量Ｃ１で接続され、高抵抗Ｒ１を通して第１の外部直流
電位である同調電圧ＢＴが加えられている。結合容量Ｃ
１と高抵抗Ｒ１の交点には同調ダイオードＤ１のカソー
ドが接続され、アノードには共振線路Ｌ１が接続され、
共振線路Ｌ１の一部は高抵抗Ｒ２を通して接地される。
において、ブロックＣは共振部、プロ・ツクＤは増幅部
である。共振部ブロックＣは増幅器ブロックＤと結合容
量Ｃ１で接続され、高抵抗Ｒ１を通して第１の外部直流
電位である同調電圧ＢＴが加えられている。結合容量Ｃ
１と高抵抗Ｒ１の交点には同調ダイオードＤ１のカソー
ドが接続され、アノードには共振線路Ｌ１が接続され、
共振線路Ｌ１の一部は高抵抗Ｒ２を通して接地される。
共振線路Ｌ１は結合容量Ｃ２を通してスイッチングダイ
オードＤ２（７）アノードに接続される。結合容量Ｃ２
とスイッチングダイオードＤ２の交点には特定の容量Ｃ
ｆｎの一端が接続され、Ｃ，ｆ Ｄの他端はスイッチン
グダイオードＤ２の他端カソードに接続される。また結
合容量Ｃ２とスイッチングダイオードＤ２の交点には、
高抵抗Ｒ３を通して基準電圧となる第２の外部直流電圧
］３ｓが与えられる。スイッチングダイオードＤ２の他
端（カソード）は結合容量Ｃ８によって接地されている
。また、スイッチングダイオードＤ２と結合容量Ｃ８の
交点には高抵抗Ｒ７を通して、同調電圧ＢＴあるいはこ
れを高抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８にて分割した電圧ＶＢが与え
られる。本共振部Ｃにおいて、基漁電圧ＢｓとしてＶｓ
なる値の電圧を力えておくｎ同調電圧としてＢＴにＶ＋
＜ （’ Ｖｓ ） ＜Ｖ２ ｆｘ ル値の電圧を与
えると−ｖ１＜ｖＢ＜ｖＳの範囲ではスイッチングダイ
オードＤ２が導通し、共振体は結合容量Ｃ２、Ｃ８を通
して接地された形となり、容量Ｃｆｎの影響はほとんど
ない。故に、共振容量は同調ダイオードＤ１ノ同調容量
Ｃｎ＋と結合容量Ｃ＋ 、Ｇ２．Ｃｓと増幅器ブロック
Ｄを含めた浮遊容量Ｃｆとの合成になるが、結合容量Ｇ
１．Ｃ２，０８は同調容量ＣＤ１に対して大きな値を用
いるため実質上の結合合成容量ＣＯは Ｇｏ ＃ Ｃｎ＋＋ ＋Ｏｆ となる。
オードＤ２（７）アノードに接続される。結合容量Ｃ２
とスイッチングダイオードＤ２の交点には特定の容量Ｃ
ｆｎの一端が接続され、Ｃ，ｆ Ｄの他端はスイッチン
グダイオードＤ２の他端カソードに接続される。また結
合容量Ｃ２とスイッチングダイオードＤ２の交点には、
高抵抗Ｒ３を通して基準電圧となる第２の外部直流電圧
］３ｓが与えられる。スイッチングダイオードＤ２の他
端（カソード）は結合容量Ｃ８によって接地されている
。また、スイッチングダイオードＤ２と結合容量Ｃ８の
交点には高抵抗Ｒ７を通して、同調電圧ＢＴあるいはこ
れを高抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８にて分割した電圧ＶＢが与え
られる。本共振部Ｃにおいて、基漁電圧ＢｓとしてＶｓ
なる値の電圧を力えておくｎ同調電圧としてＢＴにＶ＋
＜ （’ Ｖｓ ） ＜Ｖ２ ｆｘ ル値の電圧を与
えると−ｖ１＜ｖＢ＜ｖＳの範囲ではスイッチングダイ
オードＤ２が導通し、共振体は結合容量Ｃ２、Ｃ８を通
して接地された形となり、容量Ｃｆｎの影響はほとんど
ない。故に、共振容量は同調ダイオードＤ１ノ同調容量
Ｃｎ＋と結合容量Ｃ＋ 、Ｇ２．Ｃｓと増幅器ブロック
Ｄを含めた浮遊容量Ｃｆとの合成になるが、結合容量Ｇ
１．Ｃ２，０８は同調容量ＣＤ１に対して大きな値を用
いるため実質上の結合合成容量ＣＯは Ｇｏ ＃ Ｃｎ＋＋ ＋Ｏｆ となる。
ところで同調電圧ＢＴが変化し、その分割電圧ＶＢがＶ
ｓ （ＶＢ ＜１２の範囲となると、スイッチングダイ
オードＤ２は非導通となシ、容量Ｃｆｎは結合容量Ｃ＋
、Ｃ；２．０８に対して極めて小さいため無視できず
、合成容量ＣＯは、 となる。
ｓ （ＶＢ ＜１２の範囲となると、スイッチングダイ
オードＤ２は非導通となシ、容量Ｃｆｎは結合容量Ｃ＋
、Ｃ；２．０８に対して極めて小さいため無視できず
、合成容量ＣＯは、 となる。
このように本構成を採用することにより、基準電圧Ｂｓ
を単一電源で用いることができ、同調電圧ＢＴと連動で
切り換えることができる。
を単一電源で用いることができ、同調電圧ＢＴと連動で
切り換えることができる。
なお、共振部ブロックＣにおいて、同調ダイオードＤ１
には同調電圧ＢＴの逆バイアス電圧、スイッチングダイ
オードＤ２には）くイアス基準電圧１３ｓと共に同調電
圧ＢＴが与えられている点が重要であり、ダイオードＤ
＋ 、Ｄ２の向きは特に問題ではない。
には同調電圧ＢＴの逆バイアス電圧、スイッチングダイ
オードＤ２には）くイアス基準電圧１３ｓと共に同調電
圧ＢＴが与えられている点が重要であり、ダイオードＤ
＋ 、Ｄ２の向きは特に問題ではない。
ブロックＤは前述のように増幅部を示し、ブロックＣか
らトランジスタＱ１のベースに共振部が接続すれ、トラ
ンジスタＱ１のコレクタはＣ６の大容量で接地しである
。トランジスタＱ１のコレクタには抵抗Ｒ５を通してバ
イアスが与えられているとともに、抵抗−Ｒ４をベース
に帰還し、ベース電圧を与えている。なお、ベースバイ
アスについては自己帰還型でなくてもよい０ トランジ
スタＱ１のエミッターコレクタ間の容量Ｃ５はエミッタ
とアース間の最路距離を交流的に接地するもので、容Ｊ
Ａ：Ｃ５により広帯域の発振の安定性を改善している。
らトランジスタＱ１のベースに共振部が接続すれ、トラ
ンジスタＱ１のコレクタはＣ６の大容量で接地しである
。トランジスタＱ１のコレクタには抵抗Ｒ５を通してバ
イアスが与えられているとともに、抵抗−Ｒ４をベース
に帰還し、ベース電圧を与えている。なお、ベースバイ
アスについては自己帰還型でなくてもよい０ トランジ
スタＱ１のエミッターコレクタ間の容量Ｃ５はエミッタ
とアース間の最路距離を交流的に接地するもので、容Ｊ
Ａ：Ｃ５により広帯域の発振の安定性を改善している。
寸だ、Ｃ３゜Ｃ４はそれぞれバイパス容量、Ｌ２はノ・
イノくワーをとり出すだめのチョークコイルである。Ｒ
６はエミーノタ抵抗であり、容量Ｃ７を通して発振出力
をとり出すもので、電流約３８ｍＡ時に約１ｏ ｄＢｍ
のノくワーをとシ出すことができる０なお発振出力のと
り出し方には、種々の方法があり、Ｃ６の容量を１０Ｐ
Ｆ程度にしてコレクタからとり出す方法や、共振線路に
インダクタンス結合あるいは容量結合によってとり出す
方法も可能である。
イノくワーをとり出すだめのチョークコイルである。Ｒ
６はエミーノタ抵抗であり、容量Ｃ７を通して発振出力
をとり出すもので、電流約３８ｍＡ時に約１ｏ ｄＢｍ
のノくワーをとシ出すことができる０なお発振出力のと
り出し方には、種々の方法があり、Ｃ６の容量を１０Ｐ
Ｆ程度にしてコレクタからとり出す方法や、共振線路に
インダクタンス結合あるいは容量結合によってとり出す
方法も可能である。
電力の点を考えれば、エミッタからとり出すのが最適で
ある。なお、出力のとり出し方、あるいは共振線路の設
定個所については、多くの方法があるが、本発明は、そ
の共振体部のスイッチングダイオードに可変電圧を与え
、同調電圧によって導通、非導通の制御を自動的に行な
っているということ、そして切シ換えに単一電源を用い
ることができるということが重要なポイントである。な
お、図示する例ではトランジスタＱ１のベースニ共振体
部を接続しているが、このトランジスタをベース接地型
又はエミッタ接地型構成にして、そのコレクタに共振体
部を接続してもよく、同様の作用、効果が得られるもの
である。
ある。なお、出力のとり出し方、あるいは共振線路の設
定個所については、多くの方法があるが、本発明は、そ
の共振体部のスイッチングダイオードに可変電圧を与え
、同調電圧によって導通、非導通の制御を自動的に行な
っているということ、そして切シ換えに単一電源を用い
ることができるということが重要なポイントである。な
お、図示する例ではトランジスタＱ１のベースニ共振体
部を接続しているが、このトランジスタをベース接地型
又はエミッタ接地型構成にして、そのコレクタに共振体
部を接続してもよく、同様の作用、効果が得られるもの
である。
発明の効果
このように本発明によれば、発振回路の周波数の切シ換
えを単一電源によって自動的に行なうことができ、構成
の簡易な回路を実現することができる。
えを単一電源によって自動的に行なうことができ、構成
の簡易な回路を実現することができる。
第１図は片側終端λ／４線路のインピーダンスを示す特
性図、第２図は従来例の発振回路の回路図、第３図は本
発明の一実施例における発振回路の回路図−第４図はス
イッチングダイオードの逆バイアス電圧と逆バイアス容
量の関係を示しだ特性図である。 Ｃ・・・・・共振部、Ｄ・・・・・・増幅器、Ｌｌ・・
・・・・共振線路、Ｄｌ・・・・・・バラクタ−（同調
）ダイオード、Ｄ２・・・・・スイッチングダイオード
、Ｑｌ・・・・・・トランジスタ、ＢＴ・・・・・・第
１の外部直流電圧、Ｂｓ・・・・・・基準電圧。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名品１
図 第２図 第３図 Ｄ Ｌ ｊ 第４図 Ｄ
性図、第２図は従来例の発振回路の回路図、第３図は本
発明の一実施例における発振回路の回路図−第４図はス
イッチングダイオードの逆バイアス電圧と逆バイアス容
量の関係を示しだ特性図である。 Ｃ・・・・・共振部、Ｄ・・・・・・増幅器、Ｌｌ・・
・・・・共振線路、Ｄｌ・・・・・・バラクタ−（同調
）ダイオード、Ｄ２・・・・・スイッチングダイオード
、Ｑｌ・・・・・・トランジスタ、ＢＴ・・・・・・第
１の外部直流電圧、Ｂｓ・・・・・・基準電圧。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名品１
図 第２図 第３図 Ｄ Ｌ ｊ 第４図 Ｄ
Claims (1)
- （１）トランジスタのベースあるいはコレクタに、逆バ
イアス容量を有するスイッチングダイオードと、第１の
外部直流電圧によシ容量を可変できる同調ダイオードと
、共振線路とを接続し、上記スイッチングダイオードの
アノードには抵抗まだはチョークコイルを通して上記第
１の外部直流電圧の変化範囲内にある第２の基準電圧を
加え、上記スイッチングダイオードのカン−ド側には第
１の外部直流電圧を抵抗まだはチョークコイルを通して
加え、この第１の外部直流電圧を変化させることにより
、上記スイッチングダイオードを自動的に導通または非
導通にすることを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10877183A JPS601904A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10877183A JPS601904A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601904A true JPS601904A (ja) | 1985-01-08 |
| JPS643081B2 JPS643081B2 (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=14493069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10877183A Granted JPS601904A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55142894A (en) * | 1979-03-20 | 1980-11-07 | Onoda Cement Co Ltd | Agent for breaking brittle piece |
| JPS6238005A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変周波数発振装置 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10877183A patent/JPS601904A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55142894A (en) * | 1979-03-20 | 1980-11-07 | Onoda Cement Co Ltd | Agent for breaking brittle piece |
| JPS601904B2 (ja) * | 1979-03-20 | 1985-01-18 | 太平洋セメント株式会社 | 脆性物体の破壊剤 |
| JPS6238005A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変周波数発振装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS643081B2 (ja) | 1989-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6223210A (ja) | 局部発振回路 | |
| JP3695938B2 (ja) | 緩衝増幅回路 | |
| JP3315092B2 (ja) | 電圧制御発振器のための集積回路に関する改良 | |
| JPS601904A (ja) | 発振回路 | |
| JPH10270937A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| CN115051650B (zh) | S波段倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置 | |
| JPH0746038A (ja) | 電圧制御周波数発振器 | |
| JP3330040B2 (ja) | 発振回路 | |
| US6075421A (en) | Voltage controlled oscillator | |
| JPS59149405A (ja) | 局部発振装置 | |
| JP2591380B2 (ja) | 発振器 | |
| JP2819034B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2807329B2 (ja) | 広帯域可変発振回路 | |
| JPS6037804A (ja) | 局部発振回路 | |
| JPH06224631A (ja) | 低供給電圧で動作する電圧制御発振器 | |
| JP2001111342A (ja) | ２バンド発振器 | |
| JPS6038903A (ja) | 局部発振回路 | |
| JPS6198001A (ja) | 局部発振装置 | |
| JPS60210013A (ja) | 局部発振回路 | |
| JPH0332118Y2 (ja) | ||
| JPH10200333A (ja) | トランジスタ発振器 | |
| JP2004172934A (ja) | テレビジョンチューナの発振回路 | |
| JPS6229209A (ja) | 局部発振回路 | |
| JPS62207005A (ja) | 高周波発振器 | |
| JPS63142705A (ja) | コルピツツ発振回路 |