JP2807329B2 - 広帯域可変発振回路 - Google Patents

広帯域可変発振回路

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、VTR用チューナやCATVコンバータ等に用
いて好適な広帯域可変発振回路に関する。
[従来の技術] 従来の平衡型可変発振回路の一例を第2図に示す。こ
の回路においては、発振トランジスタQ1,Q2のコレクタ
が接続され、その接続点が抵抗R1を介して電源端子Vcc
に接続されている。トランジスタQ1,Q2の各エミッタ間
にコンデンサCEが接続され、各トランジスタQ1,Q2のベ
ースとエミッタ間にコンデンサC1,C2が接続されてい
る。各トランジスタQ1,Q2のベースは抵抗R2,R3介して端
子Vbに接続され、電流源I1,I2がトランジスタQ1,Q2の各
エミッタと接地との間に介挿されている。A−B間には
並列共振回路PRが接続され、全体としてコレクタ接地の
平衡型コルピッツ発振回路が構成されている。ここで、
並列共振回路PRの具体例を第3図(イ)、(ロ)、
(ハ)に示す。これらの共振回路における可変容量コン
デンサCAの値を変えることにより発振周波数を制御す
る。
次に、上記構成による従来回路の動作を説明する。第
2図において、ある周波数で発振しているときは、A−
B端からトランジスタ側をみたインピーダンスは容量性
で、かつ負性抵抗である。また、A−B端から共振回路
側をみたインピーダンスは、トランジスタ側の容量性リ
アクタンスと絶対値が等しいインダクタンス性のリアク
タンスを持つ。一方、共振回路側の高周波抵抗はトラン
ジスタ側の負性抵抗の値より絶対値が小さい。ここで、
第4図の破線C1はトランジスタ側のリアクタンス特性、
破線C2は共振回路側のリアクタンス特性、破線C3は共振
回路の高周波抵抗を各々示している。第4図の周波数軸
において破線C1とC2の絶対値が等しくなるa点が発振周
波数fo示す。この発振周波数foは並列共振回路PRの共振
周波数よりΔf1低くなり、また、このときの高周波抵抗
はb点の値となる。
[発明が解決しようとする課題] ところで、上述した従来回路においては、発振周波数
foで発振している際の高周波抵抗が大きく、このため発
振回路のループゲインが小さい。そして、一般に高い周
波数においてはトランジスタ側の負性の抵抗値が小さく
なるため、共振回路の高周波抵抗が大きい従来回路では
高い周波数で発振できなくなってしまうという問題が生
じた。
この発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、
高い周波数でも発振が可能で発振帯域を極めて広くする
ことができる広帯域可変発振回路を提供することを目的
とする。
[課題を解決するための手段] 上述した課題を解決するために第1、第2のトランジ
スタのコレクタを共通接続するとともに、前記第1、第
2のトランジスタの各ベース間に並列共振回路を設けて
コレクタ接地型の平衡型コレクタ発振回路を構成する広
帯域可変発振回路において、前記並列共振回路と前記第
1、第2のトランジスタの各ベースとの間の少なくとも
いずれか一方にインダクタンスを介挿したことを特徴と
する。
[作用] 前記インダクタンスの介挿により、トランジスタ側の
リアクタンス(絶対値)が減少するとともに、並列共振
回路側のリアクタンス特性および並列共振回路の高周波
抵抗特性が周波数の高域側に移動し、これにより、共振
時における並列共振回路の高周波抵抗値が減少する。
[実施例] 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明
する。
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図であ
る。この実施例が前述した従来回路(第2図参照)と異
なる点は、トランジスタQ1のベースとA点との間、およ
びトランジスタQ2のベースとB点との間に並列共振回路
PRと直列になるようにインダクタンスL1,L2が介挿され
ている点である。なお、インダクタンスL1,L2はいずれ
か一方のみ設けるようにしても良い。
上記構成によるこの実施例の動作は基本的には従来回
路と同様であるが、インダクタンスL1,L2を設けたた
め、回路特性が第4図の曲線C4,C5,C6に示すようにな
る。曲線C4,C5,C6は、トランジスタ側のリアクタンス特
性、共振回路側のリアクタンス特性および共振回路の高
周波抵抗を各々示しており、前述した曲線C1,C2,C3に対
応している。この図から判るように、トランジスタ側の
リアクタンス特性(曲線C4)はその絶対値が小さくなっ
ており、また、共振回路のリアクタンス(曲線C5)およ
び共振回路の高周波抵抗(曲線C6)の周波数特性はそれ
ぞれ高域側に移動している。
そして、この実施例の共振周波数foは、周波数軸にお
いて曲線C4、C5の絶対値が同じになる点aであるから、
従来回路と同様である。しかし、図から判るように、並
列共振回路PRの共振周波数より大幅に(Δf2)低い点と
なっている。そして、このときの高周波抵抗は曲線C6上
のc点になる。
ここで、前述した従来回路の高周波抵抗(第4図のb
点参照)と比べると実施例回路の高周波抵抗の方が大幅
に小さいことが判る。このため、発振回路のループゲイ
ンが高く、高い周波数においても安定した発振を行う。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、高い周波数
においても安定した発振を行うことができるので、極め
て広い周波数帯域で発振を行うことができる。したがっ
て、例えばUHF帯全域で安定した発振を行うことができ
る。さらに、共振回路のQが低くても、発振を安定させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、 第2図は従来回路の構成を示す回路図、 第3図は並列共振回路の具体例を示す回路図、 第4図は従来回路および実施例回路の特性を示す特性図
である。 Q1,Q2……トランジスタ(第1、第2のトランジス
タ)、PR……並列共振回路、L1,L2……インダクタン
ス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03B 5/00 - 5/42

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1、第2のトランジスタのコレクタを共
    通接続するとともに、前記第1、第2のトランジスタの
    各ベース間に並列共振回路を設けてコレクタ接地型の平
    衡型コレクタ発振回路を構成する広帯域可変発振回路に
    おいて、 前記並列共振回路と前記第1、第2のトランジスタの各
    ベースとの間の少なくともいずれか一方にインダクタン
    スを介挿したことを特徴とする広帯域可変発振回路。
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