JPS60182730A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
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- H01L2224/8518—Translational movements
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の技術分野」
本発明は、基板、特にハイブリッド阜板上にダイボンド
された半導体ペレットのインナーポンディングパッドと
この基板上に設けられたリードフレームとをボンディン
グワイA1を用いC電気的に接続づる方法に関する。
された半導体ペレットのインナーポンディングパッドと
この基板上に設けられたリードフレームとをボンディン
グワイA1を用いC電気的に接続づる方法に関する。
[発明の技術的背留]
従来から、第1図に示ずJ:うに、ハイブリッドICモ
ジュール用の基板1上にダイボンドされた半導体ペレッ
ト2上に設けられた多数のポンディングパッド3と、こ
の基板1上に形成されたリードフレーム4とを電気的に
接続するには、ボンディング装置を用いて金線等のボン
ディングワイヤ5で以下のようにしC接続する方法がと
られている。
ジュール用の基板1上にダイボンドされた半導体ペレッ
ト2上に設けられた多数のポンディングパッド3と、こ
の基板1上に形成されたリードフレーム4とを電気的に
接続するには、ボンディング装置を用いて金線等のボン
ディングワイヤ5で以下のようにしC接続する方法がと
られている。
すなわち、ボンディング装置のキャピラリー6を通した
ボンデイングワイ175の先端を水素トーチ、電気アー
ク等により加熱溶融してボールを作り、まずポンディン
グパッド3上に4=17ビラリー6′c押付けUrf着
し、次いでキ17ピラリー5を対応づるリードフレーム
4上に移動させつつホンディングワイA75を引き出し
でループを釣り、川び同様にしてリードフレーム4上に
ボンディングワイ八75を圧着した後、キャピラリー6
をト5ち上げてワイヤクランパぐボンディングワイヤ5
をその圧着部から切り離Jプノ法が行われている。
ボンデイングワイ175の先端を水素トーチ、電気アー
ク等により加熱溶融してボールを作り、まずポンディン
グパッド3上に4=17ビラリー6′c押付けUrf着
し、次いでキ17ピラリー5を対応づるリードフレーム
4上に移動させつつホンディングワイA75を引き出し
でループを釣り、川び同様にしてリードフレーム4上に
ボンディングワイ八75を圧着した後、キャピラリー6
をト5ち上げてワイヤクランパぐボンディングワイヤ5
をその圧着部から切り離Jプノ法が行われている。
[青用技術の問題点]
しかしながら、このような方法では、リードフレーム4
上への圧着部5aが第2図に示すように薄くなって圧着
に必要な塑性変形が不十分となり、特にハイブリッド基
板のように表面が粗い基板1の場合には、リードフレー
ム4上へのボンデイングワイV5の圧着部5aが剥がれ
易くなり、製品不良が生じ易いという欠点があった。
上への圧着部5aが第2図に示すように薄くなって圧着
に必要な塑性変形が不十分となり、特にハイブリッド基
板のように表面が粗い基板1の場合には、リードフレー
ム4上へのボンデイングワイV5の圧着部5aが剥がれ
易くなり、製品不良が生じ易いという欠点があった。
「発明の目的」
本発明はこのような問題点を解決するためになされたち
のC・、半導体ベレットのポンディングパッドとリード
フレームとをボンディングワイヤを用いて強固に接続す
る方法を提供することを目的どする。
のC・、半導体ベレットのポンディングパッドとリード
フレームとをボンディングワイヤを用いて強固に接続す
る方法を提供することを目的どする。
[発明の1既要1
すなわら本発明のソイ\7ホンデイング方法は、基板上
の所定の位置にダイボンドされた半導体ペレット上のポ
ンディングパッドと前記基板上に設けられたリードフレ
ームとを、キ17ピラリーを用いてボンディングワイA
7により電気的に接続するワイヤボンディング方法にお
いて、 <a >前記ボンゲイングパツドヘボンデイングワイヤ
の一端をキャピラリーを用いて圧着する工程と、 (b)ボンディングワイヤを引出しつつ前記キレピラリ
−をリードフレーム上へ案内しCボンディングワイヤを
リードフレーム上へ押付ける工程と、(C)前記キャピ
ラリーを保かに引戻して前記ボンディングワイA7を折
返し、この折返し部を重わく一前記リードフレーム上へ
圧着する工程とからなることを特徴としている。
の所定の位置にダイボンドされた半導体ペレット上のポ
ンディングパッドと前記基板上に設けられたリードフレ
ームとを、キ17ピラリーを用いてボンディングワイA
7により電気的に接続するワイヤボンディング方法にお
いて、 <a >前記ボンゲイングパツドヘボンデイングワイヤ
の一端をキャピラリーを用いて圧着する工程と、 (b)ボンディングワイヤを引出しつつ前記キレピラリ
−をリードフレーム上へ案内しCボンディングワイヤを
リードフレーム上へ押付ける工程と、(C)前記キャピ
ラリーを保かに引戻して前記ボンディングワイA7を折
返し、この折返し部を重わく一前記リードフレーム上へ
圧着する工程とからなることを特徴としている。
[発明の実施例]
以下本発明を図面に示づ゛一実施例についてd1明する
。なお以下の図におい゛C,第1図と共通ずる部分には
同−行帰を角しである。
。なお以下の図におい゛C,第1図と共通ずる部分には
同−行帰を角しである。
本発明においては、第3図(a )に示すように、基板
1土にダイボンドされた半導体ベレンl〜2のポンディ
ングパッド3と同じ基板1上に設けられたリードフレー
ム4とをボンディングワイt75によりボンデインタす
るにあたり、まずポンディングパッド3側でキトピラリ
−6を通したホンディングワイヤ5の先端を水素トーチ
、′電気アーク等で溶かしてボール(ネイルヘッド)7
を作り、このボール7を半導体ベレット2のポンディン
グパッド3上にキャピラリー6の先端で押(=Jけなが
ら超音波をかけ−C圧着する。
1土にダイボンドされた半導体ベレンl〜2のポンディ
ングパッド3と同じ基板1上に設けられたリードフレー
ム4とをボンディングワイt75によりボンデインタす
るにあたり、まずポンディングパッド3側でキトピラリ
−6を通したホンディングワイヤ5の先端を水素トーチ
、′電気アーク等で溶かしてボール(ネイルヘッド)7
を作り、このボール7を半導体ベレット2のポンディン
グパッド3上にキャピラリー6の先端で押(=Jけなが
ら超音波をかけ−C圧着する。
次いC第3図(b)に示すように、キャピラリー6を移
動すると同時にボンディングワイヤ5をキャピラリー6
から引き出しCループを作り、引き出し端をリードフレ
ーム4上にキレピラリ−6の先端で押イqける。
動すると同時にボンディングワイヤ5をキャピラリー6
から引き出しCループを作り、引き出し端をリードフレ
ーム4上にキレピラリ−6の先端で押イqける。
この(夛、:1−トビラリ−6を」二57ざUると第3
図〈b′ )のように、金線5がはがれる場合がある。
図〈b′ )のように、金線5がはがれる場合がある。
これはハイブリッド用基板のリードフレーム4は表面が
粗く、圧着が困雌なためである。この不良をなくすため
第3図(C)に示ずJ:うに、キャピラリー6を上昇さ
せ、ボンディングワイヤ5に沿ってボンディングパット
3側に若干引戻す。
粗く、圧着が困雌なためである。この不良をなくすため
第3図(C)に示ずJ:うに、キャピラリー6を上昇さ
せ、ボンディングワイヤ5に沿ってボンディングパット
3側に若干引戻す。
この状c、C′再度ボンディングワイヤ5をリードフレ
ーlX/l上に押付はキャピラリーに超音波振動を加え
C圧着ざぜる。
ーlX/l上に押付はキャピラリーに超音波振動を加え
C圧着ざぜる。
このようにリードフレーム4上へのホンディングワイヤ
5の圧着をボンディングワイヤ5を折重ねた状態で行な
うことにより、圧着部のボンディングワイヤの但は従来
の2倍のmどなるので、加圧によるボンデインクワイA
7の塑性変形が充分に行なわれ、ハイブリット基板のよ
うな表面状態の粗い基板1の場合でもリードフレーム4
ヘボンデイングワイ175が強固にル着され圧着部が剥
がれることがなくなる。
5の圧着をボンディングワイヤ5を折重ねた状態で行な
うことにより、圧着部のボンディングワイヤの但は従来
の2倍のmどなるので、加圧によるボンデインクワイA
7の塑性変形が充分に行なわれ、ハイブリット基板のよ
うな表面状態の粗い基板1の場合でもリードフレーム4
ヘボンデイングワイ175が強固にル着され圧着部が剥
がれることがなくなる。
「発明の効果」
以−1ニ説明したように本発明によれは′、半導体ペレ
ットのポンディングパッドどリードフレームとを強固に
ワイ\7ボンドすることができ、特にハイブリッドIC
モジュールの製品不良をなくし歩留りを飛躍的に向上さ
せることができる。
ットのポンディングパッドどリードフレームとを強固に
ワイ\7ボンドすることができ、特にハイブリッドIC
モジュールの製品不良をなくし歩留りを飛躍的に向上さ
せることができる。
第1図は従来のワイヤポンプイングツ7法を示づ斜視図
、第2図はリードフレームに圧着されたボンディングワ
イ17が剥離した状態を拡大しC示J側面図、第3図<
a >〜(d >は本発明の一実施例を説明するための
図である。 1・・・・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・・・・半導体ペレッ1−3・・・
・・・・・・・・・ポンディングパッド4・・・・・・
・・・・・・リードフレーム5・・・・・・・・・・・
・ボンディングワイヤ6・・・・・・・・・・・・キャ
ピラリー代理人弁理士 須 山 佐 −
、第2図はリードフレームに圧着されたボンディングワ
イ17が剥離した状態を拡大しC示J側面図、第3図<
a >〜(d >は本発明の一実施例を説明するための
図である。 1・・・・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・・・・半導体ペレッ1−3・・・
・・・・・・・・・ポンディングパッド4・・・・・・
・・・・・・リードフレーム5・・・・・・・・・・・
・ボンディングワイヤ6・・・・・・・・・・・・キャ
ピラリー代理人弁理士 須 山 佐 −
Claims (2)
- (1)基板上の所定の位置にダイボンドされた半導体ペ
レット上のポンディングパッドと前記基板上に設けられ
たリードフレームとを、キャピラリーを用いてボンディ
ングワイヤにJ:り電気的に接続するワイヤボンディン
グ方法において、(a )前記ボンゲイングパツドヘボ
ン−j−イングワイヤの一端をキャピラリーを用いて圧
着する工程と、 (1))ボンディングワイヤを引出しつつ前記ギセピラ
リーをリードフレーム上へ案内してボンディングワイヤ
をリードフレーム上へ押付()る工程と、CG >前記
キトピラリ−を僅かに引戻して前記ボンディングワイA
7を折返し、この折返し部を重ねて前記リードフレーム
上へ圧着する工程とからなることを特徴とするワイヤボ
ンディング方法。 - (2)(b)の工程においてはキャピラリーに超音波振
動を加えずにボンディングワイヤをリードフレーム上へ
押付け、(C)の工程においてはキャピラリーにJJJ
u波振動を加えながらボンディングワイヤをリードフ
レーム上へ押付番プてボンディングワイヤとリードフレ
ームとを圧着させることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のワイヤボンディング方i人。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59038064A JPS60182730A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59038064A JPS60182730A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60182730A true JPS60182730A (ja) | 1985-09-18 |
JPH0363814B2 JPH0363814B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=12515060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59038064A Granted JPS60182730A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60182730A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8123108B2 (en) | 2010-01-27 | 2012-02-28 | Shinkawa Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and wire bonding apparatus |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59038064A patent/JPS60182730A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8123108B2 (en) | 2010-01-27 | 2012-02-28 | Shinkawa Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and wire bonding apparatus |
US8196803B2 (en) | 2010-01-27 | 2012-06-12 | Shinkawa Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and wire bonding apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0363814B2 (ja) | 1991-10-02 |
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