JPS60181707A - 光集積回路形成方法 - Google Patents
光集積回路形成方法Info
- Publication number
- JPS60181707A JPS60181707A JP3592584A JP3592584A JPS60181707A JP S60181707 A JPS60181707 A JP S60181707A JP 3592584 A JP3592584 A JP 3592584A JP 3592584 A JP3592584 A JP 3592584A JP S60181707 A JPS60181707 A JP S60181707A
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- JP
- Japan
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- integrated circuit
- pattern
- mask
- optical
- optical integrated
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光集積回路を形成するための形成方法に関する
ものである。
ものである。
技術の背景
光導波路を用いたデバイスは個別デノ（イスに比べて集
ｆＪｔ（ヒが容易であると考えられているが光導波路デ
バイスの多（は素子が長く、また光を効率良く曲げるに
は曲率半径が３０〜４０朋を必要とするため集積化した
場合にその回路パターンは例えば３０〜４０闘と長くな
る。
ｆＪｔ（ヒが容易であると考えられているが光導波路デ
バイスの多（は素子が長く、また光を効率良く曲げるに
は曲率半径が３０〜４０朋を必要とするため集積化した
場合にその回路パターンは例えば３０〜４０闘と長くな
る。
従来技術と問題点
従来光導波路パターンは、通常基板上に蒸着、スパッタ
等にて金属薄膜を形成し、これをホトリソグラフィー法
にてパターニングした後熱拡散を行なってパターン下の
基板の屈折率を変化せしめて形成している。この場合］
くターン露光には密着露光と投影霧光とがちるが、密着
露光の場合は微機のパターン投影面積が１０〜２０闘角
であり投影面積を大きくすることが困難であった。この
ため従来の光導波路形成方法では光集積回路を形成する
際に必要な微細でかつ長いパターンを精度良く形成する
ことが困難であるという問題があった。
等にて金属薄膜を形成し、これをホトリソグラフィー法
にてパターニングした後熱拡散を行なってパターン下の
基板の屈折率を変化せしめて形成している。この場合］
くターン露光には密着露光と投影霧光とがちるが、密着
露光の場合は微機のパターン投影面積が１０〜２０闘角
であり投影面積を大きくすることが困難であった。この
ため従来の光導波路形成方法では光集積回路を形成する
際に必要な微細でかつ長いパターンを精度良く形成する
ことが困難であるという問題があった。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、長い光導波路を有す
る光集積回路をイ′〃度良く形成するための光集積回路
形成方法を提供することを目的とするものである。
る光集積回路をイ′〃度良く形成するための光集積回路
形成方法を提供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、分割された導波路パ
ターンマスクを投影露光する際に接続し、全体のパター
ンを形成すると七を特徴とする光集積回路の形成方法を
提供することによって達ｂｙされる。
ターンマスクを投影露光する際に接続し、全体のパター
ンを形成すると七を特徴とする光集積回路の形成方法を
提供することによって達ｂｙされる。
発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図乃至第３メは本発明による光集積回路形成方法を
説明するための図であり、第１図は１×４光スイツチを
有する光集積回路、第２図はマスク、第３図は第２図の
マスクを用いて形成したパターンである。各図において
、ｌは基板、２Ｆｆ、光導波路、３，４．５は光スィッ
チ、６は電極、７はマスク、８は露光されたパターンを
それぞれ示している。
説明するための図であり、第１図は１×４光スイツチを
有する光集積回路、第２図はマスク、第３図は第２図の
マスクを用いて形成したパターンである。各図において
、ｌは基板、２Ｆｆ、光導波路、３，４．５は光スィッ
チ、６は電極、７はマスク、８は露光されたパターンを
それぞれ示している。
第１図ａは基板１の上に交叉型導波路を用いた光スィッ
チ３〜５を形成した１×４光スイツチの光集積回路であ
って、入力は矢印Ｉｎから行ない出力は矢印Ｏｕｔ １
〜４の４個所から出力されるようになってお９、各光ス
ィッチ３〜５は第１図すの拡大図に示す如く光導波路２
の交叉部に電極６が設けられている。このような素子は
光スィッチの動作電圧を低くするために電極６の長さを
長くする必要があり、光導波路の交叉部の長さｌが４鶴
程度になる場合があり接続部も含めると光集積回路の全
長として２０〜３０闘が必要である。
チ３〜５を形成した１×４光スイツチの光集積回路であ
って、入力は矢印Ｉｎから行ない出力は矢印Ｏｕｔ １
〜４の４個所から出力されるようになってお９、各光ス
ィッチ３〜５は第１図すの拡大図に示す如く光導波路２
の交叉部に電極６が設けられている。このような素子は
光スィッチの動作電圧を低くするために電極６の長さを
長くする必要があり、光導波路の交叉部の長さｌが４鶴
程度になる場合があり接続部も含めると光集積回路の全
長として２０〜３０闘が必要である。
本発明はこのような光集積回路を作成する場合、光導波
路パターンを第２図に示す如き単一素子ノ（ターンのマ
スクを用いる。このマスク７は両端での交叉型導波路２
ａと直線導波路２ｂのピッチｄを一定としている。そし
て仁のマスク７を用い、第３図に丞す如く移動露光を行
なうのであるが、その際光導波路パターンを１ピツチづ
つずらして■ 接続するのである。このようにして形成された光集積回
路は矢印Ｉｎから入力して、矢印Ｑｕｔ １〜４の４個
所から出力される１×４スイツチとなり第１図で示した
ものと同一機能を有するものとなる。このようにして露
光を行なう本実施例はマスクが小さくてすむため光導波
路交叉部の微細パターンの精度が向上し、電極の位置ず
れも少なくなる。
路パターンを第２図に示す如き単一素子ノ（ターンのマ
スクを用いる。このマスク７は両端での交叉型導波路２
ａと直線導波路２ｂのピッチｄを一定としている。そし
て仁のマスク７を用い、第３図に丞す如く移動露光を行
なうのであるが、その際光導波路パターンを１ピツチづ
つずらして■ 接続するのである。このようにして形成された光集積回
路は矢印Ｉｎから入力して、矢印Ｑｕｔ １〜４の４個
所から出力される１×４スイツチとなり第１図で示した
ものと同一機能を有するものとなる。このようにして露
光を行なう本実施例はマスクが小さくてすむため光導波
路交叉部の微細パターンの精度が向上し、電極の位置ず
れも少なくなる。
なお第３図においてＸ−Ｘ方向の接続の位置すれに対し
、精度を低下させないためには分割されたΦ、−素子パ
ターンマスクの接続すべき光導波路端部が電光装置の水
平移動軸（第３図のＸ−Ｘ方向と同じ）と平行か、ある
いは１°以下であることが望ましい。
、精度を低下させないためには分割されたΦ、−素子パ
ターンマスクの接続すべき光導波路端部が電光装置の水
平移動軸（第３図のＸ−Ｘ方向と同じ）と平行か、ある
いは１°以下であることが望ましい。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の光集積回路の形成
方法は、光導波路パターンマスクを分割し、投影露光機
で露光する際に接続して全体のパターン形成することに
より精度の高い光集積回路が形成できるといった効果大
なるものである３
方法は、光導波路パターンマスクを分割し、投影露光機
で露光する際に接続して全体のパターン形成することに
より精度の高い光集積回路が形成できるといった効果大
なるものである３
第１図乃至第３図は本発明の光集積回路の形成方法を説
明するための図であり、第１図けＩＸ４光スイッチを有
する光集積回路σ）平面図、第２図はマスクの平面図、
第３図は露光後のパターンの全体図である。 図面において、ｌは基板、２け光導波路、３゜４．５は
光スィッチ、６は電極、７はマスクをそれぞわ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）辛 男 弁理士 山 口 昭 之
明するための図であり、第１図けＩＸ４光スイッチを有
する光集積回路σ）平面図、第２図はマスクの平面図、
第３図は露光後のパターンの全体図である。 図面において、ｌは基板、２け光導波路、３゜４．５は
光スィッチ、６は電極、７はマスクをそれぞわ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）辛 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分割された導波路パターンマスクを投影露光する際
に接続し、全体のパターンを形成することを特徴とする
光集積回路の形成方法。 ２、分割された導波路パターンマスクが、その両端にお
ける導波路ピッチが同一であや、該マスク自身の移動露
光によシバターンを形成するこ也を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光集積回路の形成方法。 ３、分割された導波路パターンマスクの接続すべき導波
路端部が露光装置の水平移動軸と平行か、あるいｉ １
’以下の角度であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光集積回路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035925A JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035925A JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181707A true JPS60181707A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH0656443B2 JPH0656443B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=12455607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035925A Expired - Fee Related JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005534964A (ja) * | 2002-07-29 | 2005-11-17 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 導波路の製造方法及び装置並びにこれにより製造される導波路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522628A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Producing method of ski |
| JPS57128306A (en) * | 1981-01-31 | 1982-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture for optical circuit |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59035925A patent/JPH0656443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522628A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Producing method of ski |
| JPS57128306A (en) * | 1981-01-31 | 1982-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture for optical circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005534964A (ja) * | 2002-07-29 | 2005-11-17 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 導波路の製造方法及び装置並びにこれにより製造される導波路 |
| JP4831286B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2011-12-07 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 導波路の製造方法及び装置並びにこれにより製造される導波路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0656443B2 (ja) | 1994-07-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |