JPH0656443B2 - 光集積回路形成方法 - Google Patents
光集積回路形成方法Info
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- JPH0656443B2 JPH0656443B2 JP59035925A JP3592584A JPH0656443B2 JP H0656443 B2 JPH0656443 B2 JP H0656443B2 JP 59035925 A JP59035925 A JP 59035925A JP 3592584 A JP3592584 A JP 3592584A JP H0656443 B2 JPH0656443 B2 JP H0656443B2
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- optical integrated
- optical
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は光集積回路を形成するための形成方法に関する
ものである。
ものである。
技術の背景 光導波路を用いたデバイスは個別デバイスに比べて集積
化が容易であると考えられているが光導波路デバイスの
多くは素子が長く、また光を効率良く曲げるには曲率半
径が３０〜４０mmを必要とするため集積化した場合にそ
の回路パターンは例えば３０〜４０mmと長くなる。
化が容易であると考えられているが光導波路デバイスの
多くは素子が長く、また光を効率良く曲げるには曲率半
径が３０〜４０mmを必要とするため集積化した場合にそ
の回路パターンは例えば３０〜４０mmと長くなる。
従来技術と問題点 従来光導波路パターンは、通常基板上に蒸着、スパッタ
等にて金属薄膜を形成し、これをホトリソグラフィー法
にてパターニングした後熱拡散を行なってパターン下の
基板の屈折率を変化せしめて形成している。この場合パ
ターン露光には密着露光と投影露光とがあるが、密着露
光の場合は微細なパターンを形成するのが困難であり、
一方投影露光では現在一般に使用されている縮小投影露
光機のパターン投影面積が１０〜２０mm角であり投影面
積を大きくすることが困難であった。このため従来の光
導波路形成方法では光集積回路を形成する際に必要な微
細でかつ長いパターンを精度良く形成することが困難で
あるという問題であった。
等にて金属薄膜を形成し、これをホトリソグラフィー法
にてパターニングした後熱拡散を行なってパターン下の
基板の屈折率を変化せしめて形成している。この場合パ
ターン露光には密着露光と投影露光とがあるが、密着露
光の場合は微細なパターンを形成するのが困難であり、
一方投影露光では現在一般に使用されている縮小投影露
光機のパターン投影面積が１０〜２０mm角であり投影面
積を大きくすることが困難であった。このため従来の光
導波路形成方法では光集積回路を形成する際に必要な微
細でかつ長いパターンを精度良く形成することが困難で
あるという問題であった。
発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、長い光導波路を有す
る光集積回路を精度良く形成するための光集積回路形成
方法を提供することを目的とするものである。
る光集積回路を精度良く形成するための光集積回路形成
方法を提供することを目的とするものである。
発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、交叉型導波路を含む
光集積回路を、交叉路導波路を含む導波路パターンのパ
ターンマスクを用い基板上に投影露光により形成するに
際し、前記パターンマスクとし、この両端部における前
記導波路パターンのピッチ略一定であるものを用い、該
パターンマスクを前記導波路パターンの端部同士が接続
するように、該パターンマスクを複数回移動露光し、全
体のパターンの形成することを特徴とする光集積回路の
形成方法を提供することによって達成される。
光集積回路を、交叉路導波路を含む導波路パターンのパ
ターンマスクを用い基板上に投影露光により形成するに
際し、前記パターンマスクとし、この両端部における前
記導波路パターンのピッチ略一定であるものを用い、該
パターンマスクを前記導波路パターンの端部同士が接続
するように、該パターンマスクを複数回移動露光し、全
体のパターンの形成することを特徴とする光集積回路の
形成方法を提供することによって達成される。
発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第１図乃至第３図は本発明による光集積回路形成方法を
説説明するための図であり、第１図は１×４光スイッチ
を有する光集積回路、第２図はマスク、第３図は第２図
のマスクを用いて形成したパターンである。各図におい
て、１は基板、２は光導波路、３，４，５は光スイッ
チ、６は電極、７はマスク、８は露光されたパターンを
それぞれ示している。
説説明するための図であり、第１図は１×４光スイッチ
を有する光集積回路、第２図はマスク、第３図は第２図
のマスクを用いて形成したパターンである。各図におい
て、１は基板、２は光導波路、３，４，５は光スイッ
チ、６は電極、７はマスク、８は露光されたパターンを
それぞれ示している。
第１図ａは基板１の上に交叉型導波路を用いた光スイッ
チ３〜５を形成した１×４光スイッチの光集積回路であ
って、入力は矢印Ｉｎから行ない出力は矢印Ｏｕｔ１〜
４の４個所から出力されるようになっており、各光スイ
ッチ３〜５は第１図ｂの拡大図に示す如く光導波路２の
交叉部に電極６が設けられている。このような素子は光
スイッチの動作電圧を低くするために電極６の長さを長
くする必要があり、光導波路の交叉部の長さｌが４mm程
度になる場合があり接続部も含めると光集積回路の全長
として２０〜３０mmが必要である。
チ３〜５を形成した１×４光スイッチの光集積回路であ
って、入力は矢印Ｉｎから行ない出力は矢印Ｏｕｔ１〜
４の４個所から出力されるようになっており、各光スイ
ッチ３〜５は第１図ｂの拡大図に示す如く光導波路２の
交叉部に電極６が設けられている。このような素子は光
スイッチの動作電圧を低くするために電極６の長さを長
くする必要があり、光導波路の交叉部の長さｌが４mm程
度になる場合があり接続部も含めると光集積回路の全長
として２０〜３０mmが必要である。
本発明はこのような光集積回路を作成する場合、光導波
路パターンを第２図に示す如く単一素子パターンのマス
クを用いる。このマスク７は両端での交叉型導波路２ａ
と直線導波路２ｂのピッチｄを一定としている。そてこ
のマスク７を用い、第３図に示す如く移動露光を行なう
のであるが、その際光導波路パターンを１ピッチづつず
らして接続するのである。このようにして形成された光
集積回路は矢印Ｉｎから入力して、矢印Ｏｕｔ１〜４の
４個所から出力されれる１×４スイッチとなり第１図で
示したものと同一機能を有するものとなる。このように
して露光を行なう本実施例はマスクが小さくてすむため
光導波路交叉部の微細パターンの精度が向上し、電極の
位置ずれも少なくなる。
路パターンを第２図に示す如く単一素子パターンのマス
クを用いる。このマスク７は両端での交叉型導波路２ａ
と直線導波路２ｂのピッチｄを一定としている。そてこ
のマスク７を用い、第３図に示す如く移動露光を行なう
のであるが、その際光導波路パターンを１ピッチづつず
らして接続するのである。このようにして形成された光
集積回路は矢印Ｉｎから入力して、矢印Ｏｕｔ１〜４の
４個所から出力されれる１×４スイッチとなり第１図で
示したものと同一機能を有するものとなる。このように
して露光を行なう本実施例はマスクが小さくてすむため
光導波路交叉部の微細パターンの精度が向上し、電極の
位置ずれも少なくなる。
なお第３図においてｘ−ｘ方向の接続の位置ずれに対
し、精度を低下させないためには分割された単一素子パ
ターンマスクの接続すべき光導波路端部が電光装置の水
平移動軸（第３図のｘ−ｘ方向と同じ）と平行か、ある
いは１゜以下であることが望ましい。
し、精度を低下させないためには分割された単一素子パ
ターンマスクの接続すべき光導波路端部が電光装置の水
平移動軸（第３図のｘ−ｘ方向と同じ）と平行か、ある
いは１゜以下であることが望ましい。
発明の効果 以上、詳細に説明したように本発明の光集積回路の形成
方法は、光導波路パターンマスクを分割し、投影露光機
で露光する際に接続して全体のパターン形成することに
より精度の高い光集積回路が形成できるといった効果大
なるものである。
方法は、光導波路パターンマスクを分割し、投影露光機
で露光する際に接続して全体のパターン形成することに
より精度の高い光集積回路が形成できるといった効果大
なるものである。
第１図乃至第３図は本発明の光集積回路の形成方法を説
明するための図であり、第１図は１×４光スイッチを有
する光集積回路の平面図、第２図はマスクの平面図、第
３図は露光後のパターンの全体図である。 図面において、１は基板、２は光導波路、３，４，５は
光スイッチ、６は電極、７はマスクをそれぞれ示す。
明するための図であり、第１図は１×４光スイッチを有
する光集積回路の平面図、第２図はマスクの平面図、第
３図は露光後のパターンの全体図である。 図面において、１は基板、２は光導波路、３，４，５は
光スイッチ、６は電極、７はマスクをそれぞれ示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−179833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−128306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−2628（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】交叉型導波路を含む光集積回路を、交叉路
導波路を含む導波路パターンのパターンマスクを用いて
基板上に投影露光により形成するに際し、 前記パターンマスクとして、その両端部における前記導
波路パターンのピッチが略一定であるものを用い、 該パターンマスクを前記導波路パターンのピッチの幅だ
け移動し、かつ、前記導波路パターンの端部同士が接続
するように、該パターンマスクを複数回移動露光し、全
体のパターンを形成することを特徴とする光集積回路の
形成方法。 - 【請求項２】前記パターンマスクの接続すべき導波路パ
ターンの端部が露光装置の水平移動軸と平行か、あるい
は１゜以下の角度であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光集積回路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035925A JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035925A JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181707A JPS60181707A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH0656443B2 true JPH0656443B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=12455607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035925A Expired - Fee Related JPH0656443B2 (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 光集積回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656443B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6957007B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-10-18 | General Electric Company | Method and apparatus for fabricating waveguides and waveguides fabricated therefrom |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522628A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Producing method of ski |
| JPS57128306A (en) * | 1981-01-31 | 1982-08-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture for optical circuit |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59035925A patent/JPH0656443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60181707A (ja) | 1985-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |