JPS60180886A - パタ−ン転写方法 - Google Patents
パタ−ン転写方法Info
- Publication number
- JPS60180886A JPS60180886A JP59037786A JP3778684A JPS60180886A JP S60180886 A JPS60180886 A JP S60180886A JP 59037786 A JP59037786 A JP 59037786A JP 3778684 A JP3778684 A JP 3778684A JP S60180886 A JPS60180886 A JP S60180886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- stamper
- thin film
- inorganic material
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
- B41M5/382—Contact thermal transfer or sublimation processes
- B41M5/38207—Contact thermal transfer or sublimation processes characterised by aspects not provided for in groups B41M5/385 - B41M5/395
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、熱転写により微細なパターンを転写する方法
に関し、特に、光ディスクのプリグループ、ビデオディ
スクさらにはコンパクトディスクの製造に適用されるパ
ターン転写方法に関する。
に関し、特に、光ディスクのプリグループ、ビデオディ
スクさらにはコンパクトディスクの製造に適用されるパ
ターン転写方法に関する。
従来技術
従来、光ディスクのプリグループやビデオディスク等に
適用されるパターン転写方法４Ｉ：第１図。
適用されるパターン転写方法４Ｉ：第１図。
第２図により説明する。８１図において凹凸パターンが
備えられたスタンパ１の上に溶けたアクリル樹脂２を載
せ、上下双方から高温に加熱された金型３，４で加圧す
ることにより、アクリル樹脂２０表面にスタンパ１の凹
凸パターンを転写し、このようにして形成されたアクリ
ル基板の表面に蒸着等の方法で金属薄膜を形成すること
により、光ビームに対・「る反射率が大小異なるパター
ンを形成する。蒸着は、例えば第２図に示すような真空
蒸着装置６により行ない、アクリル基板５０表面に金属
薄膜７な形成する。ところが、この方法では、スタンパ
１（＋−高温・高圧で圧縮するのでスタフ４１０表面の
暦耗がはやく、また、スタンパ１の溝部８にアクリル樹
脂の残渣が付着することによる転写性の低下などの問題
がある。また高温・高圧（例えば、２１０℃で圧力１ｓ
ｏＫｆ／ｉ）を実現するために大がかりな装置な必要と
する。
備えられたスタンパ１の上に溶けたアクリル樹脂２を載
せ、上下双方から高温に加熱された金型３，４で加圧す
ることにより、アクリル樹脂２０表面にスタンパ１の凹
凸パターンを転写し、このようにして形成されたアクリ
ル基板の表面に蒸着等の方法で金属薄膜を形成すること
により、光ビームに対・「る反射率が大小異なるパター
ンを形成する。蒸着は、例えば第２図に示すような真空
蒸着装置６により行ない、アクリル基板５０表面に金属
薄膜７な形成する。ところが、この方法では、スタンパ
１（＋−高温・高圧で圧縮するのでスタフ４１０表面の
暦耗がはやく、また、スタンパ１の溝部８にアクリル樹
脂の残渣が付着することによる転写性の低下などの問題
がある。また高温・高圧（例えば、２１０℃で圧力１ｓ
ｏＫｆ／ｉ）を実現するために大がかりな装置な必要と
する。
発明の目的
本発明の目的は、上記問題を解決し、スタンパに高温・
高圧の負荷なかけることなく、スタンパのパターンを転
写する方法を提供することにある。
高圧の負荷なかけることなく、スタンパのパターンを転
写する方法を提供することにある。
発明の構成と作用
本発明は、加熱により結晶の相変化な起こし、かつ、加
熱部と未加熱部、すなわち、結晶相の異なる部分で光ビ
ームに対する反射率が異なる無機材料の特性を利用し、
その無機材料の表面上の、スタンパの凸部に接触した部
分のみに選択的に結晶の相変化を起こさせることにより
、スタンパの凹凸パターンを、光ビームに対する反射率
の大小のパターンとして転写するものである。以下に一
実施例を示し、それにもとづいて本発明を具体的に説明
する。
熱部と未加熱部、すなわち、結晶相の異なる部分で光ビ
ームに対する反射率が異なる無機材料の特性を利用し、
その無機材料の表面上の、スタンパの凸部に接触した部
分のみに選択的に結晶の相変化を起こさせることにより
、スタンパの凹凸パターンを、光ビームに対する反射率
の大小のパターンとして転写するものである。以下に一
実施例を示し、それにもとづいて本発明を具体的に説明
する。
先ず、無機材料の調製を示すと、純度９９．９９９１の
Ｔｓ、Ｇｏ及びＳｎを石英アンプル中に入れ、真空ポン
プで１０ Ｔｏｒｒ以下に引きつつアンプルを封じる。
Ｔｓ、Ｇｏ及びＳｎを石英アンプル中に入れ、真空ポン
プで１０ Ｔｏｒｒ以下に引きつつアンプルを封じる。
これ＆ １０００℃の電気炉の中に入れ、５時間程度加
熱しながらアンプルを振動させて材料をよく攪拌し、急
冷したのちアンプル２割り、混合合金化された材料な取
出す。
熱しながらアンプルを振動させて材料をよく攪拌し、急
冷したのちアンプル２割り、混合合金化された材料な取
出す。
次に第６図に示すごとく、よく洗浄したアクリル基板１
０（外径！１００１４さ１．５．各部）を真空装置１４
内に置き、これをモータ９で回転しつつ、タングステン
ボー１１１に入れた上記の調製した無機材料１２を真空
蒸着し、薄膜１３を形成する。真空度はｌＸ１０ 〜２
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度は１０Ｘ７ｎｌｎ〜５００
Ｘ／ｍｔｈｎであった。膜厚は５００〜３０００ Ｘ
ノ間にあり、この薄膜１３はＸ線回折法により調査の結
果はぼ非晶質状態にあることが確認された。ここで、無
機材料の薄膜（ＴｅＧｅ５ｎ）の結晶の相変化の様子を
第５図に示してあり、これは上記方法で作った別のＴｅ
Ｇｅ Ｓｎ （Ｔｏ ＝１ 、 Ｇ＠ｌ ＝０．５ 、
８ｎ＝０．２５ 各原子組成比）薄膜を１００℃〜２０
０℃の温度で５分間アニーリングして、波長６３３ ｎ
ｍの光の透過率の変化な調べたものであり、図のように
１２０℃前後で著しく透過率が変化しており、結晶の相
変化が生ずる様子が良くわかる。
０（外径！１００１４さ１．５．各部）を真空装置１４
内に置き、これをモータ９で回転しつつ、タングステン
ボー１１１に入れた上記の調製した無機材料１２を真空
蒸着し、薄膜１３を形成する。真空度はｌＸ１０ 〜２
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度は１０Ｘ７ｎｌｎ〜５００
Ｘ／ｍｔｈｎであった。膜厚は５００〜３０００ Ｘ
ノ間にあり、この薄膜１３はＸ線回折法により調査の結
果はぼ非晶質状態にあることが確認された。ここで、無
機材料の薄膜（ＴｅＧｅ５ｎ）の結晶の相変化の様子を
第５図に示してあり、これは上記方法で作った別のＴｅ
Ｇｅ Ｓｎ （Ｔｏ ＝１ 、 Ｇ＠ｌ ＝０．５ 、
８ｎ＝０．２５ 各原子組成比）薄膜を１００℃〜２０
０℃の温度で５分間アニーリングして、波長６３３ ｎ
ｍの光の透過率の変化な調べたものであり、図のように
１２０℃前後で著しく透過率が変化しており、結晶の相
変化が生ずる様子が良くわかる。
次に、第４図Ａ−Ｃによりパターンの転写を説明すると
、第４図Ａに示すように、上記の蒸着直後のアクリル基
板（円板）１０を蒸着面を上にして下の金型１５に固定
し、凹凸パターン（−例として同心円状に、幅１０μｍ
、深さｔ２μｍ、ピッチ２μｍの溝が刻まれている）を
有するニッケル（Ｎ１）のスタンパ１なパターンのある
面を下にして上の金型１６に固定する。上の金型１６は
３００℃に保ち、下の金型１５は２５℃の水１７ヲ専管
１８に通して冷却しながら第４図Ｂのように上下の金型
１６ 、１Ｓ ＆α５Ｋｆ／−〜２馳／−の圧力で約２
秒間プレスしたところ、第４図Ｃのごとく無機材料の薄
膜１５のスタンパ１の凸部２０に接触した部分２１では
微細な結晶粒が成長し、光の透過率が減少し、反射率が
増加して、結晶相への相転移な起こした。その結果、ス
タンパ１の凹凸パターンに応じて光ビームに対するｊ（
対重の大小のパターンが基板に形成された。
、第４図Ａに示すように、上記の蒸着直後のアクリル基
板（円板）１０を蒸着面を上にして下の金型１５に固定
し、凹凸パターン（−例として同心円状に、幅１０μｍ
、深さｔ２μｍ、ピッチ２μｍの溝が刻まれている）を
有するニッケル（Ｎ１）のスタンパ１なパターンのある
面を下にして上の金型１６に固定する。上の金型１６は
３００℃に保ち、下の金型１５は２５℃の水１７ヲ専管
１８に通して冷却しながら第４図Ｂのように上下の金型
１６ 、１Ｓ ＆α５Ｋｆ／−〜２馳／−の圧力で約２
秒間プレスしたところ、第４図Ｃのごとく無機材料の薄
膜１５のスタンパ１の凸部２０に接触した部分２１では
微細な結晶粒が成長し、光の透過率が減少し、反射率が
増加して、結晶相への相転移な起こした。その結果、ス
タンパ１の凹凸パターンに応じて光ビームに対するｊ（
対重の大小のパターンが基板に形成された。
以上のごとく、本発明によれば、スタンパの凹凸パター
ンが忠実にアクリル基板（円板）等に写し取れるもので
ある。
ンが忠実にアクリル基板（円板）等に写し取れるもので
ある。
本発明につかえる無機材料は上述のＴｅＧ５８ｎの合金
に限らず、Ｔｓ−Ｇｏ金合金Ｔｓ−８ｓ合金、Ａｓ−８
ｅＡｓ −Ｂｅ 、 ５ｂ−８、Ｓｂ −Ｂｅ 、 Ｔ
ｏおよび、それらにＧｓ。
に限らず、Ｔｓ−Ｇｏ金合金Ｔｓ−８ｓ合金、Ａｓ−８
ｅＡｓ −Ｂｅ 、 ５ｂ−８、Ｓｂ −Ｂｅ 、 Ｔ
ｏおよび、それらにＧｓ。
Ｖ、Ｓｂ、Ｐｂｔ８ｎ、Ｂｉｔ８１を加えたものでも良
く、さらに合金のうち少なくとも１つが酸素を含むもの
であっても良い。
く、さらに合金のうち少なくとも１つが酸素を含むもの
であっても良い。
また、成膜方法は、蒸着法以外に、スパッタリングの方
法を使うこともできる。
法を使うこともできる。
また、基板も、上述のアクリルに限らず、ガラスを使う
こともできる。
こともできる。
発明の効果
以上示したごとく、本発明によれば、スタンパに高温・
高圧の負担をかけずにパターンの転写ができ、 （１） スタンパの耐久性が良い。
高圧の負担をかけずにパターンの転写ができ、 （１） スタンパの耐久性が良い。
（２）高温・高圧を実現するための大がかりな装置が入
らない。
らない。
という効果があり、特に光ディスクのプリグループの形
成、ビデオディスクやコンパクトディスクの製造に適用
するときわめて有益である。
成、ビデオディスクやコンパクトディスクの製造に適用
するときわめて有益である。
第１図は従来のパターンの転写方法を示す図、第２図は
パターンが転写された基板に金属薄膜な蒸着する方法を
示す図、第６因は本発明の−実施例において、基板に無
機材料の薄ｗｋ４Ｉ：形成する方法を示す図、第４図Ａ
〜第４図Ｃは本発明の一実施例におけるパメーン転写の
各工程を示す図、第５図は無機材料の薄膜の加熱による
結晶の相転移な示す図。 主な符号 １・・・スタンパ、１０・・・基板（円板）、１５・・
・（無機材料の）薄膜、１５ 、１６・・・金型、１７
・・・水、１８・・・導管、２０・・・凸部、２１・・
・凸部２０に接触した部分特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲人工ハロ （外１名） 第１図 第 ３ 図 第４図 Ｍ ５ 図 アニーリング温度
パターンが転写された基板に金属薄膜な蒸着する方法を
示す図、第６因は本発明の−実施例において、基板に無
機材料の薄ｗｋ４Ｉ：形成する方法を示す図、第４図Ａ
〜第４図Ｃは本発明の一実施例におけるパメーン転写の
各工程を示す図、第５図は無機材料の薄膜の加熱による
結晶の相転移な示す図。 主な符号 １・・・スタンパ、１０・・・基板（円板）、１５・・
・（無機材料の）薄膜、１５ 、１６・・・金型、１７
・・・水、１８・・・導管、２０・・・凸部、２１・・
・凸部２０に接触した部分特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲人工ハロ （外１名） 第１図 第 ３ 図 第４図 Ｍ ５ 図 アニーリング温度
Claims (1)
- 基板上に無機材料の薄膜な形成し、該薄膜上に、凹凸パ
ターンを有する加熱されたス、タンパなプレスし、該薄
膜のスタンパの凸部に接触する部分のみに結晶の相変化
を起生せしめ、前記スタンパの凹凸パ、ターンに応じて
光ビームに対する反射率の大小のパターンを形成するこ
とを特徴とするパターン転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037786A JPS60180886A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59037786A JPS60180886A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180886A true JPS60180886A (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=12507165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59037786A Pending JPS60180886A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | パタ−ン転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180886A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1700310A1 (en) * | 2003-12-09 | 2006-09-13 | Wriota Pty Ltd | A memory device, an information storage process, a process, and a structured material |
| WO2006130914A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Wriota Pty Ltd | A patterning process |
| CN105730039A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-07-06 | 东莞光群雷射科技有限公司 | 一种定位凹印微字元无版缝转移膜的生产方法 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59037786A patent/JPS60180886A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1700310A1 (en) * | 2003-12-09 | 2006-09-13 | Wriota Pty Ltd | A memory device, an information storage process, a process, and a structured material |
| JP2007513525A (ja) * | 2003-12-09 | 2007-05-24 | リオタ・ピーティーワイ・リミテッド | メモリ装置、情報格納処理、処理、及び構造物質 |
| EP1700310A4 (en) * | 2003-12-09 | 2007-08-08 | Wriota Pty Ltd | MEMORY DEVICE, METHOD FOR STORING DATA, PROCESSING, AND STRUCTURAL EQUIPMENT |
| WO2006130914A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Wriota Pty Ltd | A patterning process |
| CN105730039A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-07-06 | 东莞光群雷射科技有限公司 | 一种定位凹印微字元无版缝转移膜的生产方法 |
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