JPS601802A - サ−ミスタの製造方法 - Google Patents
サ−ミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS601802A JPS601802A JP11058783A JP11058783A JPS601802A JP S601802 A JPS601802 A JP S601802A JP 11058783 A JP11058783 A JP 11058783A JP 11058783 A JP11058783 A JP 11058783A JP S601802 A JPS601802 A JP S601802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- thermistor
- glass
- thermistor element
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ある。
渦流量計などにおいて温度検出器として用いられるサー
ミスタは、一般忙リード線が埋め込まれたガラス製のス
テムと、このステムの一方の面に配置されてリード線に
接続されたフレーク型のサーミスタ素子片と、この素子
片を覆ってステムの一方の面に設けられ、ステムト同’
１のガラスからなるカバーとで形成されている。
ミスタは、一般忙リード線が埋め込まれたガラス製のス
テムと、このステムの一方の面に配置されてリード線に
接続されたフレーク型のサーミスタ素子片と、この素子
片を覆ってステムの一方の面に設けられ、ステムト同’
１のガラスからなるカバーとで形成されている。
ところで、このようなサーミスタは、リード線を予め埋
め込んだステムの一方の面にサーミスタ素子片を配置し
、その素子片とリード線とを導電性ペーストの焼成でも
って接続した後に、粉末ガラス入りのペースト焼成でも
ってステムの一方の面にカバーを形成して製造される。
め込んだステムの一方の面にサーミスタ素子片を配置し
、その素子片とリード線とを導電性ペーストの焼成でも
って接続した後に、粉末ガラス入りのペースト焼成でも
ってステムの一方の面にカバーを形成して製造される。
しかしながら、このようなサーミスタでは、カバー形成
の焼成時にステムの溶融が生じ、リード線のステムによ
る保持が悪くな如、リード線がステムから脱落し、リー
ド線に接続されたサーミスタ素子片が破損される慮れが
ある。したがって、サーミスタの製造方法としては製品
の歩留抄が悪く、まな製品の信頼性に問題がある。
の焼成時にステムの溶融が生じ、リード線のステムによ
る保持が悪くな如、リード線がステムから脱落し、リー
ド線に接続されたサーミスタ素子片が破損される慮れが
ある。したがって、サーミスタの製造方法としては製品
の歩留抄が悪く、まな製品の信頼性に問題がある。
さらにまた、サーミスタのカバー形成の焼成時にリード
線の脱落が起きないように、保護膜のガラスは低軟化点
のものを使用しなければならない。低軟化点ガラスは結
合力の弱い成分、例えばＰｂＯ２を多量に含有している
ために、耐水性や耐薬品性に弱い欠点がある。さらにま
た、サーミスタのカバー形成の焼成時に１低融点の保護
膜ガラスを使用するため、焼成温度が低く、したがって
保護膜中の脱気を完全に行なうことが困難であるので、
サーミスタの感温精度を悪くする欠点が指摘される。
線の脱落が起きないように、保護膜のガラスは低軟化点
のものを使用しなければならない。低軟化点ガラスは結
合力の弱い成分、例えばＰｂＯ２を多量に含有している
ために、耐水性や耐薬品性に弱い欠点がある。さらにま
た、サーミスタのカバー形成の焼成時に１低融点の保護
膜ガラスを使用するため、焼成温度が低く、したがって
保護膜中の脱気を完全に行なうことが困難であるので、
サーミスタの感温精度を悪くする欠点が指摘される。
本発明は前記の問題点を解決するためになされ九もので
あって、その目的とするところは、製造中にリード線が
ステムから脱落するととがなく、かつ、サーミスタ素子
を覆うガラス被膜の作業温度を充分に高くしうるサーミ
スタの製造方法を提供するととＫある。
あって、その目的とするところは、製造中にリード線が
ステムから脱落するととがなく、かつ、サーミスタ素子
を覆うガラス被膜の作業温度を充分に高くしうるサーミ
スタの製造方法を提供するととＫある。
以下、本発明を図面とともに説明する。
第１図および第２図において、アルミナ（Ａｌ ２０ａ
）等のセラミック材料を生地のままの状態で加圧成形
した円筒状ステム１には、予め一対の貫通孔２ａ、２ｂ
を形成しておく。この貫通孔２ａ、２ｂにそれぞれのリ
ード線３ａ。
）等のセラミック材料を生地のままの状態で加圧成形
した円筒状ステム１には、予め一対の貫通孔２ａ、２ｂ
を形成しておく。この貫通孔２ａ、２ｂにそれぞれのリ
ード線３ａ。
３ｂを通しておいて焼成すると、Ａｌ ｇ０３ は焼結
によりステム１が収縮して、第３図および第４図に示す
ように、リード線３ａ、３ｂｔ強固に緊締したステム１
を製造することができる。
によりステム１が収縮して、第３図および第４図に示す
ように、リード線３ａ、３ｂｔ強固に緊締したステム１
を製造することができる。
このようにしで焼成されたステム１の一方の面、例えば
１３面に露出した一対のリード線３ａ。
１３面に露出した一対のリード線３ａ。
３ｂの端面３’ａ 、 ３’ｂ□に接続するようにサー
ミスタ素子４を導電性ペースト５ａ、５ｂ でマウント
し、導電性ペースト５ａ、５ｂを焼成する。
ミスタ素子４を導電性ペースト５ａ、５ｂ でマウント
し、導電性ペースト５ａ、５ｂを焼成する。
さらに前記サーミスタ素子４を被覆するカッよ一ガラス
６として、例えば軟化点５９５℃、作業点６２０℃を有
する日本電気硝子■製のＧＡ−１等の粉末ガラスペース
トを印刷する。このようにして、前記カバーガラス６の
規定された作業温度より２０〜３０％高い温度でカッζ
−ガラス６の焼成作業を行うと、サーミスタ素子４のカ
バーガラス６には全く気泡がなく表面が滑拵らかな保護
膜が形成される。
６として、例えば軟化点５９５℃、作業点６２０℃を有
する日本電気硝子■製のＧＡ−１等の粉末ガラスペース
トを印刷する。このようにして、前記カバーガラス６の
規定された作業温度より２０〜３０％高い温度でカッζ
−ガラス６の焼成作業を行うと、サーミスタ素子４のカ
バーガラス６には全く気泡がなく表面が滑拵らかな保護
膜が形成される。
以上のように構成されているので、％気的絶縁性の高い
ＡＩ ２０ａ材からなるステム１には、ｐｔ線等の金属
製のリード線３ａ、３ｂが強固に埋め込まれており、リ
ード線３ａ、３ｂの一端はＡｕ、Ａｇ−Ｐｄ、またはＰ
ｔ等からなる導電性ベース）５ａ％５ｂを介してそれぞ
れサーミスタ素子４に電気的に接続されている。この場
合、ステム１の一方の面１ａに配置されたサーミスタ素
子４と導電性ペースト５ｇ、５ｂとを被覆するカッ（−
ガラス６の焼成作業は、ステムｌの軟化温度よりも低い
作業温度を有するガラスが使用されなければならない。
ＡＩ ２０ａ材からなるステム１には、ｐｔ線等の金属
製のリード線３ａ、３ｂが強固に埋め込まれており、リ
ード線３ａ、３ｂの一端はＡｕ、Ａｇ−Ｐｄ、またはＰ
ｔ等からなる導電性ベース）５ａ％５ｂを介してそれぞ
れサーミスタ素子４に電気的に接続されている。この場
合、ステム１の一方の面１ａに配置されたサーミスタ素
子４と導電性ペースト５ｇ、５ｂとを被覆するカッ（−
ガラス６の焼成作業は、ステムｌの軟化温度よりも低い
作業温度を有するガラスが使用されなければならない。
この点で本発明に係るＡｌ ２０３製のステム１は焼成
温度は最高１５００℃位であり、従来のガラス製ステム
（例えば旭硝子■製のＡ３Ｐ２Ｏ１では、軟化点６５０
℃、作業点１．０１５℃程度）の軟化温度と比較して、
８５０℃程度も高い作業温度でカバーガラス６の焼成作
業が可能となる。これにより、カバーガラス６は均一で
安定した薄い被膜とすることができ、外部温度の変化を
カバーガラス６ｔ−介して素早くサーミスタ素子片４に
伝達することができる。
温度は最高１５００℃位であり、従来のガラス製ステム
（例えば旭硝子■製のＡ３Ｐ２Ｏ１では、軟化点６５０
℃、作業点１．０１５℃程度）の軟化温度と比較して、
８５０℃程度も高い作業温度でカバーガラス６の焼成作
業が可能となる。これにより、カバーガラス６は均一で
安定した薄い被膜とすることができ、外部温度の変化を
カバーガラス６ｔ−介して素早くサーミスタ素子片４に
伝達することができる。
第５図に示すサーミスタは第４図に示すサーミスタより
も更にサーミスタ素子片４の温度変化に対する感度を向
上させた実施例を示す。なお、第５図中、第４図と同一
構成については同一符号を付してその説明を省略する。
も更にサーミスタ素子片４の温度変化に対する感度を向
上させた実施例を示す。なお、第５図中、第４図と同一
構成については同一符号を付してその説明を省略する。
第５図のサーミスタにおいては、酸化ペリ１ノウム（Ｂ
ｅｄ） 等の熱伝導性の極めて良好な材料からなる冷却
フィン７が設けられている。この冷却フィン７は、一端
側がカッ（−ガラス６によシ保持されると共にその端面
がサーミスタ素子片４に当接し、他端側がカバーガラス
６の表面より外部に突出するように配置、固定されてい
る。
ｅｄ） 等の熱伝導性の極めて良好な材料からなる冷却
フィン７が設けられている。この冷却フィン７は、一端
側がカッ（−ガラス６によシ保持されると共にその端面
がサーミスタ素子片４に当接し、他端側がカバーガラス
６の表面より外部に突出するように配置、固定されてい
る。
このように構成したサーミスタに、リード線３ａ、３ｂ
を通して電流を流すと、サーミスタ素子片４は周囲温度
に対し、所定温度だけ上昇する。しかし、カバーガラス
６の表面に流れ等があると周囲温度が変化する。この温
度変化の一部は第４図のものと同じくカバーガラス６を
介して、また、他の一部は熱伝導性のよい冷却フィン７
を介して直ちにサーミスタ素子片４に伝達される。した
がりて、冷却フィン７により周囲温度の変化を素早くサ
ーミスタ素子片４に伝達でき、応答性を高めることがで
きる。
を通して電流を流すと、サーミスタ素子片４は周囲温度
に対し、所定温度だけ上昇する。しかし、カバーガラス
６の表面に流れ等があると周囲温度が変化する。この温
度変化の一部は第４図のものと同じくカバーガラス６を
介して、また、他の一部は熱伝導性のよい冷却フィン７
を介して直ちにサーミスタ素子片４に伝達される。した
がりて、冷却フィン７により周囲温度の変化を素早くサ
ーミスタ素子片４に伝達でき、応答性を高めることがで
きる。
以上、説明した如く、本発明に係るサーミスタの製造方
法によれば、Ａｌ２Ｏ３等のセラミック材料からなるス
テムにリード線を強固に緊締させることができ、また、
ステムはＡｌ２Ｏ３等のセラミック材料を焼成（最高１
５００℃）したものであるから、耐熱性が良く、カバー
ガラスとして使用する材料の選択の幅を拡大できると共
にカバーガラスの作業温度を十分に高く選択可能となり
、保護膜中の気泡も完全に脱気され、表面が滑らかな保
護膜が形成される。したがって耐食性等圧優れた信頼性
の高いサーミスタを提供できる効果を奏するものである
。
法によれば、Ａｌ２Ｏ３等のセラミック材料からなるス
テムにリード線を強固に緊締させることができ、また、
ステムはＡｌ２Ｏ３等のセラミック材料を焼成（最高１
５００℃）したものであるから、耐熱性が良く、カバー
ガラスとして使用する材料の選択の幅を拡大できると共
にカバーガラスの作業温度を十分に高く選択可能となり
、保護膜中の気泡も完全に脱気され、表面が滑らかな保
護膜が形成される。したがって耐食性等圧優れた信頼性
の高いサーミスタを提供できる効果を奏するものである
。
第１．２図は本発明の一実施例について、加圧成形され
たサーミスタの焼成以前の状態を説明したものであって
、第１図はその平面図、第２図は第１図記載Ｘ−Ｘ＠の
縦断面路、第３．４図は第２図記載のサーミスタを焼成
した後、サーミスタ素子の装着状態を説明した縦断面図
、第５図はサーミスタの他の実施例を示す縦断面図であ
る。 １・・・ステム ２ａ、２ｂ・・・貫通孔、３ａ 、
３ｂ・・・リード線、 ４・・・サーミスタ素子５ａ、
５ｂ・・・痺電性ペースト ６・・・カバーガラス 代理人 岡田喜久夫 才Ｓ図
たサーミスタの焼成以前の状態を説明したものであって
、第１図はその平面図、第２図は第１図記載Ｘ−Ｘ＠の
縦断面路、第３．４図は第２図記載のサーミスタを焼成
した後、サーミスタ素子の装着状態を説明した縦断面図
、第５図はサーミスタの他の実施例を示す縦断面図であ
る。 １・・・ステム ２ａ、２ｂ・・・貫通孔、３ａ 、
３ｂ・・・リード線、 ４・・・サーミスタ素子５ａ、
５ｂ・・・痺電性ペースト ６・・・カバーガラス 代理人 岡田喜久夫 才Ｓ図
Claims (1)
- 焼成前のセラミック材料からなり一対のリード線が挿通
されたステムを仮形成し、該ステムを焼成してセラミッ
ク材料の収縮作用により前記リード線を前記ステムに緊
締させ、前記ステムの一面に前記リード線と電気的に導
通状３態としてサーミスタ素子を配置し、該サーミスタ
素子を覆って前記ステムの一面にガラス被膜を施してな
るサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058783A JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11058783A JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601802A true JPS601802A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14539631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11058783A Pending JPS601802A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | サ−ミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0564744U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-27 | 株式会社チノー | 温度素子 |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11058783A patent/JPS601802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0564744U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-27 | 株式会社チノー | 温度素子 |
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