JPS6225402A - 感温装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、感温装置、特に、温度センサとしてのサーミ
スタに関する。

〔背景技術〕

温度という物理量を検出する素子である感温装置（温度
センサ）は、数あるセンサの中でもつとも広範囲に利用
されており、さらに利用拡大の傾向にある。

温度センサの材料としては、導体、半導体、誘電体、磁
性体その他あらゆる物質が対象となり、この中でも半導
体は代表的センナ材料であり、これを利用した温度セン
サが半導体温度センサである。

半導体温度センナは、高感度、小型軽量、応答速度大、
などの特徴を有しているため、現在の温度センサの主流
である。この半導体温度センサの中で、温度変化により
素子の電気抵抗が大きく変化する特性を利用したものが
サーミスタ（Ｔｈｅ　ｒｍ−ｉｓｔｏｒ）である。

サーミスタは、熱に敏感な抵抗体（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ
Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　Ｒｅ５ｉｓｔｏｒ）という意味で
あり、比較的古くから実用化され、現在もつともよく使
用されている。使用される大部分のサーミスタはセラミ
ックサーミスタで、基本特性による分類では、、７・温
度が上昇するにつれて電気抵抗が指数関数的に減少する
負の温度係数をもつサーミスタと、逆に非直線的にいち
じるしく抵抗値が増加する正の温度係数をもつサーミス
タと、ある温度域で電気抵抗が急に減少するサーミスタ
の三分類があり、以下単にサーミスタと呼ぶ時は、負温
度係数をもつサーミスタを指す。

従来、サーミスタの構造には、たとえば、工業調査会発
行、「電子材料、１９７７年１月号」。

１９７７年１月１日１３６頁、あるいは、特公昭５２−
７５３５号に示されるビート型、ディスク型がある。

前者のビート型サーミスタは次のような工程を経て製造
される。すなわち、最初に２本の貴金属線（たとえば、
０．０４〜０．２朋直径の白金線）が０．２〜０．８ｎ
の間隔に張られ、その白金線に沿って定間隔にサーミス
タペーストが塗布される。このサーミスタペーストは１
０００〜１５００℃の温度で焼結されて硬化する。つぎ
に、白金線は所望部分で切断され、この白金線にジュメ
ット線からなるリード線が溶接されろ。その後、サーミ
スタペーストの焼結によって形成されたサーミスタ素子
部および白金線ならびにリード線内端部がガラスによっ
て気密封止され、ガラスから一対のリード線を突出させ
たサーミスタが形成されろ。

しかし、このビート型サーミスタは、特公昭５２−７５
３５号にも簡巣に記載されているが、以下のような問題
点がある。すなわち、このサーミスタはその組立におい
て白金線間隔のバラツキが生じ易いため、サーミスタの
抵抗値が変動し易くなり１歩留りが悪くなる。また、こ
のサーミスタはその製造において白金線を定間隔に並べ
たり。

サーミスタペーストの塗布、さらには白金線とリード膀
との溶接等の手作業があるため１作業能率が悪＜ＳＴ（
標準時間）が長くなる難点がある。

さらに、このサーミスタは本発明者によって次のような
難点があることが明らかとされた。すなわち、このサー
ミスタは材料として高価な白金線を使用しているため生
産コストが高くなる。また。

このサーミスタの製造方法では、異なる特性のサーミス
タを製造する場合は、サーミスタ材料、貴金属線径、線
間サイズを変更しなければならず、多品種化に対する順
応性がない。さらに、リード線間が狭く、実装時にはリ
ード成形が必要であり、プリント基板への実装置機械化
できす手作業にたよるしかなく作業能率が極めて悪い。

一方、後者のディスク型サーミスタは次のような方法に
よって製造される。すなわち、マンガン。

コバルト、ニッケル等の数種の酸化物が混合粉砕されて
微粉末が形成された後、この微粉末は焼結されて焼結板
が形成される。その後、この焼結板は厚さ、平行度が所
望の寸法となるように加工される。次に、この焼結板は
その両面全域に金、金・白金系等の高温焼付用導電性塗
料が塗布されるとともに、９００〜１０００℃の高温度
で処理され。

電極が形成される。リード線はジュメットまたは白金の
リード線からなり、その先端を前述と同様な高温焼付用
導電性塗料の乾燥固定によって電極部分に取りつけられ
る。つぎに、ディスク部はソーダガラス管に入れられ、
８００℃の加熱処理によって気密的に封止されろ。その
結果、ガラス部から２本のリード線を突出させたサーミ
スタが人造される。

しかし、このような製造方法によって人造されたディス
ク型サーミスタは次のような問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。

すなわち、リード線取りつけ工程、気密封止工程が手作
業で、かつ、工程が複雑であり生産コストが高い。さら
に、作業能率が極めてわるく１手作業であるため特性均
一化もむずかしい。さらに、このサーミスタの製造方法
では、サーミスタの特性がディスクのサイズにより決定
されろため、ディスクの分割精度が不均一であると特性
の均一化が極めて困難である。また、さらに、サーミス
タの特性変更手段としては、ディスクの一面の’ｔｉを
機械的にトリミングする方法があるが、電極の一部除去
に伴ってディスクの一部も欠は易くなり、外観上好まし
く、実用的でない。また、このサーミスタも前記ビート
型サーミスタ同様、リード線間が狭く実装時にはリード
成形が必要なため、自動機実装が不可能である。

上記の如（ビート型、ディスク型サーミスタは生産コス
トが高（１手作業であるため１歩留りも悪いという問題
はあるが、封止体がガラスであることより、感度、耐湿
性が極めてよく、かつ、使用可能温度範囲も一５０℃〜
４５０℃と広いため、広範囲温度計測用途には適してい
る。

近年、サーミスタの主用途は５体温計、室温計。

冷蔵庫の庫内温度計、家庭用又は自動車用のニアコンデ
ィショナの温度検知器、コンピュータやビデオテープレ
コーダ等の高精度電子回路の温度計測器と、低温（−３
０℃〜１００℃）用途に主流が移行してきており、今後
もその需要は大幅に増加すると予想される。この様な低
温用途のサーミスタには前記ビート型、ディスク型サー
ミスタの持つ特性、すなわち、広範囲な使用可能温度範
囲や高耐湿性はそれほど必要ではなく、必要とされるの
は、量産性が良く１歩留も高い低価格のサーミスタであ
る。

一方、機械による合理化が進み、高い量産性と歩留りと
低価格化、を達成している技術罠半導体装置の人造技術
がある。半導体装置の製造技術は３０年あまりの技術改
新により、はとんど全ての製造工程の機械化がなされて
いる。その代表的な技術の例は、リードフレームのタブ
に半導体素子を固定する技術や半導体素子の電極とリー
ドフレームのインナーリードとを金ワイヤで接続するワ
イヤボンディング技術や樹脂封止体（以下パンケージと
もいう。）を形成するトランスファ・モールド技術があ
る。さらに、また近年の市場ニーズにより、高密度実装
、自動実装が可能な外観形状の小型の半導体装置が開発
されてきた。その−例が、工業調査会発行、ｒ［子材料
１９８４年９月号」１９８４年９月１日Ｐ５６に記載さ
れたミニモールド型のトランジスタである。

以上のようＫ、半導体装置においては製造・実装工程の
ほとんど全てが機械化・合理化されているが、その技術
は、サーミスタの製造技術と個別に進歩・改新が行なわ
れ、両技術は組合されることはなかった。

本発明は、低温で使用されろサーミスタを、半導体装置
の人造技術を用いて形成し、サーミスタの量産化、低価
格化、特性均一化、パッケージの小型化を計るとともに
自動実装が達成できる技術を得ようとするものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、機械による製造・実装が可能な感温装
置技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、特性が均一にでき特性変更が容易
な感温装置技術を提供することＫある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記のとおりである。

感温装置の製造工程は、感温素子形成基板の成形・焼結
工程と、電極形成工種と、感温素子基板の分割（ダイシ
ング）工程と、リードフレームのタブへの感温素子固定
（ペレット付け）工程と。

リードフレームのリードと感温素子間のワイヤボンディ
ング工程と、封止工程と、リード成形工程とを有する。

上記工程の内、分割工程と、固定工程と、ワイヤボンデ
ィング工程と、封止工程と、リード成形工程は、半導体
装置製造技術を用いた機械による自動化が可能であるこ
とより、感温装置製造工程が全て自動化でき温度装置の
遺産化。

低価格化が達成できる。

さらに、上記の如り、！！造工程が自動化できることよ
り５手作業による製造誤差が発生しないため１歩留りが
向上するとともに特性の均一な感温＠置が製造できる。

一方、この感温装置は、直方体形状の封止体外観であり
、かつ、封止体より突出する複数のリードは、同方向に
、封止体側面に沿うよ５に成形され、かつ、それらのリ
ード先端部は、封止体の裏面で形成される平面より出た
部分で、該平面と平行に成形されている。封止体形状を
直方体としたことＫより機械によるハンドリングが可能
となり、かつ、上記の如くリード成形されていることよ
り。

実装基板へのリード位置決めが簡単にでき、機械による
実装が可能となる。

さらに、この感温装置内に存在する感温素子は、主面に
複数の電極を有し、かつこの電極間に溝部を有している
。感温素子の特性は、感温素子の素子寸法とこの溝部の
深さで決定されるため、素子寸法を均一としても溝部の
深さを変化させるだけで特性の異なる感温素子が形成で
きろ。

〔実施例〕

以下１本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は、感温装置（以下、サーミスタと称す。）ＴＨ
Ｍの対土工程前の構造で、感温素子（以下、サーミスタ
素子と称す。）１がリードフレーム２の固定台（タブ）
３上に絶縁性接着材４を介して固定され、さらＫ、サー
ミスタ素子の上面電極５゜６と外部導出リード（以下単
にリードとも言う。）７．８の一端とが金属細線９．Ｉ
ＯＫより接続されている。注目すべきは、サーミスタ構
造が、半導体装置の形成技術を利用すれば機械による自
動生産が可能な構造となっていることにある。

第２図（ａ）　、　（ｂ）は、第１図に示すリードフレ
ーム２を用いた場合のサーミスタの完成図で、第２図（
ａｔは上面図、第２図（ｂｌは一側面図を示している。

この様に、サーミスタＴＨＭの封止体１１形状は直方体
となっており、実装作業時には機械によるサーミスタの
ハンドリングが簡単である。さらに、リード成形がされ
ているため、プリント基板上の配線へのリード位置決め
が簡単に行なえる。尚、上記のサーミスタＴＨＭは、リ
ード７．８間の電気的な抵抗値を計測することにより、
サーミスタＴＨＭの実装部の温度計測ができる。上記、
実施例ではサーミスタ素子１の固定されたタブ３の一部
が外部導出リードの如く封止体１１外部に突出している
ので、サーミスタ素子１に外部からの温度が迅速かつ正
確に伝達し、温度測定の精度が向上する。

機械による自動生産、実装が可能な他のサーミスタ構造
を第３図、第４図に示す。第３図はサーミスタの上面図
、第４図は第３図のＩＶ−ｒＶ断面を示している。この
サーミスタＴＨＭはサーミスタ素子１上に電極５か１つ
しかなく、このｉｔ俸５とリード１３とがワイヤ９によ
り接続されている。

一方、サーミスタの裏面は、銀ペーストの如き導電性接
着材１２によりタブ３′に固定されろとともに、このタ
ブ３の一端が延在して封止体１１′外部に突出し、リー
ド１４となっている。

第５図は、第１図に示されたサーミスタ素子１と第３図
に示されるサーミスタに用いられるリードフレームを使
用した時のサーミスタ構造を示す。

尚、図中一点鎖線は封止体の形成される部分を示してい
る。

上記した各サーミスタ構造は１機械化できることより、
量産化が可能であり、かつ、特性の均一性に優れ、かつ
、従来のガラス封止型サーミスタと比較して封止体寸法
が小型化できる。

次に、４１４Ｆ性が均一にできしかも、特性変更が簡単
に行なえるサーミスタ素子の特徴について示す。

具体的構造は、第１図に示されるサーミスタ素子１の構
造で、その特徴は、上面電極５，６間にサーミスタ材料
の露出部、すなわち溝部１５が形成されていることにあ
り、この溝部１５の深さや幅がサーミスタ素子の特性を
極めて正確に決定する。サーミスタ特性は、サーミスタ
素子寸法、溝部の深さ０幅の複数の変数で決めることが
できるため、一つの変数の精度を他の変数で特性を補正
することができ、特性均一化が計れる。たとえば、素子
寸法精度は分割工ａ（ダイシング工程）の精度で決まる
が、その精度にみあった特性の変化分をなく丁ために溝
の深さを変化させれば所望特性のサーミスタが得られる
。さらに、同一素子寸法でも溝の深さを種々変化するこ
と忙より、＃！ｆ性が変化する。

第１６図は溝の深さｔとサーミスタ素子の２電極間の抵
抗値Ｒとの関係を示すグラフである。図中Ａは、厚さ０
．１５Ｂ１幅０．４　ｍｕ、長さ０．４趨のサーミスタ
素子の溝深さｔと抵抗値Ｒの関係を示し、図中Ｂは厚さ
０．１５Ｂ、幅０．４５　ｍ、長さ０．４５ｍ（１）サ
ーミスタ素子の場合を示している。いずれも溝深さｔを
大きくするに従って抵抗値が増加し、サーミスタ特性が
変更できろことを示している。

尚上記Ａ、Ｈの素子のサーミスタ材料は鉄（Ｆｅ）。

ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ
）等の酸化物である。

次に本発明のサーミスタ製造工程について詳細に説明す
る。

第６図は、サーミスタ製造工程フローを示したものであ
る。まず、鉄、ニッケル、マンガン、コバルトの酸化物
粉末を円板状に成形し、厚さ５００μｍ〜６００μｍ程
度の基板（ディスクともいう。）を作り、次に、この基
板を１２００℃〜１４００℃で焼結する。次に基板主面
と裏面の平行度向上や平坦化のために両面を研摩し基板
厚を１５０μｍ程度とする。そして基板主面に金Ａｕペ
ーストを塗布し８５０℃、１０分〜１５分で焼成し、金
Ａｕ電極を形成する。この金Ａｕペーストは、全濃度が
高いものを用い、基板との接着性を良好にする。

こうすることにより、後述するダイシング時の金電極ば
つの発生を防止し歩留りが向上できる。

第７図には、主面に金Ａｕ［極３１が形成された基板３
０が示されている。

次に、基板３０は両面テープの如き接着材３２を介して
シリコン基板３３に固定された後、第６図に示すダイシ
ング（１）工程が行なわれ、第８図に示すように溝部３
４が形成される。この溝部３４０幅は、Ｑ、０８ｍ程度
でその深さは０．０３ｓ＋ｍ程度であり、ダイシング技
術で極めて精度よく形成できる。図中、一点鎖線間は１
つのサーミスタ素子１を示し、溝部３４は各々に設けら
れる。尚、第３図、第４図のようなサーミスタ素子の両
生面が電極となる構造ではこのダイシング（１）工程は
行なわれない。

次に、第６図で示すダイシング（２）工程が行なわれ、
基板３０のＸ、Ｙ方向に切り目が入れられ、第９図の如
（サーミスタ素子１．１間が分割される。この分割溝の
幅は上記ダイシング（１）工程で用いた装置をそのまま
使用し合理化を計るため。

０．０８ｍ程度であり、深さは接着材３２を途中まで切
断する程度であり、サーミスタ素子の寸法は０．４５ｓ
ｏａ角とする。

次に、第９図の状態でサーミスタ素子１の良品。

不良品の選別が行なわれ不良品サーミスタ素子に゛はマ
ークが付される。そして、シリコン基板３３にサーミス
タ素子１が付いた状態のまま次工程であるペレット付工
程に送られる。ペレット付工程で使用されるペレット付
機は、ペレット付作業部にリードフレームを搬送する搬
送機構と、上記シリコン基板上のサーミスタ素子の良品
、不良品を識別し良品サーミスタ素子を吸着しペレット
付作業部に搬送するコレットを有している。ペレット付
作業部ではリードフレーム２が位置決めされ。

サーミスタ素子１がリードフレーム２のタブ３上に絶縁
性接着材４を介して固定され第１０図に示す状態となる
。リードフレーム２は、ペレット付作業部に位置決めさ
れる前にタブ３上にエポキシレジンやポリイミド樹脂の
如き絶縁性接着材４が適量付けられており、その後ペレ
ット付作業部にリードフレームが搬送され、リードフレ
ーム２の穴部３５を用いて位置決めされ、ベレット付工
程が行なわれる。尚、リードフレーム２はタブ３を複数
有する多連リードフレームで、タブ３へのペレット付が
完了するとリードフレームは１ピンチ分移動しペレット
付作業部に隣のタブ３か位置される様になっている。

次に、リードフレーム２は第６図に示される。

ワイヤボンディング工程に搬送され、第１図に示されろ
様にサーミスタ素子１の金ペースト３１から成る上面［
％５　、６とリードフレーム２のり一部７．８が金線の
如き金属細線９．１０により電気的に接続される。この
金線の接着方法は半導体装置の製造に用いられる熱圧着
法や超音波を作用させなから熱圧着を行なう接着方式を
採用するととにより、高い歩留りで作業が行なえる。

次に１ワイヤボンデイングが完了した多連のリードフレ
ーム２は第６図に示す封止工程に搬送される。封止工程
ではトランスファモールド装置の金型３６，３７により
リードフレーム２が固定され、金型３６，３７により形
成される空間部３８（キャビティという。）内に１つの
サーミスタ素子１が存在するようになっている。そして
、このキャビティ３８内にエポキシレジン等の樹脂が充
填され封止体３９が形成されろ。この工程の特徴は、１
度の封止工程で多くのサーミスタＴＨＭが封止でき量産
性に優れている点にある。さらに、この封止工程の作業
温度は２００°Ｃ前後であり、従来のガラス封止工程で
の作業部１８００℃と比較して極めて低温であり、サー
ミスタ材料Ｃｏ−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ系、　Ｍ　ｎ　−Ｃ
ｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ系の酸化物の相変換温度７００
℃〜１０００℃以下であるため、この工程ではサーミス
タ材料に相変換は発生せず歩留りが向上し、かつ、サー
ミスタ特性は均一になる。

この実施例では、封止材にエポキシレジン等の樹脂を用
いたが、融点５００″Ｃ〜６００℃の低融点ガラスを用
いてもサーミスタ材料の特性変化は発生しないため、封
止材として適している。しかしながら、封止工程が複雑
になる恐れがある。

第１２図は、金型３６．３７から取り出された多連のリ
ードフレーム２と封止体の状態を示し、１つのリードフ
レーム２に３０個のサーミスタＴＨＭが形成されている
ため、工程内での搬送が容易である。このあとリードフ
レーム２の不要部分が除去されて第６図のリード成形工
程が行なわれ。

第２図、＠３図に示されるサーミスタＴＨＭが形成され
る。

第１３図は、出荷のために箱づめされたサーミスタＴＨ
Ｍを示し、外わ（４０と内ケース４１を有するスティッ
ク状の画品収納ケース４２の内ケ−，ス４１（７）凹部
４３に１個のサーミスタＴＨＭがおさめられる。この収
納ケース４２はこの状！ｉ！Ａで自動装着機のローダに
組みこまれた後、サーミスタＴＨＭが内ケースから機械
によりハンドリングされてプリント基板の如き実装基板
の所望位置に位置決め固定される。

第１４図は、実装基板４４に実装されたサーミスタＴＨ
Ｍの状態を示し、同一実装基板には半導体集積回路ＩＣ
が複数実装されている。この例は、サーミスタＴＨＭを
半導体集積回路ＩＣ近傍の温度計測用として用いたもの
で、半導体ｓ、槓回路ＩＣの温度制御回路の一部となる
。図中７．８はサーミスタＴＨＭのリードであり＋　４
５．４６は実装基板４４に形成されたアルミニウムから
なる配線でリード７．８と配線４５．４６は半田により
電気的に接続されている。

上記の様に、ダイ７ング（１）、ダイシング（２）、ペ
レット付、ワイヤボンディング、封止、リード成形等が
半導体装置製造技術に用いられろ製造機器を使用するた
め、生産性の向上０歩留りの向上。

特性均一化、低価格化が達成できる。さらに多連のリー
ドフレームを使用してサーミスタを形成するため量産化
が可能であり、サーミスタの小型化も達成できる。さら
に、また、サーミスタの封止体外観が直方体で機械によ
りノ・ンドリンク可能なこと、およびリード成形がされ
ていることより。

機械による実装が極めて容易である。

尚、サーミスタ素子の形状は上記実施例以外に＠１５図
に示される如く、複数個の上面電極４７゜４８．４９．
５０を有するサーミスタ素子ｌであっても良い。この場
合はボンディング位置を電極４７．４８．４９．５０の
中から任意に２つ以上選びリードフレームのリードとワ
イヤボンディングできるため、１つのサーミスタ素子で
２〜３種類の異なる特性を有するサーミスタが得られ、
製品のシリーズ化に適する。

また、上記実施例ではサーミスタの電極を金ペーストで
形成したが、アルミニウムの蒸着で形成し、ボンディン
グワイヤもアルミニウム線として低コスト化を図っても
良い。但し、封止体が樹脂であるとアルミニウム腐食が
発生する可能性もあり高い信頼性は得にくい。

〔効果〕

（１）本発明のサーミスタは、リードフレームを用いて
形成されていることより、半導体製造技術を用いて、は
とんどすべての工程が機械化により合理化できるため、
サーミスタの量産化、低価格化が計れる。

（２）上記（１）より、製造工程が自動化できろことよ
り、手作業によるミスや製造誤差が発生しないことより
、サーミスタの特性均一化１歩留りの向上が達成できる
。

（３）本発明のサーミスタの封止体は直方体形状となっ
ており、かつ、リード成形されているため、機械による
ハンドリングが可能であり、実装基板へのリード位置決
が容易であることより、実装の機械化が達成できる。

（４）サーミスタ素子はその主面に２つの１！極を有し
、その間には溝部を有していることより、溝部の深さを
変化させることにより、特性の異なるサーミスタを形成
でき、サーミスタのシリーズ化が容易に達成できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

たとえば、第１図、第２図に示されるサーミスタＴＨＭ
の他の実施例として第１７図に示すようにサーミスタ素
子１の上面電極５とリード８（又は、リード７）を金線
９で接線し、他の上面電極６は、タブ３をリードフレー
ム２に固定しているタブ吊りリード（外部導出リードの
一極）５１と金８１０で接続してもよい。この場合には
サーミスタ素子１はタブ３に絶縁性接着材で固定されて
いるのでリード５１はサーミスタの端子の一つとして使
用できる。第１８図は、上記のように金線９．１０によ
り接線されたサーミスタＴＨＭの実装時の使用端子を示
ヤ図で、リード８とタブ吊りリード５１の電気抵抗を計
測することにより、サーミスタＴＨＭの実装場所の温度
を測定できる。

金線９の接続リードは、リード７でも上記と同様である
。尚１図中の付番は第１図、第２図と同一部は同一番号
で示しである。上記の構成としても前記実施例と同様な
効果が得られる。

さらに、第５図の他の実施例として第１９図。

第２０図に示すようにリード１３．１４が封止体の同一
方向へ突出した構造であっても良い。第１９図は、リー
ドフレーム２のタブ３に上面′Ｑ［間に溝部を有するサ
ーミスタ素子１が固定された後、上面電極５とリード１
３及び上面電極６とリードエ３が金線５．６によ、り接
続された状態を示し、点線は封止体１１の形成位置を示
す。尚１図中Ｈは封止体１１一端からリードフレーム２
′の一端までの長さを示し、４０窯から１５０ｗｍの間
で取扱いが容易となっている。第２０図は、第１９図の
リードフレーム２を用いたサーミスタＴＨＭの斜視図を
示し、封止体１１外形は長い側の直径φが約１．４龍、
高さｈが３ｍｍであり極めて小型で、突出したリード１
３．１４はリード幅Ｗが０．２５７Ｉｒｘリード厚ｄが
０．１５ｙ＋ｍである。上記サーミスタＴＨＭはデュア
ル・イン・ライン型ＩＣの如（実装時リード１３．１４
を実装基板に形成された穴に挿入して実装できる為、実
装が確実に行なわれるとともに実装スペース、実装高さ
も低減でき、高密度実装が可能である。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるサーミスタ技傭に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明のサーミスタの封止工程前の状態を示
す斜視図、 第２図（ａ）は本発明のサーミスタの外形を示す上面図
、 第２図（ｂ）は第２図（ａ）の−側面図。 第３図は本発明の他の一実施例を示すサーミスタの上面
図、 第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ’断面図、第５図は本発明
のサーミスタのさらに他の一実施例を示す上面図、 第６図は、本発明のサーミスタ製造工程を示す工程フロ
ー図、 第７図は、本発明の製造工程を示し、電極を形成した基
板の斜視図、 第８図は、本発明の製造工程を示し、基板に抵抗値調整
用溝部を形成した状態の断面図、第９図は本発明の製造
工程を示し、サーミスタ素子を分割した状態を示す断面
図、 第１０図は、本発明の製造工程を示し、リードフレーム
のタブ（固定部）Ｋサーミスタ素子を固定した状態を示
す斜視図、 第１１図は５本発明の製造工程を示し、トランスファモ
ールド装置の金型にリードフレームが固定され封止され
た状態を示す断面図、 第１２図は、第１１図のトランスファモールド装置から
取り出した封止工種後のリードフレーム全体斜視図、 第１３図は、本発明のサーミスタの収納ケースを示す斜
視図、 第１４図は、本発明のサーミスタの実装状態を示し、実
装基板に実装されたサーミスタとＩＣの斜視図、 第１５図は、本発明のサーミスタ素子の他の一実施例を
示し、上面に複数個の電極を有するサーミスタ素子の斜
視図、 第１６図は本発明のサーミスタ素子の溝部深さｔとサー
ミスタ抵抗Ｒの関係を示す特性図、第１７図は、本発明
のサーミスタの他の金線接続方法を示す正面図、 第１８図は、第１７図のサーミスタの金線接続方法によ
る温度測定に用いる端子を示す図、＠１９図は、２本の
リードを有するサーミスタのワイヤボンディング後の上
面図、 第２０図は、第１９図の２本のリードを有するサーミス
タのリード成形後の斜視図である。 ＴＨＭ・・・感温装置（サーミスタ）、１．１′・・・
感温素子（サーミスタ素子）、２・・・フレーム（リー
ドフレーム）、３．３・・・固定部（タブ）、４・・・
絶縁性接着材（エポキシレジンやポリイミド樹脂）、５
．５．６・・・上面電極（金電極）、７．８・・・外部
導出リード（リード、インナーリード）、９　、９′。 １０・・・金属線ｍ＜金線）、１１・・・封止体（樹脂
又はガラス）、１２・・・導電性接着材（銀ペースト）
。 １３．１４・・・外部導出リード（リード）、１５・・
・溝部、３０・・・基板（ディスク）、３１・・・上面
電極（金ペースト）、３２・・・接着材（テープ）、３
３・・・シリコン基板、３４・・・溝部、３５・・・穴
部、３６゜３７・・・金型、３８・・・キャビティ、３
９・・・封止体（エポキシレジン）、４０・・・外わく
、４１・・・内ケース、４２・・・収納ケース、４３・
・・凹部％４４・・・実装基板（ブリ／ト基板）、４５
．４６・・・配線、４７゜４８．４９．５０・・・上面
電極、ＩＣ・・・半導体集積回路。 パ） 代理人　弁理士　　小　川　勝　男 第　　１３　図 一′７２ Ｊθ　　・′ 第　　１４　図 第１５図 第　　１６　図 ；；°［ ；：Ｉ 第１７　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、感温装置は、 （１）感温素子と、 （２）外部導出リードと、 （３）上記感温素子の固定部と、 （４）上記感温素子と上記外導出リードとを電気的に接
   続する金属細線と、 （５）上記感音素子と上記外部導出リードの一端と、上
   記固定部とを封止する封止体と、 を具備することを特徴とする感温装置。 ２、上記感温素子は、主面上に少なくとも２つの電極を
   有し、該２つの電極間に溝部を具備することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の感音装置。 ３、上記封止体は樹脂又はガラスの中から選ばれた１つ
   よりなることを特徴とする第１項記載の感温装置。 ４、感温装置の製造方法は、 （１）感温素子材料を成形した後、焼結し基板を形成す
   る工程と、 （２）上記基板主面に電極を形成する工程と、 （３）上記基板を所望に分割し、感温素子を形成する工
   程と、 （４）上記感温素子を、外部導出リード及び感温素子の
   固定部を一体に具備するフレームの該固定部に固定する
   工程と、 （５）上記感温素子の電極と上記外部導出リードの一端
   とを金属細線で接続する工程と、 （６）上記感温素子と、上記固定部と、上記外部導出リ
   ードの一端を封止する封止体を形成する工程と、 （７）上記封止体外部の不要なフレームを除去し、上記
   外部導出リードを成形する工程と、 を有することを特徴とする感温装置の製造方法。 ５、上記電極を形成する工程は、基板主面全面に電極を
   形成する工程と、上記主面の一部に感温素子材料を露出
   させる溝部を選択的に形成する工程と、を有することを
   特徴とする特許請求の範囲第４項記載の感温装置の製造
   方法。 ６、上記フレームは、固定部と外部導出リードを複数組
   有し、一回の封止工程で複数の封止体が形成されること
   を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の感温装置の製
   造方法。