JPS60180135A - 半導体低温試験装置 - Google Patents
半導体低温試験装置Info
- Publication number
- JPS60180135A JPS60180135A JP3515984A JP3515984A JPS60180135A JP S60180135 A JPS60180135 A JP S60180135A JP 3515984 A JP3515984 A JP 3515984A JP 3515984 A JP3515984 A JP 3515984A JP S60180135 A JPS60180135 A JP S60180135A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
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- semiconductor device
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体低温試験装置に係９、特に大気と遮断さ
れかつ一定低温状態下に置かれた半導体装置の電気的特
性を測定する半導体低温試験装置に関する。
れかつ一定低温状態下に置かれた半導体装置の電気的特
性を測定する半導体低温試験装置に関する。
従来から第１図、第２図に示したように被測定半導体装
ｔ（以下半導体装置と称す）をアイスボックスで冷却し
てから測定を行なう技術が知られている。この種技術は
、第１図に示すようにまずドライアイス１の入ったアイ
スボックス２の中にアルミ箔を介して半導体装置３を入
れて冷却し、その後取り出した半導体装置３を半導体試
験器４に接続された半導体装置用ソケット５に挿入して
その電気的特性を測定している。
ｔ（以下半導体装置と称す）をアイスボックスで冷却し
てから測定を行なう技術が知られている。この種技術は
、第１図に示すようにまずドライアイス１の入ったアイ
スボックス２の中にアルミ箔を介して半導体装置３を入
れて冷却し、その後取り出した半導体装置３を半導体試
験器４に接続された半導体装置用ソケット５に挿入して
その電気的特性を測定している。
しかしながらこの種技術は次の様な問題点を有している
。即ち、冷却された半導体装置の測定を大気中で行なう
ために大気中の水分を吸収して半導体装置に着露し、そ
の露が半導体装置のリードを橋絡して電気的に導通させ
てしまい、測定不能状態をひき起すという問題点を有し
ている。また上記の測定不能状態を防ぐ必要からドライ
ヤー等を用いて乾燥作業を行なったシするので、いきお
い作業工数が増大するという問題点を有している。
。即ち、冷却された半導体装置の測定を大気中で行なう
ために大気中の水分を吸収して半導体装置に着露し、そ
の露が半導体装置のリードを橋絡して電気的に導通させ
てしまい、測定不能状態をひき起すという問題点を有し
ている。また上記の測定不能状態を防ぐ必要からドライ
ヤー等を用いて乾燥作業を行なったシするので、いきお
い作業工数が増大するという問題点を有している。
更にまた温度制御がなされない状態で半導体装置の電気
的測定が行なわれているので、測定データの信頼性が低
い等の問題点を有している。
的測定が行なわれているので、測定データの信頼性が低
い等の問題点を有している。
本発明は斜上の問題点に鑑みなされたもので、露点以下
の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパージされかつ
冷却された状態で被測定半導体装置の電気的特性を試験
することにより、測定データに信頼性があって、作業工
数を小さくできる、半導体低温試験装置を提供すること
を目的とする。
の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパージされかつ
冷却された状態で被測定半導体装置の電気的特性を試験
することにより、測定データに信頼性があって、作業工
数を小さくできる、半導体低温試験装置を提供すること
を目的とする。
この目的を達成するために本発明の半導体低温試験装置
によれば露点以下の温度で結露し々いように乾燥雰囲気
でパージされかつ被測定半導体装置を収納している収納
部と、露点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気で
パージされかつ冷却されると共に、該収納部に収納され
た該半導体装ｔを搬入してその電気的特性を試験する冷
却試験部と、該冷却試験部を所定温度に冷却する冷凍機
と、露点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパ
ージされかつ前記冷却試験部から戴送嘔れてきた試験済
みの前記半導体装置を電気的特性の違いによって分類す
る分類部とを具備したものである。
によれば露点以下の温度で結露し々いように乾燥雰囲気
でパージされかつ被測定半導体装置を収納している収納
部と、露点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気で
パージされかつ冷却されると共に、該収納部に収納され
た該半導体装ｔを搬入してその電気的特性を試験する冷
却試験部と、該冷却試験部を所定温度に冷却する冷凍機
と、露点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパ
ージされかつ前記冷却試験部から戴送嘔れてきた試験済
みの前記半導体装置を電気的特性の違いによって分類す
る分類部とを具備したものである。
以下本発明の好ましい実施例を第３図を参照して詳述す
る。本発明の半導体低温試験装置は、収納部６と冷却試
験部７と冷凍機８と分類部９と半導体試験器（図示せす
りとから構成されている。
る。本発明の半導体低温試験装置は、収納部６と冷却試
験部７と冷凍機８と分類部９と半導体試験器（図示せす
りとから構成されている。
即ち収納部６は、露点以下の温度でも結露しないように
乾燥常温空気の雰囲気でパージされかつ所定数の半導体
装置３を収納している、大気と遮断された小室でおる。
乾燥常温空気の雰囲気でパージされかつ所定数の半導体
装置３を収納している、大気と遮断された小室でおる。
また収納部６には被測定物出し入れシャッター１１と室
間シャッター１２とが取り付けられている。冷却試験部
Ｉは、露点以下の′ｏｉＡ度でも結露しないように乾燥
空気の雰囲気でパージされかつマイナス２０〜４０℃で
冷却されると共に、収納部６に収納された半導体装置３
を搬３− 大してその電気的特性を試験する、大気と遮断された小
室である。また冷却試験部７は、収納部６と隣接してい
て室間シャッター１２を介して連通している。更に冷却
試験部７は、メンテナンス用シャッター１３と半導体装
置３を搬送する半導体搬送ユニット１４と半導体装置を
固定する測定ソケット１５とを備えている。冷凍機８は
、冷却試験部７を例えばマイナス２０〜４０℃に冷却さ
せるべく隣接して設置されたものである。分類部９は、
露点以下の温度でも結露しないように乾燥常温空気の雰
囲気でパージされかつ冷却試験部７から搬送されてきた
試験済みの半導体装置１０を電気的特性の違いによって
分類機構ユニット１６によシ、半導体装置１７と他の半
導体装置１Ｂとに分類する小室である。また分類部９は
、分類済み半導体出し入れシャッター１９を有すると共
に冷却試験部７と隣接していて室間シャッター２０を介
して連通している。半導体試験器（図示せず）は、半導
体低温試験装置の外部にあって画定ソケット１５と接続
されている。ここで使用される室間シャツ４− ター１２．２０は、いずれも機械的シャッター若しくは
エアーシャッターである。その他のシャッターには機械
的シャッターが用いられている。
間シャッター１２とが取り付けられている。冷却試験部
Ｉは、露点以下の′ｏｉＡ度でも結露しないように乾燥
空気の雰囲気でパージされかつマイナス２０〜４０℃で
冷却されると共に、収納部６に収納された半導体装置３
を搬３− 大してその電気的特性を試験する、大気と遮断された小
室である。また冷却試験部７は、収納部６と隣接してい
て室間シャッター１２を介して連通している。更に冷却
試験部７は、メンテナンス用シャッター１３と半導体装
置３を搬送する半導体搬送ユニット１４と半導体装置を
固定する測定ソケット１５とを備えている。冷凍機８は
、冷却試験部７を例えばマイナス２０〜４０℃に冷却さ
せるべく隣接して設置されたものである。分類部９は、
露点以下の温度でも結露しないように乾燥常温空気の雰
囲気でパージされかつ冷却試験部７から搬送されてきた
試験済みの半導体装置１０を電気的特性の違いによって
分類機構ユニット１６によシ、半導体装置１７と他の半
導体装置１Ｂとに分類する小室である。また分類部９は
、分類済み半導体出し入れシャッター１９を有すると共
に冷却試験部７と隣接していて室間シャッター２０を介
して連通している。半導体試験器（図示せず）は、半導
体低温試験装置の外部にあって画定ソケット１５と接続
されている。ここで使用される室間シャツ４− ター１２．２０は、いずれも機械的シャッター若しくは
エアーシャッターである。その他のシャッターには機械
的シャッターが用いられている。
以上のように構成された本発明の半導体低温試験装置を
使用するに当っては、第３図に示すようにまず被測定物
出し入れシャッター１１を開いて所定数の半導体装置３
を収納部６に収納する。そして被測定物出し入れシャッ
ター１１を閉じて、収納部６と冷却試験部７と分類部９
とを夫々露点以下の温度でも結露しないように乾燥常温
空気の雰囲気でパージする。この状態で冷却試験部７を
冷凍機８でもってマイナス２０〜４０℃に冷却する。
使用するに当っては、第３図に示すようにまず被測定物
出し入れシャッター１１を開いて所定数の半導体装置３
を収納部６に収納する。そして被測定物出し入れシャッ
ター１１を閉じて、収納部６と冷却試験部７と分類部９
とを夫々露点以下の温度でも結露しないように乾燥常温
空気の雰囲気でパージする。この状態で冷却試験部７を
冷凍機８でもってマイナス２０〜４０℃に冷却する。
次に半導体装置３を搬送路２１に載置して室間シャッタ
ー１２を開く。その後該半導体装置３を半導体搬送ユニ
ット１４でもって測定ヘッド１５に位置させる。ここで
収納された半導体装置１０を半導体試験器（図示せず）
でもって電気的特性の試験を行なう。この試験が終了す
ると、室間シャッター２０を開いて試験済みの半導体装
ｔ１０を半導体搬送ユニット１４でもって分類部９に搬
送する。更に室間シャッター２０が閉じられると試験済
み半導体装置１０は、分類機構ユニット１６でもって半
導体装置１７と他の半導体装置１８とに分類される。分
類された半導体装置１７と他の半導体装置１Ｂは、夫々
分類済み半尋咋装置出し入れシャッター１９１ｃ開くこ
とによシ取シ出される。
ー１２を開く。その後該半導体装置３を半導体搬送ユニ
ット１４でもって測定ヘッド１５に位置させる。ここで
収納された半導体装置１０を半導体試験器（図示せず）
でもって電気的特性の試験を行なう。この試験が終了す
ると、室間シャッター２０を開いて試験済みの半導体装
ｔ１０を半導体搬送ユニット１４でもって分類部９に搬
送する。更に室間シャッター２０が閉じられると試験済
み半導体装置１０は、分類機構ユニット１６でもって半
導体装置１７と他の半導体装置１８とに分類される。分
類された半導体装置１７と他の半導体装置１Ｂは、夫々
分類済み半尋咋装置出し入れシャッター１９１ｃ開くこ
とによシ取シ出される。
以上の実施例からも明らかなように本発明の半導体低温
試験装置によれば、結露しないように乾燥雰囲気でパー
ジされかつ被測定半導体装置を収納している収納部と、
結露しないように乾燥璽囲気でパージされかつ冷却され
ると共に、該半導体装置の電気的特性を試験する冷却試
験部と、該冷却試験部を所定温度に冷却する冷凍機と、
結露しないように乾燥雰囲気でパージされかつ試験済み
の前記半導体装置を電気的特性の違いによって分類する
分類部とで構成したので、露点以下の温度でも結露しな
いように乾燥雰囲気でパージされかつ冷却された状態で
被測定半導体装置の電気的時７− 性が試験されることになり、測定データに信頼性があっ
て、作業工数を小さくできる等の効果を奏する。
試験装置によれば、結露しないように乾燥雰囲気でパー
ジされかつ被測定半導体装置を収納している収納部と、
結露しないように乾燥璽囲気でパージされかつ冷却され
ると共に、該半導体装置の電気的特性を試験する冷却試
験部と、該冷却試験部を所定温度に冷却する冷凍機と、
結露しないように乾燥雰囲気でパージされかつ試験済み
の前記半導体装置を電気的特性の違いによって分類する
分類部とで構成したので、露点以下の温度でも結露しな
いように乾燥雰囲気でパージされかつ冷却された状態で
被測定半導体装置の電気的時７− 性が試験されることになり、測定データに信頼性があっ
て、作業工数を小さくできる等の効果を奏する。
第１図は従来における半導体装置用冷却装置の正面断面
図、第２図は従来における半導体装置用試験装置の正面
断面図、第３図は本発明による半導体低温試験装置の平
面図である。 ３・・・・被測定半導体装置 ６・・・・・収納部 ７・・・・・冷却試験部 ８・・・・・・冷凍機 ９・・・・分類部 １０・・・・・・試験済み半導体装置 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） ＝８＝
図、第２図は従来における半導体装置用試験装置の正面
断面図、第３図は本発明による半導体低温試験装置の平
面図である。 ３・・・・被測定半導体装置 ６・・・・・収納部 ７・・・・・冷却試験部 ８・・・・・・冷凍機 ９・・・・分類部 １０・・・・・・試験済み半導体装置 （７３１７）代理人弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） ＝８＝
Claims (1)
- 露点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパージ
されかつ被測定半導体装置を収納している収納部と、露
点以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパージさ
れかつ冷却されると共に、該収納部に収納された該半導
体装置を搬入してその電気的特性を試験する冷却試験部
と、該冷却試験部を所定温度に冷却する冷凍機と、露点
以下の温度で結露しないように乾燥雰囲気でパージされ
かつ前記冷却試験部から搬送されてきた試験済みの前記
半導体装置を電気的特性の違いによって分類する分類部
とを具備したことを特徴とする半導体低温試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3515984A JPS60180135A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体低温試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3515984A JPS60180135A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体低温試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180135A true JPS60180135A (ja) | 1985-09-13 |
Family
ID=12434096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3515984A Pending JPS60180135A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 半導体低温試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429882U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-10 | ||
| US6169409B1 (en) | 1997-05-19 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature wafer testing method and prober |
| US6249132B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Inspection methods and apparatuses |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3515984A patent/JPS60180135A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0429882U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-10 | ||
| US6249132B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Inspection methods and apparatuses |
| US6169409B1 (en) | 1997-05-19 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature wafer testing method and prober |
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