JPS60176243A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS60176243A
JPS60176243A JP59031705A JP3170584A JPS60176243A JP S60176243 A JPS60176243 A JP S60176243A JP 59031705 A JP59031705 A JP 59031705A JP 3170584 A JP3170584 A JP 3170584A JP S60176243 A JPS60176243 A JP S60176243A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
resistant resin
semiconductor device
highly heat
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59031705A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Kaneda
金田　賢一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59031705A priority Critical patent/JPS60176243A/ja
Publication of JPS60176243A publication Critical patent/JPS60176243A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ＩＣ容器に高耐熱性樹脂を介してＩＣチ”ツ
ブを固着した半導体装置に関する。
ＩＣチップをＩＣ容器に固着するには、金−シリコンの
共晶合金を形成する方法が多く用いられているが、最近
ガラス封止型ＩＣにおいて、高耐熱性樹脂により工Ｃチ
ップをＩＣ容器に固着した半導体装置が提案されている
。
第１図は、このような半導体装置のＩＣチップ固着構造
を示すものであシ、その固着は以下のように行なわれる
。まず、基板ｌｌ上に高耐熱性樹脂１２を塗布する。塗
布の方法は、ボッティングあるいは印刷等の方法で可能
である。次いで、この塗布した高耐熱性樹脂１２上の所
定位置にＩＣチップ１３を載置・押圧し、ＩＣチップ１
３を高耐熱性樹脂１２層内に少し沈め、メニスカス１４
を形成する。その後、この固着体を数分から数十分の間
に室温から４５０〜５００℃にまで加熱し、高耐熱性樹
脂１２を硬化させ、次いで冷却することによシ■Ｃチッ
プ１３の基板１１への固着が完了する。加熱・冷却は加
熱炉あるいはヒーターブロックを使用し、高耐熱性樹脂
１２の硬化条件に合う温度プロファイル下で行う。
ところで、このような固着構造を有する半導体装置の欠
点は、ＩＣチップ１３が高耐熱性樹脂１２から剥離しや
すい点である。これは、ＩＣテツブ１（２通常シリコン
素子）１３と高耐熱性樹脂１２はその接合界面において
ほとんど反応していす、メニスカス１４によ＃）ＩＣテ
ップ１３が高耐熱性樹脂１２に機械的に密着・保持され
ているに過ぎないためである。
本発明の目的は、上記従来の半導体装置の問題点を解消
し、ＩＣチップの剥離故障を起こすことの碌い半導体装
置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体チップ特に、　ＩＣチッ
プの裏面にクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、Ｍ（Ｃｕ
　）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ　）タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、
タンクＡ／　（Ｔａ）　、／＜ナジウム（■）、ジルコ
ニウム（Ｚｒ）のなかから少なくとも一つの金属からな
る金属層を形成して、高耐熱性樹脂を介して半導体チッ
プをその容器に固着したことを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例について説明する。
第２図は、本発明の半導体装置のＩＣテッグ固着構造例
を示すもので、２１，２２，２３．２４は従来のＩＣチ
ップ固着構造と同じく基板、高耐熱性樹脂、ＩＣチップ
、メニスカスを示す。図において、ＩＣチップ２３の裏
面にはＴｉ層２５が形成されている。このＩＣテップ２
３の裏面にＴｉ層２５を設けていることが、本発明の要
点をなすものであり、従来の半導体装置と異なる点であ
る。
Ｔｉ層２５は、ＩＣチップ２３及び高耐熱性樹脂２２と
の接着性が強い性質があり、ＩＣチップ２３はＴｉ層２
５を介して高耐熱性樹脂２２に強固に接合されるので、
本発明の半導体装置はＩＣチップ２３が高耐熱性樹脂２
２より剥離することがない。
第２図の実施例はＩＣチップの裏面にＴｉ層を設けてい
る例であるが、　Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、ＡＬＷ％Ｍ
ｏ、　Ｆｅ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｚｒ　イずレカ一ツノ金
属層ヲ設けても同等の効果が発揮される。これらの金属
層はいずれも高耐熱性樹脂をよくなじみ接着性が強い性
質があｆｉ、ＩＣチップは金属層を介して高耐熱性樹脂
に裏面全面にわたつて強固に固着される。
本発明の半導体装置ＩＣチップ固着構造を製造するには
、まず、ＩＣチップ裏面に特許請求範囲に述べた金属層
を形成する必要がある。もつとも簡便な方法は、ＩＣウ
エノ・−の段階でスパッターもしくは蒸着で形成すれば
よい。次いでＩＣウエノ・−からＩＣチップを分離後、
ＩＣチップ２３を基板２１に高耐熱性樹脂２２を介して
固着するのであるが、これは従来技術で述べた固着方法
でよい。
なお、本発明に使用する高耐熱性樹脂としてはポリイミ
ド系樹脂、あるいはそれをベースとしＡｇ余分をフィラ
ーとしたペーストが適当である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の半導体装置の固着構造を示す断面図で
ある。第２図は本発明の実施例による半導体装置の固着
構造を示す断面図である。 なお図において、１１．２１・・・・・・基板、１２゜
２２・・・・・・高耐熱性樹脂、１３．２３・・・・・
・ＩＣチップ、１４．２４・・・・・・メニスカス、２
５・・・・・・Ｔｉ層である。 第１図 ｑ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高耐熱性樹脂を介して半導体チップを容器に固着した半
    導体装置において、前記半導体チップの裏面にクロム、
    チタン、銅、ニッケル、金、銀、タングステン、モリブ
    デン、鉄、タンタル、ノ（ナジウム、ジルコニウムのな
    かから少なくとも一つの金属からなる金属層を形成して
    いることを特徴とする半導体装置。
JP59031705A 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置 Pending JPS60176243A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031705A JPS60176243A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031705A JPS60176243A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60176243A true JPS60176243A (ja) 1985-09-10

Family

ID=12338476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59031705A Pending JPS60176243A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60176243A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04109530U (ja) * 1991-03-07 1992-09-22 日本電気株式会社 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04109530U (ja) * 1991-03-07 1992-09-22 日本電気株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07506702A (ja) 多層メタライゼーションを有する，隆起部のないボンディングプロセス
KR20180095590A (ko) 전력용 반도체 장치 및 전력용 반도체 장치를 제조하는 방법
JP3971456B2 (ja) 装着ＳｉＣダイ及びＳｉＣ用ダイ装着方法
JP3312752B2 (ja) 薄膜サーミスタ
US5311399A (en) High power ceramic microelectronic package
JPS60176243A (ja) 半導体装置
JPS584955A (ja) 金めつきされた電子部品パツケ−ジ
JPH01257356A (ja) 半導体用リードフレーム
JP3407839B2 (ja) 半導体装置のはんだバンプ形成方法
TWI284949B (en) Bumped structure and its forming method
KR900003472B1 (ko) 전자부품의 도금방법
JPS60176242A (ja) 半導体装置
US6914330B2 (en) Heat sink formed of diamond-containing composite material with a multilayer coating
JPH0793329B2 (ja) 半導体ペレツトの固定方法
JP2600669B2 (ja) 転写バンプ用金属突起
JPH038346A (ja) ろう付け材料
JPS613663A (ja) 金属部材の鑞付け前処理方法
JPH0245333B2 (ja)
JPH0281436A (ja) 転写バンプの形成方法
JPH03237735A (ja) Ｔａｂテープ
JPS628532A (ja) 金メツキされた電子部品パツケ−ジ
JPH05160288A (ja) 半導体装置実装用基板の製造方法
JPS62183543A (ja) 半導体装置用パツケ−ジ
JPS5917880B2 (ja) 電気装置用基板
JPS63224344A (ja) 半導体装置の製造方法