JPS60170918A - スパツタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に薄膜を形成するためのスパッタ装置
に関するものである。

〔従来技術とその問題点〕

薄膜製造装置には、真空蒸着装置、スパッタ装置、イオ
ンブレーティング装置及びＣＶＤ装置などがあり、この
中で金属、無機材料を問わず任意の組成からなる膜を作
製する装置としてスパッタ装置が広く使用されている。

このスパッタ装置には、直流、非対称交流及び高周波方
式を基本として膜形成速度の高速化を目的としたマグネ
トロンスパック装置がある。この原理は、ターゲット近
傍に配置したマグネットから発生ずる磁力線がターゲッ
ト表面直上にくるようにして、この磁力線と電気力線を
直角に交差させ、電子に回転運動を起こしてイオン化を
促進することにより膜形成速度を速くしたものである。

従って、原理から考えて、ターゲットが磁束密度の大き
い磁性材料の場合は、磁力線がターゲット内部から外に
出ないため、この方式は適用できなかった。

〔発明の目的〕

本発明は、従来のマグネトロンスパッタ装置の上記問題
点を解消して磁性材料の膜形成速度を速くすることので
きるスパック装置を提供することを目的とするものであ
る。゛ ［発明の構成〕 本発明のスパッタ装置は、ターゲットを加熱するための
加熱装置を組み込んだことを特徴とするものである。

（実施例〕 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

第１図は本発明によるスパッタ装置の一実施例を示すプ
レーナ型マグネトロンスパッタ装置のターゲット回りの
概略図である。この実施例において、フェライトよりな
るターゲット板１１は負の直流電圧を印加している電極
（２）の上に配置されている。電極（２）の内部には高
熱伝導性絶縁材（７）と加熱用ヒータ（６）、温度測定
用熱電対（８）が配置されている。電極（２）の近くに
は電極と異なった電位をもつシールド板（３）が配置さ
れており、シールド板（３）の内部には磁力線発生用の
永久磁石（４）が配置されている。この永久磁石（４）
は水（５）により冷却されている。

この装置において、真空槽内を５　Ｘｌ０−５Ｔｏｒｒ
以下に排気したあと、アルゴンを０．０５Ｔｏｒｒ導入
し、安定後、ヒータ（６）の温度を」こげてフェライト
のキューり点（４６０°Ｃ）前後で電極に−１，５ＫＶ
を印加し、）：９形成速度に及はずフェライ１〜の加熱
温度の影響を調べた。その結果を、横軸に温度、縦軸に
膜形成速度（人／分）をとって表したものを第２図１に
示す。この図でわかるように、キューリ点Ｔｃ　＋１ｉ
ｉｌ＆の温度に加熱することによりフェライトの磁束密
度が小さくなるため、従来のマグ矛トロンスパッタ方式
のす１果が現出し、膜の形成速度が急速に速くなってい
る。

以上の実施例でわかるように、クーゲットであるフェラ
イトを加熱する装置を備えたマグネトロンスパッタ装置
を使用すれば、磁性材料以外の材料と同様に高速化が可
能となり、生産性向」二を図ることができる。

なお、本実施例ではターゲットとしてフェライトだけを
挙げたが、キューリ点近傍では磁性材料の磁気特性が第
３図に示すように急激に低下する現象は共通しているの
で、他の磁気材料でも通用できることは明らかである。

また直流スパッタ方式だけでなく、他の方式、例えば高
周波方式でもこの方法を適用できるし、加熱装置も電極
内部に限らず、ターゲットの近傍に位置しておけばよい
ことも明らかである。

〔発明の効果］ 上述したように本発明によれば、磁性材料であるクーゲ
ットをその磁性材料のキューり点近傍まで加熱する装置
を組み込んだ構成としたので、磁性材料以外の材料と同
様に高速化が可能となり、生産性向」二を図ることがで
きるという効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る装置の要部を示す断面図、第２図
はターゲット加熱温度と膜形成速度との関係を示すグラ
フ、第３図は一般の磁性材料におりるキューり点近傍で
の磁気特性変化を説明するグラフである。 （１）：ターゲソ）−板 （２）：電極 （３）：シールト”板 （４）：永久磁石 （５）ｚ水 （６）：ヒータ （７）；絶縁ヰ１ （８１：熱電対 特許出願人　株式会社　安川電機製作所代理人　手掘　
益（ばか１名） 第１図 第２図 第　３　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　ターゲットを加熱するための加熱装置を組み込ん
   だことを特徴とするスパッタ装置。