JPH051375A

JPH051375A - 真空処理装置

Info

Publication number: JPH051375A
Application number: JP15317391A
Authority: JP
Inventors: Masao Ueki; 將雄上木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-06-25
Filing date: 1991-06-25
Publication date: 1993-01-08

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体や光学薄膜の製造工程のス
パッタリング、ＣＶＤ、ＭＢＥなどに利用されて、ター
ゲットの物質を基板上へ不純物の混入なく堆積させる真
空処理装置を提供する。【構成】真空処理室１において、基板９およびターゲ
ット１０をチャック電源７、８で保持する基板ホルダー
３、ターゲットホルダー４の真空処理室内に露出する部
分が、低ガス放出部材で覆われ、さらに放電電源５、６
によるプラズマに曝される部分が耐プラズマ性材料で構
成される。また基板ホルダー３の大気側に、絶縁された
静電チャック電極３３、加熱ヒータ４１、プラズマ放電
電極３５が設けられる。【効果】高真空での放出ガスが低減され、基板への堆
積物中への不純物混入が防止でき、またパーティクルの
発生も低減できると同時に、基板を高温に加熱しうるの
で、高純度な薄膜、欠陥の少ない結晶膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体や光学薄膜など
の製造工程中のスパッタリング、ＣＶＤ、ＭＢＥなどに
利用される真空処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来スパッタリング、ＣＶＤ、ＭＢＥな
どに使用される真空処理装置は、堆積膜中への不純物混
入を低減する必要性が認められてはいるものの、その充
分な因果関係が明らかでないために、真空中への放出ガ
ス量を積極的に低減させた真空処理装置用の機械部品の
開発は少なかった。さらに、静的なガス放出のみならず
堆積プロセス中の熱、プラズマによるホットバキューム
やスパッタリング、およびパーティクルの飛来も解決さ
れていなかった。

【０００３】一方、各機構部品としての機能はそれと同
時に満たされなければならない。例えば、上記の真空処
理装置の電極ホルダーに求められる機能として、基板、
ターゲットの保持と電界・磁界印加、加熱、冷却などが
挙げられる。まず、基板とターゲットの保持は搬送・搬
入の容易さの点から機械的チャッキングが多く行なわれ
ていたが、パーティクルの発生防止と基板上への不純物
混入防止、下地への密着性向上による熱伝達の改善のた
め、静電チャックが近年使用されるようになった。静電
チャックは電極の表面にポリイミドやアルミナ等の絶縁
層コーティングを行ない、導電性の基板とこの基板間に
電圧を印加し、誘導分極で生じたクーロン力で基板を吸
引保持するものである。スパッタリングの場合ターゲッ
トへの磁界印加と冷却、ＣＶＤの場合の基板加熱など、
さらにこれらすべてが要求される場合も有る。基板加熱
には基板背面の電極を介して大気側より抵抗加熱する
か、フィラメントなどで直接加熱する方法がとられてい
る。そしてこれらは一般に装置構成部材と機械的に結合
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の真空処
理装置の電極ホルダーは、静的なガス放出のみならず堆
積プロセス中の熱、プラズマによるホットバキュームや
スパッタリング、およびパーティクルの飛来の問題が解
決されていないため、高真空での放出ガスが多く、堆積
物へ不純物が混入するという欠点がある。例えば、静電
チャックを基板保持に使用する場合、絶縁コーティング
に用いられる材料中の含有物からのガス放出、表面に存
在する気孔や欠陥からの残留ガスの放出が多い。一方、
基板を直接加熱する場合には真空処理装置内のフィラメ
ントや周囲の加熱による周囲からの放出ガスが増加す
る。

【０００５】本発明の目的は、ターゲットへの磁界印加
と冷却、基板加熱、静電チャックなど各機構部品の機能
を満たしながら、パーティクルや放出ガスの低減を図っ
た電極ホルダーを有する新規な真空処理装置を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】基板上にターゲットから
の物質を堆積させる真空処理装置において、基板および
ターゲットを保持する電極ホルダーの真空処理室内に露
出される部分が、低ガス放出性の部材で覆われるように
構成され、かつ前記真空処理室内に露出される部分のう
ちの、プラズマに曝される部分が耐プラズマ性材料で構
成され、さらに前記電極ホルダーのうちの、基板側ホル
ダーの真空処理室外の部分の、前記基板を保持する静電
チャック電極と、前記基板の加熱を行う加熱部材と、プ
ラズマ放電を発生させる放電電極とがそれぞれ電気的に
絶縁されて構成されている。

【０００７】

【作用】真空処理装置の電極ホルダーの真空処理室内に
露出される側を、低ガス放出性の部材で覆い、大気側と
の間を気密に保ち、かつプラズマに曝される部分を耐プ
ラズマ性材料で構成することによってプロセス中に放出
されるガスが低減され、さらに、基板側ホルダーの真空
処理室外の部分をそれぞれ絶縁して構成することによっ
て、パーティクルの発生が低減され、基板を高温加熱で
きるようになる。

【０００８】

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。

【０００９】図１は本発明の真空処理装置の縦断面略
図、図２はターゲットホルダー、図３は基板ホルダーの
それぞれ細部を示す縦断面図、図４はガス放出特性を示
すグラフ、図５は絶縁材料がプラズマに曝された場合の
放出ガスの挙動を示すグラフ、図６は耐熱性ブロックの
縦断面略図、図７は高温加熱用の基板ホルダーの断面図
である。

【００１０】この真空処理装置は、箱形の真空処理室１
の一方の側面に設けられたゲートバルブ装置２によって
前室と結合されており、他方の側面に設けられた通路が
排気系（図示せず）に接続されて真空処理室１の内部を
真空に保つようになっており、基板ホルダー３とターゲ
ットホルダー４がそれぞれ真空処理室１の中心部に向っ
て対向するように、フランジ１１、１２によって真空処
理室１の上下の壁面から突出して設けられ、各ホルダー
の対向する面は互に水平でかつ適宜距離を隔てた静電チ
ャック電極３３および１５を備え、基板９およびターゲ
ット１０がそれぞれ水平に静電チャックによって保持さ
れるように構成される。

【００１１】ターゲットホルダー４の導線１３、１４
は、図１に示されるように、一端が静電チャック電源８
に接続され、図２に示されるように、他端がそれぞれタ
ーゲット１０への電流導入端子１７、静電チャック電極
１５への電流導入端子１８と電気的に接続されている。
電流導入端子１７、１８が、セラミックスで絶縁された
導線１３、１４を放電電極１９との貫通部において真空
シールされるように保持している。真空シールの接合法
には、放出ガスが無くかつ真空シール性に優れるコバー
ル接合または活性金属法が用いられる。一般にコバール
接合用のロウ材には銀銅ロウが用いられることが多い。
電流導入端子１７、１８の絶縁物にアルミナセラミック
スを用いる場合には、放電電極１９の材料には熱膨脹率
が近似のチタン、モリブデンまたはコバールが好まし
い。加熱温度が高くない場合には、導電性の良い銅を用
いることができる。電流導入端子１７の上部には、ばね
２６によって上方に付勢された電流導入ピン２５の先端
が、静電チャック電極１５の表面より僅かに突出してお
り、ターゲット１０が静電チャック電極１５上に保持さ
れたとき、ターゲットと接触したまま沈下するようにな
っている。静電チャック電極１５の表面は、放電電極１
９との絶縁のため、アルミナなどの絶縁物でコーティン
グされる。ターゲット１０に面する静電チャック電極１
５のコーティング層の厚さと静電チャック電源８の直流
電圧は、ターゲットの種類に応じて最適に選ばれる。チ
ャック面の平滑性は静電チャック特性に影響するだけで
なく放出ガス特性にも影響する。

【００１２】図４に放出ガス特性を示す。これは溶射ア
ルミナを機械加工のまま（Ａ）とドライラッピングした
場合（Ｂ）の放出ガス特性の差を示すものである。ドラ
イラッピング前後の表面粗さはＲMAX で（Ａ）（Ｂ）そ
れぞれ１３と０．９ミクロンであった。この結果、鏡面
加工ほど放出ガスが減少することがわかる。つまり、よ
り鏡面に加工することは静電チャックの吸着面積も増加
し、静電チャックの表面として好ましいといえる。

【００１３】静電チャック電極１５は、放電電極１９へ
例えば固定ネジ２０によって機械的に固定され、さらに
電極カバー２１で覆われるため、真空中でターゲット１
０の装着状態で放電電極１９および固定ネジ２０はプラ
ズマに曝されることはない。電極カバー２１は放電部拡
大防止とスパッタによる不純物混入を防止する効果があ
るが、プラズマに曝されるため、材料および表面処理は
吟味する必要がある。

【００１４】図５は電極カバー２１として有効な絶縁材
料であるアルミナセラミックスと石英が、プラズマに曝
された場合の放出ガスの挙動（以下、ホットバキュウム
と称す）を示すものである。図中縦軸は放出ガス量と比
例する四重極質量分析計のイオン電流値を示し、［ｏ
ｎ］の範囲がプラズマに曝されている状態を示す。ま
た、グラフの数字はマスナンバーを示す。アルミナのプ
ラズマ照射時のマスナンバー２８の現象を除き、一般に
静的な状態に比較してプラズマ照射時の放出ガスの増加
が認められる。石英の場合プラズマに曝されると各元素
とも一桁以上の放出量の増加が認められるが、それでも
アルミナより一桁以上少ないことがわかる。使用するプ
ロセスにより対象となる不純物は異なるので、材料選択
をそれぞれ最適に選ぶ必要があるが、石英のような各元
素全体にホットバキュウム時でも放出ガスの少ない材料
を選ぶことが好ましい。さらにホットバキュウムが少な
い材料としてはＢＮ、ＳiＣ、グラファイトなどが挙げ
られる。また、チャッキングの都合で静電チャック電極
１５がプラズマに曝される部分がある場合には、耐プラ
ズマ性コーティングを施すか、あらかじめコーティング
する絶縁物の厚さを厚くする必要がある。

【００１５】ターゲット１０のスパッタ効率を向上させ
るため、磁石２２を放電電極１９の大気側に配置し、マ
グネトロン放電をターゲット１０表面上に発生させる。
放電中は加速電子によりターゲット１０が加熱されるの
で、これを冷却するための流水部２３を設ける必要があ
るが、冷却水は磁石２２を腐食させるから流水部２３を
ジャケットに収める必要がある。磁石の材料としてはネ
オジウム・鉄・ボロン系の様に発生する磁束が大きい方
が好ましい。しかし、装置の真空処理室内に露出部分の
脱ガスのために行なう加熱処理時、磁石を取り外すか水
冷しなければならず、磁石を外す場合は手間がかかり、
水冷する場合は磁石付近の脱ガス不足の問題が発生す
る。これは、ステンレス材料の加熱処理温度２００℃に
対して、ネオジウム・鉄・ボロン系材料は１００℃が限
度であるためである。一方、サマリウム・コバルト系の
耐熱性は３００℃なので、脱ガスのための加熱処理を考
慮した場合、熱サイクルによる減磁特性に優れたサマリ
ウム・コバルト系がより好ましい。磁石２２は磁石押え
２４によって支持され、この磁石押え２４はホルダー側
面からの放電を防止するため、材料にパーマロイなどの
磁性体を選び、磁界が側面に洩れないように磁気回路が
設計されている。高周波の導入手段２７、２８は、直接
あるいは磁石押え２４を介して、放電電極１９に接続さ
れている。高周波の導波路となる部分の材料は低抵抗で
あるのが望ましく、特に周波数が高い場合表面に金、銀
などの低抵抗材のコーティングを施す。

【００１６】次に、図３を用い基板ホルダー３の細部に
ついて説明する。導線２９、３０の一端は、図１の静電
チャック電源７に接続されており、図３に示されるよう
に、他端がそれぞれ電流導入端子３１、３２を介して基
板９、静電チャック電極３３と電気的に接続されてい
る。基板９は、静電チャックによる吸着が行なわれたと
き、基板９と電流導入ピン３６を接触させたまま沈下す
るばね３４を備えた静電チャック電極３３によって支持
される。

【００１７】セラミックスで絶縁された導線２９、３０
を含む電流導入端子３１、３２が、コバール接合などで
放電電極３５との間を真空シールされている。接合法と
してはターゲットホルダー４と同様に、放出ガスが無く
真空シール性に優れていればどの様な方法でも良いが、
基板加熱を行なう場合耐熱性が要求される。一般に、コ
バール接合に用いられるロウ材としては銀銅ロウが多い
が、６００℃程度の耐熱性しかなく、真空リークの原因
となっていたので、９００℃程度の耐熱性を持つ銀ロウ
か、１０００℃近い耐熱性を持つ金銅ロウ、金ニッケル
ロウを用いるのがより好ましい。また、電流導入端子３
１、３２の絶縁物にアルミナセラミックスを用いる場合
には、放電電極３５の材料はこれと熱膨張率の近い導電
性材料、たとえばチタン、モリブデンまたはコバールな
どが好ましい。ただし、チタンは接合時の高温処理によ
り再結晶して表面が粗くなるため後に再度平滑にする必
要があり、モリブデンは高温で水分との反応性が増すた
めに耐食性のコーティングが必要である。

【００１８】静電チャック電極３３の表面は放電電極３
５との絶縁のため、アルミナなどの絶縁物でコーティン
グされている。基板９に面する静電チャック電極３３の
コーティング層の厚さと、静電チャック電源７の直流電
圧は、基板の種類に応じて最適に選ばれる。しかし、基
板を高温加熱する場合、通常のセラミックス材では耐電
圧や体積抵抗が低下し絶縁破壊する場合があるため、使
用時の高温条件下での電圧を超えない電圧を印加する必
要があり、あるいは絶縁層厚を増す必要がある。使用条
件すべてを満たす一定の設定値が無い場合、高温時に印
加電圧を下げる様なモニターと電圧制御系をもうける
（図示せず）事も可能である。チャック面の平滑性が静
電チャック特性に影響するだけでなく放出ガス特性にも
影響することはターゲットの場合と同様であるが、基板
加熱をする場合には放出ガスもさらに増加するため表面
材料はより重要となるので、溶射アルミナを使用するな
らばドライラッピングした方がより好ましい。つまり、
より鏡面に加工することは静電チャックの吸着面積も増
加するので、静電チャックの表面として好ましいといえ
る。

【００１９】静電チャック電極３３は真空中で放電電極
３５へ例えば固定ネジ３８によって機械的に固定され、
さらに電極カバー３９で覆われるため、基板９が装着さ
れた状態で放電電極３５および固定ネジ３８はプラズマ
に曝されることはない。これはターゲットホルダー４と
同様に、放電部の拡大防止とスパッタによる不純物混入
を防止するために有効である。電極カバー３９はプラズ
マに曝されるため、材料および表面処理を吟味する必要
がある。さらに基板加熱の場合、基板ホルダー３全体が
高温になるため、ＢＮなどのような高温時の放出ガス
（これもホットバキュウムと一般には称する場合がある
がここでは区別するため、高温時の放出ガスと言う）が
少ない材料を使用する必要がある。高温時の放出ガスを
減少させるために一般に有効な方法は、プロセス前に脱
ガスする事であるが、この脱ガス時の温度はプロセス中
の基板加熱時の温度より高温に設定されることが好まし
いのは言うまでもない。さらにここで、プラズマに曝さ
れる部分については加熱と放電洗浄を組み合わせること
がより好ましい。基板温度が高温であったり、プラズマ
に曝される場合、放出ガスの多くは材料表面からより、
内部からの拡散してきた元素が重要になる。そこで材料
には気孔や欠陥の少ないものか、そうでない場合は表面
が封孔処理を施されたものを使用するのが好ましい。こ
のような材料としては、石英、ＢＮなどが挙げられる
が、アルミナセラミックスを放電電極３５の支持部の絶
縁材４０や、電極カバー３９、静電チャック電極３３表
面に使用する場合は、表面層のみ緻密なスパッタアルミ
ナ膜などを使用することによっても達成される。なお、
ターゲットホルダーの場合と同様に、使用するプロセス
により対象となる不純物の種類は異なるので、材料選択
をそれぞれに応じて最適に選ぶ必要がある。また、チャ
ッキングの都合で静電チャック電極３３がプラズマに曝
される部分がある場合には、その部分に耐プラズマ性コ
ーティングを施すか、コーティングする絶縁物をあらか
じめ厚くする必要があるのは言うまでもない。

【００２０】基板９を加熱するためのヒーター線４１
が、耐熱性のブロック４２に固定され、両者がヒーター
押え４３によって支持され加熱部材を形成している。こ
のヒーター押え４３は加熱時の各部品の熱膨張差を吸収
するため、耐熱性材料からなるばね材料４４を二カ所に
設ける。特に基板温度が高い場合のばね材料には、イン
コネルさらにはセラミックスばねが用いられる。ヒータ
ー線４１には、シースヒーターか、より高温の場合は例
えばカンタル線などが好ましい。耐熱性のブロック４２
は、熱伝導性が大きいことが重要であり、このような材
料としては各種金属があげられるが、ヒーターや電極に
対し絶縁性が必要な場合はＡlＮ、ＢＮ、グラファイ
ト、ＳiＣ、サファイヤなどが好ましい。このなかで
も、六方晶系ＢＮと六方晶系グラファイトは高異方性が
有り、結晶軸の方向により熱伝導性に極端な差を持ち、
図６の様に結晶軸の揃った部品を組み合わせることによ
って、効率よく基板加熱を行うことが出来る。例えば、
ＡlＮのブロックの接合部の耐熱温度が９００度であっ
たために基板温度を４００度までしか上げられなかった
のに対し、六方晶ＢＮを図６のように使用した場合に
は、基板温度６００度を達成できた。

【００２１】基板９を効率よく加熱し、外部への熱の逃
げを押えるために必要に応じて反射板４５や断熱材４６
が使用される。反射板４５の材料としては、石英硝子な
ど耐熱性のある鏡面材に金コートした物、また断熱材４
６としては、アルミナやジルコニアなどの多孔質材が好
ましい。

【００２２】高周波の導入手段４７が、直接あるいはヒ
ーター押え４３を介して、放電電極３５に接続されてい
る。ターゲットホルダー４と同様に、高周波の導波路と
なる部分の材料は低抵抗であり、高い周波数の場合表面
に金、銀などの低抵抗材のコーティングを施すほうが損
失が少なくより好ましい。

【００２３】図７は高温加熱用の他の基板ホルダーの実
施例を示すものである。この基板ホルダーの特長は、熱
伝導性と断熱性を考慮した設計および各部品の耐熱性向
上によって基板の高温加熱を可能とした点である。ヒー
ター線４１から基板９への熱伝達を向上するために、耐
熱性ブロック４２、放電電極３５、静電チャック電極３
３の伝熱部をより単純化してある。つまり、基板９への
電流導入端子３１を、絶縁材４０側へ移し、電流導入端
子３２も放電電極３５の端部へ移した。さらに、放電電
極３５と静電チャック電極３３の接触を密にすることに
よって熱伝達を向上させた。また、耐熱性の最も小さい
電流導入端子３１、３２を加熱部分から遠ざけることに
よって、ヒーター線４１をより高温にすることが可能と
なった。特にこの場合、高温に加熱される放電電極３５
と絶縁材４０の間には熱抵抗となる薄いコバール金属４
８が設けられてあるため断熱材として働くので、上述の
設計は有効な加熱結果をもたらす。電流導入端子３１、
３２と基板９、放電電極３５および静電チャック電源７
との間は絶縁硝子４９で絶縁をする。接合法としては図
３と同様に、放出ガスが無く真空シール性に優れていれ
ばどの様な方法でも良いが、コバール接合であればロウ
材としては金銅ロウが好ましく、さらに活性金属法がよ
り好ましい。

【００２４】放電電源５、６は少なくとも一方がＤＣま
たはＡＣであり、両方同時にフローティングとならぬ組
み合わせの電位に制御される。場合によりＡＣとＤＣを
重畳して所望のイオンエネルギのプラズマを基板９とタ
ーゲット１０上へ導入することも可能である。使用する
ＡＣの周波数を限定する必要はなく、短波からマイクロ
波まで目的によって使用することができる。この場合、
高周波になるほど生成されるイオンのエネルギ幅はシャ
ープになるが、扱いにくい欠点がある。

【００２５】静電チャック電源７および８にはＤＣが用
いられるが、離脱性をよくするためにＡＣを重畳しても
よい。また基板９とターゲット１０のチャック電極と当
接する面は導電体であることが必要である。

【００２６】前記の図７に示す基板ホルダーと図２に示
すターゲットホルダーを用いて（１００）シリコン上で
のエピタキシャル成長を行ったところ基板温度４００度
で良好な結晶膜が得られた。なお、ここで得られたシリ
コン膜はあとの加熱プロセスでも、従来の電極ホルダー
を使用した場合に生成される再結晶の問題はなく、デバ
イス特性が向上した。電極カバーには石英を使用、絶縁
材には真空側を鏡面加工したアルミナセラミックス、静
電チャック電極はアルミナ溶射膜をドライ研磨後ドライ
ラッピングし、面のあらさを１００ミクロンにした後、
スパッタアルミナ膜厚２ミクロンを着けた物を使用し
た。チャッキング時の電圧は常温で４００Ｖ、高温で２
００Ｖにしたところ絶縁破壊などの問題もなく耐久性が
飛躍的に向上した。

【００２７】次に、本実施例の真空処理装置の動作につ
いて説明する。まず、ターゲットホルダー４および基板
ホルダー３の静電チャック電源７および８を投入し、次
にターゲット１０、基板９をそれぞれ静電チャック電極
１５、３３に載置することによって、ターゲットおよび
基板は静電チャック電極との間に生ずるクーロン力によ
ってチャック電極に吸引され保持される。次に、真空処
理室１を排気系（図示せず）に接続して室内を真空に保
持する。次にヒーター線４１により基板９を加熱すると
ともに放電電源５、６によって放電電極１９と３５との
間にプラズマ放電を発生させ、基板９上にターゲット１
０からの物質を堆積させる。ターゲットホルダー４の放
電電極１９の大気側に配置された磁石２２により、マグ
ネトロン放電をターゲット１０の表面上に発生させるか
ら、スパッタ効率が向上する。放電中の加速電子により
加熱されるターゲット１０は、磁石２２の内部に設けら
れた流水部２３により冷却される。

【００２８】

【発明の効果】基板、ターゲットを保持する電極ホルダ
ーの真空処理室内に露出する部分が低ガス放出部材で覆
われる様に構成され、かつ前記真空処理室内の露出部分
において、プラズマに曝される部分が耐プラズマ性材料
から成る真空処理装置とすることによって、プロセス中
に放出されるガスが低減され、高真空での放出ガスが無
くなり、堆積物への不純物混入を防ぐことが可能となっ
た。

【００２９】さらに、前記電極ホルダーのうち、基板ホ
ルダーが前記低ガス放出部材の真空処理室外の部分に、
前記基板を保持する静電チャック電極と、前記基板の加
熱を行う加熱部材と、プラズマ放電を発生させる放電電
極とをそれぞれ絶縁して構成した真空処理装置とするこ
とによって、パーティクル発生を低減させると同時に、
基板を高温加熱することができるようになった。この結
果、半導体や化学薄膜などの製造工程、すなわちスパッ
タリング、ＣＶＤ、ＭＢＥなどに利用されて、高純度な
薄膜、欠陥の非常に少ない結晶膜など高品質な薄膜を生
成できる真空処理装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空処理装置の縦断面略図である。

【図２】本発明のターゲットホルダーの細部を示す縦断
面図である。

【図３】本発明の基板ホルダーの細部を示す縦断面図で
ある。

【図４】ガス放出特性を示すグラフである。

【図５】電極カバーとして有効な材料がプラズマに曝さ
れた場合の放出ガスの挙動を示すグラフである。

【図６】結晶軸の揃った部品を組み合わせた基板加熱用
耐熱ブロックの縦断面の略図である。

【図７】高温加熱用の基板ホルダーの他の実施例を示す
縦断面図である。

【符号の説明】

１真空処理室２ゲートバルブ３基板ホルダー４ターゲットホルダー５放電電源６放電電源７静電チャック電源８静電チャック電源９基板１０ターゲット１１フランジ１２フランジ１３導線１４導線１５静電チャック電極１７電流導入端子１８電流導入端子１９放電電極２０固定ネジ２１電極カバー２２磁石２３流水部２４磁石押え２５電流導入ピン２６ばね２７高周波の導入手段２８高周波の導入手段２９導線３０導線３１電流導入端子３２電流導入端子３３静電チャック電極３４ばね３５放電電極３６電流導入ピン３８固定ネジ３９電極カバー４０絶縁材４１ヒーター線４２耐熱性のブロック４３ヒーター押え４４ばね材料４５反射板４６断熱材４７高周波の導入手段４８コバール金属４９絶縁硝子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にターゲットからの物質を堆積さ
せる真空処理装置において、基板およびターゲットを保
持する電極ホルダーの真空処理室内に露出される部分
が、低ガス放出性の部材で覆われることを特徴とする真
空処理装置。
【請求項２】前記真空処理室内に露出される部分のう
ちの、プラズマに曝される部分が、耐プラズマ性材料か
ら成る請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】前記電極ホルダーのうちの基板側ホルダ
ーの真空処理室外の部分の、前記基板を保持する静電チ
ャック電極と、前記基板の加熱を行う加熱部材と、プラ
ズマ放電を発生させる放電電極とがそれぞれ電気的に絶
縁されて構成されている請求項１または２に記載の真空
処理装置。
【請求項４】前記低ガス放出性の材料が平滑な表面処
理を施されたセラミックス、金属、無機化合物または有
機化合物である請求項１または２に記載の真空処理装
置。
【請求項５】前記電極ホルダーの電流導入端子が、前
記放電電極との間においてアルミナセラミックスからな
る絶縁材で保持され、接合部が活性金属法あるいはコバ
ール接合法で真空シールされる請求項１または２に記載
の真空処理装置。
【請求項６】前記基板ホルダーの前記接合部が銀、金
ニッケルまたは金銅をロウ材として用いたコバール接合
法で形成されている請求項５に記載の真空処理装置。
【請求項７】前記放電電極がチタン、モリブデンまた
はコバールを含む請求項３に記載の真空処理装置。
【請求項８】前記静電チャック電極が、真空処理室内
において放電電極へ固定ネジによって機械的に固定さ
れ、さらに耐プラズマ性材料および低ガス放出性の材料
を含む電極カバーで覆われている請求項３に記載の真空
処理装置。
【請求項９】前記電極カバーが石英、ＢＮ、ＳiＣま
たはグラファイトを含む請求項１ないし８のいずれか１
項に記載の真空処理装置。
【請求項１０】前記静電チャック電極と基板あるいは
ターゲット間に印加される電圧が、電極温度に対応して
制御される真空処理装置。
【請求項１１】前記静電チャック電極の表面にアルミ
ナ溶射膜が使用され、かつ表面層のみ緻密なスパッタア
ルミナ膜を含む真空処理装置。
【請求項１２】前記加熱部材が六方晶系ＢＮあるいは
六方晶系グラファイトを含む真空処理装置。