JPS60169680A - デイストリビユ−タのロ−タ電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、アイストリ上ュータの放電ギトツブ間の放
電に起因して雑音電波が発生することを抑制゛りるＩこ
めに、所定の抵抗値を持たけたディストリビコータの１
］−夕電極に関する。

（発明の背Ｉｎ　＞ 第１図に承り如く、ディストリピコータの配電部１０は
、キトツブ１の中心部にカーボンブラシ等で形成された
中心電極３が設けられ、周縁部には側方電極４が設【ノ
られている。

そして、ディストリビュータ中心部を通るシャツ１−６
の上端には、絶縁体製ロータ２が取イ］けられており、
このロータ２の上面にはロータ電極５が取ｆＪ’　Ｇノ
られている。

このロータ電極５は、中心電極３と軸中心において摺接
し、中心電極３から供給される点火用高電圧を放電端側
において、放電ギャップ７を介して側方電４４ｉ４へ伝
達りるものである。

ところで、このにうなディストリビュータにおいては、
ロータ電極５と側方電極４間の放電時に雑音電波が発生
し、プレビジョンやラジオ、その他の無線通信／７１！
ｉ設に障害を与える虞れがある。

この種の火花成型に起因して雑音源から放射される雑音
電界は、雑音電流に比例すると占えられている。このた
め、雑音電波の発生を抑制りるには、−［記ロータ電極
５ど側方電極４どの間の放電ギトツプを流れる容量放電
電流を減少さＩる必要がある。

ここで、容量放電電流とは、放電ギトツブ近傍の電極Ｎ
ｑと接地との間の淫遊容吊舌にＮ積された電荷が、絶縁
破＋ｉ時に高速（数プノ秒程度〉でがつ急速なＸ′１．
　’、５　ｋがりて流れるものを言う。

そこで、従来、上記のディストリビュータにおりる雑音
電波の発生を抑制づるために、以下の従来例に記される
ような対策が提案されている。

（△）ａ−夕電極に抵抗を配設したｂのく特開１’ｌ　
５３　２１３３６号公報に示される「内燃（幾関用配電
器１） これは、１」−夕電極に抵抗体を埋め込ｌυだしのであ
り、これによって、放電電流の尖頭値を低減さけて、雑
音電波の発生を抑制りる効果を狙ったものＣある。

しかし、この場合には、抵抗体と並列をなり分布容量の
ため、３００　Ｍ　Ｉ−１ｚ程度以上の高周波帯に対づ
る刹１？″′、抑制効果が小さく、また抵抗１ホ（数１
（Ω）による点火１ネルギ損失も大きいという問題Ｊｊ
、丸がある１゜ （Ｂ）ロータ電極および側方電極の一部を半導電性セラ
ミックスで形成したもの（特開昭５７−１４０５６３号
公報に記される「内燃機関用点火配電器」） これは、ロータ電極ａ５　Ｊ：び側方電極のうち少なく
とも一方の少なくとも先端部に半導電性セラミックスを
用いて形成したもので、上記抵抗体を用いたものど同様
に抵抗効果によって容量放電電流の尖頭ｉｎ’ｉを低減
させることができるとどもに、マルタ効果によって、更
に放電電流尖頭値抑制効果が増入りる。

更に、対地浮遊静電容量と上記電極の抵抗とによ−，）
　’ＣＲＣフィルタが形成されるの（゛、急峻な容量放
電電流の立ち土がりを抑えるとともに、広帯域にわ１＝
って仰音低減効宋が得られることどなる。

ぞのほかに、１特ｆ１の感温抵抗としての働ぎにより、
］−ンジン始動時に低抵抗ど４１って、点火エネルギー
を増大さＶることができる。

しかしながら、このような半導電性セラミックスを用い
たものにあっては、半導電性セラミックス拐のｌ！Ｉ８
Ｉβｉ　ｌＬ’＋　Ｇこａ３い゛Ｃ，還元・酸化環境や
、渇浪・湿度や、不純物の混合具合等によって、Ｓ電性
セラミックス拐の抵抗率の誤差が人と１．’にる。

そしく、この抵抗率の誤差が生じると、雑音防」Ｉ効果
のＱ４ｊ　１！ｌが変動し、テレビジョンやラジ７１４
７の周波数帯域のノイズの防止効果が低減勺る場合があ
る。

また、半導電性しラミックス祠とじでアルミノセラミッ
クス拐を用いた場合には、常温・定電斤の状態でＥ５　
ＯＫΩ〜２００　ＫΩのバラツキがあり、点火エネル−
１！　Ｊｌｌ失にも大きなバラツキが／ｌじることどな
る。。

（発明の目的） この発明の目的は、頌音防＋１効宋の人＜ｊる半導電性
セラミックス材を適用づるどとしに、１］−り電極の抵
抗値の誤差を低減さけることにＪ〜す、殊にテレビジョ
ンやラジオ等に与える外音の防１１−効果を確実に得る
ことのでさるデ、ｆストリビ１−りのロータ電極を提供
することにある。

（発明の構成） 上記目的を達成するために本発明は、ロータ電極を、２
１′導電性レラミツクスで形成された電１１ｉｉ基体と
、該８１体の放電端辺縁部を除く上面に設りら４１に導
１本あるいは抵抗体製の表皮刊とから栴成し、かつ、前
記表皮制は、ロータ電極の入力端と放電端間の抵抗値が
所定値どなるように、適宜１η所が切削されていること
を特徴とするものである。

（実施例の説明） 第２図は本発明に係るディス１ヘリビコータの１：１−
全電極の一実施例を示す平面図であり、第３図はその側
面図である。

第２図に示Ｊ如く、本実施例のロータ電極は、半導電性
セラミックス（酸化チタンを１Ｏ−４０ｉｌｉ　（ｉｉ
％含右するアルミナセラミックス）からなる電極基板１
１と、この電極基板１１の上面においで、放電端△から
所定長！の領域を除く面上に銅などの導電性金属からな
る薄板を接着してなるものである。

更に、上記薄板の適宜箇所（同図においでは、放電端へ
から１１の距離）Ｃ幅方向に横断覆る切断溝１３によっ
て分離され７ｊ薄根１２の、Ｑ′１２８が形成されてい
る。

上記切…１）１１〜１３は、ロータ電＋４λの装造１１
“１に、１メいて、中心電極３が摺接りる点Ｉ３と、成
型端△間の抵抗値を測定しながら、△−Ｂ間の抵抗１１
ｒｊが所定値（この場合には、抵抗値はＲ＋）どなるよ
−）に、切断部１３を形成づる位置を設定し、この位［
〆ｒで薄板１２を切断づることによって形成される。

これによ−）′Ｃ１第４図の等価回路で示づ如く、電極
基体′（′１は仝休が抵抗体であり、これにヌ４し１ｉ
１）板１２は導体℃あることから、△−１３間の抵抗値
ＧＥＬ、放電端△から切断部１３までの間の電極基体１
１の抵抗値と４Ｔる。

従っ４、電極基体１１の全体の抵抗率にバラツキが生じ
ていても、切断ｆｉｔ　１３の形成位置を変えることに
Ｊ：す、所定の抵抗値を得ることができる。

Ｊなねｌっ、上記放電端Δからり、　＋の位置Ｃ切断ｆ
ｉ／ｉ　１３を形成した場合におりる基体１１の抵抗率
Ｊ、リム抵抗率の小さな基体１１が出来上がった場合に
は、切断ｆ？６１３の形成位置を、更に例えばｈ（置端
Δから１２あるいは、更にＬ３の位置に形成することに
よって、Ａ−８間の抵抗値は第４図に示Ｊ如く］（２あ
るいはＲ３となる。よって、切断溝１３の数、または幅
を変化させることにより、全−Ｃの１］−全電極の抵抗
値にバラツキがない一定の（雑音の発生を抑止する所望
の）値にＪ−ることができる。

−１−記のにうにして形成されたロータ電極は、第５図
に示す如く、抵抗値の誤差ｂ　１が、従来のものの誤差
ａ１に対し大幅に減少していることが判る。

すなわ１５、従来例のロータ電極の抵抗舶誤差ａ嘗は、
抵抗値誤差の最大値Ｒｍａｘに対する抵抗１１Ｃ１にヅ
（斧の最小１σ￥ＲＯｍｉｎの差が一８０％であるのに
りＪ　Ｌ、、本実施例のロータＴｉ極の誤差５１は、抵
抗１ケ１誤差の最大値１ｉｍａＸに対して抵抗値の誤差
の最小値Ｒｍｉｎが一１０％の差であることが判る。

これににつ−Ｃ，第６図に示づ如く、ラジＡやプレビジ
コン等の周波数帯域の雑音の防止効果も、従来の１−１
−全電極の誤差範囲ａ２が１０ｃ［３〜２ＪＢの範囲で
ありＩｃｂのが、本実施例の「１−全電極のＲｉ差範囲
１）　２１Ｊ　１０　Ｊｌ−・８おとバラツキが大幅に
減少し−（いることが判る。

次に第７図は、本発明の他の実施例を承り斜視図Ｃある
。

同図に示り１−１−全電極は、前記第２図に示しＩｃ実
施例のものと同一の半導電性セラミックスからなる電極
基１ホ１１の上面に、放電端へから所定外聞ｔｌの領域
を除く面上に基体１１の抵抗率よりし小さ４ｆ抵抗７ｉ
”ｃ　４Ｉりる抵抗体幼膜（例えば、カーボンを一１成
分どりるもの〉２１を形成したものＣ（ｈる。

更に、−１記抵抗体薄膜２１は、適宜箇所を幅Ｉｊ向に
左右交７ｉに喰い込むように形成された切除１Ｍ２２ａ
・〜２２（１が形成されてｔＪ）す、これらのり除ｔＭ
ににっで抵抗体助成２１の所定長部分は蛇行しノご形状
となっＣいる。

上記切除ｉ７４２２　ａ〜２２ｄを形成づる場合には、
１−１−全電極の製造時において、放電端Δと中心電極
３の１習接＋：＋ｉ　１３間の抵抗１０を測定し４γが
ら、△＝−８間の抵抗値が所定値となるように、レーリ
“１〜リミング加工を行なうことにより形成される。

これにより、−に記し−舎アトリミングによっ−Ｃ切除
された薄膜２１の吊によって、抵抗体簿膜２１の抵抗値
が調整できる。すなわち、１ュータ電極のＡ　、−１３
間の抵抗値は、中心電極３の摺接点［３から抵抗体薄膜
２１の先端ＣＪＣの抵抗値と、該先端Ｃから放電端Δま
での電極基体１１の抵抗値どの合成抵抗値となる。

よって、半導電（ｌルラミックスからなる電１〜基体１
１の抵抗率に変動が４−しても、上記切除部の面積おに
び数等を調整りることによっ−Ｃ、ロータ電極Ａ−［−
３間の抵抗値を一定値とすることが′Ｃきる。

このような［ｊ−全電極の場合にあっＣも、抵抗値誤差
および雑音防止効果は前記実施例と同様に、第１５図に
、第６図の如きｔｒＩ度の良いものが得られる。

なＪ３、上記第７図に示した実施例のロータ電極は、例
えば第８図に示づ如く、樹脂モールド月２１で抵抗体薄
Ｉ＋！、）　２１上面全体を被覆づる構成どづれば、抵
抗イホ薄膜２１の保護が行なえる、。

この場合、中心電極３の摺接点１３には、鉄′１゛）ア
ルミニウム！、６の剛質金属板２３を積層し、での上面
が、樹脂し一ルド拐２／Ｉ表面に露出づ−るよ）にして
おりは、中心型１＾に３の円接点１−３にｄ月ノる低抗
体簿膜のイ＾護が完全となる。第９図は第８１ツ１に示
した１」−夕電極の縦断面図である１゜また、上記各実
施例においで、放電端△かｌう金ｒｆＡ薄板１２あるい
は抵抗体薄膜の先端３１．での距離ｌは少なくとも５〜
１０ｍｍとし、金属薄板１２＼゛）抵抗体薄膜２１の先
端から点火用高市）１の敢？１＾が行なわれる１１ｎれ
のないようにすることが必央（ル）る。

更に、−１記電極阜休１１を４Ｍ成りるノフルミソレラ
ミックスは、厚ｊ１ｍｍ、幅１２ｍｎ３長さ１（、）ｎ
ｖの［１−タ電１→賃形状の場合、低電月印加による抵
抗測定器（−１−スタ舌）を用いて測定を行なうど、数
百１〈（ンの抵抗（ｉｆ“１を示１が、メ刀−を用いて
高電圧印加にＪ、る測定を行なった場合には、数Ｋ　Ｏ
−一−１−数Ｋ　Ｏといった比較的小さな抵抗値となる
。

従つ−（、八−ｒ３間抵抗値の測定は、」二記低電圧印
加測定器あるいはヌガーのどちらを用いて行なっ−Ｃも
良いが、メガ−を用いた測定が実際の点火時の状態に近
いため、より性能の良いロータ？！ｉ　極を提供り−る
ことができる。この場合、１００Ｖ印加のメガ−で測定
する場合に（よ、Ａ−［１（間抵抗値が１０〜１５にΩ
程度となるにうに調整Ｊるのが好ましい。

更にまた、１配電］＾基体１１は、その他の半導電性し
ラミックス材、例えば炭化珪素しラミックス等の４Ａ質
で形成してし良いことは明らかである。

（発明の効果） 以上訂細に説明したＪ：うに、本発明のディストリビ」
−一タのロータ電極にあっては、電極訃体を措成りる半
導電性レラミックスの製造時におりる抵抗値のバラツキ
をなくし、所定抵抗値に対づる３５１１２を大幅に低減
さμることが可能となる。

これに」：って、放電ギ１１ツブから生じる償１８電波
のうＩ）の、ラジＡやテレビジョンへ影響−りる周波数
帯域の償１ｔ′１防止効果のバラツキもなく＜’ｔす、
帛産時にａ月ノる各個の信頼性および精度の向、Ｌを図
ることがでさる。

：ＬＩこ、名個σ月−１−タ電極の抵抗（ＩＣ１のバラ
ン、）がないため、＋：、ｘ火−１火山１ネルギ損失と
でき、エンジン）１１能にりえる影響を低減さけること
がｊｉ１能とイ「る。

【図面の簡単な説明】

第１図は）゛イストリヒュータの放電部の構造を承り…
ｉ面図、第２図は本発明に係るディストリビーュータの
１−１−全電極の一実施例を示づ平面図、第Ｘ３図はで
の縦Ｗ１面図、第４図はその等価回路、第５５図【よ同
大／ｄ！＋例のＣ＋−全電極の抵抗値誤差を従来のしの
ど比較ｔＪ−’を示す図、第６図は同じく着１音防１１
効宋を従＞ＩＣのものと比較して承り図、第７図は本発
明の他の実施例を示す斜視図、第８図は本発明の更に他
の実施例を承り斜視図、第９図はその縦断面図である、
。 ２・・・１−１−り ３・・・中心電４〜 ４・・・側方電極 ７・・・放電ギＶツブ １０・・・ディストリビュータの配電部５ａ　、　５１
１　、５Ｃ−［Ｌｌ−夕電極１１・・・電極基体 １２・・・金属薄板（表皮材） １３・・・切断潜　・ ２１・・・抵抗体薄膜（表皮材） ２２ａ〜２２（１・・・切除溝 Δ・・・放電端 Ｂ・・・中心電極１習動点（入力端） 特ｒ１出願人 日産自動車株式会君 第１図 第５　図 一田％　−１０％　Ｏ％ Ｒｏｍａｎ　Ｒｍｌｎ　Ｒｍａｘ ４〜抗イ直誤差 第６図 第７図 第８図 第９図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁体からなるロータの上面に取（＝Ｊりられ、
   中心電極を介して軸側の入力端から供給される点火用高
   電圧を、放電端から放電ギトツブを介して側方電極へ伝
   達するデイストリビコ−夕のｆ］−タ電極であって： 該Ｌ１−タ電極は； 半導電性セラミックスで形成された電極基体と；前記基
   体の放電端辺縁部を除く上面に設けられた導体あるいは
   抵抗体製の表皮材とから構成され；かつ、前記表皮材は
   、ロータ電極の入ツノ端と放電端間の抵抗値が所定値と
   なるように適宜箇所が切削されていることを特徴とする
   ディストリピコータの「二１−タ電極。
2. （２）前記表皮材は、導電性金属の薄板からなり、前記
   抵抗値の設定は、１］−タ電極の入力端と放電端間の抵
   抗値を測定しつつ、所定抵抗値となるにうに前記薄板の
   適宜箇所を幅方向へ切断づることにより行なわれている
   ことを特徴とする特許請Ｊ？の範囲第１】口記載のディ
   ストリビュータのロータ電極。
3. （３）前記表皮材は、前記電極基体にす６１［（持上の
   小さな抵抗（Ａ薄膜からなり、前記抵抗値の５２定は、
   ロータ電極の入力端ど放電端間の抵抗（１１１を測定し
   つつ、所定抵抗値となるように、レージ“１〜リミング
   を用いて前記薄膜の適宜箇所を切除りることにより行な
   われていることを特徴とする特ｒ「請求の範囲第１拍記
   載のディス１ヘリビＪ−タの１−ュータ電極。