JPS6016861A - 高アルミナ磁器組成物 - Google Patents
高アルミナ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6016861A JPS6016861A JP58125136A JP12513683A JPS6016861A JP S6016861 A JPS6016861 A JP S6016861A JP 58125136 A JP58125136 A JP 58125136A JP 12513683 A JP12513683 A JP 12513683A JP S6016861 A JPS6016861 A JP S6016861A
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- Japan
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- ceramic composition
- alumina ceramic
- high alumina
- mgo
- dielectric loss
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波誘電損失の小さい高アルミナ磁器組成物
に関するものである。
に関するものである。
通常ミリ波と称される３０ＧＨｚ以上で作動する高周波
電子回路の導波体として、従来の金属導波管に代わって
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム等のチタン酸塩とアルミナ磁器が注目されて
いるが、前者チタン酸塩類は誘電体力率ｔａｎ δが１
０ のレベルに止まり、ミリ波の領域においては損失が
大きくて実用に適しない。
電子回路の導波体として、従来の金属導波管に代わって
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸
カルシウム等のチタン酸塩とアルミナ磁器が注目されて
いるが、前者チタン酸塩類は誘電体力率ｔａｎ δが１
０ のレベルに止まり、ミリ波の領域においては損失が
大きくて実用に適しない。
一方後者アルミナ磁器の場合、Ａｌ２Ｏ，の含有率９９
，９％以上において満足ずべきｔａｎ δ１ｏ−４が得
られるが、このような含有率９９．９％以上のアルミナ
磁器は量産性に乏しく、実施に難があった。
，９％以上において満足ずべきｔａｎ δ１ｏ−４が得
られるが、このような含有率９９．９％以上のアルミナ
磁器は量産性に乏しく、実施に難があった。
ミリ波用高アルミナ磁器において、Ａ ｌ ｚ ０３の
含有率９９．９％以上を必要とする理由は、焼結された
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径が大きいと結晶の異方性も大きく
なって誘電損失を増大させるため結晶成長抑制剤として
著効を奏するＭｇｏと、焼結助剤としてＳｉＯ□が添加
されるが、これらＭｇＯ及びＳｉｎ、はＡｌ２Ｏ，の粒
界においてスピネル（Ａ１２０３ ・Ｍｇｏ）及びムラ
イト（３ＡＩ Ｏλ ５ ・２ＳｉＯ□）の如きＡＩ、０３以外の結晶が生成され
、これらがまたｔａｎ δを高めるため、上記ＭｇＯ及
びＳ ｉ ０２が主体のＡｌ２Ｏ，と反応してスピネル
、ムライト等の結晶を生成させないよう極微量の配合に
止める必要があるからである。
含有率９９．９％以上を必要とする理由は、焼結された
Ａｌ２Ｏ３の結晶粒径が大きいと結晶の異方性も大きく
なって誘電損失を増大させるため結晶成長抑制剤として
著効を奏するＭｇｏと、焼結助剤としてＳｉＯ□が添加
されるが、これらＭｇＯ及びＳｉｎ、はＡｌ２Ｏ，の粒
界においてスピネル（Ａ１２０３ ・Ｍｇｏ）及びムラ
イト（３ＡＩ Ｏλ ５ ・２ＳｉＯ□）の如きＡＩ、０３以外の結晶が生成され
、これらがまたｔａｎ δを高めるため、上記ＭｇＯ及
びＳ ｉ ０２が主体のＡｌ２Ｏ，と反応してスピネル
、ムライト等の結晶を生成させないよう極微量の配合に
止める必要があるからである。
本発明は、主体とするＡｌ、ｏ、に配合されるＭｇＯと
Ｓｉｏ２をＳ ｉＯ２／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜０ 、２
の範囲に設定することにより、Ａ１□０．の含有率を９
９．７％まで引下げてもｔａｎ δを１０ のレベルに
維持することに成功したもので、以下実施例について説
明する。
Ｓｉｏ２をＳ ｉＯ２／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜０ 、２
の範囲に設定することにより、Ａ１□０．の含有率を９
９．７％まで引下げてもｔａｎ δを１０ のレベルに
維持することに成功したもので、以下実施例について説
明する。
実施例
純度９９．９９５％の高純度アルミナ（三菱軽金属ＵＰ
Ａ） 、試薬特級無水珪酸（Ｓ ｉ Ｏ□）、試薬特級
炭酸マグネシウム（Ｍ ｇ Ｃ０３）の３者を含量で１
０００ｇとなるよう、但しＭ ｇ ＣＯ，はＭｇＯに換
算して次表の各種の割合に秤量、混合、それぞれの混合
物に脱イオン水１０１００Ｏ！、ポリビニルアルコール
１０ｇ１ポリエチレングリコール５ｇを配合、内容積２
０００ｍ１のポリエチレンのボールミルと純度９９．９
９５％のアルミナ珪石によって１５時間混合して得た各
スラリーを、ガス温度１７０℃、アトマイザ径１１０１
ｍ、７２００ｒ、ｐ、ｍの条件でｌＩ［ｆｆｉ乾燥を行
い平均５０μｍの粒径に造粒した。
Ａ） 、試薬特級無水珪酸（Ｓ ｉ Ｏ□）、試薬特級
炭酸マグネシウム（Ｍ ｇ Ｃ０３）の３者を含量で１
０００ｇとなるよう、但しＭ ｇ ＣＯ，はＭｇＯに換
算して次表の各種の割合に秤量、混合、それぞれの混合
物に脱イオン水１０１００Ｏ！、ポリビニルアルコール
１０ｇ１ポリエチレングリコール５ｇを配合、内容積２
０００ｍ１のポリエチレンのボールミルと純度９９．９
９５％のアルミナ珪石によって１５時間混合して得た各
スラリーを、ガス温度１７０℃、アトマイザ径１１０１
ｍ、７２００ｒ、ｐ、ｍの条件でｌＩ［ｆｆｉ乾燥を行
い平均５０μｍの粒径に造粒した。
この造粒した原料粉末を１５００ ｋｇ／ ｃｔ＆の圧
力でラバープレスを行、て４−′Ｘ Ｉ Ｑ Ｑｍに成
形、乾燥した後、酸化性雰囲気の電気炉中１５４０〜１
５６０°Ｃ１１時間の焼成を行って３．３ ｍ＋’Ｘ３
３．３し ＭＮの柱状焼結体を得た。
力でラバープレスを行、て４−′Ｘ Ｉ Ｑ Ｑｍに成
形、乾燥した後、酸化性雰囲気の電気炉中１５４０〜１
５６０°Ｃ１１時間の焼成を行って３．３ ｍ＋’Ｘ３
３．３し ＭＮの柱状焼結体を得た。
次にこの焼結晶をセンターレス外径研磨機及びダイヤモ
ンドカッターによって３ｍｍｘ５．０鰭の試験片を得た
。
ンドカッターによって３ｍｍｘ５．０鰭の試験片を得た
。
最後にこの試験片を脱イオン水ついでクロロセンによっ
て洗浄、電気炉にて１２００℃、１時間空焼処理し、下
記の条件で誘電正接ｔａｎ δを測定し、その結果を次
表に示す。
て洗浄、電気炉にて１２００℃、１時間空焼処理し、下
記の条件で誘電正接ｔａｎ δを測定し、その結果を次
表に示す。
装置：横河ヒユーレットパンカード製
モデル８４０８Ｂ
測定周波数ニア、４ＧＨｚ
温度：２０℃
前表によって明らかにされるようにＡ１ユ０゜９９．７
％と９９．９％、残部Ｓ ｉ Ｏ２とＭｇＯがＳｉＯ□
／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜０．２の範囲にある本発明品は
、試料隘３〜５及び９〜１０に示される通り誘電正接ｔ
ａｎ δ４．２〜６．７ Ｘ １０に収まっているのに
対してＡｌえ０３が９９．７％と９９．９％、残部５ｉ
Ｏ１！：ＭｇｏがＳ ｉＯｚ ／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜
０．２の範囲外の試料はいずれもｔａｎ δが９．５〜
２５．６Ｘ １０と大きくなり、また試料Ｎ１１４にあ
わせてＳｉＯ２とＭｇＯを最良（７） Ｓ ｉ Ｏ２／
Ｍ ｇ Ｏ＝０．５に設定してもＡＩＩＯ２が９９．７
％に満たないときは試料Ｎｏ、１２から明らかにされる
通りｔａｎ δが大きくなる。
％と９９．９％、残部Ｓ ｉ Ｏ２とＭｇＯがＳｉＯ□
／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜０．２の範囲にある本発明品は
、試料隘３〜５及び９〜１０に示される通り誘電正接ｔ
ａｎ δ４．２〜６．７ Ｘ １０に収まっているのに
対してＡｌえ０３が９９．７％と９９．９％、残部５ｉ
Ｏ１！：ＭｇｏがＳ ｉＯｚ ／ Ｍ ｇ Ｏ＝ １〜
０．２の範囲外の試料はいずれもｔａｎ δが９．５〜
２５．６Ｘ １０と大きくなり、また試料Ｎ１１４にあ
わせてＳｉＯ２とＭｇＯを最良（７） Ｓ ｉ Ｏ２／
Ｍ ｇ Ｏ＝０．５に設定してもＡＩＩＯ２が９９．７
％に満たないときは試料Ｎｏ、１２から明らかにされる
通りｔａｎ δが大きくなる。
以上の通り、本発明の高アルミナ磁器は３０ＧＨｚ以上
で作動する高周波電子回路の導波体として優れた誘電正
接を示し、高周波誘電損失を小さくする優れた効果があ
る。
で作動する高周波電子回路の導波体として優れた誘電正
接を示し、高周波誘電損失を小さくする優れた効果があ
る。
なお、出発原料のＡｌ２Ｏ３は高純度を要し、実施例に
おいては純度９９．９９５％のものを使用したが、少な
くとも９９．７％以上のものを用いることが好ましく、
同じく出発原料の無水珪酸及び炭酸マグネシウムも高純
度が望ましく共に試薬特級品を用いたが、これらの添加
量は極めて微量であるから必ずしも試薬級を使用する要
はない。
おいては純度９９．９９５％のものを使用したが、少な
くとも９９．７％以上のものを用いることが好ましく、
同じく出発原料の無水珪酸及び炭酸マグネシウムも高純
度が望ましく共に試薬特級品を用いたが、これらの添加
量は極めて微量であるから必ずしも試薬級を使用する要
はない。
Claims (1)
- Ａ １２０Ｓ Ｓ ｉ Ｏ□−Ｍｇ○３成分系からなり
、Ａ Ｉ２．０．９９．７〜９９．９重量％、ＳｉＯ□
とＭｇＯがＳ ｉｏｚ ／Ｍｇ０＝１〜０．２の範囲
で含有することを特徴とした高周波誘電損失の小さい高
アルミナ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125136A JPS6016861A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 高アルミナ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125136A JPS6016861A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 高アルミナ磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016861A true JPS6016861A (ja) | 1985-01-28 |
| JPS6366795B2 JPS6366795B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=14902747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125136A Granted JPS6016861A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 高アルミナ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016861A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171266A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-04 | 株式会社東芝 | 高周波機器用セラミツクス部品 |
| EP0190768A2 (en) * | 1985-02-08 | 1986-08-13 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Alumina porcelain compositions |
| JPS6291462A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-25 | 旭化成株式会社 | 高純度アルミナ焼結体 |
| JPH01213910A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ磁器組成物 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58125136A patent/JPS6016861A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171266A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-04 | 株式会社東芝 | 高周波機器用セラミツクス部品 |
| EP0190768A2 (en) * | 1985-02-08 | 1986-08-13 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Alumina porcelain compositions |
| EP0190768A3 (en) * | 1985-02-08 | 1986-11-12 | Ngk Spark Plug Co. Ltd. | Alumina porcelain compositions |
| JPS6291462A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-25 | 旭化成株式会社 | 高純度アルミナ焼結体 |
| JPH01213910A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アルミナ磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366795B2 (ja) | 1988-12-22 |
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