JP2542237B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP2542237B2 JP2542237B2 JP63126353A JP12635388A JP2542237B2 JP 2542237 B2 JP2542237 B2 JP 2542237B2 JP 63126353 A JP63126353 A JP 63126353A JP 12635388 A JP12635388 A JP 12635388A JP 2542237 B2 JP2542237 B2 JP 2542237B2
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Description
【発明の詳細な説明】 イ．発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、通信および放送機器に使用されるマイクロ
波用誘電体磁器組成物に関する。
波用誘電体磁器組成物に関する。
［従来の技術］ 近年、マイクロ波帯において誘電率が大きく、誘電損
失が小さく、また共振周波数の温度係数（以下τｆと称
す）が小さな誘電体が共振器に用いられ、衛星放送受信
機や自動車電話などの通信および放送機器に応用されて
いる。従来このような用途にはBaO−TiO2系、MgO−CaO
−TiO2系の誘電体磁器が知られている。
失が小さく、また共振周波数の温度係数（以下τｆと称
す）が小さな誘電体が共振器に用いられ、衛星放送受信
機や自動車電話などの通信および放送機器に応用されて
いる。従来このような用途にはBaO−TiO2系、MgO−CaO
−TiO2系の誘電体磁器が知られている。
［発明が解決しようとする課題］ 誘電体を共振器として使用する際、共振器の寸法は1/
（εｒ）1/2（但し、εｒは誘電体の比誘電率）に比例
することから誘電率が大きいほど誘電体の小型化が可能
である。上記BaO−TiO2系、MgO−CaO−TiO2系ではεｒ
＝20〜40であって、マイクロ波帯でも周波数の低い1GHz
付近でこれらを共振器として使用する際には寸法が大き
くなる欠点がある。近年1GHz付近で使用される誘電体共
振器の需要は高まりつつあり、寸法の小型化の要求を満
たすために、より大きい誘電率を持つ誘電体磁器が必要
となる。共振器として必要な特性を満たす為には、大き
な誘電率を持つのみでなくＱ（誘電損失tanδの逆数、
即ちＱ＝1/tanδ）が高く、τｆが小さなことが必要で
ある。例えば、特開昭56−134562に示すBaO−TiO2−Nd2
O系においてはεｒ＞70、Ｑ＞2000とεｒが大きく、Ｑ
が高い磁器が得られるが、τｆが150ppm/℃以上と大き
く実用には適さず、又、特開昭56−82501に示すBaO−Ti
O2−Nd2O3＋希土類酸化物＋PbO系のPbOを含まない組成
ではεｒは50程度と小さく、PbOを添加することでεｒ
＝91、Ｑ＝4200（at2GHz）、τｆ＝5ppm/℃を得てい
る。とはいえPbOを含む組成は焼成時にPbOが蒸発するた
め安定した特性を得にくいと共に蒸発したPbOが焼成炉
等の装置を汚染し、他の組成の磁器の製造に悪影響を与
える製造上の欠点がある。
（εｒ）1/2（但し、εｒは誘電体の比誘電率）に比例
することから誘電率が大きいほど誘電体の小型化が可能
である。上記BaO−TiO2系、MgO−CaO−TiO2系ではεｒ
＝20〜40であって、マイクロ波帯でも周波数の低い1GHz
付近でこれらを共振器として使用する際には寸法が大き
くなる欠点がある。近年1GHz付近で使用される誘電体共
振器の需要は高まりつつあり、寸法の小型化の要求を満
たすために、より大きい誘電率を持つ誘電体磁器が必要
となる。共振器として必要な特性を満たす為には、大き
な誘電率を持つのみでなくＱ（誘電損失tanδの逆数、
即ちＱ＝1/tanδ）が高く、τｆが小さなことが必要で
ある。例えば、特開昭56−134562に示すBaO−TiO2−Nd2
O系においてはεｒ＞70、Ｑ＞2000とεｒが大きく、Ｑ
が高い磁器が得られるが、τｆが150ppm/℃以上と大き
く実用には適さず、又、特開昭56−82501に示すBaO−Ti
O2−Nd2O3＋希土類酸化物＋PbO系のPbOを含まない組成
ではεｒは50程度と小さく、PbOを添加することでεｒ
＝91、Ｑ＝4200（at2GHz）、τｆ＝5ppm/℃を得てい
る。とはいえPbOを含む組成は焼成時にPbOが蒸発するた
め安定した特性を得にくいと共に蒸発したPbOが焼成炉
等の装置を汚染し、他の組成の磁器の製造に悪影響を与
える製造上の欠点がある。
PbOを含まない系としてBaO−TiO2−Nd2O3−Sm2O3系が
知られており、Sm2O3を成分とすることで小さなτｆを
得るためには高価なSm2O3含有量を多くする必要があ
る。
知られており、Sm2O3を成分とすることで小さなτｆを
得るためには高価なSm2O3含有量を多くする必要があ
る。
ロ．発明の構成 ［課題を解決するための手段］ 本発明の（１）は、上記欠点を改善するため、誘電率
が大きく、Ｑが高く、τｆが小さな誘電体磁器を提供す
るためになされたもので、酸化バリウム、酸化チタン、
酸化ネオジム、酸化ガドリニウムからなり、成分組成式
（モル比率）が aBaO−bTiO2−ｃ｛（１−ｘ）Nd2O3−xGd2O3｝ ［但し、0.10≦ａ≦0.20,0.65≦ｂ≦0.75,0.10≦ｃ≦0.
20,a＋ｂ＋ｃ＝１でかつ０＜ｘ≦0.4］からなることを
特徴とする誘電体磁器組成物である。本発明の（２）は
上記（１）に記載の誘電体磁器組成物100wt％に酸化ア
ルミニウム4wt％以下添加してなる誘電体磁器組成物で
あって、上記（１）の組成のＱ、τｆ値をさらに改善
し、その特性値の選択の幅を拡大できる特徴を有してい
る。
が大きく、Ｑが高く、τｆが小さな誘電体磁器を提供す
るためになされたもので、酸化バリウム、酸化チタン、
酸化ネオジム、酸化ガドリニウムからなり、成分組成式
（モル比率）が aBaO−bTiO2−ｃ｛（１−ｘ）Nd2O3−xGd2O3｝ ［但し、0.10≦ａ≦0.20,0.65≦ｂ≦0.75,0.10≦ｃ≦0.
20,a＋ｂ＋ｃ＝１でかつ０＜ｘ≦0.4］からなることを
特徴とする誘電体磁器組成物である。本発明の（２）は
上記（１）に記載の誘電体磁器組成物100wt％に酸化ア
ルミニウム4wt％以下添加してなる誘電体磁器組成物で
あって、上記（１）の組成のＱ、τｆ値をさらに改善
し、その特性値の選択の幅を拡大できる特徴を有してい
る。
第１図は、本発明の（１）の理解のためにBaO−TiO2
−（Nd2O3−Gd2O3）の３元状態図でその特許請求の範囲
を図示したものである。又、その各交点A,B,C,D,E,Fの
組成値を第１表に示した。
−（Nd2O3−Gd2O3）の３元状態図でその特許請求の範囲
を図示したものである。又、その各交点A,B,C,D,E,Fの
組成値を第１表に示した。
［作用］ aBaOのａ値が0.20を超えるとτｆが大きくなり、0.10
モル％より小さいとεｒが小さくなる。
モル％より小さいとεｒが小さくなる。
bT1O2のｂ値が0.75を超えるとτｆが大きくなり、0.6
5より小さいとＱが低く、燃焼し難くなる。ｃ｛（１−
Ｘ）Nd2O3−XGd2O3｝のｃ値が0.20を超えるとＱが低く
なり、0.10より小さいとτｆが大きくなる。
5より小さいとＱが低く、燃焼し難くなる。ｃ｛（１−
Ｘ）Nd2O3−XGd2O3｝のｃ値が0.20を超えるとＱが低く
なり、0.10より小さいとτｆが大きくなる。
Gd2O3置換量がＸが0.4を超えるとＱが低くなり過ぎ
る。
る。
本発明の特徴の１つはNd2O3の一部をGd2O3に置き換え
ることで、εｒを殆ど変化させることなくτｆを変化さ
せることができる。この特性のため、BaO−TiO2−Nd2O3
系では従来得られなかったεｒが大きく、τｆが小さな
組成を第１図のように極めて限定された範囲で得ること
が出来る。
ることで、εｒを殆ど変化させることなくτｆを変化さ
せることができる。この特性のため、BaO−TiO2−Nd2O3
系では従来得られなかったεｒが大きく、τｆが小さな
組成を第１図のように極めて限定された範囲で得ること
が出来る。
本発明者等はさらに、このBaO−TiO2−（Nd2O3−Gd2O
3）系100wt％にAl2O3を4wt％まで添加することによりＱ
値の増加し、より小さいτｆが得られることを見出し
た。以上のように本発明は小さなτｆを得るための効果
はSm2O3を置換するより大きく、少量のAl2O3の添加で小
さいτｆを得ることが出来る。
3）系100wt％にAl2O3を4wt％まで添加することによりＱ
値の増加し、より小さいτｆが得られることを見出し
た。以上のように本発明は小さなτｆを得るための効果
はSm2O3を置換するより大きく、少量のAl2O3の添加で小
さいτｆを得ることが出来る。
［実施例］ 以下実施例に基づき本発明を詳細に説明する。
［実施例Ａ］:Al2O3を含有しない場合 （実施例No.1,3,4,5,6,12,18,20,22,24,28,29,30,33,3
9） 出発原料に高純度のBaCO3、TiO2、Nd2O3、Gd2O3を用
いて、所定の組成比になるように秤量した後、ポリエチ
レンポット、アルミナボールを用いて純水と共に湿式混
合した。得られたスラリーを吸引濾過し乾燥した。これ
を空気中において900〜1100℃で１〜６時間仮焼した。
仮焼後再びポリエチレン、アルミナボールを用いて、純
水とともに湿式粉砕し、吸引濾過、乾燥した。これにバ
インダーを添加し、48メッシュを通して造粒した。成形
圧力1000kgf/cm2で直径約16mm、厚さ約6mmにプレス成形
した後、白金板上で1300〜1450℃で焼成した。得られた
誘電体機器について、3GHzにおける比誘電率（εｒ）、
Ｑおよび−25〜＋75℃における共振周波数の温度係数τ
ｒを求めた。以上の結果を第２表に示し、なお、Gd2O3
の代わりにSm2O3とした比較例も共に示した。
9） 出発原料に高純度のBaCO3、TiO2、Nd2O3、Gd2O3を用
いて、所定の組成比になるように秤量した後、ポリエチ
レンポット、アルミナボールを用いて純水と共に湿式混
合した。得られたスラリーを吸引濾過し乾燥した。これ
を空気中において900〜1100℃で１〜６時間仮焼した。
仮焼後再びポリエチレン、アルミナボールを用いて、純
水とともに湿式粉砕し、吸引濾過、乾燥した。これにバ
インダーを添加し、48メッシュを通して造粒した。成形
圧力1000kgf/cm2で直径約16mm、厚さ約6mmにプレス成形
した後、白金板上で1300〜1450℃で焼成した。得られた
誘電体機器について、3GHzにおける比誘電率（εｒ）、
Ｑおよび−25〜＋75℃における共振周波数の温度係数τ
ｒを求めた。以上の結果を第２表に示し、なお、Gd2O3
の代わりにSm2O3とした比較例も共に示した。
なお、εｒとτｆの値は周波数により影響されない
が、Ｑは、周波数とＱの積が一定である関係があるた
め、例えば、1GHzの測定のＱの測定値は3GHzにおけるＱ
の値の３倍に相当することになる。Gd2O3がτｆを小さ
くする効果は、比較例No.3と実施例No.29から,Gd2O3の
0.3モル％の置換によりτｆが47から3ppm/Kに減少して
顕著な効果のあることがわかる。更に、Gd2O3の置換量
による影響は，実施例No.18,20,22,24で、Gd2O3置換量
（Ｘ）を0.1〜0.4の間で0.1づつ増加させると、τｆが2
9から2ppm/Kに減少している。この際τｆの減少と同時
にＱも低下しＸ＝0.4ではＱが1040とかなり低くなって
しまうことから置換量（Ｘ）は0.4以下とすることが必
要である。
が、Ｑは、周波数とＱの積が一定である関係があるた
め、例えば、1GHzの測定のＱの測定値は3GHzにおけるＱ
の値の３倍に相当することになる。Gd2O3がτｆを小さ
くする効果は、比較例No.3と実施例No.29から,Gd2O3の
0.3モル％の置換によりτｆが47から3ppm/Kに減少して
顕著な効果のあることがわかる。更に、Gd2O3の置換量
による影響は，実施例No.18,20,22,24で、Gd2O3置換量
（Ｘ）を0.1〜0.4の間で0.1づつ増加させると、τｆが2
9から2ppm/Kに減少している。この際τｆの減少と同時
にＱも低下しＸ＝0.4ではＱが1040とかなり低くなって
しまうことから置換量（Ｘ）は0.4以下とすることが必
要である。
TiO2量の影響は、実施例No.1と30から、TiO2の値ｂが
大きい場合、高いＱが得られるがτｆが大きくなり、一
方ｂを小さくし過ぎると焼結し難くなる欠点があるた
め、ｂの範囲は0.65≦ｂ≦0.75とする必要がある。
大きい場合、高いＱが得られるがτｆが大きくなり、一
方ｂを小さくし過ぎると焼結し難くなる欠点があるた
め、ｂの範囲は0.65≦ｂ≦0.75とする必要がある。
［実施例Ｂ］:Al2O3を含有する場合 （実施例No.2,7〜11,13〜17,19,21,23,25〜27,31,32,34
〜38,40,41） BaO−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系100wt％に、Al2O3を
添加して、実施例Ａと同様に誘電体磁器を製造、焼成し
得られる特性を同じく第２表に示した。
〜38,40,41） BaO−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系100wt％に、Al2O3を
添加して、実施例Ａと同様に誘電体磁器を製造、焼成し
得られる特性を同じく第２表に示した。
Al2O3の添加の効果は、実施例18と19,20と21等の比較
からそれぞれAl2O3の1.5wt％添加してＱが向上し，かつ
τｆが小さくなっている。しかし、実施例６〜11,12〜1
7,33〜38では、Al2O3の添加０〜1.5wt％迄の増加に比例
してＱを増加させるが1.5wt％を超えるとＱは漸次減少
する。一方εｒはAl2O3の添加により漸次減少し実施例3
8ではεｒ＝58となっている。このためAl2O3の添加量の
上限を4.0wt％とした。
からそれぞれAl2O3の1.5wt％添加してＱが向上し，かつ
τｆが小さくなっている。しかし、実施例６〜11,12〜1
7,33〜38では、Al2O3の添加０〜1.5wt％迄の増加に比例
してＱを増加させるが1.5wt％を超えるとＱは漸次減少
する。一方εｒはAl2O3の添加により漸次減少し実施例3
8ではεｒ＝58となっている。このためAl2O3の添加量の
上限を4.0wt％とした。
又，実施例17,25,38に示すようにAl2O3添加によりBaO
−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系では得られなかった−22pp
m/Kのような負のτｆを得ることができる特徴を有す
る。
−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系では得られなかった−22pp
m/Kのような負のτｆを得ることができる特徴を有す
る。
又、実施例29および９からτｆは何れも３であるがAl
2O3を1.5wt％添加してＱを1800から3360に大幅に増加さ
せることもできる。
2O3を1.5wt％添加してＱを1800から3360に大幅に増加さ
せることもできる。
本発明の特性は,a,b,c,XおよびAl2O3添加量で決定さ
れるが、εｒが大きく、Ｑが高く、τｆが小さいという
点から所望の値はεｒ≧58、Ｑ＞1000（at3GHz）、τｆ
＜100ppm/Kとした。
れるが、εｒが大きく、Ｑが高く、τｆが小さいという
点から所望の値はεｒ≧58、Ｑ＞1000（at3GHz）、τｆ
＜100ppm/Kとした。
更に、最も好ましい特性値がεｒ≧60、Ｑは約2000以
上、τｆ≦20ppm/Kの範囲の場合、本発明の最も好まし
い範囲は、0.1≦ａ≦0.15、0.65≦ｂ≦0.7、0.15≦ｃ≦
0.2、０＜Ｘ≦0.3、０≦Al2O3≦4wt％である。
上、τｆ≦20ppm/Kの範囲の場合、本発明の最も好まし
い範囲は、0.1≦ａ≦0.15、0.65≦ｂ≦0.7、0.15≦ｃ≦
0.2、０＜Ｘ≦0.3、０≦Al2O3≦4wt％である。
ハ．発明の効果 以上のように、本発明の誘電体磁器組成物は、εｒが
大きく、Ｑが高く、τｆが小さい特性を持っており、衛
星放送受信機や自動車電話等のマイクロ波用誘電体磁器
として利用される。本発明は製造においては、PbO等の
蒸発成分を含まないため、特性の安定が容易であり、ま
た焼成炉の装置の汚染や他の組成磁器への悪影響が無い
こと、さらにGd2O3よりはるかに高価なSm2O3を使用せ
ず、かつその使用量も少ないのでその経済的効果は非常
に大であることも利点としてあげられる。
大きく、Ｑが高く、τｆが小さい特性を持っており、衛
星放送受信機や自動車電話等のマイクロ波用誘電体磁器
として利用される。本発明は製造においては、PbO等の
蒸発成分を含まないため、特性の安定が容易であり、ま
た焼成炉の装置の汚染や他の組成磁器への悪影響が無い
こと、さらにGd2O3よりはるかに高価なSm2O3を使用せ
ず、かつその使用量も少ないのでその経済的効果は非常
に大であることも利点としてあげられる。
第１図は本発明の特許請求の範囲第（１）項の範囲をBa
O−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系の３元状態図で示す。
O−TiO2−（Nd2O3−Gd2O3）系の３元状態図で示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西垣 進 愛知県名古屋市緑区鳴海町字伝治山３番 地 鳴海技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭56−82501（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−17907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−65763（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】酸化バリウム（BaO）、酸化チタン（Ti
O2）、酸化ネオジム（Nd2O3）および酸化ガドリニウム
（Gd2O3）からなり、成分組成式（モル比率）が、 aBaO−bTiO2−ｃ［（１−ｘ）Nd2O3−xGdO3］ 〔但し、0.10≦ａ≦0.20,0.65≦ｂ≦0.75,0.10≦ｃ≦0.
20,a＋ｂ＋ｃ＝1,でかつ０＜ｘ≦0.4〕からなることを
特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の誘電体磁器
組成物100wt％に対して、酸化アルミニウム（Al2O3）を
4wt％以下添加してなることを特徴とする誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126353A JP2542237B2 (ja) | 1987-08-21 | 1988-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
| EP89401360A EP0344046B1 (en) | 1988-05-24 | 1989-05-17 | Dielectric ceramic composition |
| DE89401360T DE68905668T2 (de) | 1988-05-24 | 1989-05-17 | Dielektrische keramische Zusammensetzung. |
| US07/354,564 US5013695A (en) | 1988-05-24 | 1989-05-22 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-208939 | 1987-08-21 | ||
| JP20893987 | 1987-08-21 | ||
| JP63126353A JP2542237B2 (ja) | 1987-08-21 | 1988-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140505A JPH01140505A (ja) | 1989-06-01 |
| JP2542237B2 true JP2542237B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=26462561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126353A Expired - Lifetime JP2542237B2 (ja) | 1987-08-21 | 1988-05-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542237B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165403A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP3029502B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-04-04 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2938672B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2938673B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2938671B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1999-08-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018083B2 (ja) * | 1979-12-06 | 1985-05-08 | 株式会社村田製作所 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS6065763A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体セラミックス |
| JPH0785363B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1995-09-13 | 沖電気工業株式会社 | マイクロ波用誘電体セラミツクス |
| JP2631689B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1997-07-16 | 東光株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63126353A patent/JP2542237B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140505A (ja) | 1989-06-01 |
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